Ss8550 datasheet, equivalent, cross reference search

Содержание

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах (управления) базы IB.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и эмиттер-база UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы IC/IB = 5.

Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки IC в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора TC.

Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.

Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.

Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды Ta = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.

Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:

  1. горизонтальный – предельный ток транзистора, определяющий устойчивость паяных соединений. При возрастании температуры корпуса вводится поправка согласно графику Рис. 4;
  2. участок «Dissipation Limited» – предельный ток, ограничивающий общий нагрев п/п структуры;
  3. участок «S/b Limited» — ограничение тока исходя из недопущения вторичного пробоя п/п структуры;
  4. вертикальный участок – предельное напряжение коллектор-эмиттер, не приводящее к лавинному пробою п/п структуры.

Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (ton). См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.

В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (tstg + tf), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.

Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.

Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии Tc ≤ 100°C.

Увеличение UCEX(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.

Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:

  • непревышение температурных ограничений по структуре в целом;
  • токи и напряжения на интервале включения (ton) не превышают ограничений ОБР;
  • токи и напряжения на интервале выключения (tstg + tf) не превышают ограничений ОБР с обратным смещением.

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13005A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

13005A
Datasheet (PDF)

0.1. mje13005a.pdf Size:273K _nell

RoHS MJE13005A(NPN)RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSwitchmode Series NPN Silicon Power Transistors(4A / 400V / 75W)FEATURESVCEO(SUS) 400V @ lC = 10 mA, lB = 0 VCE(sat) = 1.0V (Max.) @ lC = 4 A, lB = 1 ASwitching time — tf = 0.9 s (Max.) @ lC = 2 A 700V blocking capability123TO-220AB(MJE13005A) DESCRIPTION These devices are designed for high-

0.2. 3dd13005a1.pdf Size:180K _crhj

NPN R 3DD13005 A1 3DD13005 A1 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.3. 3dd13005a7.pdf Size:145K _crhj

NPN R 3DD13005 A7 3DD13005 A7 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.4. 3dd13005a3.pdf Size:143K _crhj

NPN R 3DD13005 A3 3DD13005 A3 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

 0.5. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

RS13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.6. 13005adl.pdf Size:121K _jdsemi

R13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.7. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.8. 13005ad.pdf Size:121K _jdsemi

R13005AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.9. 13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.10. ksg13005ar.pdf Size:220K _semihow

KSG13005AR SEMIHOW REV.A0,Feb 2009KSG13005ARKSG13005ARSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls3 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted3.8 WattsTO-92LCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collec

0.11. ksu13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.12. ksd13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.13. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

0.14. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

Другие транзисторы… , , , 13001-0
, 13001-2
, 13001-A
, 13003AD
, 13003B
, S9012
, 13005AD
, 13005ADL
, 13005D
, 13005DL
, 13005ED
, 13005F
, 13005S
, 13005SD
.

Биполярный транзистор L8550 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L8550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85

Корпус транзистора:

L8550
Datasheet (PDF)

0.1. l8550m.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

L8550M Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features L8050M Complementary pair with L8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning 3 2

0.2. l8550.pdf Size:603K _blue-rocket-elect

L8550(BR3CA8550K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features PC, IC , L8050(BR3DA8050K) High PC and IC, complementary pair with L8050(BR3DA8050K). / Applications 2W 2W output amplifier of portable radios in cl

 0.3. l8550plt1g.pdf Size:234K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.4. l8550hslt1g.pdf Size:83K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesS-L8550HPLT1GPNP SiliconFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

 0.5. l8550hplt1g.pdf Size:89K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesPNP Silicon S-L8550HPLT1GSeriesFEATURE High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requirem

0.6. l8550hqlt1g.pdf Size:85K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

0.7. l8550qlt1g.pdf Size:202K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.8. l8550hrlt1g.pdf Size:84K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requir

Другие транзисторы… KSA928T
, KSC2328T
, KTA1273T
, KTC2022I
, KTC3199M
, KTC3205T
, L8050
, L8050M
, 2N2222
, L8550M
, M28M
, MJE13009ZJ
, MMBR911
, MMBT5401T
, MMBT5551T
, MMBTA42T
, MMBTA44N
.

