Замена транзистора на материнской плате

Содержание

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Диаграмма входного сигнала.

Схема измерения при резистивной нагрузке.

Параметры режима:

UCC = 125 В. RC = 125 Ом. RB = 47 Ом. D1 диод 1N5820 или подобный. SCOPE – осциллограф “Tektronics 475” или подобный

tr, tf ˂ 10 нс; скважность ≤ 1%

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.

Входной сигнал: прямоугольный импульс с амплитудой 5 В и протяженностью фронтов tr и tf не более 10 нс

Скважность импульсов 10%. Протяженность импульса подбирается из требуемой величины коллекторного тока IC

UCC подбирается из требуемой величины IC. RB подбирается из требуемой величины IB1. Диод MR826 выбирается на напряжение 1 кВ. Напряжение ограничения UCLAMP = 300 В.

Диаграммы выходных токов и напряжений.

На рисунке:

  • tf CLAMPED – время спадания импульса тока при ограничении напряжения на уровне UCLAMPED.
  • IC(PK) максимальное достижимое значение тока, по которому подбираются значение UCC и длительность входного импульса.

Расчетные формулы: t1 = L × IC(PK) / UCC; t2 = L × IC(PK) / UCLAMP.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, примененяемые в пускорегулирующих устройствах осветительной аппаратуры, преобразователях напряжения, импульсных регуляторах и других переключающих устройствах.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс Корпус
13001-0 0,8 700 400 9 0,4 150 5 8…30 0,7 / 1,8 / 0,6 TO-92
КТ538А 0,7 600 400 9 0,5 125 4 5 TO-92
2Т506А/Б 0,8 800/600 800/600 5 2 150 17 30 0,25 / 1,56 / 0,5 TO-39
КТ8270А 7 600 400 9 0,5 125 4 10 TO-126

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс Корпус
13001-0 0,8 600 400 9 0,5 150 5 8…30 0,7 / 1,8 / 0,6 TO-92
3DD6012A1 0,8 900 500 9 1,5 150 5 5 1 / 2 /1,5 TO-92
BU103AH 0,8 900 600 9 1,6 150 5 15 1 / 3 / 0,8 TO-92
BU103DH 0,8 800 500 9 1,6 150 5 20 1 / 3,5 / 0,8 TO-92
BUJ100 2 700 700 1 150 14 0,88 / 1,2 / 0,3 TO-92
CS13002 9,9 700 480 9 1 150 8 TO-92
CS13003 0,9 700 480 9 1,5 150 8 TO-92
KSB13003H 1,1 900 530 9 1,5 150 4 20 1,1 / 4 / 0,7 TO-92
KSB13003HR 1,1 900 530 9 1,5 150 4 20 1,1 / 4 / 0,7 TO-92
KTC3003HV 1,1 900 530 9 1,5 150 4 20 1,1 / 3 / 0,7 TO-92
MJE13002AHT 1,2 850 500 9 1,5 150 20 TO-92(S)
MJE13003HT 1,3 850 500 9 2 150 20 TO-92
MJE13003J1 1 900 550 9 1,5 150 5 10 — / 6 / 1,2 TO-92
MJE13003J1G 1 900 550 9 1,5 150 5 10 TO-92
MJE13003L1 1 900 530 9 1,5 150 5 10 — / 5 / 1,2 TO-92
STD5915 1,1 900 530 9 1,5 150 4 20 1,1 / 4 / 0,7 TO-92
STX616 2,8 980 500 12 1,5 150 25 0,2 / 5 / 0,65 TO-92

Примечания:

  1. Для транзистора MJE13002AHT возможны также корпуса: TO-126(S), TO-251(S), SOT-89.
  2. Данные в таблицах взяты из даташип-производителя. 

Электрические характеристики

Данные в таблицах действительны при температуре корпуса 25°C.

