Транзистор c3198

2N2482 Datasheet (PDF)

0.1. 2n2482.pdf Size:369K _rca

9.1. 2n2484.pdf Size:49K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D1252N2484NPN general purpose transistor1997 May 01Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor 2N2484FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V)1 emitter2 base

9.2. 2n2484 pn2484.pdf Size:73K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.3. 2n2484.pdf Size:221K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N2484TO-18This transistors is primarily intended for use in high performance, low level, low noise amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VCollector -Base Voltage VCBO 60 VEmitter -Base

9.4. 2n2484ubc.pdf Size:331K _microsemi

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/376 DEVICES LEVELS 2N2484 2N2484UB JAN 2N2484UA 2N2484UBC * JANTX JANTXV

 9.5. 2n2484ua.pdf Size:331K _microsemi

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/376 DEVICES LEVELS 2N2484 2N2484UB JAN 2N2484UA 2N2484UBC * JANTX JANTXV

Производители

Транзисторы D882 изготавливаются следующими зарубежными фирмами:  SeCoS Halbleitertechnologie, Shenzhen Jingdao Electronic, SHIKE Electronics, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Daya Electric Group, Diode Semiconductor Korea,  SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, STMicroelectronics, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Shenzhen Electronics, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, Stanson Technology, WILLAS ELECTRONIC CORP,  Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited, Nanjing International Group.

На Российском рынке чаще всего встречаются устройство произведённое компаниями Shenzhen Electronics, STMicroelectronics.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Временные параметры Корпус
KSC2335 40 500 400 7 7 150 10…80 ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс TO-220
КТ840А 60 900 400 5 6 150 8 10…60 ton ˂ 0,2 мкс tstg ˂ 3,5 мкс tf ˂ 0,6 мкс TO-3
КТ841А 50 600 400 5 10 150 10 10 ton = 0,08 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,5 мкс TO-3
2Т842А 50 300 300 5 5 150 20 15 ton = 0,12 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,13 мкс TO-3
КТ847А 125 650 8 15 150 ˃ 15 ˃ 8 tstg = 3,0 мкс tf = 1,5 мкс TO-3
КТ858А 60 400 400 6 7 150 ˃ 10 tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 0,75 мкс TO-220
2Т862 50 600 400 5 10 150 20 12…50 ton ˂ 0,4 мкс tstg ˂ 1,0 мкс tf ˂ 0,25 мкс TO-3
КТ812А 50 400 400 7 8 150 ˃ 3 tf = 0,2…1,3 мкс TO-3
КТ8126А1 80 700 400 9 8 150 ˃ 4 8…40 ton = 1,6 мкс tstg = 3,0 мкс tf = 0,7 мкс TO-220
КТ8164А 75 700 400 9 4 150 ˃ 4 10…60 ton = 0,8 мкс tstg = 0,9 мкс tf = 4,0 мкс TO-220

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ hFE Корпус
KSC2335 40 500 400 7 7 150 10…80 TO-220
KSC2334 40 150 100 7 7 150 20…240 TO-220C
2SC2502 50 500 400 7 8 150 ˃ 15 TO-220
TT2194 50 500 400 7 12 150 20 TO-220
WBP3308 45 900 500 7 7 150 20 TO-220
2SC3038 40 500 400 7 7 150 50 TO-220
2SC3039 50 500 400 7 7 150 30 TO-220
2SC3170 40 500 7 150 25 TO-220
2SC3626 40 400 8 55 TO-220
2SC4055 60 600 450 7 8 180 100 TO-220
2SC4106 M/N 50 500 400 7 7 175 60 TO-220
2SC4107 M/N 60 500 400 7 10 150 20/60 TO-220
2SC4274 40 500 400 10 150 40 TO-220
2SC4458 L 40 900 500 9 8 150 25 TO-220F
2SC4559 40 500 400 7 175 150 TO-220
2SD1162 40 500 10 10 150 400 TO-220
2SD1349 50 500 7 150 150 TO-220
2SD1533 45 500 7 150 800 TO-220
2SD1710A 50 900 500 9 8 150 25 TO-220
3DK3039 50 500 400 7 7 175 25 TO-220, TO-276AB
MJ10012T 65 600 400 15 200 200 TO-220

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах (управления) базы IB.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и эмиттер-база UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы IC/IB = 5.

Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки IC в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора TC.

Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.

Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.

Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды Ta = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.

Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:

  1. горизонтальный – предельный ток транзистора, определяющий устойчивость паяных соединений. При возрастании температуры корпуса вводится поправка согласно графику Рис. 4;
  2. участок «Dissipation Limited» – предельный ток, ограничивающий общий нагрев п/п структуры;
  3. участок «S/b Limited» — ограничение тока исходя из недопущения вторичного пробоя п/п структуры;
  4. вертикальный участок – предельное напряжение коллектор-эмиттер, не приводящее к лавинному пробою п/п структуры.

Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (ton). См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.

В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (tstg + tf), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.

Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.

Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии Tc ≤ 100°C.

Увеличение UCEX(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.

Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:

  • непревышение температурных ограничений по структуре в целом;
  • токи и напряжения на интервале включения (ton) не превышают ограничений ОБР;
  • токи и напряжения на интервале выключения (tstg + tf) не превышают ограничений ОБР с обратным смещением.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Статические внешние характеристики транзистора (в схеме с ОЭ): зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при разных токах базы IB управления.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 2 В.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 4. Изменение полосы пропускания транзистора fT при изменении коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В и токе базы IB = 8 мА.

Рис. 5. Зависимость выходной емкости (коллекторного перехода) CC от напряжения коллектор-база UCB. Характеристика снималась при частоте f = 1 МГц и токе эмиттера IE = 0.

Рис. 6. Характеристика ограничения рассеиваемой транзистором мощности PC при различных температурах корпуса транзистора TC.

Рис. 6. Характеристика ограничения (в %) коллекторного тока IC при изменении температуры корпуса TC и при двух различных условиях:

  • нижняя характеристика (Dissipation limited) при ограничении мощности рассеивания;
  • верхняя характеристика (S/b limited) — ограничение предельного тока транзистора для предотвращения вторичного пробоя п/п структуры локально в местах повышенной плотности тока.

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора.

Предельный коллекторный ток в импульсном режиме IC(max) Pulse и предельный постоянный ток IC(max) DC ограничивают предельную токовую нагрузку транзистора, исключая прогорание структуры.

Предельное напряжение коллектор-эмиттер UCE ограничивает нагрузку по напряжению, исключая электрический пробой структуры.

Предельная рассеиваемая мощность ограничивает тепловую нагрузку транзистора при параметрах, меньших предельного тока и напряжения. На графиках показаны ограничения по рассеиваемой мощности при импульсном режиме с длительностью импульсов 0,1 мс, 1 мс, 10 мс и в режиме постоянного тока (помечено DC).

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Транзистор 2SC2482 — высокочастотный (30 МГц > FГР —> типа N-P-N, биполярный, кремниевый, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС

Транзистор
UКЭ0 /UКБ0 ПРОБВ
IК, МАКСмА
PК, МАКСмВт
h21Э
fгрМГц
Изготовитель

мин.
макс.
IКмА
UКЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)

2SC2482
300/300
100
900
30
20
10
50

Continental Device India Ltd
Contin Dev

Цоколёвка

Тип
Номера выводов

1
2
3

3 вывода
B
C
E

UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

h21Э — схема с общим эмиттером — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.

Datasheet Download — Toshiba Semiconductor

Номер произв C2482
Описание 2SC2482
Производители Toshiba Semiconductor
логотип  

1Page

No Preview Available !

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2482
High-Voltage Switching and Amplifier Applications
Color TV Horizontal Driver Applications
Color TV Chroma Output Applications
2SC2482
Unit: mm

• High breakdown voltage: VCEO = 300 V

• Small collector output capacitance: Cob = 3.0 pF (typ.)

• Recommended for chroma output and driver applications for

line-operated TV horizontal.

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter
-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

IC

IB

PC

Tj

Tstg

Rating
300
300
7
100
50
900
150

−55 to 150

Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol

ICBO

IEBO

hFE (1)

hFE (2)

VCE (sat)

VBE (sat)

fT

Cob

Test Condition

VCB = 240 V, IE = 0

VEB = 7 V, IC = 0

VCE = 10 V, IC = 4 mA

VCE = 10 V, IC = 20 mA

IC = 10 mA, IB = 1 mA

IC = 10 mA, IB = 1 mA

VCE = 10 V, IC = 20 mA

VCB = 20 V, IE = 0, f = 1 MHz

JEDEC
TO-92MOD
JEITA

TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
Min Typ. Max Unit

― ― 1.0 µA

― ― 1.0 µA

20 ― ―

30 ― 150

― ― 1.0 V

― ― 1.0 V

50 ― ― MHz

― 3.0 ― pF

Marking
C2482
Part No. (or abbreviation code)
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
1
2004-07-26

No Preview Available !