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCB = 60 В, IE = 0 ≤ 0,1
Ток базы выключения, мкА IEBO UEB = 5 В, IC =0 ≤ 0,1
Статический коэффициент усиления по току ٭ hFE(1) UCE = 6 В, IC = 0,002 А 40…250
hFE(2) UCE = 6 В, IC = 0,15 А ≥ 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 100мА, IB = 10 мА 0,1…0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 100мА, IB = 10 мА ≤ 0,1
Частота среза, МГц fT UCE = 10 В, IC = 1 мА ≥ 80
Выходная емкость, pF Cob UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц ≤ 3
Внутреннее сопротивление базового перехода, Ом rbb’ UCB = 10 В, IE = 1 мА, f = 30 МГц 50
Коэффициент шума (типовое значение), dB 2SC3198A NF UCE = 6 В, IC = 0,1 мА, f = 1 кГц, Rg = 10 кОм 1
2SC3198L NF 0,2

٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Обозначение транзистора в группе 2SC3198 O 2SC3198 Y 2SC3198 GR 2SC3198 BL
Диапазон величины hFE 70…140 120…240 200…400 350…700

Импортные и отечественные аналоги транзистора D209L

Аналог VCEO IC PC hFE fT
SS8050 25 1,5 1 85 100
Отечественное производство
КТ698В 50 2 0,6 50 150
КТ6117А 160 0,6 0,625 80 100
Импорт
MPS8050 25 1,5 0,625 85 190
MPS650 40 2 0,625 75 75
MPS651 60 2 0,625 75 75
2SC4145  2  1,2  200
2SD1207  50  2  1  100  150
2SD1207R  50  2  1  100  150
2SD1207S  50  2  1  140  150
2SD1207T  50  2  1  200  150
2SD1207U  50  2  1  280  150
2SD1347  50  3  1  100  150
2SD1347R  50  3  1  100  150
2SD1347S  50  3  1  140  150
2SD1347T  50  3  1  200  150
2SD1347U  50  3  1  280  150
2STL1360  60  3  1,2  160  130
2STX1360  60  3  1  160  130
CD1207  50  2  1  100  150
KTC3205  30  2  1  100
KTD1347  50  3  1  100  150
SK3849  50  1,5  1  120  200
SM2283  25  8  1  100  100
STC4250L  50  2  2  120  240
STSA1805  60  5  1,1  85  150
STSA851  60  5  1,1  85  130
STX112  100  2  1,2  1000
TSC5988CT  60  5  1  120  130

Примечание: параметры аналогов в таблице взяты из даташип производителя.

Электрические характеристики

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В UCEO(sus) IC = 3 А, IB1 = 0,6 А, L = 1 мгн ≥ 400
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В UCEX(sus)1 IC = 3,0 А, IB1 = 0,6 А, IB2 = — 0,6 А, UBE(off) = — 5 В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения. ≥ 450
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В UCEX(sus)2 IC = 6,0 А, IB1 = 2,0 А, IB2 = — 0,6 А, UBE(off) = — 5В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения. ≥ 400
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCB = 400 В, IE = 0 ≤ 10
Ток коллектора выключения, мА ICER UCE = 400 В, RBE = 51 Ом, Tc = 125°C ≤ 1
Ток коллектора выключения, мкА ICEX1 UCE = 400 В, UBE(off) = — 1,5В ≤ 10
Ток коллектора выключения, мА ICEX2 UCE = 400 В, UBE(off) = — 1,5 В, Tc = 125°C ≤ 1
Ток эмиттера выключения, мкА IEBO UEB = 5,0 В, IC = 0 ≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) ٭ IC = 3,0 А, IB = 0,6 А ≤ 1,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) ٭ IC = 3,0 А, IB = 0,6 А ≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) ٭ UCE = 5,0 В, IC = 0,1 А 20….80
hFE (2) ٭ UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А 20….80
hFE (3) ٭ UCE = 5,0 В, IC = 3,0 А ≥ 10
Временные параметры транзистора, см. схему измерений
Время включения транзистора, мкс ton UCC = 150 В, IC = 3,0 А, IB1 = 0,6 А, IB2 = — 0,6 А, RL = 50 Ом. ≤ 1,0
Время сохранения импульса, мкс tstg ≤ 2,5
Время спадания импульса, мкс tf ≤ 1,0

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE2 на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Классификация R O Y
hFE2 20….40 30….60 40….80

Электрические характеристики

Параметры действительны при температуре воздуха 25℃.

