Транзисторы s8550, ss8550: характеристики (параметры), аналоги

Биполярный транзистор L8550 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L8550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85

Корпус транзистора:

L8550
Datasheet (PDF)

0.1. l8550m.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

L8550M Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features L8050M Complementary pair with L8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning 3 2

0.2. l8550.pdf Size:603K _blue-rocket-elect

L8550(BR3CA8550K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features PC, IC , L8050(BR3DA8050K) High PC and IC, complementary pair with L8050(BR3DA8050K). / Applications 2W 2W output amplifier of portable radios in cl

0.3. l8550plt1g.pdf Size:234K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.4. l8550hslt1g.pdf Size:83K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesS-L8550HPLT1GPNP SiliconFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

0.5. l8550hplt1g.pdf Size:89K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesPNP Silicon S-L8550HPLT1GSeriesFEATURE High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requirem

0.6. l8550hqlt1g.pdf Size:85K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

0.7. l8550qlt1g.pdf Size:202K _lrc

0.8. l8550hrlt1g.pdf Size:84K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requir

Другие транзисторы… KSA928T
, KSC2328T
, KTA1273T
, KTC2022I
, KTC3199M
, KTC3205T
, L8050
, L8050M
, 2N2222
, L8550M
, M28M
, MJE13009ZJ
, MMBR911
, MMBT5401T
, MMBT5551T
, MMBTA42T
, MMBTA44N
.

Использование в двухтактной конфигурации

Как уже упоминалось в параметрах, S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.

Двухтактный усилитель, обычно известный как усилитель класса B, является типом многоступенчатого усилителя, обычно используемого для усиления звука динамика. Это очень просто построить и требует двух идентичных дополнительных транзисторов. Под дополнительным подразумевается, что нам нужен транзистор NPN и его эквивалентный PNP. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

2D модель корпуса

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, вам будет полезно изучить следующее изображение , чтобы узнать тип и размеры корпуса данного устройства.

L8550HQLT1G Datasheet (PDF)

0.1. l8550hqlt1g.pdf Size:85K _lrc

8.1. l8550hslt1g.pdf Size:83K _lrc

8.2. l8550hplt1g.pdf Size:89K _lrc

8.3. l8550hrlt1g.pdf Size:84K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requir

H8550S Datasheet (PDF)

0.1. h8550s.pdf Size:127K _shantou-huashan

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H8550S APPLICATIONS Audio Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipation

9.1. lh8550plt1g.pdf Size:157K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

9.2. lh8550qlt1g.pdf Size:138K _lrc

9.3. h8550.pdf Size:138K _shantou-huashan

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H8550 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation

9.4. h8550.pdf Size:796K _kexin

SMD Type TransistorsPNP TransistorsH8550 Features1.70 0.1 Collector Power Dissipation: PC=0.5W Collector Current: IC=-1.5A Comlementary to H80500.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -40 VCollector-emitter voltage VCEO -25 VEmitter-base voltage VEBO —

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус	Маркировка
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92	—
GS8050T	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	45	TO-92	—
GSTSS8050	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
MPS8050	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92	—
S8050A/B/C/D/G	0,625	40	25	6	0,8/0,5	150	100/150	9	85…300	TO-92	—
S8050T	0,625	40	25	6	0,5	150	150	—	85	TO-92	—
SPS8050	0,625	15	12	6,5	1,5	150	260	5	200	TO-92	—
SS8050/C/D/G	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85…400	TO-92	—
SS8050T	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
STS8050	0,625	30	25	6	0,8	150	120	19	85	TO-92	—
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L	0,2	40	25	5	1,5	150	100	15	120…400	SOT-323	Y1
S8050W	0,25	40	25	6	0,8	150	100	9	85	SOT-323	Y1
SS8050W	0,2	40	25	5	1,5	150	100	—	120	SOT-323	Y1
GSTSS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	100	—	100	SOT-23	1HA
MMSS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120…350	SOT-23	Y1
MPS8050S	0,35	40	25	6	1,5	150	190	—	85	SOT-23	—
MPS8050SC	0,35	40	25	5	1,2	150	150	—	85…300	SOT-23	—
MS8050-H/L	0,2	40	25	6	0,8	150	150	—	80…300	SOT-23	Y11
S8050	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	—
S8050M-/B/C/D	0,45	40	25	6	0,8	150	100	9	85…300	SOT-23	HY3B/C/D
SS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	150	—	120	SOT-23	KEY
KST8050D	0,25	50	50	6	1,2	150	100	—	100…320	SOT-23	Y1C, Y1D
KST8050M	0,3	40	25	6	0,8	150	150	—	40…400	SOT-23	Y11
KST8050X	0,3	40	20	5	1,5	150	100	20	40…350	SOT-23	Y1+
KST9013	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200…400	SOT-23	J3
KST9013C	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	40…200	SOT-23	J3Y
S8050LT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	J3Y
MMS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	50…350	SOT-23	J3Y
DMBT8050	0,3	40	25	5	0,8	150	100	—	120	SOT-23	J3Y
KST8050S	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	50…400	SOT-23	J3Y
KTD1304S	0,2	25	20	12	0,3	150	50	10	20…800	SOT-23	J3Y
KTD1304	0,2	25	20	12	0,3	150	60	—	20…1000	SOT-23	J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра h_FE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Электрические характеристики