120

100
80
60
40
20

IC – VCE

6
4
Common emitter
Ta = 25°C
32
1
0.6
0.4
IB = 0.2 mA
4 8 12 16 20

Collector-emitter voltage VCE (V)

24
2SC2482
1000
500
300
100
50
30
10
5
0.3

hFE – IC

Common emitter
Ta = 25°C
VCE = 20 V
10
5
1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
1000
500
300
100
50
30
10
5
0.3

hFE – IC

Common emitter
VCE = 10 V
Ta = 100°C

25 −25

1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.3

VCE (sat) – IC

Common emitter
Ta = 25°C
IC/IB = 10
5
2
1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.3

VCE (sat) – IC

Common emitter
IC/IB = 5
Ta = 100°C

−25 25

1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
10
5
3
1
0.5
0.3
0.0
0.05
0.3

VBE (sat) – IC

Common emitter
IC/IB = 5
Ta = 25°C
1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
2 2004-07-26

No Preview Available !

100

Common emitter
VCE = 10 V
80

IC – VBE

60
Ta = 100°C 25

−25

40
20

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

Base-emitter voltage VBE (V)

Cob – VCB

100
IE = 0

50 f = 1 MHz

Ta = 25°C
30
10
5
3
1
0.5
0.3
1 3 10 30

Collector-base voltage VCB (V)

100
2SC2482
1000
500
300
100
50
30
10
5
0.3

fT – IC

Common emitter
Ta = 25°C
VCE = 20 V
5 10
1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
Safe Operating Area
300

IC max (pulsed)*

300 µs*

IC max (continuous)
100
1 ms

10 ms*

100 ms*

50 500 ms*

30
DC operation
Ta = 25°C
10

*: Single nonrepetitive pulse

5 Ta = 25°C

Curves must be derated linearly with
increase in temperature.
2
3 10 30
VCE max
100 300

Collector-emitter voltage VCE (V)

3 2004-07-26

Всего страниц 4 Pages
Скачать PDF

Электрические характеристики (при Ta = 25°C)

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения ٭
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCE = 30 В, IE = 0 ≤ 1,0
Ток выключения коллектор-эмиттер, мкА ICEO UCE = 30 В, IB = 0 ≤ 1,0
Ток базы выключения, мкА IEBO UBE = 3 В, IC =0 ≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 2 А, IB = 200 мА ≤ 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 2 А, IB = 200 мА ≤ 2,0
Напряжение пробоя коллектор-база, В U(BR)CBO IC = 100 мкА, IE = 0 ˃ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В U(BR)CEO IC = 1 мА, IB = 0 ˃ 30
Напряжение пробоя эмиттер-база, В U(BR)EBO IE = 100 мкА, IC = 0 ˃ 5
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) UCE = 2 В, IC = 0,02 А ≥ 30
hFE (2) UCE = 2 В, IC = 1,0 А от 100 до 400
Частота среза, МГц fT UCE = 5 В, IC = 0,1 мА 80
Выходная емкость, pF CC UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц 45

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

Параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %

Биполярный транзистор 2SC2482 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC2482

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

2SC2482
Datasheet (PDF)

0.1. 2sc2482.pdf Size:211K _toshiba

0.2. 2sc2482-o.pdf Size:395K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC248220736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2482-OPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939 2SC2482-YFeatures High Voltage:Vceo=300V Small collector output capacitance:Cob=3.0pF(Typ)NPN Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingEpitaxial Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Lead Free

 0.3. 2sc2482-y.pdf Size:395K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC248220736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2482-OPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939 2SC2482-YFeatures High Voltage:Vceo=300V Small collector output capacitance:Cob=3.0pF(Typ)NPN Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingEpitaxial Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Lead Free

0.4. 2sc2482.pdf Size:258K _lge

2SC2482 TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE Features5.800 High voltage :Vceo=300V 6.200 Small collector output capacitance: Cob=3.0pF(Typ) 8.4008.8000.9001.1000.4000.600MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 13.80014.200Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 300 V1.500 TYPVCE

 0.5. 2sc2482 to-92l.pdf Size:249K _lge

2SC2482 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 2 3 14.700Features5.100 High voltage :Vceo=300V 7.800 Small collector output capacitance: Cob=3.0pF(Typ) 8.2000.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.3500.55013.800Symbol Parameter Value Units14.200VCBO Collector-Base Voltage 300 VVCEO Collector-Emitter