Обозначение Параметр Условия измерения Мин. Макс. Ед. изм.
V(BR)CBO Пробивное напряжение коллектор-база IC=100uA, IE=0 40 V
V(BR)CEO Пробивное напряжение коллектор-эмиттер IC=0.1mA, IB=0 25 V
V(BR)EBO Пробивное напряжение эмиттер-база IE=100μA, IC=0 5 V
ICBO Ток отсечки коллектора VCB=40V, IE=0 0,1 μA
ICEO Ток отсечки эмиттера VCE=20V, IE=0 0,1 μA
IEBO Ток отсечки эмиттера VEB=5V, IC=0 0,1 μA
hFE(1) Коэффициент усиления по постоянному току VCE=1V, IC=100mA 85
hFE(2) VCE=1V, IC=800mA 40
VCE(sat) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC=800mA, IB=80mA 0,5 V
VBE(sat Напряжение насыщения база-эмиттер IC=800mA, IB=80mA 1,2 V
VBE Напряжение база-эмиттер VCE=1V, IC=10mA 1 V
fT Граничная частота VCE=10V, IC=50mA, f=30MHz 100 MHz

Графические данные (эксплуатационные характеристики)

Рис.1. Зависимость тока коллектора (IC) от напряжения коллектор-эмиттер (VCE).

 

Рис.2. Зависимость коэффициента усиления (hFE) от тока коллектора (IC).

Рис.3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) от тока коллектора (IC).

Рис.4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер (VBE(sat)) от тока коллектора (IC).

Рис.5. Зависимость тока коллектора (IC) от напряжения база-эмиттер (VBE).

Рис.6. Зависимость емкости (C) от обратного напряжения (V).

Рис.7. Зависимость граничной частоты (fT) от тока коллектора (IC).

Рис.8. Зависимость мощности рассеяния (РС) от температуры воздуха (Та).

Электрические характеристики

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Таблица 2. Электрические параметры S9015.

Обозначение Параметр Условия измерений Значение
Мин. Макс.
V(BR)CBO Напряжение пробоя к-б, В IC=100 µA, IE=0 -50
V(BR)CEO Напряжение пробоя к-э, В IC=100 µA, IB=0 -45
V(BR)EBO Напряжение пробоя э-б, В IE=100 µA, IC=0 -5
ICBO Обратный ток коллектора, µA VCB =50 В, IE=0 -0,05
IEBO Обратный ток эмиттера, µA VEB =5 В, IC=0 -0,05
hFE (h21) Коэффициент усиления VCE =-5В, IC =-1мА 60 1000
VCE(sat) (UCEsat) Напряжение насыщения к-э, мВ IC=-100 мA, IB =-10мA -0,3
VBE(sat) (UBEsat) Напряжение насыщения б-э, мВ IC=-100 мA, IB =-10мA -1
fT Граничная частота, МГц VCE =-5В, IC =-10мA, f=30 MГц 150

Примечание.

  1. Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25 °С. Предельно допустимые значения (таблица 1) указаны для тех же условий.
  2. В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

  • ton – время включения;
  • tstg – время сохранения импульса тока;
  • tf – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения UIN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%

  • UCC – напряжение питания.
  • RL – сопротивление нагрузки.
  • IC – ток коллектора.
  • IB1 и IB2 – токи базы в разные периоды времени.
  • UBB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).

Тип PC, Вт UCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), В Tj , °С fT , МГц hFE ton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003 40 700 400 9 2 0,6 150 4 5…40 — / 3,5 / 1 TO-126
КТ8170А 40 700 400 9 2,25 3 150 4 5…40 1,1 / 4 / 0,7 TO-126
КТ859А 40 800 800 10 3 1,5 150 ˃ 3,3 ˃ 10 0,35 / 3,3 / 0,35 TO-220AB
КТ841А/В 50 600/800 350 5 10 1,5 150 10 12…45 0,08 / 0,8 / 0,2 TO-3
КТ8118А 50 900 800 — 3 ˂ 2,0 150 ˃ 15 10…40 — TO-220
КТ8120А 60 600 450 5 8 1 150 20 ˃ 10 — / 2 / 0,2 TO-220
КТ840А/Б/В 60 900/750/800 400/350/375 5 6 0,6 150 8…15 10…60 0,2 / 3,5 / 0,6 TO-3
КТ868А/Б 70 900/750 400/375 5 6 1,5 150 ˃ 8 10…100 — TO-3PML

Зарубежное производство

Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).