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Таблица 2. Электрические параметры S9015.

Обозначение	Параметр	Условия измерений	Значение
			Мин.	Макс.
V_(BR)CBO	Напряжение пробоя к-б, В	I_C=100 µA, I_E=0	-50
V_(BR)CEO	Напряжение пробоя к-э, В	I_C=100 µA, I_B=0	-45
V_(BR)EBO	Напряжение пробоя э-б, В	I_E=100 µA, I_C=0	-5
I_CBO	Обратный ток коллектора, µA	V_CB=50 В, I_E=0		-0,05
I_EBO	Обратный ток эмиттера, µA	V_EB=5 В, I_C=0		-0,05
h_FE (h₂₁)	Коэффициент усиления	V_CE=-5В, I_C =-1мА	60	1000
V_CE(sat)(U_CEsat)	Напряжение насыщения к-э, мВ	I_C=-100 мA, I_B=-10мA		-0,3
V_BE(sat)(U_BEsat)	Напряжение насыщения б-э, мВ	I_C=-100 мA, I_B=-10мA		-1
f_T	Граничная частота, МГц	V_CE=-5В, I_C =-10мA, f=30 MГц	150

Примечание.

Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25 °С. Предельно допустимые значения (таблица 1) указаны для тех же условий.
В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

HE8550 Datasheet (PDF)

0.1. he8550.pdf Size:156K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8550 PNP SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. FEATURES * Collector Current up to 1.5A * Collector-Emitter Voltage

0.2. he8550l.pdf Size:21K _utc

UTC HE8550 PNP EPITAXIAL SILIC ON TRANSISTORLOW VOLTAGE HIGH CURRENTSMALL SIGNAL PNP TRANSISTORDESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current smallsignal PNP transistor, designed for Class B push-pull2W audio amplifier for portable radio and general purposeapplications.1FEATURES*Collector current up to 1.5A*Collector-Emitter voltage up to 25 V*Complimentary to

0.3. he8550.pdf Size:46K _hsmc

Spec. No. : HE6114HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.30Revised Date : 2006.07.28MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HE8550PNP Epitaxial Planar TransistorDescriptionThe HE8550 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pulloperation. TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature…………………………..

0.4. he8550s.pdf Size:55K _hsmc

Spec. No. : HE6129HI-SINCERITYIssued Date : 1993.01.15Revised Date : 2004.07.26MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HE8550SPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HE8550S is designed for general purpose amplifier applications.FeaturesTO-92 High DC Current gain: 100-500 at IC=150mA Complementary to HE8050SAbsolute Maximum Ratings Maximum Temperatures

KTC8550 Datasheet (PDF)

0.1. ktc8550.pdf Size:69K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8550TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATURE Complementary to KTC8050.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 ) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBO -35 VCollector-Base VoltageG 0.85H 0.45VCEO -30 VCollector-Emitter Voltage_HJ 14.00 +

0.2. ktc8550a.pdf Size:360K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8550ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATUREComplementary to KTC8050A.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBOCollector-Base Voltage -35 VG 0.85H 0.45VCEOCollector-Emitter Voltage -30 V_HJ 14

0.3. ktc8550s.pdf Size:393K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8550STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. FEATUREEL B LComplementary to KTC8050S.DIM MILLIMETERS_A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20MAXIMUM RATING (Ta=25 )1G 1.90H 0.95CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITJ 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10VCBO -35 VCollector-Base

8550SS Datasheet (PDF)

0.1. 8550ss-c 8550ss-d.pdf Size:366K _mcc

MCC8550SS-CTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components8550SS-DCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storage

0.2. 8550sst.pdf Size:344K _secos

8550SST -1.5A , -40V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES General Purpose Switching and Amplification. G HEmitter Collector Base JCLASSIFICATION OF hFE (1) A DMillimeterProduct-Rank 8550SST-B 8550SST-C 8550SST-DREF.B Min. Max.A 4.