0.6. 2sc2482.pdf Size:175K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Pow Transistor 2SC2482DESCRIPTIONHigh breakdown voltageLow output capacitance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV chroma output applicationsColor TV horiz. driver applicationsHigh voltage switching and amplifier applicationsABSOLUTE MA

Другие транзисторы… 2SC2473
, 2SC2474
, 2SC2475
, 2SC2476
, 2SC2477
, 2SC248
, 2SC2480
, 2SC2481
, 2N5088
, 2SC2483
, 2SC2484
, 2SC2485
, 2SC2486
, 2SC2487
, 2SC2488
, 2SC2489
, 2SC249
.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, применяемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях и другой аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Временные параметры: ton / tstg / tf мкс. Корпус
2SC5027 50 1100 800 7 3 150 15 60 8…40 0,5 / 3 /0,3 TO-220
КТ840А 60 900 400 5 6 150 8 10…60 0,2 / 3,5 / 0,6 TO-3
2Т856А/Г 125 1000 950/850 5 10/12 10…60 — / — / 0,5 TO-3
КТ859А 40 800 800 10 3 150 ˃ 25 ˃ 10 0,5 / 3,5 / 0,35 TO-220AB
КТ872А 100 1500 700 6 8 150 6 — / 6,7 / 0,8 TO-218
КТ878А 100 900 5 25 150 10 500 12…50 — / 3 / — TO-3
2Т886 175 1400 7 10 150 — / — / 0,7 TO-3
КТ8107А 100 1500 700 6 10 125 ˃ 7 2,3 — / 3,5 / 0,5 TO-220
КТ8108А/В 70 800/900 5 3 150 15 75 10…50 — / 3 / 0,3 TO-220
КТ8114А/Б/В 125 1500 700 6 8 150 — / — / 0,5 TO-218
КТ8118А 50 900 800 5 3 150 15 10…40 — / 2 / 0,7 TO-220
КТ8121А 75 700 400 5 4 150 ˃ 4 8…60 — / 3 / 0,4 TO-220
КТ8126А1/Б1 80 700 400 9 8 150 ˃ 4 8…60 — / 1,7 / — TO-220
КТ8137А 40 700 700 9 1,5 150 ˃ 4 8…40 1 / 4 / 0,7 КТ-27
КТ8164А/Б 75 700 400 9 4 150 ˃ 4 110 8…60 0,8 / 4 / 0,9 TO-220
КТ8170А1 40 700 400 9 1,5 150 ˃ 4 35 8…40 1,1 / 4 / 0,7 TO-126

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс. Корпус
2SC5027 50 1100 800 7 3 150 15 60 8…40 0,5 / 3 /0,3 TO-220
2SD1290 50 1500 5 3 130 3…8 — / 3 / 1 TO-3PN
2SD1291 65 1500 5 3 150 4…12 — / 4 / 1 TO-3PN
BUJ302A 80 1050 400 24 4 150 25…100 — /3,5 / 0,5 TO-220AB
BUJ303A 100 1000 5 150 10…35 0,7 / 4 / 0,45 TO-220AB
BUJ403A 100 1200 550 6 150 15 0,5 / 3 /0,3 TO-220AB
BUL216 90 1600 800 9 4 150 10…40 — / 3 / 0,6 TO-220
BUL218D-B 70 700 400 4 150 10…32 — / 0,6 / 0,1 TO-220
BUL416 110 1600 800 9 6 150 10…32 — / 3 / 0,7 TO-220
BUL416T 800 9 6 150 10…32 — / 1,5 / 0,8 TO-220A
FJP2145 120 1100 800 7 5 125 15 11,4 8…40 TO-220
KSC5603D 100 1600 800 12 3 150 5 56 6…46 1 / 0,18 / 0,2 TO-220
2SC2979 40 900 800 7 3 150 7…15 1 / 3 / 1 TO-220
3DD5023/24 40 1500 800 5 6 150 ˃ 2 5…30 — / — / 1,0 TO-220F
FJPF5021 40 800 500 7 5 150 15 80 8…50 0,5 / 3 /0,3 TO-220F
FJPF5321 40 800 500 7 5 150 14 65 8…40 0,5 / 3 /0,3 TO-220F
FJPF5200 50 250 250 5 17 150 30 200 35…160 TO-220F
MJE15028 50 120 120 5 8 150 30 20…40 TO-220C

Примечание: FJPF5200 — Маркировка J5200.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителя.