Даташит p0903bd pdf ( datasheet )

P0903BDA Datasheet (PDF)

0.1. p0903bda.pdf Size:493K _unikc

P0903BDAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

7.1. p0903bdb.pdf Size:465K _unikc

P0903BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 59ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C59IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C37AIDM150Pulsed Drain Current1

7.2. p0903bdl.pdf Size:455K _unikc

P0903BDLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID25V 9.5m @VGS = 10V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current

 7.3. p0903bd.pdf Size:521K _unikc

P0903BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 57ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C57IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C36AIDM160Pulsed Drain Current1I

7.4. p0903bdg.pdf Size:532K _unikc

P0903BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.5m @VGS = 10V25V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

P0903BD MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: P0903BD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 57
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 23
nC

Время нарастания (tr): 25
ns

Выходная емкость (Cd): 281
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009
Ohm

Тип корпуса:

P0903BD
Datasheet (PDF)

0.1. p0903bda.pdf Size:493K _unikc

P0903BDAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

0.2. p0903bdb.pdf Size:465K _unikc

P0903BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 59ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C59IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C37AIDM150Pulsed Drain Current1

 0.3. p0903bdl.pdf Size:455K _unikc

P0903BDLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID25V 9.5m @VGS = 10V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current

0.4. p0903bd.pdf Size:521K _unikc

P0903BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 57ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C57IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C36AIDM160Pulsed Drain Current1I

 0.5. p0903bdg.pdf Size:532K _unikc

P0903BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.5m @VGS = 10V25V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET… P0806AT
, P0806ATF
, P0806ATX
, P0808ATG
, P082ABD8
, P0850AT
, P0850ATF
, P085AATX
, IRLR2905
, P0903BDA
, P0903BDB
, P0903BDG
, P0903BDL
, P0603BD
, P0603BDB
, P0603BDD
, P0603BDF
.

P0903BDG Datasheet (PDF)

0.1. p0903bdg.pdf Size:532K _unikc

P0903BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.5m @VGS = 10V25V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

7.1. p0903bda.pdf Size:493K _unikc

P0903BDAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

7.2. p0903bdb.pdf Size:465K _unikc

P0903BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 59ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C59IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C37AIDM150Pulsed Drain Current1

 7.3. p0903bdl.pdf Size:455K _unikc

P0903BDLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID25V 9.5m @VGS = 10V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current

7.4. p0903bd.pdf Size:521K _unikc

P0903BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 57ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C57IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C36AIDM160Pulsed Drain Current1I

P0903BDL MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: P0903BDL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 56
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 25
nC

Время нарастания (tr): 25
ns

Выходная емкость (Cd): 300
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0095
Ohm

Тип корпуса:

P0903BDL
Datasheet (PDF)

0.1. p0903bdl.pdf Size:455K _unikc

P0903BDLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID25V 9.5m @VGS = 10V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current

7.1. p0903bda.pdf Size:493K _unikc

P0903BDAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

7.2. p0903bdb.pdf Size:465K _unikc

P0903BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 59ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C59IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C37AIDM150Pulsed Drain Current1

 7.3. p0903bd.pdf Size:521K _unikc

P0903BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 57ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C57IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C36AIDM160Pulsed Drain Current1I

7.4. p0903bdg.pdf Size:532K _unikc

P0903BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.5m @VGS = 10V25V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET… P082ABD8
, P0850AT
, P0850ATF
, P085AATX
, P0903BD
, P0903BDA
, P0903BDB
, P0903BDG
, IRF9Z34
, P0603BD
, P0603BDB
, P0603BDD
, P0603BDF
, P0603BDG
, P0603BDL
, P0603BEAD
, P0603BK
.

P0903BK Datasheet (PDF)

0.1. p0903bka.pdf Size:479K _unikc

P0903BKAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 49APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C49IDContinuous Drain Current3TC = 100 C31IDM120Pulsed Drain Current

0.2. p0903bkb.pdf Size:351K _unikc

P0903BKBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 9m @VGS = 10V 49APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C49IDContinuous Drain Current2TC = 100 C31IDM120Pulsed Drain Current1

 0.3. p0903bk.pdf Size:480K _unikc

P0903BKN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 9m @VGS = 10V 30APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C30(Package Limited)IDContinuous Drain Current2TC = 25 C(Silicon Limited)6

P0903BD Datasheet (PDF)

0.1. p0903bda.pdf Size:493K _unikc

P0903BDAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

0.2. p0903bdb.pdf Size:465K _unikc

P0903BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 59ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C59IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C37AIDM150Pulsed Drain Current1

 0.3. p0903bdl.pdf Size:455K _unikc

P0903BDLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID25V 9.5m @VGS = 10V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current

0.4. p0903bd.pdf Size:521K _unikc

P0903BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 57ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C57IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C36AIDM160Pulsed Drain Current1I

 0.5. p0903bdg.pdf Size:532K _unikc

P0903BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.5m @VGS = 10V25V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