Тип PC, Вт UCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), В Tj , °С fT , МГц hFE ton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003 40 700 400 9 2 0,6 150 4 5…40 — / 3,5 / 1 TO-126
3DD1910 40 700 400 9 2,5 1 150 5 15…30 1 / 5 / 0,8 TO-126A
3DD13005A7 40 800 400 9 3 0,6 150 5 15…35 1 / 5 / 1 TO-126F
WBR13005D1 40 700 400 9 4 1 150 4 10…40 — / 3,6 / 1,6 TO-126
BTN3A60T3 40 900 700 9 3 0,6 150 4 10…40 — TO-126
HLD133D 35 700 400 9 2 1 150 — 5…40 — / 4 / 0,8 TO-126
ST13007DFP 36 700 400 9 8 3 150 4 8…40 — / 2,2 / 0,15 TO-220FP
BUL310FP 36 1000 500 9 5 1,1 150 — 10 — / 1,8 / 0,5 TO-220FP

Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).

Тип PC, Вт UCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), В Tj , °С fT , МГц hFE ton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003BR 30 600 400 9 2 0,85 150 — 5…40 — / 3 / 0,8 TO-126
BLD123D 30 600 400 9 2 0,9 150 — 5…40 — / 4 / 0,8 TO-126
KSE13003T 30 700 400 9 1,5 3 150 4 5…40 1,1 / 4 / 0,7 TO-220
FJPE3305 30 700 400 9 4 1 150 4 8…40 0,8 / 4 / 0,9 TO-220F
KSH13005AF 30 700 400 9 4 1 150 4 8…60 0,8 / 4 / 0,9 TO-220F
MJE13005AF 30 800 400 10 5 1 150 4 8…35 0,15 / 5 / 0,8 TO-220IS
MJE13005F 30 700 400 9 4 1 150 4 10…35 0,8 / 4 / 0,9 TO-220IS
STD13005F/FC 30 700 400 9 4 1 150 4 8…40 0,8 / 4 / 0,9 TO-220F-3L
STL128DFP 30 700 400 — 4 1,5 150 — 10…32 — / 0,6 / 0,1 TO-220FP
TS13005CI 30 700 400 9 4 1 150 4 8…40 0,7 / 3 / 0,5 ITO-220
TSC236CI 30 700 400 9 4 1,3 150 — 8…32 0,5 / 3 / 0,5 ITO-220
BUL128FP 31 700 400 9 4 1,5 150 — 10…45 — / 2,9 / 0,4 TO220FP

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Временные параметры Корпус
KSC2335 40 500 400 7 7 150 — 10…80 ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс TO-220
КТ840А 60 900 400 5 6 150 8 10…60 ton ˂ 0,2 мкс tstg ˂ 3,5 мкс tf ˂ 0,6 мкс TO-3
КТ841А 50 600 400 5 10 150 10 10 ton = 0,08 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,5 мкс TO-3
2Т842А 50 300 300 5 5 150 20 15 ton = 0,12 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,13 мкс TO-3
КТ847А 125 650 — 8 15 150 ˃ 15 ˃ 8 tstg = 3,0 мкс tf = 1,5 мкс TO-3
КТ858А 60 400 400 6 7 150 — ˃ 10 tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 0,75 мкс TO-220
2Т862 50 600 400 5 10 150 20 12…50 ton ˂ 0,4 мкс tstg ˂ 1,0 мкс tf ˂ 0,25 мкс TO-3
КТ812А 50 400 400 7 8 150 ˃ 3 — tf = 0,2…1,3 мкс TO-3
КТ8126А1 80 700 400 9 8 150 ˃ 4 8…40 ton = 1,6 мкс tstg = 3,0 мкс tf = 0,7 мкс TO-220
КТ8164А 75 700 400 9 4 150 ˃ 4 10…60 ton = 0,8 мкс tstg = 0,9 мкс tf = 4,0 мкс TO-220

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ hFE Корпус
KSC2335 40 500 400 7 7 150 10…80 TO-220
KSC2334 40 150 100 7 7 150 20…240 TO-220C
2SC2502 50 500 400 7 8 150 ˃ 15 TO-220
TT2194 50 500 400 7 12 150 20 TO-220
WBP3308 45 900 500 7 7 150 20 TO-220
2SC3038 40 500 400 7 7 150 50 TO-220
2SC3039 50 500 400 7 7 150 30 TO-220
2SC3170 40 500 — — 7 150 25 TO-220
2SC3626 40 — 400 — 8 — 55 TO-220
2SC4055 60 600 450 7 8 180 100 TO-220
2SC4106 M/N 50 500 400 7 7 175 60 TO-220
2SC4107 M/N 60 500 400 7 10 150 20/60 TO-220
2SC4274 40 500 400 — 10 150 40 TO-220
2SC4458 L 40 900 500 9 8 150 25 TO-220F
2SC4559 40 500 400 — 7 175 150 TO-220
2SD1162 40 500 — 10 10 150 400 TO-220
2SD1349 50 500 — — 7 150 150 TO-220
2SD1533 45 500 — — 7 150 800 TO-220
2SD1710A 50 900 500 9 8 150 25 TO-220
3DK3039 50 500 400 7 7 175 25 TO-220, TO-276AB
MJ10012T 65 600 400 — 15 200 200 TO-220

