На какие числа делится число 4242

Содержание

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог VCEO IC PC hFE fT
C945 50 0,15 0,4 70 200
Отечественное производство
КТ3102 45 0,1 0,25 250 300
Импорт
KSC945 50 0,15 0,25 40 300
2N2222 30 0,8 0,5 100 250
2N3904 40 0,2 0,31 40 300
2SC3198 50 0,15 0,4 20 130
2SC1815 50 0,15 0,4 70 80
2SC2002 60 0,3 0,3 90 70
2SC3114 50 0,15 0,4 55 100
2SC3331 50 0,2 0,5 100 200
2SC2960 50 0,15 0,25 100 100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945

Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Аналоги

Для замены C4106 могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC/ICP TJ UCE (sat) UBE (sat) fT Cob hFE Корпус Временные параметры: ton / tstg / tf мкс
2SC4106 50 500 400 7 7 / 14 150 0,8 1,5 20 80 10…50 TO-220C 0,5 / 2,5 / 0,3
КТ840А 60 900 400 5 6 / 8 150 0,6 1,5 8…15 — 10…100 TO-3 0,2 / 3,5 / 0,6
КТ840Б 750 350 5 —
КТ840В 800 375 5 —
КТ841А 50 600 350 5 10 / 15 150 1,5 2,2 10…25 300 12…45 TO-3 0,08 / 0,8 / 0,5
КТ841Е 800 400
КТ841Д 500 400
КТ854А 60 600 500 5 10 / 15 150 2 — 10 — 20 TO-220AB —
2Т856А 125 — 950 5 10 / 12 — 1,5 — — — 10…60 TO-3 — / — / 0,5
2Т856Б — 750 — — — —
2Т856В — 550 — — — —
2Т856Г — 850 — — — —
КТ858А 60 400 400 6 7 / 10 150 1 1,2 — — 10 TO-220AB — / 2,5 / 0,75
КТ859А 40 800 800 10 3 / 4 150 1,5 1,4 — — 10 TO-220AB 0,35 / 3,5 / 0,35
КТ862В 50 600 400 5 10 / 15 150 1,5 1,6 20…30 250 12…50 TO-3 0,4 / 2 / 0,5
КТ868А 70 900 400 5 6 / 8 150 1,5 — 8 — 10…100 TO-3 —
КТ868Б 750 375 6 / 8 150 — — —
КТ8110 60 500 500 7 7 / 14 175 0,8 1,5 — — 15…30 — 0,7 / 2,5 / 0,7

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC/ICP TJ UCE (sat) UBE (sat) fT Cob hFE Корпус Временные параметры: ton / tstg / tf мкс
2SC4106 50 500 400 7 7 / 14 150 0,8 1,5 20 80 10…50 TO-220C 0,5 / 2,5 / 0,3
2SC3158 60 500 400 7 7 — 1 1,2 — — 20 TO-220F 1 / 2,5 / 1
2SC4055 60 600 450 7 8 180 1 1,5 20 — 100 TO-220 0,5 / 2 / 0,2
2SC4105 40 500 400 7 4 / 8 150 0,8 1,5 20 50 10…50 TO-220C 0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4107 60 500 400 7 10 / 20 150 0,8 1,5 20 120 10…50 TO-220C 0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4108 100 500 400 7 12 / 25 150 0,8 1,5 20 160 10…50 TO-3PB 0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4109 140 500 400 7 16 / 32 150 0,8 1,5 20 230 10…50 TO-3PN 0,5 / 2,5 / 0,3
3DK3039 50 500 400 7 7 175 1 1,5 — — 25 TO-220 ٭ 1 / — / 1
SGSD00020 70 650 400 — 8 175 — — — — 1000 TO-220 —
SGSF341 85 850 400 — 10 175 — — — — — TO-220 —
SGSF343 85 1000 450 — 8 175 — — — — — TO-220 —
SGSF344 85 1200 600 7 7 175 1,5 1,5 — — — TO-220 1,2 / 3,5 / 0,4
SM2175 60 — 400 — 15 200 — — 20 — 200 TO-220 —
BUL128 70 700 400 9 4 / 8 150 1,5 1,3 — — 10…40 TO-220 — / 3 / 0,4
BUL128B-D 70 700 400 9…18 4 / 8 150 1,5 1,3 — — 10…32 TO-220 — / 0,6 / 0,1
BUL128DR7 75 700 400 9 4 150 0,8 1,2 7 — 10…40 TO-220 — / 4 / 0,8
BUL128DR8 75 700 400 9 4 150 0,8 1,2 7 — 10…40 TO-220F — / 4 / 0,8
BUL128FP 31 700 400 9 4 / 8 150 1,5 1,3 — — 10…45 TO-220FP — / 2,9 / 0,4