P0903BK MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: P0903BK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 22
nC

Время нарастания (tr): 10
ns

Выходная емкость (Cd): 299
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009
Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

P0903BK
Datasheet (PDF)

0.1. p0903bka.pdf Size:479K _unikc

P0903BKAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 49APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C49IDContinuous Drain Current3TC = 100 C31IDM120Pulsed Drain Current

0.2. p0903bkb.pdf Size:351K _unikc

P0903BKBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 9m @VGS = 10V 49APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C49IDContinuous Drain Current2TC = 100 C31IDM120Pulsed Drain Current1

 0.3. p0903bk.pdf Size:480K _unikc

P0903BKN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 9m @VGS = 10V 30APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C30(Package Limited)IDContinuous Drain Current2TC = 25 C(Silicon Limited)6

Другие MOSFET… P0803BDG
, P0803BVG
, P0804BD
, P0804BD8
, P0804BK
, P0804BVG
, P0903BEA
, P0903BIS
, IRFZ44V
, P0903BKA
, P0903BKB
, P0903BT
, P0903BTG
, P0903BV
, P0903BVA
, P0908AD
, P0908AT
.

Datasheet Download — UNIKC

Номер произв P0903BD
Описание N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Производители UNIKC
логотип  

1Page

No Preview Available !

P0903BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY

V(BR)DSS

RDS(ON)

30V 9mΩ @VGS = 10V

ID

57A
TO-252

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)

PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage

VDS 30

Gate-Source Voltage

VGS ±20

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current1

TC= 25 °C

TC= 100 °C

ID

IDM

57
36
160
Avalanche Current

IAS 34

Avalanche Energy
L=0.1mH

EAS

60
Power Dissipation

TC= 25 °C

TC= 100°C

PD

49
19
Junction & Storage Temperature Range
Lead Temperature(1/16” from case for 10 sec)

Tj, Tstg

TL

-55 to 150
275
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient

1Pulse width limited by maximum junction temperature.

SYMBOL

RqJC

RqJA

TYPICAL
MAXIMUM
2.55
63
UNITS
°C / W
REV 1.0 1 2014/5/7

No Preview Available !

P0903BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)

PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
LIMITS
UNITS
MIN TYP MAX
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage

V(BR)DSS

VGS(th)

IGSS

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

On-State Drain Current1

ID(ON)

VGS = 0V, ID = 250mA

VDS = VGS, ID = 250mA

VDS = 0V, VGS = ±20V

VDS =24V, VGS = 0V

VDS =20V, VGS = 0V, TJ = 125°C

VDS = 10V, VGS = 10V

30
1 1.5
3
V
±100 nA
1

mA

10
160 A
Drain-Source On-State

Resistance1

RDS(ON)

VGS =4.5V, ID =30A

VGS =10V, ID =30A

11 13

79

Forward Transconductance1

gfs

VDS =15V, ID =17A

60 S
DYNAMIC
Input Capacitance
Output Capacitance

Ciss

Coss

VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz

1060
281
pF
Reverse Transfer Capacitance

Crss

175
Gate Resistance

Rg VGS = 0V, VDS = 0V, f = 1MHz

1.41 Ω

Total Gate Charge2

Gate-Source Charge2

Gate-Drain Charge2

Turn-On Delay Time2

Rise Time2

Turn-Off Delay Time2

Fall Time2

Qg

Qgs

Qgd

td(on)

tr

td(off)

tf

VDS = 0.5V(BR)DSS, VGS = 10V,

ID = 30A

VDS = 15V ,RL = 15Ω

ID≌1A, VGS = 10V, RGEN =6Ω

23
4.4 nC
5.5
16
25
nS
60
16

SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C)

Continuous Current

IS

32 A

Forward Voltage1

VSD IF = IS, VGS = 0V

1.3 V
Reverse Recovery Time

trr IF = 3A, dlF/dt = 100A /ms

40 70 nS
Reverse Recovery Charge

Qrr

28 nC

1Pulse test : Pulse Width  300 msec, Duty Cycle  2%.

2Independent of operating temperature.

REV 1.0 2 2014/5/7

No Preview Available !

P0903BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0 3 2014/5/7

Всего страниц 5 Pages
Скачать PDF

P0603BDG Datasheet (PDF)

0.1. p0603bdg.pdf Size:662K _unikc

P0603BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6.5m @VGS = 10V30V 68ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C68IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C43AIDM180Pulsed Drain Current1

7.1. p0603bd.pdf Size:450K _unikc

P0603BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 5.8m @VGS = 10V 70ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C70IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C44AIDM180Pulsed Drain Current1

7.2. p0603bdl.pdf Size:456K _unikc

P0603BDLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID25V 6.8m @VGS = 10V 68ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C68IDContinuous Drain Current1TC = 100 C43AIDM160Pulsed Drain Curren