Предельные значения

Обозначение Параметр Условия измерений Мин. Тип. Макс. Ед. изм
BVDSS Напряжение пробоя сток-исток VGS = 0 V, ID = 250 µA 600 V
∆BVDSS/∆TJ Коэффициент напряжение пробоя/температура ID = 250 µA при 25°C 0,65 V/°C
IDSS Ток стока при нулевом напряжении затвора VDS = 600 V, VGS = 0 V 10 µA
VDS = 480 V, TC = 125°C 100 µA
IGSSF Прямой ток утечки затвор-корпус VGS = 30 V, VDS = 0 V 100 nA
IGSSR Обратный ток утечки затвор-корпус VGS = -30 V, VDS = 0 V -100 nA

Рабочие параметры

Обозначение Параметр Условия измерений Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
VGS(th) Пороговое напряжение открытия транзистора VDS = VGS, ID = 250 µA 2 4 V
RDS(on) Сопротивление сток-исток в открытом состоянии VGS = 10 V, ID = 1.0 A 3.8 5
gFS Крутизна передаточной характеристики VDS = 40 V, ID = 1.0 A 2.05 S

Динамические параметры

Обозна-чение Параметр Условия измерений Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Ciss Входная емкость VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz 380 490 pF
Coss Выходная емкость 35 46 pF
Crss Проходная емкость 7.6 9.9 pF

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения и преобразователях напряжения в аппаратуре общего назначения.

Отечественное производство

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE Корпус
2SD1047 100 160 140 6 12 150 15 210 60 TO-247
КТ892А/Б 175 350 350 5 15 150 300 TO-3
КТ897Б 125 200 200 5 20 10 400 TO-3
КТ898А/Б 125 350 5 20 200 10 400 TO-218
КТ8101А/Б 150 200 6 16 150 10 1000 20 TO-218
КТ8107А 100 1500 700 5 8 150 7 2…8 TO-3
КТ8114А/Б 125 1500 5 8 150 8 TO-3
КТ8117А 100 700 600 5 10 150 4 10 TO-3
КТ8150А 115 70 60 7 15 150 4 20 TO-3
КТ8158Б 125 100 100 5 12 150 4 1000 TO-3

Зарубежное производство

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE Корпус
2SD1047 100 160 140 6 12 150 15 210 60 TO-247
2SC5669 140 250 230 6 15 150 15 200 60 TO-3PN
2SD1975A 150 200 200 5 15 150 20 200 60 TO-3PL
2SD2489 130 200 200 5 15 150 70 120 5000 TO-3PN
BU941B 155 350 5 15 175 300 TO-3P
MJL3281A 200 200 200 7 15 150 30 600 75 TO-3PBL, TO-264
MJL4281A 230 350 350 5 15 150 35 600 80 TO-3PBL, TO-264
NJW0302 150 250 250 5 15 150 30 400 60 TO-3P
NJW1302 200 200 250 5 15 150 30 600 60 TO-3P
2SC4059 130 600 450 7 15 175 20 60 TO-247
2SC4108N 100 500 400 7 12 150 20 160 TO-247
ET359 100 300 200 80 175 80 TO-247
IDD1314 150 450 15 150 100 TO-247

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

История появления

Первые полевые транзисторы были разработаны в 1973 году, а уже спустя 6 лет появились управляемые биполярные модели, в которых использовался изолированный затвор. По мере совершенствования технологии существенно улучшились показатели экономичности и качества работы таких элементов, а с развитием силовой электроники и автоматических систем управления они получили широкое распространение, встречаясь сегодня практически в каждом электроприборе.

Сегодня используются электронные компоненты второго поколения, которые способны коммутировать электроток в диапазоне до нескольких сотен Ампер. Рабочее напряжение у IGBT — транзисторов колеблется от сотен до тысячи Вольт. Совершенствующие технологии изготовления электротехники позволяют выполнять качественные транзисторы, обеспечивающие стабильную работу электроприборов и блоков питания.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.

Ремонтируем телевизор AKAI своими руками

Добавил: STR2013, 15 Янв 2021

Рубрика:

В статье, ниже рассмотрены возможные неисправности телевизоров фирмы AKAI и способы устранения этих неисправностей.

Как и ко всем телевизорам применяю два правила. Правило номер 1 — ВНИМАТЕЛЬНО ПОСМОТРИ НА ДЕТАЛИ И МОНТАЖ, правило номер 2  — ПОСИДИ, ПОДУМАЙ, ВСПОМНИ…

AKAI-(CT-21(14)07D) Неисправность — при включении из дежурного режима светодиод гаснет и тут же загорается снова. Пробил мощный 12В стабилитрон питания радиоканала. Питание на него от строчника, сгорело разрывное сопротивление. Когда все замените, не забудьте проверить С-метром электролит в питании 47мкФ-16В, потому что источник питания Recorовского пошиба. Дефект распространенный. Далее самое интересное…

Особенности и применение транзистора

Анализ технических характеристик позволяет сделать вывод, что данный радиокомпонент является высокочастотным транзистором общего применения средней мощности. В первую очередь, об этом свидетельствуют высокие значения коллекторного тока – до 0,5А и характерной для корпуса ТО-92 рассеиваемой мощностью – 0,63Вт

Особое внимание стоит уделить коэффициенту усиления hFE. Его характеристика обладает хорошей линейностью, а предельная частота составляет 140МГц

Сочетание этих параметров в одном компоненте позволяет использовать его в выходных каскадах радиостанций небольшой мощности, до 1Вт. Вместе с тем, S9013 достаточно широко применяется в дискретных схемах и переключающих устройствах соответствующей мощности.

Свойства транзистора и его надежность хорошо известны профессионалам и радиолюбителя. Он широко применяется в электротехнической промышленности и радиолюбительской практике.

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог VCEO IC PC hFE fT
C945 50 0,15 0,4 70 200
Отечественное производство
КТ3102 45 0,1 0,25 250 300
Импорт
KSC945 50 0,15 0,25 40 300
2N2222 30 0,8 0,5 100 250
2N3904 40 0,2 0,31 40 300
2SC3198 50 0,15 0,4 20 130
2SC1815 50 0,15 0,4 70 80
2SC2002 60 0,3 0,3 90 70
2SC3114 50 0,15 0,4 55 100
2SC3331 50 0,2 0,5 100 200
2SC2960 50 0,15 0,25 100 100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945

Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов

Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или
униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).

Полярность — полевые транзисторы могут быть прямой проводимости или обратной, то есть с P-каналом или N-каналом.

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) — необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от
максимальной рабочей температуры транзистора — при повышении температуры максимальная рассеиваемая мощность уменьшается. Если рассеиваемая мощность
недостаточна — ухудшаются некоторые характеристики транзистора. Например, сопротивление Rds может удвоиться при возрастании температуры от 25°C до 125°C.

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Vds) – это максимальное напряжение сток-исток не вызывающее лавинного пробоя при температуре 25°C. Оно
имеет зависимость от температуры: напряжение уменьшаться при уменьшении температуры транзистора. Например, при -50°C, напряжение, не вызывающее
лавинного пробоя, может составлять 90% от Vds при 25°C.

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя
затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют
худшие скоростные характеристики.

Пороговое напряжение включения Vgs(th) — если напряжение на затворе выше Vgs(th), MOSFET транзистор начинает проводить ток через канал сток-исток. Vgs(th)
имеет отрицательный температурный коэффициент: с увеличением температуры MOSFET-транзистор начинает открываться при более низком напряжении затвор-исток.

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый
постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.

Максимальная температура канала (Tj) — этот параметр ограничивает температуру канала транзистора во включенном состоянии. Если ее превысить,
срок службы транзистора может сократиться.

Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.

Время нарастания (tr) — время, за которое ток стока увеличится с 10% до 90% от указанного.

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) — сопротивление открытого канала сток-исток при заданных параметрах: Id, Vgs и Tj.

Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора,
ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.

Чем заменить диод в микроволновке: читаем во всех подробностях

/ Техника /

Микроволновые печи давно появились в домах для удобного разогрева пищи. Они достаточно просты в управлении и доступны по стоимости.

Несмотря на свою надежность, изделие не защищено от неизбежных технических сбоев. В какой-то момент оно просто перестаёт работать. Основной причиной является поломка высоковольтного диода.

Высоковольтный диод – это несколько деталей, последовательно соединенных друг с другом в общий корпус. В комплектацию входит специальный выпрямительный диод. Это изделие наделено нелинейной вольт-амперной технической характеристикой.

Такую деталь микроволновки нельзя измерить обычным тестером, нужно воспользоваться мультиметром.

Неисправности СВЧ — печей. | Автор топика: Nineczka

Типичные неисправности микроволновок: вышел из строя магнетрон (основная деталь свч-печей — излучает микроволны), сгорел силовой трансформатор, не крутится тарелка, не работает панель управления, не нажимаются кнопки передней панели, не светится индикатор, пробита слюда.

Стоимость ремонта печки в основном зависит от необходимости замены дорогостоящих узлов.

Замена трансформатора или магнетрона. Замена конденсатора, диода, высоковольтного предохранителя. Замена предохранителя, слюды, лампы освещения. Ремонт электросхемы.

Anna (Corrianna) А где взять эту штучку, которая на стенке микроволновки прямоугольная золотистая???

Тюмень (Ferne) у меня можно

Yulia (Cullen) у меня на дверце как то умудрились защитную сетку повредить, на стекле — нужно менять дверцу или стекло или достаточно новую защиту наклеить?

Andrey (Farzin) таких запчастей у меня нет

Чем заменить высоковольтный диод в микроволновке

Проверка диода

Важно. Для процедуры печь обязательно отключают от электропитания

Шнур вынимают из розетки.

Затем производят визуальный осмотр микроволновки. Если нет оплавленных мест, потемневших участков, необходимо применить специальный измерительный прибор.

Как найти высоковольтный диод

Работает механизм по одному принципу. Но вот разновидностей этого элемента много. В конструкции микроволновой печи есть плата с маркировкой. Нужный элемент обычно обозначен символом DB 1.

Как только разберётесь, к какой модели относится ваша СВЧ, можете заменить деталь аналогичным элементом. Маркировка будет другая, но тип работы изделия один и тот же. Просто у каждого производителя своя маркировочная система.

Техническая характеристика детали следующая:

  • ток выходом до 700 мАмпер;
  • наивысшее напряжение около 5 кВольт.

Как проверить высоковольтный диод мультиметром

Для оценки состояния важной части надо применить специальный прибор – мультиметр. После того как отключите разогревательную технику от сети питания и вынете элемент печи, необходимо перевернуть деталь

Это позволит измерить напряжение с двух сторон

После того как отключите разогревательную технику от сети питания и вынете элемент печи, необходимо перевернуть деталь. Это позволит измерить напряжение с двух сторон.

Сопротивление измеряют как в прямом, так и обратном направлении.

  • Мультиметр надо включить в режим R x 1000.
  • Подсоедините его к диоду, к выводу со знаком + (это прямое сопротивление). Тестер должен показать на экране конечное сопротивление.
  • После этого подключают к выводу со знаком минус. Это измерение обратного направления сопротивления. Тестер должен вывести на экран бесконечность.

Важно. Подключать мультиметр надо в сеть не меньше 9 вольт

Проверка высоковольтного конденсатора мультиметром возможна только на пробой. Если прибор покажет короткое замыкание — деталь надо заменить.

Особенности элемента

Преимуществом МЭСО является то, что напряжение, необходимое для его переключения, в пять раз ниже напряжения при переключении КМОП. Проведенные эксперименты показали, что для переключения достаточно 500 мВ, но ученые подсчитали, что это значение можно довести до 100 мВ.

В результате процессоры на МЭСО будут потреблять в 10-30 раз меньше энергии по сравнению с чипами на транзисторах, плюс будут сверхэкономными в спящем режиме. В перспективе можно говорить о повышении энергоэффективности в 10-100 раз по сравнению с тем, чего в будущем можно добиться от КМОП.

МЭСО изготавливаются из так называемого мультиферроика — соединения висмута, железа и кислорода (BiFeO3)

Ученые сообщают, что МЭСО может вместить в пять раз больше логических операций на том же пространстве по сравнению с КМОП.

Что будет если MOSFET транзистор заменит выпрямительный диод в источнике питания?

Кремниевые выпрямительные диоды обладают большим значением прямого падения напряжения, которое достигает величины 1,2 В. Мощность, которую они рассеивают, способна понизить величину КПД питающего источника. На антивозвратном диоде в панели фотоэлектрического типа с величиной мощности 120 Вт и номинальным значением напряжения 24 В, теряется до 6 Вт, что равно 5% относительных единиц. Еще одним отрицательным фактором использования диодов может служить добавочные затраты на систему охлаждения, что служит причиной потерь мощности.

Рис. Прецизионный диод большой мощности работает в качестве выпрямителя, питает нагрузку индуктивности.

