Даташит tip35c pdf ( datasheet )

TIP35CW Datasheet (PDF)

0.1. tip35cw tip36cw.pdf Size:190K _st

TIP35CWTIP36CWComplementary power transistors .Features Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN — PNP transistorsApplications General purpose32 Audio amplifier1TO-247DescriptionThe devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagramstechnology with base island layout. The resulting transistors show exc

8.1. tip35cp tip36cp.pdf Size:196K _st

TIP35CPTIP36CPComplementary power transistors .Features Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN-PNP transistorsApplications General purpose3 Audio amplifier 21TO-3PDescriptionThe devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagramstechnology with base island layout. The resulting transistors show excepti

8.2. tip35c tip36c tip36b.pdf Size:43K _st

TIP35CTIP36B/TIP36CCOMPLEMENTARY SILICON HIGH POWERTRANSISTORS STMicroelectronic PREFERREDSALESTYPESDESCRIPTION The TIP35C is a silicon Epitaxial-Base NPNtransistor mounted in TO-218 plastic package. Itis intented for use in power amplifier andswitching applications.3The complementary PNP type is TIP36C.2Also TIP36B is a PNP type. 1TO-218INTERNAL SCHEMATIC DI

 8.3. tip35c tip36c.pdf Size:194K _st

TIP35CTIP36CComplementary power transistors .Features Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN — PNP transistorsApplications General purpose32 Audio amplifier1TO-247DescriptionThe devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagramstechnology with base island layout. The resulting transistors show excep

8.4. tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdf Size:80K _onsemi

TIP35A, TIP35B, TIP35C(NPN); TIP36A, TIP36B,TIP36C (PNP)TIP35B, TIP35C, TIP36B, and TIP36C are Preferred DevicesComplementary SiliconHigh-Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.25 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current — 60-100 VOLTS, 125

 8.5. tip35c.pdf Size:138K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TIP35C NPN SILICON TRANSISTOR HIGH POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The UTC TIP35C is a NPN Expitaxial-Base transistor, designed for using in general purpose amplifier and switching applications. Complement to TIP36C. INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM C (2)(1)BE (3) ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Package Packing Lea

8.6. tip35ca.pdf Size:440K _kec

SEMICONDUCTOR TIP35CATECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.AQ BNFEATURESO KRecommended for 75W Audio Frequency DIM MILLIMETERSAmplifier Output Stage. _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20Complementary to TIP36CA._C 19.90 + 0.20_D 2.00 0.20+Icmax:25A. _d +1.00 0.20_E +3.00 0.20_F 3.80 + 0.20D_G 3.50 +

8.7. tip35c.pdf Size:289K _kec

SEMICONDUCTOR TIP35CTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.A Q BKFEATURESRecommended for 75W Audio Frequency Amplifier Output Stage.DIM MILLIMETERSComplementary to TIP36C.A 15.9 MAXB 4.8 MAXIcmax:25A. _C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0G 3.3 MAXdH 9.0MAXIMUM RATING (Ta=25 )I 4.5P PT J 2.0

8.8. tip35cf.pdf Size:225K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35CFDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP36CFCurrent Gain-Bandwidth Product-: f = 3.0MHz(Min)@I = 1.0AT CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in gen

8.9. tip35 tip35a tip35b tip35c.pdf Size:160K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors TIP35/35A/35B/35C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP36/36A/36B/36C DC current gain hFE=25(Min)@IC=1.5A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base

8.10. tip35c.pdf Size:219K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35CDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP36CCurrent Gain-Bandwidth Product-: f = 3.0MHz(Min)@I = 1.0AT CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in gener