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

HE8550 Datasheet (PDF)

0.1. he8550.pdf Size:156K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8550 PNP SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. FEATURES * Collector Current up to 1.5A * Collector-Emitter Voltage

0.2. he8550l.pdf Size:21K _utc

UTC HE8550 PNP EPITAXIAL SILIC ON TRANSISTORLOW VOLTAGE HIGH CURRENTSMALL SIGNAL PNP TRANSISTORDESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current smallsignal PNP transistor, designed for Class B push-pull2W audio amplifier for portable radio and general purposeapplications.1FEATURES*Collector current up to 1.5A*Collector-Emitter voltage up to 25 V*Complimentary to

 0.3. he8550.pdf Size:46K _hsmc

Spec. No. : HE6114HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.30Revised Date : 2006.07.28MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HE8550PNP Epitaxial Planar TransistorDescriptionThe HE8550 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pulloperation. TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature…………………………..

0.4. he8550s.pdf Size:55K _hsmc

Spec. No. : HE6129HI-SINCERITYIssued Date : 1993.01.15Revised Date : 2004.07.26MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HE8550SPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HE8550S is designed for general purpose amplifier applications.FeaturesTO-92 High DC Current gain: 100-500 at IC=150mA Complementary to HE8050SAbsolute Maximum Ratings Maximum Temperatures

SS8550W Datasheet (PDF)

0.1. mmss8550w-j.pdf Size:187K _mcc

MMSS8550W-LMCCMicro Commercial Components MMSS8550W-HTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMSS8550W-JPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»PNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plasti

0.2. mmss8550w-h.pdf Size:187K _mcc

MMSS8550W-LMCCMicro Commercial Components MMSS8550W-HTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMSS8550W-JPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»PNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plasti

 0.3. mmss8550w-l.pdf Size:187K _mcc

MMSS8550W-LMCCMicro Commercial Components MMSS8550W-HTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMSS8550W-JPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»PNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plasti

0.4. ss8550w.pdf Size:115K _secos

SS8550WPNP SiliconElektronische BauelementeGeneral Purpose TransistorRoHS Compliant ProductSOT-323FEATURESCollectorDim Min Max33A 1.800 2.200Power dissipation11 B 1.150 1.3502 BasePCM : 0.2 WC 0.800 1.000Collector CurrentD 0.300 0.4002ICM : -1.5 A A G 1.200 1.400EmitterLH 0.000 0.100Collector-base voltageJ 0.100 0.2503V(BR)CBO : — 40 VS

 0.5. ss8550w.pdf Size:264K _wietron

SS8550WPNP Plastic-Encapsulate Transistor3P b Lead(Pb)-Free12MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)1. BASESymbol Parameter Value Units2. EMITTER3. COLLECTORV(BR)CBO Collector- Base Voltage -40 VICM Collector Current -1.5 ASOT-323(SC-70).PCM Power Dissipation (Tamb=25C) W0.2TJ Junction Temperature -55 to +150 Tstg Storage Temperature -55 to +15

Основные технические характеристики

Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:

  • Тип проводимости транзистора NPN;
  • Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
  • Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
  • Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
  • Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
  • Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
  • Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft)100 МГц (MHz)
  • Максимально допустимое обратное напряжении на коллекторном переходе (Collector-Base Voltage) U КБ макс .(VCBО ) не более 40 В (V);
  • Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) от 85 до 300 hFE;
  • Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО(ICBO) у транзистора S8050 не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
  • Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40 В (V) и отключенном эммитере (IЭ (IE)=0);
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 65 до +150 градусов (C).

Аналоги и описание

Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.

Полезная информация:

  • Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
  • Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
  • Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
  • Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.

Применение

Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:

  • Реле;
  • Светодиоды;
  • Лампочками и т.д.

Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.

Похожие записи:

Инвертирующий усилитель на оу Выбираем инвертор для сварки медных проводов Подключение реле приоритета нагрузок (однофазное, трехфазное) Почему не горят стоп-сигналы? 12 лучших наборов ручного инструмента Схема подключения проходного диммера