Схема выпрямительного устройства с МOSFEТ транзистором Q1 с низким значением сопротивления сток-исток во время работы, является источником 36 В. Нагрузка образуется с помощью использования последовательного соединения резистора на 9 Ом и индуктивности – 25 мГн. Компаратор IC служит для управления (открытия/ закрытия) затвора транзистора Q1. Это возможно на тех временных отрезках, когда питающее напряжение на аноде выше напряжения на катоде. Исток работает в качестве анода, а катод заменяется стоком. Способность проводить транзистором ток в направлении сток-исток весьма эффективно работает в этой схеме. При включении Q1 можно эффективно шунтировать паразитный диод, расположенный между подложкой и стоком, при этом наблюдаются минимальные потери мощности. При небольшом напряжении, происходит работа затвора-истока в качестве транзистора. Так, и паразитный диод D1, и резистор R1 работают в качестве компаратора, они служат для ограничения напряжении я на входах.

Нормальный режим работы выпрямителя при максимально большом токе нагрузки 2,65 А наблюдается падение напряжения, оно равно 33 мВ, а Q1 действует в омической области, там, где нарастает вольт-амперная характеристика. Если напряжение затвора оставить без управления, то падение напряжения будет равно величине способствующей мгновенному возрастанию максимальной мощности.

Эту же схему можно применять в DC/DC и DS/AC преобразователях, потому как в мостовых схемах, при этом MOSFET транзисторы имеют возможность пропускать и активные, и реактивные токи. Значительной особенностью может считаться исключение воздействие паразитного диода подложка-сток.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Подделка RJP5001 #2

Особенности: Корпус напоминает оригинальный TIG056, за исключением маркировки. Ровная, шлифованная и блестящая поверхность транзистора не свойственна оригинальным изделиям. Кристалл также размером не вышел.

CT40KM

Полное название транзистора CT40KM-8H
Производитель NEC, позже Renesas
Напряжение К-Э 400В
Коммутируемый импульсный ток 200А
Рабочее напряжение на затворе 30-40В
Заменяем без переделок RJP4301, RJP63F3A

Рассмотрим особенности оригинальных транзисторов:

  • Толстые, луженые ножки, у основания видна голая медь
  • Корпус с круглыми проштамповками в верхних углах корпуса, внутри них некие цифры, отличаются от серии к серии.
  • Маркировка жирным шрифтом с нечеткими границами. Маркировка краской, состоит из трех строк.

Кристалл размером с таковой у RJP5001, при несравнимо более скромных параметрах.

Подделок на CT40KM-8H нам еще не попадалось, как и самих транзисторов в продаже. 

TIG056

Полное название транзистора TIG056BF
Производитель Sanyo
Напряжение К-Э 400В
Коммутируемый импульсный ток 240A
Рабочее напряжение на затворе 33В
Заменяем без переделок RJP4301

Именно этот транзистор на сегодняшний (2020 год) день является единственным доступным IGBT транзистором с допустимым напряжением на затворе 30В. А значит, это единственная прямая замена CT40KM и RJP301. У нас на складе они есть в наличии: IGBT TIG056 на складе. Рассмотрим особенности оригинальных транзисторов:

  • Ножки однородные, гладкие, лужения не видно. Утолщение начинается от корпуса и продолжается примерно на 5мм.
  • Корпус с круглыми выштамповками. Два углубления на фланце по верхним углам, два по нижним. В верхних углублениях проштампованы: слева латинская буква, справа — цифра. Обе разные у разных экземплярах. Лицевая поверхность корпуса зеркально-гладкая, по центру верхнего края углубление с штампом (цифра или буква). 
  •  Маркировка толстым «разделенным» шрифтом Цифры «0» и «6» состоят из двух половинок. Способ маркировки  лазером, под углом видна глубина прожига, три строки маркировки, последняя строка — точка.
  •  Корпус сзади гладкий с тремя углублениями.
  •  Размер кристалла квадратный, примерно 4.5мм на 4.5мм.

Производители

Выберите производителя, чтобы ознакомится с его DataSheet на 13009:

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания: Во время пьянки мы чувствуем себя личностью. Наутро – организмом.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;

транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;

Коллективный разум.

дата записи: 2015-02-14 22:21:29

дата записи: 2016-02-23 16:11:18

дата записи: 2016-02-23 16:13:10

дата записи: 2016-10-12 13:39:27

MJE13005 – функциональный аналог; дата записи: 2017-11-01 08:40:54

2SC3040 – функциональный аналог; дата записи: 2018-07-06 22:01:53

Добавить аналог транзистора MJE13009.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13009? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали

Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил.KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W 2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W 2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w 2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w 2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w 2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w 2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w. 2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w. 2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w. 2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w. 2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w. 2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w. 2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w. 2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w. KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w. ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W