Литература и источники информации

1. А.Е. Тарас. Дизельные подводные лодки 1950—2005. — Москва: АСТ, 2006. — 272 с.
2. А.Н. Гусев, Ю.И. Александров. Боевые корабли мира на рубеже XX-XXI веков. Часть I. Подводные лодки. — Санкт-Петербург: Галея-Принт, 2000. — 302 с
3. https://www.haijun360.com/news/XGBD/2013/72/1372143854HE84J50FJJK2DHFCI168.html
4. https://ru.qwe.wiki/wiki/Type_035_submarine
5. hhtps://nevskii-bastion.ru/035-ming/
6. hhtps://zonwar.ru/morskoj/diz_submarine/Min.html
7. hhtps://lemur59.ru/node/8686
8. https://densegodnya.ru/armia/article_post/kitayskiye-vms-priznali-zatonuvshey-podvodnuyu-lodku
9. https://ru.qwe.wiki/wiki/Chinese_submarine_361?ddexp4attempt=2
10. https://www.naval-encyclopedia.com/coldwar/china/ming-class-attack-submarines-type035

TIP35C Datasheet (PDF)

TIP35CW TIP36CW Complementary power transistors . Features ■ Low collector-emitter saturation voltage ■ Complementary NPN — PNP transistors Applications ■ General purpose 3 2 ■ Audio amplifier 1 TO-247 Description The devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagrams technology with “base island” layout. The resulting transistors show exc

TIP35C TIP36C Complementary power transistors . Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN — PNP transistors Applications � General purpose 3 2 � Audio amplifier 1 TO-247 Description The devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagrams technology with �base island� layout. The resulting transistors show exceptional high gai

TIP35CP TIP36CP Complementary power transistors . Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN-PNP transistors Applications � General purpose 3 � Audio amplifier 2 1 TO-3P Description The devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagrams technology with �base island� layout. The resulting transistors show exceptional high gain

TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) TIP35B, TIP35C, TIP36B, and TIP36C are Preferred Devices Complementary Silicon High-Power Transistors http://onsemi.com Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 25 AMPERE Features COMPLEMENTARY SILICON � 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS � Low Leakage Current — 60-100 VOLTS, 125 WATTS

1.5. tip35c.pdf Size:138K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TIP35C NPN SILICON TRANSISTOR HIGH POWER TRANSISTORS ? DESCRIPTION The UTC TIP35C is a NPN Expitaxial-Base transistor, designed for using in general purpose amplifier and switching applications. Complement to TIP36C. ? INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM C (2) (1) B E (3) ? ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Ha

SEMICONDUCTOR TIP35CA TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B N FEATURES O K Recommended for 75W Audio Frequency DIM MILLIMETERS Amplifier Output Stage. _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 Complementary to TIP36CA. _ C 19.90 + 0.20 _ D 2.00 0.20 + Icmax:25A. _ d + 1.00 0.20 _ E + 3.00 0.20 _ F 3.80 + 0.20 D _ G 3.50 +

1.7. tip35c.pdf Size:289K _kec

SEMICONDUCTOR TIP35C TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B K FEATURES Recommended for 75W Audio Frequency Amplifier Output Stage. DIM MILLIMETERS Complementary to TIP36C. A 15.9 MAX B 4.8 MAX Icmax:25A. _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 G 3.3 MAX d H 9.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) I 4.5 P PT J 2.0

Аналоги транзистора Tip35c:

Происшествия

16 апреля 2013 года в Жёлтом море, в районе между территорией КНДР и провинцией Шаньдун затонула подлодка 361 данного проекта. Есть несколько версий, в результате чего произошла данная трагедия. По одной из них экипаж задохнулся из-за неполадок дизельного двигателя. Классические или ныряющие подлодки с дизель-электрической силовой установкой используют дизель для подзарядки аккумуляторов, обеспечивающих запас хода под водой. Обычно его запускают в надводном положении, но — для обеспечения скрытности — лодка может идти на этом двигателе и продолжать зарядку батарей, находясь на так называемой шнорхельной глубине. Это — глубина подвсплытия, которая обеспечивает подачу воздуха в дизель через специальную трубу (шнорхель). Сама труба оборудована системой клапанов автоматической герметизации, предотвращающих попадание в корабль забортной воды, если шнорхель окажется под морской поверхностью. По утверждению «Вэнь Вэй По», на 361-й лодке работала дизельная установка, когда клапан подачи воздуха оказался перекрытым из-за высокой волны или возникла неисправность системы питания атмосферным воздухом. Как бы то ни было, автоматического отключения двигателя, предусмотренного в таких ситуациях, не произошло. Судя по всему, дизель израсходовал большую часть воздуха в отсеках корабля всего за две минуты. Уже на первой минуте члены экипажа могли испытывать головокружение и затрудненность дыхания, а уже на второй — наступила потеря сознания. Резкое снижение давления внутри корпуса лодки сделало практически невозможным открытие люков подводниками. По другой же версии, из установленных на субмарине аккумуляторных батарей могла вытечь кислота, в результате смешения которой с морской водой образовался токсический хлор, возможно, и ставший причиной гибели экипажа. Любой из описанных сценариев говорит о серьезных недочетах в подготовке экипажа, так и о конструктивных недостатках самой лодки. В результате этого происшествия все 70 человек, находившиеся на борту субмарины погибли. Кроме основного экипажа (57 человек) на борту находились 13 стажеров-курсантов из китайской военно — морской академии. После катастрофы подводная лодка дрейфовала в море еще в течение десяти дней, поскольку экипаж соблюдал режим радиомолчания. 25 апреля 2003 года лодку обнаружили китайские рыбаки, заметившие ее перископ, который торчал над поверхностью воды. На следующий день подводная лодка была отбуксирована в Юлин — Харбор возле города Санья на Хайнань остров, а затем обратно в северо — восточный порт Далянь в провинции Ляонинь. Эта катастрофа стала одной из самых серьёзных катастроф вооружённых сил КНР, случившихся в мирное время. Были отправлены в отставку командующий ВМС НОАК Ши Юншэн и политрук Ян Хуайцин.

Биполярный транзистор TIP35A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP35A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора:

TIP35A
Datasheet (PDF)

0.1. tip35are.pdf Size:157K _motorola

Order this documentMOTOROLAby TIP35A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP35AComplementary SiliconTIP35B*High-Power Transistors. . . for general purpose power amplifier and switching

0.2. tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdf Size:80K _onsemi

TIP35A, TIP35B, TIP35C(NPN); TIP36A, TIP36B,TIP36C (PNP)TIP35B, TIP35C, TIP36B, and TIP36C are Preferred DevicesComplementary SiliconHigh-Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.25 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current — 60-100 VOLTS, 125

 0.3. tip35 tip35a tip35b tip35c.pdf Size:160K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors TIP35/35A/35B/35C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP36/36A/36B/36C DC current gain hFE=25(Min)@IC=1.5A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base

0.4. tip35at.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35ATDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

 0.5. tip35af.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35AFDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

0.6. tip35ab.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35ABDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

ОБЩИЕ УКАЗАНИЯ. КРИТЕРИИ И ПРЕДЕЛЫ БЕЗОПАСНОГО СОСТОЯНИЯ.

2.1 Выключатели типа C-35 относятся к многообъемным масляным выключателям — баковым. Выключатели этого типа выпускались с номинальным током 630А и током отключения 10 кА.

2.2 Выключатели предназначены для коммутации высоковольтных цепей трехфазного переменного тока в номинальном режиме работы электроустановки, а также для их автоматического отключения при коротких замыканиях и перегрузках, возникающих при аварийных режимах.

2.3 Выключатели предназначены для работы в окружающей среде невзрыво и непожароопасной, не содержащей агрессивных газов и паров в концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию и не насыщенной токопроводящей пылью и водяными парами в концентрациях, препятствующих нормальной работе выключателя.

2.4 Рабочее положение выключателя в пространстве — вертикальное.

2.5 Выключатели могут сочленяться с приводами ШПЭ -12 или ПП -67

2.6 Коммутационный ресурс — 4 отключенных коротких замыкания.

2.7 Механический ресурс — 50 циклов.

TIP35C Datasheet (PDF)

0.1. tip35cp tip36cp.pdf Size:196K _st

TIP35CPTIP36CPComplementary power transistors .Features Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN-PNP transistorsApplications General purpose3 Audio amplifier 21TO-3PDescriptionThe devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagramstechnology with base island layout. The resulting transistors show excepti

0.2. tip35cw tip36cw.pdf Size:190K _st

TIP35CWTIP36CWComplementary power transistors .Features Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN — PNP transistorsApplications General purpose32 Audio amplifier1TO-247DescriptionThe devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagramstechnology with base island layout. The resulting transistors show exc

 0.3. tip35c tip36c tip36b.pdf Size:43K _st

TIP35CTIP36B/TIP36CCOMPLEMENTARY SILICON HIGH POWERTRANSISTORS STMicroelectronic PREFERREDSALESTYPESDESCRIPTION The TIP35C is a silicon Epitaxial-Base NPNtransistor mounted in TO-218 plastic package. Itis intented for use in power amplifier andswitching applications.3The complementary PNP type is TIP36C.2Also TIP36B is a PNP type. 1TO-218INTERNAL SCHEMATIC DI

0.4. tip35c tip36c.pdf Size:194K _st

TIP35CTIP36CComplementary power transistors .Features Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN — PNP transistorsApplications General purpose32 Audio amplifier1TO-247DescriptionThe devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagramstechnology with base island layout. The resulting transistors show excep

 0.5. tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdf Size:80K _onsemi

TIP35A, TIP35B, TIP35C(NPN); TIP36A, TIP36B,TIP36C (PNP)TIP35B, TIP35C, TIP36B, and TIP36C are Preferred DevicesComplementary SiliconHigh-Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.25 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current — 60-100 VOLTS, 125

0.6. tip35c.pdf Size:138K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TIP35C NPN SILICON TRANSISTOR HIGH POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The UTC TIP35C is a NPN Expitaxial-Base transistor, designed for using in general purpose amplifier and switching applications. Complement to TIP36C. INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM C (2)(1)BE (3) ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Package Packing Lea

0.7. tip35ca.pdf Size:440K _kec

SEMICONDUCTOR TIP35CATECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.AQ BNFEATURESO KRecommended for 75W Audio Frequency DIM MILLIMETERSAmplifier Output Stage. _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20Complementary to TIP36CA._C 19.90 + 0.20_D 2.00 0.20+Icmax:25A. _d +1.00 0.20_E +3.00 0.20_F 3.80 + 0.20D_G 3.50 +

0.8. tip35c.pdf Size:289K _kec

SEMICONDUCTOR TIP35CTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.A Q BKFEATURESRecommended for 75W Audio Frequency Amplifier Output Stage.DIM MILLIMETERSComplementary to TIP36C.A 15.9 MAXB 4.8 MAXIcmax:25A. _C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0G 3.3 MAXdH 9.0MAXIMUM RATING (Ta=25 )I 4.5P PT J 2.0

0.9. tip35cf.pdf Size:225K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35CFDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP36CFCurrent Gain-Bandwidth Product-: f = 3.0MHz(Min)@I = 1.0AT CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in gen

0.10. tip35 tip35a tip35b tip35c.pdf Size:160K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors TIP35/35A/35B/35C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP36/36A/36B/36C DC current gain hFE=25(Min)@IC=1.5A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base

0.11. tip35c.pdf Size:219K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35CDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP36CCurrent Gain-Bandwidth Product-: f = 3.0MHz(Min)@I = 1.0AT CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in gener

Представители типа

УСТРОЙСТВО И ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ ВЫКЛЮЧАТЕЛЯ.

4.1 Выключатель С-35 относится к жидкостным трехполюсным высоковольтным выключателям с большим объёмом дугогасящей жидкости — трансформаторного масла.

4.2 Выключатель является быстродействующим выключателем бакового типа, снабженным дугогасительными устройствами в виде камер масляного дутья.

4.3 Принцип работы выключателя C-35 основан на гашении электрической дуги потоком газомасляной смеси, образующейся в результате интенсивного разложения трансформаторного масла под действием высокой температуры дуги. Этот поток получает определенное направление в камере масляного дутья, находящейся в зоне горения дуги.

4.4 Управление выключателем должно осуществляться дистанционно.

Операция включения выключателя осуществляется за счет энергии магнитного поля в электромагнитном приводе. Отключение выключателя осуществляется за счёт энергии, запасённой отключающими пружинами во время операции включения.

История создания

Проектирование и постройка

• Тип 035A: Является первой крупной модификацией типа 035, а также это первая субмарина под номером 342, которая заложена на стапелях Учанского судостроительного завода. В результате проведения ее испытаний были обнаружены множественные недостатки, и 701-му институту было поручено устранить их. В процессе доработок субмарины удалось повысить ее максимальную скорость на 40 %. В июне 1980 года первая подлодка была представлена в новом варианте, а 24 декабря 1982 года начала службу в составе китайского флота. В декабре 1983 года было решено прекратить производство подлодок типа 033 и заменить их на тип 035A.
• ES5C: Экспортная версия типов 035/035A с улучшенной системой управления огня для запуска акустических торпед. Известны случаи обновления уже имевшихся подлодок ВМС НОАК по такому образцу, но нет данных об экспорте.
• ES5D: Улучшение экспортной версии с возможностью запуска противокорабельных ракет в погружённом состоянии субмарины. Известны случаи обновления уже имевшихся подлодок ВМС НОАК по такому образцу, но отсутствуют данные об экспорте.
• Тип 035G: Является второй крупной модификацией типа 035. Первое усовершенствованное судно (борт № 356) было построено на верфи Учан в августе 1988 года. В 1990—1999 годах было построено 12 судов типа 035G, последний из которых был удлинен примерно на 2 метра и оснащен системой AIP. Состоит на службе с декабря 1990 года, государственная регистрация с 1993 года. Первая субмарина типа 035 с противолодочным вооружением. Основное вооружение — торпеды Yu-3, французский сонар DUUX-5 и его китайская копия использовались на последующих субмаринах.
• ES5E: Экспортная версия типа 035G с возможностью запуска управляемой по проводам торпеды. Нет данных об экспорте.
• Тип 035ET: Более дешёвая версия модификациям 035G и ES5E с итальянскими сонарами — активным JP-64 и пассивным Velox, использовавшиеся на субмаринах типа «Энрико Тоти». Попытка экспорта была не удачной, подлодки заступили на службу в ВМС НОАК.
• ES5F: Экспортная версия с интегрированной системой сонаров. На этих образцах был реализован ряд усовершенствований, необходимость внедрения которых вытекала из опыта применения первых в серии лодок. Они включали установку французской пассивной ГАС определения дальности и ведения разведки DUUX 5, усовершенствованной системы управления огнем, современной управляющей системы выработки данных для повышения эффективности торпедной стрельбы, а также использование черного плиточного безэхового покрытия корпусов лодок для снижения их шумности и возможности обнаружения противником в подводном положении.
• Тип 035B: Третья крупная модификация типа 035, производство с 2000 по 2003 годы. Изменен внешний вид подлодки с капитанским мостиком, что делает подлодку более схожей с типом 039. Возможен запуск крылатых ракет из торпедных аппаратов.

В 1997 году было возобновлено строительство лодок типа 035, передававшихся затем в состав южного флота. В период с 1975 по 2003 год было построено до 23 подводных лодок этого типа (всех модификаций), которые в дальнейшем выводились из состава флота (в том числе одна — в результате пожара на борту), и на данный момент в строю остались около 17 единиц.

Замещение

Подводная лодки типа 039

Проект 039 — это последний и наиболее современный тип подводных лодок, который был самостоятельно разработан и построен в Китае. Лодки были предназначены для замены устаревших подводных лодок типа «Мин» (тип 035) и полностью непригодных к использованию лодок типа «Ромео» (тип 033), которые в течение четырех десятилетий составляли основу группировки дизельных подводных лодок ВМС Китая. Разработка нового типа подводных лодок основывалась на конструктивных требованиях, которые соответствуют западным подходам к строительству подводных лодок. Они включали обеспечение хорошей гидродинамики за счет плавных обводов корпуса и ограждения боковой рубки, а также установку новых цилиндрических ГАС в носовой части, использование энергетической установки на основе дизелей серии МТU немецкого производства и вооружение лодок новыми российскими противолодочными торпедами.

TIP35A Datasheet (PDF)

0.1. tip35are.pdf Size:157K _motorola

Order this documentMOTOROLAby TIP35A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP35AComplementary SiliconTIP35B*High-Power Transistors. . . for general purpose power amplifier and switching

0.2. tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdf Size:80K _onsemi

TIP35A, TIP35B, TIP35C(NPN); TIP36A, TIP36B,TIP36C (PNP)TIP35B, TIP35C, TIP36B, and TIP36C are Preferred DevicesComplementary SiliconHigh-Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.25 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current — 60-100 VOLTS, 125

 0.3. tip35 tip35a tip35b tip35c.pdf Size:160K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors TIP35/35A/35B/35C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP36/36A/36B/36C DC current gain hFE=25(Min)@IC=1.5A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base

0.4. tip35at.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35ATDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

 0.5. tip35af.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35AFDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

0.6. tip35ab.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35ABDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

Эксплуатация выключателя.

7.1. Персонал, обслуживающий выключатели, должен знать устройство и принцип действия аппарата, знать и выполнять требования настоящей инструкции;

7.2. Все сведения о неисправностях, обнаруженных во время работы выключателя, необходимо записывать в » Журнал дефектов и неполадок с оборудованием» и сообщать начальнику группы подстанций, а сведения об отключенных коротких замыканиях записываются в «Журнал автоматических отключений «;

7.3. Во время эксплуатации обслуживающий персонал обязан:

• следить за тем, чтобы ток нагрузки не превышал величин указанных в таблице раздела 3;
• осматривать выключатель в сроки определённые ПТЭ, внеочередные осмотры производятся после отключения коротких замыканий;
• после отключения 4 коротких замыканий выключатель должен быть выведен во внеочередной ремонт;
• при наружном осмотре проверять:
• уровень масла в баках и отсутствие течи масла;
• состояние изоляторов: чистота поверхности и отсутствие видимых дефектов, трещин, подтёков заливочной мастики;
• отсутствие следов выброса масла из газооотводов;
• отсутствие тресков и шумов внутри бака, короны и разрядов на вводах;
• отсутствие нагрева контактных соединений;
• отсутствие оплавлений на ошиновке, колпаках и фланцах вводов и на крышке выключателя;
• состояние механических креплений выключателя и привода;
• соответствие указателей положения масляного выключателя действительному его состоянию;
• состояние проводки вторичной коммутации и клемных рядов;
• состояние шинки заземления;

7.4 Механические характеристики в процессе эксплуатации должны соответствовать нормам приведённым в таблице раздела 3.

7.5 Текущий ремонт должен производиться ежегодно.
При текущем ремонте необходимо выполнять следующие работы:

• проверку состояния и подтяжку болтовых соединений, в том числе и контактных;
• проверку работы кинематики приводного механизма и привода;
• проверку состояния газоотводов
• очистку и смазку привода незамерзающей смазкой (например, ГОИ-54);
• проверку целостности и очистку изоляторов, указателей уровня масла и регулировку уровня масла в баках;
• подтяжку или замену уплотняющих прокладок;
• проверку исправности устройства для подогрева масла
• оформление ремонтной и технической документации;

7.6 Средний ремонт производится через 3 — 4 года после капитального.
При этом выполняется комплекс работ в объёме текущего ремонта и дополнительно замеряется переходное сопротивление и скорости включения и отключения . В случае, если эти параметры окажутся больше нормы, выключатель выводится во внеочередной капитальный ремонт.