0.3. 8550ss.pdf Size:230K _jiangsu

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO 92 8550SS TRANSISTOR (PNP) 1.EMITTER FEATURES 2.COLLECTOR General Purpose Switching and Amplification. 3.BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-

Datasheet Download — Unisonic Technologies

Номер произв

HE8550

Описание

LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR

Производители

Unisonic Technologies

логотип

1Page

No Preview Available !

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
HE8550
PNP SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH
CURRENT SMALL SIGNAL PNP
TRANSISTOR
1
SOT-89
3
21
SOT-23
DESCRIPTION

The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP

transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for
portable radio and general purpose applications.
FEATURES
* Collector current up to 1.5A
* Collector-Emitter voltage up to 25 V

* Complimentary to UTC HE8050

1
TO-92
1
TO-92NL
*Pb-free plating product number: HE8550L
ORDERING INFORMATION
Order Number
Normal
Lead Free Plating
Package
HE8550-x-AB3-R

HE8550L-x-AB3-Rwww.DataSheSet4OU.Tco-m89

HE8550-x-AE3-R
HE8550L-x-AE3-R
SOT-23
HE8550-x-T92-B
HE8550L-x-T92-B
TO-92
HE8550-x-T92-K
HE8550L-x-T92-K
TO-92
HE8550-x-T9N-B
HE8550L-x-T9N-B
TO-92NL
HE8550-x-T9N-K
HE8550L-x-T9N-K
TO-92NL
HE8550-x-T9N-R
HE8550L-x-T9N-R
TO-92NL
Pin Assignment
123
BCE
EBC
ECB
ECB
ECB
ECB
ECB
Packing
Tape Reel
Tape Reel
Tape Box
Bulk
Tape Box
Bulk
Tape Reel
HE8550L-x-AE3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Plating
(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel
(2) AB3: SOT-89, AE3: SOT-23, T92: TO-92,
T 9N: TO-92NL

(3) x: refer to Classification of hFE2

(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
MARKING(For SOT-23 Package)
BA
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R206-031,B

No Preview Available !

HE8550
PNP SILICON TRANSISTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25 , unless otherwise specified)

PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage

VCBO

-40
V
Collector-Emitter Voltage

VCEO

-25
V
Emitter-Base Voltage

VEBO

-6
V
SOT-23
350 mW
Collector Dissipation (Ta=25 )
SOT-89

0.5
W
TO-92/TO-92NL
1W
Collector Current

IC -1.5

A
Junction Temperature

TJ +150

Operating Ambient Temperature

TOPR

-40 ~ +150
Storage Temperature

TSTG

-65 ~ +150
Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 , unless otherwise specified)

PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS

Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO IC=-100µA, IE=0

Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO IC=-2mA, IB=0

Emitter-Base Breakdown Voltage

BVEBO IE=-100µA, IC=0

Collector Cut-Off Current

ICBO VCB=-35V, IE=0

Emitter Cut-Off Current

IEBO VEB=-6V, IC=0

hFE1 VCE=-1V, IC=-5mA

DC Current Gain

hFE2 VCE=-1V, IC=-100mA

hFE3 VCE=-1V, IC=-800mA

Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(SAT) IC=-800mA, IB=-80mA

Base-Emitter Saturation Voltage

VBE(SAT) IC=-800mA, IB=-80mA

Base-Emitter Voltage

VBE VCE=-1V,IC=-10mA

Current Gain Bandwidth Product

fT VCE=-10V,IC=-50mA

Output Capacitance

Cob VCB=-10V, IE=0 f=1MHz

CLASSIFICATION OF hFE2

RANK
RANGE
C
120-200
D
160-300
MIN TYP MAX UNIT
-40 V
-25 V
-6 V
-100 nA
-100 nA
45 170
85 160 500
40 80
-0.28 -0.5
V
-0.98 -1.2
V
-0.66 -1.0
V
100 190
MHz
9.0 pF
E
250-500
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2 of 4
QW-R206-031,B

No Preview Available !

HE8550

TYPICAL CHARACTERISTICS
Static Characteristics
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1

IB=-3.0mA

IB=-2.5mA

IB=-2.0mA

IB=-1.5mA

IB=-1.0mA

IB=-0.5mA

-0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0
Collector-Emitter Voltage ( V)
Base-Emitter on Voltage

-103

-102

VCE=-1V

-101

-10

-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0
Base-Emitter Voltage (V)
Current Gain-Bandwidth Product

103

VCE=-10V

102

101

-10

-101

-102

-103

Collector Current, IC (mA)

PNP SILICON TRANSISTOR
DC Current Gain

103

VCE=-1V

102

101

-10-1

-10

-101

-102 -103

Collector Current, IC (mA)

Saturation Voltage

-104

IC=10*IB

-103

VBE (SAT)

-102

VCE(SAT)

-101

-10-1

-10-101 -102

Collector Current, IC (mA)

-103

Collector Output Capacitance

103 f=1MHz

IE=0

102

101

-10

-101 -102 -103

Collector-Base Voltage (V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
3 of 4
QW-R206-031,B

Всего страниц

4 Pages

Скачать PDF

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель	P_C T_a = 25°C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г	1	40	25	6	0,1	150	100	1,7	45…630	TO-92
КТ6114 А/Б/В	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ968 В	4	300	200	5	0,1	150	90	2,8	35…220	TO-39

Зарубежное производство

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
3DG8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
BC517S	0,625	40	30	10	1	150	200	—	33000	TO-92
BTN8050A3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	6	160	TO-92
BTN8050BA3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	—	160	TO-92
CX908B/C/D	0,625	40	25	6	1	150	100	—	120…260	TO-92
KTC3203	0,625	—	30	—	0,8	150	190	—	100	TO-92
KTC3211	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92
KTS8050	0,625	—	25	—	0,8	175	—	—	100	TO-92
M8050-C/D	0,625	40	25	6	—	150	150	—	120…160	TO-92
S8050	0,3	409	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
8050HQLT1	0,3	40	25	5	1,5	150	—	—	150	SOT-23
8050QLT1	0,3	40	25	5	0,8	150	—	—	150	SOT-23
8050SLT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
CHT9013GP	0,3	45	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
F8050HPLG	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
KTC9013SC	0,35	40	30	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMBT8050D	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMS9013-H/L	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
NSS40201L	0,54	40	25	—	4	150	150	—	120	SOT-23
NSS40201LT1G	0,54	40	40	6	2	—	150	—	200	SOT-23
NSV40201LT1G	0,54	40	40	6	2	150	150	—	200	SOT-23
PBSS4140T	0,3	40	40	5	1	150	150	—	300	SOT-23
S9013	0,3	40	25	5	0,8	150	150	—	120	SOT-23
ZXTN2040F	0,35	—	40	—	1	—	150	—	300	SOT-23
ZXTN25040DFL	0,35	—	40	—	1,5	—	190	—	300	SOT-23
ZXTN649F	0,5	—	25	—	3	—	—	—	200	SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

KTC8550S Datasheet (PDF)

0.1. ktc8550s.pdf Size:393K _kec

7.1. ktc8550.pdf Size:69K _kec

7.2. ktc8550a.pdf Size:360K _kec

MMBT8550 Datasheet (PDF)

0.1. mmbt8550.pdf Size:332K _topdiode

0.2. mmbt8550lt1.pdf Size:131K _wej

RoHS MMBT8550LT1PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-2332W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE1RADIOS IN CLASSB PUSH-PULL OPERATION2 Complement to MMPT8050LT11.1.BASE Collector-current:Ic=-500mA 2.EMITTER High Total Power Dissipation:Pc=225mW2.43.COLLECTOR1.3Unit:mmoABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Symbol Rating UnitCharacteristicCollector-Base Voltage

9.1. mmbt8099lt1g.pdf Size:154K _onsemi

MMBT8099LT1GAmplifier TransistorNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO 80 VdcCollector-Base Voltage VCBO 80 Vdc 2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current — Continuous IC 500 mAdc3THERMAL

9.2. mmbt8099lt1.pdf Size:158K _onsemi

9.3. mmbt8050d.pdf Size:351K _bytesonic

MMBT8050DoTRANSISTOR (NPN)FEATURES SOT-23 Complimentary to S8550 Collector Current: IC=0.5A 1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.5 A PC Collector Dissipat