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Модель PC, TC=25°C UCB UCE UEB IC TJ fT CC hFE Корпус
TIP42C 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
TO-220AB
TO-220C
TIP42C 25 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220IS
TIP42CG/L 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
300 15…75 TO-263
TIP42CG/L 22 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220F
TIP42CG/L 20 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-252
STTIP42C 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
HTIP42C 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
TIP42E 65 180 140 5 6 150 3 300 15…75 TO-220C
TIP42F 65 200 160 5 6 150 3 300 15…75 TO-220C
TIP42P 100 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-3P

Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.

Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента hFE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону hFE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:

— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:

  •    TIP42C R – диапазон hFE от 15 до 28;
  •    TIP42C O – диапазон hFE от 24 до 44;
  •    TIP42C Y – диапазон hFE от 42 до 75.

— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по hFE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:

  •    TIP42CG(L) – A — диапазон hFE от 15 до 30;
  •    TIP42CG(L) – B — диапазон hFE от 28 до 48;
  •    TIP42CG(L) – C — диапазон hFE от 45 до 75.

2SC4237 Datasheet (PDF)

0.1. 2sc4237.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4237DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1200 VCBOV C

8.1. 2sc4238.pdf Size:63K _panasonic

8.2. 2sc4233.pdf Size:184K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4233DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 8.3. 2sc4234.pdf Size:184K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4234DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATIN

8.4. 2sc4236.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4236DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER V

 8.5. 2sc4230.pdf Size:186K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4230DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speedGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RAT

8.6. 2sc4232.pdf Size:190K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4232DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATIN

8.7. 2sc4235.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4235DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALU

8.8. 2sc4231.pdf Size:186K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4231DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Запишите числа которые в сумме дают число 4242.

Задача: Данно число 4242.Какие 2(два) числа дают в сумме число 4242?Решение:

1) 211 + 4031 = 4242

2) 1878 + 2364 = 4242

3) 1022 + 3220 = 4242

4) 525 + 3717 = 4242

5) 508 + 3734 = 4242

Какие 3(три) числа дают в сумме число 4242?Решение:

1) 1281 + 1206 + 1755 = 4242

2) 65 + 375 + 3802 = 4242

3) 980 + 484 + 2778 = 4242

4) 8 + 450 + 3784 = 4242

5) 320 + 905 + 3017 = 4242

Какие 4(четыре) числа дают в сумме число 4242?Решение:

1) 329 + 673 + 227 + 3013 = 4242

2) 26 + 317 + 1699 + 2200 = 4242

3) 193 + 371 + 1368 + 2310 = 4242

4) 889 + 259 + 1164 + 1930 = 4242

5) 626 + 1198 + 670 + 1748 = 4242

Какие 5(пять) чисел дают в сумме число 4242?Решение:

1) 198 + 555 + 664 + 968 + 1857 = 4242

2) 163 + 277 + 307 + 1275 + 2220 = 4242

3) 726 + 62 + 1005 + 854 + 1595 = 4242

4) 418 + 190 + 1102 + 231 + 2301 = 4242

5) 429 + 518 + 468 + 438 + 2389 = 4242

IRFP4242 Datasheet (PDF)