 7.3. p0603bdf.pdf Size:477K _unikc

P0603BDFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID5.8m @VGS = 10V30V 78ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C78IDContinuous Drain Current2TC= 100 C49AIDM140Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 35E

7.4. p0603bdb.pdf Size:479K _unikc

P0603BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID5.8m @VGS = 10V30V 72ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C72IDContinuous Drain Current2TC= 100 C46AIDM160Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 50E

 7.5. p0603bdd.pdf Size:479K _unikc

P0603BDDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID5.8m @VGS = 10V30V 71ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C71IDContinuous Drain Current2TC= 100 C45AIDM180Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 41E

P0903BDG Datasheet PDF — Niko

Part Number P0903BDG
Description N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Manufacturers Niko 
Logo  

There is a preview and P0903BDG download ( pdf file ) link at the bottom of this page.

Total ( 5 pages )

Preview 1 page

No Preview Available !

NIKO-SEM
N-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor
P0903BDG
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
D
PRODUCT SUMMARY

V(BR)DSS

RDS(ON)

25 9.5m

ID

50A
G
S

www.DataShAeBetS4UO.cLoUmTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)

PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current1

TC = 25 °C

TC = 100 °C

Avalanche Current
Avalanche Energy

Repetitive Avalanche Energy2

L = 0.1mH
L = 0.05mH
Power Dissipation

TC = 25 °C

TC = 100 °C

Operating Junction & Storage Temperature Range

Lead Temperature (116” from case for 10 sec.)

VGS

ID

IDM

IAR

EAS

EAR

PD

Tj, Tstg

TL

THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Case

RθJC

Junction-to-Ambient

RθJA

Case-to-Heatsink

RθCS

1Pulse width limited by maximum junction temperature.

2Duty cycle ≤ 1

TYPICAL
0.6
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
LIMITS
±20
50
35
200
40
250
8.6
50
30
-55 to 150
275
UNITS
V
A
mJ
W
°C
MAXIMUM
2.5
62.5
UNITS
°C / W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)

PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current

V(BR)DSS

VGS(th)

IGSS

IDSS

STATIC

VGS = 0V, ID = 250µA

VDS = VGS, ID = 250µA

VDS = 0V, VGS = ±20V

VDS = 20V, VGS = 0V

VDS = 20V, VGS = 0V, TC = 125 °C

LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
25
1 1.6
3
V
±250 nA
25

µA

250

1 SEP-24-2004

NIKO-SEM
N-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor
P0903BDG
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
Dimension

www.DataSheet4U.Acom

B
C
D
E
F
G
Min.
9.35
2.2
0.45
0.89
0.45
0.03
5.2
mm
Typ.
Max.
10.4
2.4
0.6
1.5
0.69
0.23
6.2
Dimension
H
I
J
K
L
M
N
Min.
0.89
6.35
5.2
0.6
0.5
3.96
mm
Typ.
4.57
Max.
2.03
6.80
5.5
1
0.9
5.18
A
HG
K

5 SEP-24-2004


Preview 5 Page

Information Total 5 Pages
Link URL
Product Image and Detail view 1. 25V, 56A, N-Ch, MOSFET (Transistor)
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Element14 Chip One Stop

Featured Datasheets

Part Number Description Manufacturers
P0903BD The function is N-Channel Enhancement Mode MOSFET. UNIKC
P0903BDA The function is N-Channel Enhancement Mode MOSFET. UNIKC
P0903BDB The function is N-Channel Enhancement Mode MOSFET. UNIKC

Quick jump to:

P090 
1N4 
2N2 
2SA 
2SC 
74H 
ADC 
BC 
BF 
BU 
CXA 
HCF 
IRF 
KA 
KIA 
LA 
LM 
MC 
NE 
ST 
STK 
TDA 
TL 
UA 

P0903BDG MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: P0903BDG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 56
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 25
nC

Время нарастания (tr): 25
ns

Выходная емкость (Cd): 300
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0095
Ohm

Тип корпуса:

P0903BDG
Datasheet (PDF)

0.1. p0903bdg.pdf Size:532K _unikc

P0903BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.5m @VGS = 10V25V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

7.1. p0903bda.pdf Size:493K _unikc

P0903BDAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

7.2. p0903bdb.pdf Size:465K _unikc

P0903BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 59ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C59IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C37AIDM150Pulsed Drain Current1

 7.3. p0903bdl.pdf Size:455K _unikc

P0903BDLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID25V 9.5m @VGS = 10V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current

7.4. p0903bd.pdf Size:521K _unikc

P0903BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 57ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C57IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C36AIDM160Pulsed Drain Current1I

Другие MOSFET… P0808ATG
, P082ABD8
, P0850AT
, P0850ATF
, P085AATX
, P0903BD
, P0903BDA
, P0903BDB
, , P0903BDL
, P0603BD
, P0603BDB
, P0603BDD
, P0603BDF
, P0603BDG
, P0603BDL
, P0603BEAD
.