9.4. mmbt8050.pdf Size:325K _topdiode

9.5. mmbt8050lt1.pdf Size:150K _wej

RoHS MMBT8050LT1NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-2332W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLERADIOS IN CLASS1B PUSH-PULL OPERATION21. Complement to MMPT8550LT11.BASE Collector Current:Ic=500mA 2.EMITTERo2.4 Collector Dissipation:Pc=225mW(Tc=25 C) 3.COLLECTOR1.3Unit:mmoABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Symbol Rating UnitCharacteristicCollector-Base Volta

PXT8550 Datasheet (PDF)

0.1. pxt8550-b-c-d-d3.pdf Size:325K _mcc

M C CTMPXT8550-BMicro Commercial Components PXT8550-CMicro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthPXT8550-DCA 91311Phone: (818) 701-4933PXT8550-D3Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF» Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating PNP Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Marking:Y2/8550Plas

0.2. pxt8550.pdf Size:477K _htsemi

PXT8 550TRANSISTOR(PNP) SOT-89 FEATURES 1. BASE Compliment to PXT8050 1 2. COLLECTOR MARKING: Y2 2 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER 3 Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -1.5 A PC Collector Power Dissipati

0.3. pxt8550.pdf Size:232K _lge

PXT8550 SOT-89 Transistor(NPN)1. BASE SOT-892. COLLECTOR 1 4.6B4.42 1.61.83. EMITTER 1.41.43 2.64.25Features2.43.75 Compliment to PXT8050 0.8MIN0.530.400.480.442x)MARKING: Y2 0.13 B0.35 0.371.53.0MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Colle

8550C Datasheet (PDF)

0.1. s8550b s8550c s8550d.pdf Size:177K _mcc

S8550-BMCCMicro Commercial ComponentsTMS8550-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311S8550-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 0.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating a

0.2. 8550c.pdf Size:143K _sunroc

SUNROC8550C TRANSISTOR(PNP) MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted) 1. EMITTER Symbol Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage 2. BASE VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage -25VCEO V3. COLLECTOR Emitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current IC -0.5 ACollector Power Dissipation PC 625 mWJunction Temperature Tj 150 Storag Temperature -55150

L8550 Datasheet (PDF)

0.1. l8550m.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

0.2. l8550.pdf Size:603K _blue-rocket-elect

0.3. l8550plt1g.pdf Size:234K _lrc

0.4. l8550hslt1g.pdf Size:83K _lrc

0.5. l8550hplt1g.pdf Size:89K _lrc

0.6. l8550hqlt1g.pdf Size:85K _lrc

0.7. l8550qlt1g.pdf Size:202K _lrc

0.8. l8550hrlt1g.pdf Size:84K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requir

HE8550S Datasheet (PDF)

0.1. he8550s.pdf Size:55K _hsmc

8.1. he8550.pdf Size:156K _utc

8.2. he8550l.pdf Size:21K _utc

8.3. he8550.pdf Size:46K _hsmc

SS8550-D Datasheet (PDF)

7.1. ss8550-c-d.pdf Size:196K _mcc

MCCSS8550-CTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsSS8550-DCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storage

7.2. mmss8550-h.pdf Size:153K _mcc

MCCMMSS8550-LMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8550-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesPNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plastic-Encapsulate Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.Tra

7.3. mmss8550-l.pdf Size:153K _mcc

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:

SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.

По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.

Транзисторы s8550, ss8550

Биполярный транзистор L8550 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

L8550 Datasheet (PDF)

Использование в двухтактной конфигурации

2D модель корпуса

L8550HQLT1G Datasheet (PDF)

H8550S Datasheet (PDF)

Модификации и маркировка транзистора S8050

Электрические характеристики

HE8550 Datasheet (PDF)

KTC8550 Datasheet (PDF)

8550SS Datasheet (PDF)

Datasheet Download — Unisonic Technologies

Аналоги

Производство российское и белорусское

Зарубежное производство

KTC8550S Datasheet (PDF)

MMBT8550 Datasheet (PDF)

PXT8550 Datasheet (PDF)

8550C Datasheet (PDF)

L8550 Datasheet (PDF)

HE8550S Datasheet (PDF)

SS8550-D Datasheet (PDF)

Корпус и цоколевка

Похожие записи:

L8550
Datasheet (PDF)