0.1. irfp4242pbf.pdf Size:290K _international_rectifier

PD — 96966BIRFP4242PbFPDP MOSFETFeaturesKey Parametersl Advanced process technologyVDS min 300 Vl Key parameters optimized for PDP Sustain & Energy Recovery applicationsVDS (Avalanche) typ. 360 Vl Low EPULSE rating to reduce the powermRDS(ON) typ. @ 10V 49 dissipation in Sustain & ER applicationsIRP max @ TC= 100C 93 Al Low QG for fast responseTJ maxl High re

8.1. irfp4232pbf.pdf Size:290K _international_rectifier

PD — 96965AIRFP4232PbFPDP MOSFETFeaturesKey Parametersl Advanced process technologyVDS min 250 Vl Key parameters optimized for PDP Sustain & Energy Recovery applicationsVDS (Avalanche) typ. 300 Vl Low EPULSE rating to reduce the powermRDS(ON) typ. @ 10V 30 dissipation in Sustain & ER applicationsEPULSE typ. 310 Jl Low QG for fast responseIRP max @ TC= 100Cl

8.2. irfp4227pbf.pdf Size:296K _international_rectifier

PD — 97070AIRFP4227PbFPDP SWITCHFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS max 200 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications VDS (Avalanche) typ. 240 Vl Low EPULSE Rating to Reduce PowermRDS(ON) typ. @ 10V 21 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryIRP max @ TC= 100C 130 A and Pass Switch Applications

 8.3. irfp4228pbf.pdf Size:300K _international_rectifier

PD — 97229AIRFP4228PbFPDP SWITCHFeaturesl Advanced Process Technology Key Parametersl Key Parameters Optimized for PDP VDS min150 V Sustain, Energy Recovery and PassVDS (Avalanche) typ.180 V Switch ApplicationsRDS(ON) typ. @ 10V m12l Low EPULSE Rating to Reduce PowerIRP max @ TC= 100C170 A Dissipation in PDP Sustain, EnergyTJ max175 C Recovery and Pass

8.4. irfp4229pbf.pdf Size:301K _international_rectifier

PD — 97079BIRFP4229PbFPDP SWITCHFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS min250 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications VDS (Avalanche) typ.300 Vl Low EPULSE Rating to Reduce PowerRDS(ON) typ. @ 10V m38 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryIRP max @ TC= 100C87 A and Pass Switch Applications

 8.5. irfp4227pbf.pdf Size:296K _infineon

PD — 97070AIRFP4227PbFPDP SWITCHFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS max 200 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications VDS (Avalanche) typ. 240 Vl Low EPULSE Rating to Reduce PowermRDS(ON) typ. @ 10V 21 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryIRP max @ TC= 100C 130 A and Pass Switch Applications

8.6. irfp4229pbf.pdf Size:301K _infineon

PD — 97079BIRFP4229PbFPDP SWITCHFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS min250 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications VDS (Avalanche) typ.300 Vl Low EPULSE Rating to Reduce PowerRDS(ON) typ. @ 10V m38 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryIRP max @ TC= 100C87 A and Pass Switch Applications

8.7. irfp4227pbf.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4227PBFFEATURESWith TO-247 packagingUninterruptible power supplyHigh speed switchingHard switched and high frequency circuits100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

8.8. irfp4227.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4227IIRFP4227FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)21mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Repetitive Peak Current Capability for Reliable OperationShort fall & Rise Times For Fast SwitchingABSOLUTE MAXIM

8.9. irfp4229.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP4229IIRFP4229FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)46mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Repetitive Peak Current Capability for Reliable OperationShort fall & Rise Times For Fast SwitchingABSOLUTE MAXIM