7.7 Капитальный ремонт производится с периодичностью 1 раз в 6 — 8 лет. Объём капитального ремонта состоит из следующих основных операций :

• слив масла, опускание баков, ремонт и очистка баков и арматуры;
• ремонт дугогасительных камер, изолирующих штанг и подвижных контактов
• осмотр вводов, проверка герметичности уплотнений и состояния заливочной мастики;
• ремонт, проверка и регулировка приводного механизма и привода;
• ремонт встроенных трансформаторов тока и цепей вторичной коммутации;
• регулировка контактов выключателя;
• подъём баков, заливка их маслом, ремонт прочих деталей и покраска выключателя;
• профилактические испытания и приёмка выключателя из ремонта;
• оформление ремонтной и технической документации;

Вооружение

Торпедное вооружение

Торпеда Yu-1

Китайская торпеда Yu-3

Торпеда Yu-4

Yu-1 — первая торпеда собственного китайского производства. Она являлась копией торпеды 53-51. Собственное производство ведется с 1966 года. Вариант торпеды Yu-1A оснащен пассивной акустической системой самонаведения. Yu-1 имеет длину — 6600 мм, калибр — 533 мм, дальность хода — 8 км при скорости хода 39 узлов и 4 км при скорости хода 51 узел.

Yu-3 — это акустическая самонаводящаяся торпеда противолодочной обороны (ASW), разработанная Сианьским институтом точного машиностроения (705 институт, подчиненным китайской корпорации судостроительной промышленности). Yu-3 имеет длину — 7488 мм, калибр — 533.4 мм, дальность хода — 13 км.

Yu-4 — торпеда китайского производства, пассивно наводящаяся и идущая со скоростью 40 узлов, конструкция которой основана на конструкции SAET-50 и в целом сопоставима с SAET-60 по характеристикам. Надводные цели могут быть атакованы на дистанции до 15 км.

Средства связи, обнаружения, вспомогательное оборудование

Радиоэлектронное вооружение представлено активно-пассивной ГАС «Herkules» и пассивной ГАС «Feniks», последняя лодка проекта получила французский ГАК DUUX-5 — пассивного определения дистанции с разнесенными бортовыми антеннами. РЛС CEIC-921A или «Thomson CUF DR-2000U», система спутниковой навигации «Magnavox SATNAV». Имеются станции радиоразведки и электронного противодействия.

Подготовка выключателя к вводу в работу.

6.1. После окончания монтажа или ремонта необходимо произвести тщательный осмотр выключателя и привода:

• проверить правильность и надёжность подсоединения рамы выключателя к заземляющему контуру;
• проверить надёжность контактов на ошиновке и наличие термоиндикаторов;
• очистить от пыли поверхность выключателя, протереть мягкой чистой ветошью изоляционные детали;
• проверить наличие смазки на трущихся деталях выключателя и привода;
• проверить наличие масла и его уровень во всех баках выключателя;
• проверить исправность и правильность действия блокировочных устройств;
• проверить наличие надписей диспетчерских наименований и соответствие их требованиям инструкции;
• проверить наличие записей в ремонтной и технической документации, в журналах » Готовности оборудования после профиспытаний » и » Указаний оперативному персоналу по готовности устройств РЗА «;

6.2. Вывести бригаду с рабочего места, закрыть наряд-допуск и сдать оборудование диспетчеру;

Похожие записи:

Как включить блок питания без компьютера Cxem net Красный-чёрный Что такое короткое замыкание: определение, объяснение для «чайников» Топ-10 альтернативных источников энергии Автомат защиты двигателя обозначение на схеме