Электрические характеристики

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения
Пробивное напряжение коллектор-база, В U(BR)CBO IC = 1,0 мА, IE = 0 ˃ 500
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер, В U(BR)CEO IC = 5,0 мА, RBE = ∞ ˃ 400
Пробивное напряжение эмиттер-база, В U(BR)EBO IE = 1,0 мА, IC = 0 ˃ 7,0
Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, В UCEX(sus) IC = 3 А, IB1 = 0,3 А, IB2 = -1,2 А, ˃ 400
L = 1 мГн, с введенными ограничениями
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCB = 400 В, IE = 0 ˂ 10
Ток эмиттера выключения, мкА IEBO UEB = 5,0 В, IC = 0 ˂ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 4,0 А, IB = 0,8 А ˂ 0,8
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 4,0 А, IB = 0,8 А ˂ 1,5
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) ٭ UCE = 5,0 В, IC = 0,8 А 15…50
hFE (2) UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А ≥ 10
hFE (3) UCE = 5,0 В, IC = 10,0 мА ≥ 10
Частотная полоса передачи (частота среза), МГц fT UCE = 10,0 В, IC = 0,8 А 20
Выходная емкость коллекторного перехода, пФ Cob UCB = 10 В, f = 1 МГц 80
Время переключения, мкс Время нарастания ton IC = 5 А, IB1 = 1,0 А, IB2 = -2 А, RL = 40 Ом, UCC = 200 В См. схему измерений на Рис. 1. ˂ 0,5
Время сохранения ts ˂ 2,5
Время спадания tf ˂ 0,3

٭ — весь диапазон изменения значений статического коэффициента усиления разделен на три группы в соответствии с таблицей:

Обозначение группы L M N
Диапазон значений hFE 15…30 20…40 30…50

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Модификации и группы транзистора C3198

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE ٭ NF (типовое) dB Корпус
C3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL) 0,625 60 50 5 0,15 125 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
FTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198A 0,4 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 1 TO-92
KTC3198L ٭٭ 0,625 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 0,5 (1) 0,2 (2) TO-92

٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCB = 60 В, IE = 0 ≤ 0,1
Ток базы выключения, мкА IEBO UEB = 5 В, IC =0 ≤ 0,1
Статический коэффициент усиления по току ٭ hFE(1) UCE = 6 В, IC = 0,002 А 40…250
hFE(2) UCE = 6 В, IC = 0,15 А ≥ 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 100мА, IB = 10 мА 0,1…0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 100мА, IB = 10 мА ≤ 0,1
Частота среза, МГц fT UCE = 10 В, IC = 1 мА ≥ 80
Выходная емкость, pF Cob UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц ≤ 3
Внутреннее сопротивление базового перехода, Ом rbb’ UCB = 10 В, IE = 1 мА, f = 30 МГц 50
Коэффициент шума (типовое значение), dB 2SC3198A NF UCE = 6 В, IC = 0,1 мА, f = 1 кГц, Rg = 10 кОм 1
2SC3198L NF 0,2

٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Обозначение транзистора в группе 2SC3198 O 2SC3198 Y 2SC3198 GR 2SC3198 BL
Диапазон величины hFE 70…140 120…240 200…400 350…700

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах (управления) базы IB.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и эмиттер-база UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы IC/IB = 5.

Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки IC в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора TC.

Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.

Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.

Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды Ta = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.

Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:

  1. горизонтальный – предельный ток транзистора, определяющий устойчивость паяных соединений. При возрастании температуры корпуса вводится поправка согласно графику Рис. 4;
  2. участок «Dissipation Limited» – предельный ток, ограничивающий общий нагрев п/п структуры;
  3. участок «S/b Limited» — ограничение тока исходя из недопущения вторичного пробоя п/п структуры;
  4. вертикальный участок – предельное напряжение коллектор-эмиттер, не приводящее к лавинному пробою п/п структуры.

Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (ton). См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.

В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (tstg + tf), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.

Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.

Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии Tc ≤ 100°C.

Увеличение UCEX(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.

Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:

  • непревышение температурных ограничений по структуре в целом;
  • токи и напряжения на интервале включения (ton) не превышают ограничений ОБР;
  • токи и напряжения на интервале выключения (tstg + tf) не превышают ограничений ОБР с обратным смещением.

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:

  1. SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
  2. ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.

По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.

Биполярный транзистор TIP41A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP41A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора:

TIP41A
Datasheet (PDF)

0.1. tip41are.pdf Size:222K _motorola

Order this documentMOTOROLAby TIP41A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP41AComplementary Silicon PlasticTIP41B*Power TransistorsTIP41C*. . . designed for use in general purpose am

0.2. tip41a tip41b tip41c tip42a tip42b tip42c.pdf Size:39K _st

TIP41A/41B/41CTIP42A/42B/42CCOMPLEMENTARY SILICON POWERTRANSISTORSn SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe TIP41A, TIP41B and TIP41C are siliconepitaxial-base NPN power transistors in JedecTO-220 plastic package, intented for use inmedium power linear and switching applications.The complementary PNP types are TIP42A,TIP42B and TIP42C.321TO-220INTERNAL SCH

 0.3. tip41a tip42a.pdf Size:205K _st

TIP41ATIP42ACOMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORFeatures COMPLEMENTARY PNP-NPN DEVICES NEW ENHANCED SERIES HIGH SWITCHING SPEED hFE IMPROVED LINEARITY32Applications1 GENERAL PURPOSE CIRCUITSTO-220 AUDIO AMPLIFIER POWER LINEAR AND SWITCHINGDescriptionInternal Schematic DiagramThe TIP41A is a silicon base island technologyNPN power tran

0.4. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:527K _fairchild_semi

July 2008TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41CNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Complementary to TIP42/TIP42A/TIP42B/TIP42C1. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TIP41A 60 V : TIP41B 80 V : TIP41C 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TI

 0.5. tip41abc.pdf Size:39K _fairchild_semi

TIP41 Series(TIP41/41A/41B/41C)Medium Power Linear Switching Applications Complement to TIP42/42A/42B/42CTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TIP41A 60 V : TIP41B 80 V : TIP41C 100 V VCEO Collector-Emitter Vo

0.6. tip41 tip41a tip41b tip41c to-220.pdf Size:248K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTMTIP41/41A/41B/41C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Silicon NPN The complementary PNP types are the TIP42 respectively Epoxy meets UL 94 V-0

0.7. tip41 tip41a tip41b tip41c tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:93K _onsemi

TIP41, TIP41A, TIP41B,TIP41C (NPN); TIP42, TIP42A,TIP42B, TIP42C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.6 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 VPOWER TRANSISTORSHuman Body Model, 3B; > 8000 V40-60-80-100 VOLTS, Epoxy Meets U

0.8. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:203K _lge

TIP41/41A/41B/41C TO-220 Transistor (NPN)TO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Medium Power Linear Switching Applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C Units VCBO Collector-Base Voltage 40 60 80 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 60 80 100 V

0.9. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C DESCRIPTIONDC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= 0.3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 40V(Min)- TIP41; 60V(Min)- TIP41A 80V(Min)- TIP41B; 100V(Min)- TIP41C Complement to Type TIP42/42A/42B/42C APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifer

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Телефон горячей линии ПФР

Для взаимодействия с заявителями Пенсионный фонд использует большое количество различных средств, в перечень которых также входит и горячая линия. Сотрудники службы поддержки, работающие по ведомственному каналу, проводят консультации по поводу предоставляемых услуг.

Сегодня специалисты горячей линии принимают звонки на следующие номера:

  • 8(800)-600-44-44 – основной канал для связи с заявителями, работающий бесплатно, в круглосуточном формате;
  • 8(800)-510-55-55 – еще один основной информационный номер, дозвонившись по которому можно получить наиболее полную консультацию;
  • 8(495)-987-09-09 – номер телефона, работающий для звонков с территории Москвы и Московской области.
  • 8(495)-986-2612 – телефон, предназначенный для взаимодействия с сотрудниками, работающими в отделе пенсионного страхования.

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

  • ton – время включения;
  • tstg – время сохранения импульса тока;
  • tf – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения UIN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%

  • UCC – напряжение питания.
  • RL – сопротивление нагрузки.
  • IC – ток коллектора.
  • IB1 и IB2 – токи базы в разные периоды времени.
  • UBB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

Делители числа 4242.

(что бы не забыть запишите все делители числа 4242 в блокнот.)На какие целые и(или) натуральные числа делится число 4242?

Число 4242 делится на следующие целые, натуральные числа (все делители числа 4242): 1, 2, 3, 6, 7, 14, 21, 42, 101, 202, 303, 606, 707, 1414, 2121, 4242

На какие четные числа делится число 4242?

Число 4242 делится на следующие четные числа (четные делители числа): 2, 6, 14, 42, 202, 606, 1414, 4242

На какие нечетные числа делится число 4242?

Число 4242 делится на следующие нечетные числа (нечетные делители числа): 1, 3, 7, 21, 101, 303, 707, 2121

Сколько делителей имеет число 4242?

Число 4242 имеет 16 делителей

Сколько четных делителей имеет число 4242?

Число 4242 имеет 8 четных делителей

Сколько нечетных делителей имеет число 4242?

Число 4242 имеет 8 нечетных делителей

Какие четырехзначные числа делятся на 4242?

На число 4242 делятся следующие четырехзначные числа: 4242, 8484.

Какое наименьшее четырехзначное число делится на 4242?

Наименьшее четырехзначное число которое можно разделить на число 4242 есть число 4242

Какое наибольшее четырехзначное число делиться на 4242?

Наибольшее четырехзначное число которое можно разделить на число 4242 есть число 8484

Сколько четырехзначных чисел делятся на 4242?

Таких чисел — 2.

Аналоги

В таблице 3 представлены основные параметры n-p-n транзисторов, пригодных для замены S9014.

Таблица 3. Транзисторы, подходящие для замены S9014 (все кремниевые, n-p-n)

Тип VCEO IC PC hFE fT Корпус Цоколевка*
S9014 45 100 450 60-1000 150 ТО-92 эбк
200 SOT-23 эбк
Импорт
BC547 45 100 625 110 – 800 150 ТО-92 кбэ
MPSW06 60 500 1000 от 80 50 ТО-92 эбк
BC550 45 100 500 420-800 300 ТО-92 кбэ
MPSA43 200 500 625 от 25 от 50 ТО-92 эбк
2SD1938 20 300 200 500 –2500 80 SOT-346 эбк
9014SLT1 45 100 300 300 300 SOT-23 эбк
2N7051 100 1500 625 от 1000 200 ТО-92 экб
Российское производство
КТ3102 20-50 100 250 100 – 1000 от 150 ТО-92 кбэ
КТ6111 45 100 450 60 – 1000 от 150 ТО-92 кбэ

*Цоколевка (ТО-92 – слева направо; SOT-23 – по часовой стрелке)

Примечания.

1. Значение VCEO КТ3102 определяется буквой, следующей за последней цифрой.

2. Корпус SOT-346 отличается от SOT-23 размерами (см. табл. 4).

3. Информация по параметрам аналогов заимствована из даташитов компаний-производителей.

Рис. 7. Корпуса  SOT-23 и SOT-346.

Таблица 4. Размеры SMD-корпусов

Корпус А (мм) B (мм) S (мм) H (мм)
SOT-23 2,9 1,3 2,4 0,95
SOT-346 2,9 1,6 2,8 1,1

Похожие записи:

Как собрать радио для коллег без единого разрыва Как сделать электрический удлинитель своими руками: пошаговое описание сборки. лучшие идеи и их реализация (140 фото) Основы электроники. ток, напряжение, сопротивление Блок питания на ir2153 Конструкция и принцип действия трехфазных трансформаторов Как заменить аккумулятор в автомобиле