Даташит b772 pdf ( datasheet )

Содержание

B772M Datasheet (PDF)

0.1. b772m.pdf Size:643K _jiangsu

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors TO-252-2L B772M TRANSISTOR (PNP) FEATURES 1. BASE Low Speed Switching 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V

0.2. 2sb772m.pdf Size:341K _blue-rocket-elect

2SB772M(BR3CG772M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features , hFE Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE. / Applications ,,

 0.3. 2sb772m 3ca772m.pdf Size:220K _lzg

2SB772M(3CG772M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :,, Purpose: Output stage of audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver. :, h /Features: Low saturation voltage, excellent h linearity FEFEand high h . FE/Absolut

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Диаграмма входного сигнала.

Схема измерения при резистивной нагрузке.

Параметры режима:

UCC = 125 В. RC = 125 Ом. RB = 47 Ом. D1 диод 1N5820 или подобный. SCOPE – осциллограф “Tektronics 475” или подобный

tr, tf ˂ 10 нс; скважность ≤ 1%

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.

Входной сигнал: прямоугольный импульс с амплитудой 5 В и протяженностью фронтов tr и tf не более 10 нс

Скважность импульсов 10%. Протяженность импульса подбирается из требуемой величины коллекторного тока IC

UCC подбирается из требуемой величины IC. RB подбирается из требуемой величины IB1. Диод MR826 выбирается на напряжение 1 кВ. Напряжение ограничения UCLAMP = 300 В.

Диаграммы выходных токов и напряжений.

На рисунке:

  • tf CLAMPED – время спадания импульса тока при ограничении напряжения на уровне UCLAMPED.
  • IC(PK) максимальное достижимое значение тока, по которому подбираются значение UCC и длительность входного импульса.

Расчетные формулы: t1 = L × IC(PK) / UCC; t2 = L × IC(PK) / UCLAMP.

B772S Datasheet (PDF)

0.1. b772ss.pdf Size:233K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD B772SS PNP SILICON TRANSISTOR MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC B772SS is a medium power low voltage transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage regulator. FEATURES * High current output up to 3A * Low saturation voltage * Complement to D882SS ORDERING INFORMATION Order Number Pi

0.2. 2sb772s.pdf Size:251K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB772S PNP SILICON TRANSISTOR MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB772S is a medium power low voltage transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage regulator. FEATURES * High current output up to 3A * Low saturation voltage * Complement to 2SD882S ORDERING INFORMATION Ordering Num

 0.3. b772s.pdf Size:346K _secos

B772S -3A , -40V PNP Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Low speed switching. G H1Emitter 1112Collector 222J3Base 333CLASSIFICATION OF hFE A DMillimeter Product-Rank B772S-R B772S-O B772S-Y B772S-GR REF. BMin. Max. A 4.40 4.7

0.4. tsb772sct.pdf Size:78K _taiwansemi

TSB772S Low Vcesat PNP Transistor TO-92 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter BVCBO -50V 2. Collector 3. Base BVCEO -30V IC -3A VCE(SAT) -0.5V @ IC / IB = -2A / -200mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSD882S TSB772SCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk Structure T

 0.5. b772s.pdf Size:195K _lge

B772S Transistor(PNP)TO-921. EMITTER 2. COLLECTOR 3 BASE Features Low speed switching MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V Dimensions in inches and (millimeters)IC Collector Current -Continuous -3 A PC Collector Power Dis

0.6. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc

Spec. No. : HE6549HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2004.08.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSB772SPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltageregulator, DC-DC converter and driver.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………

0.7. btb772st3.pdf Size:221K _cystek

Spec. No. : C809T3 Issued Date : 2008.08.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date: Page:1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB772ST3 Features Low VCE(sat), typically -0.45 V at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent current gain characteristics Pb-free package Symbol Outline BTB772ST3 TO-126 BBase CCollector EEmitter E C B Absolute

0.8. btb772sa3.pdf Size:352K _cystek

Spec. No. : C817A3-H Issued Date : 2003.05.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date:2013.03.21 Page:1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB772SA3 Features Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTD882SA3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTB77

0.9. hb772s.pdf Size:27K _shantou-huashan

PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P HB772S AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING TO-92 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature150 PCCollector Dissipation

0.10. 2sb772s 3ca772s.pdf Size:256K _lzg

2SB772S(3CA772S) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : 3 ,,/Purpose: Output stage of 3 watts audio amplifier, regulator, DC-DC converter and relay driver. : V ,,h /Features: Low saturation voltage, excellent h FECE(sat) FElinearity and high h . FE

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Статические внешние характеристики транзистора (в схеме с ОЭ): зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при разных токах базы IB управления.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 2 В.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 4. Изменение полосы пропускания транзистора fT при изменении коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В и токе базы IB = 8 мА.

Рис. 5. Зависимость выходной емкости (коллекторного перехода) CC от напряжения коллектор-база UCB. Характеристика снималась при частоте f = 1 МГц и токе эмиттера IE = 0.

Рис. 6. Характеристика ограничения рассеиваемой транзистором мощности PC при различных температурах корпуса транзистора TC.

Рис. 6. Характеристика ограничения (в %) коллекторного тока IC при изменении температуры корпуса TC и при двух различных условиях:

  • нижняя характеристика (Dissipation limited) при ограничении мощности рассеивания;
  • верхняя характеристика (S/b limited) — ограничение предельного тока транзистора для предотвращения вторичного пробоя п/п структуры локально в местах повышенной плотности тока.

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора.

Предельный коллекторный ток в импульсном режиме IC(max) Pulse и предельный постоянный ток IC(max) DC ограничивают предельную токовую нагрузку транзистора, исключая прогорание структуры.

Предельное напряжение коллектор-эмиттер UCE ограничивает нагрузку по напряжению, исключая электрический пробой структуры.

Предельная рассеиваемая мощность ограничивает тепловую нагрузку транзистора при параметрах, меньших предельного тока и напряжения. На графиках показаны ограничения по рассеиваемой мощности при импульсном режиме с длительностью импульсов 0,1 мс, 1 мс, 10 мс и в режиме постоянного тока (помечено DC).

FTB772F Datasheet (PDF)

0.1. ftb772f.pdf Size:243K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTB772FTECHNICAL DATA AFTB772F PNP TRANSISTORCHG FEATURES Low Speed SwitchingDDKF FDIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_+B 2.50 0.20 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.10E 4.25 MAX_+F 1.50 0.10Symbol Parameter Value Unit G 0.40 TYP1. BASEH 1.8 MAX2. COLLECTORVCBO Collector-Base Voltage -40

8.1. ftb772d.pdf Size:245K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTB772DTECHNICAL DATAFTB772D TRANSISTORAI FEATURESCJ Low Speed SwitchingDIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1Symbol Parameter Value Unit HH 1 00 MAXI 2 30 0 2LF FVCBO Collector-Base Voltage -40 V J 0 5 0 1L 0 50 0 101 2 3

8.2. ftb772.pdf Size:112K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTB772TECHNICAL DATAAUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHINGDEAFEATURESComplementary to FTD882. CF GDIM MILLIMETERSBA 8.3 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )B 11.30.3C 4.15 TYP1 2 3D 3.20.2CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 2.00.2H F 2.80.1IVCBO -40 VCollector-Base VoltageG 3.20.1H 1.270.1KVCEO -30 VCollector

2SB772T Datasheet (PDF)

0.1. 2sb772t.pdf Size:520K _blue-rocket-elect

2SB772T(BR3CA772T) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-89 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package. / Features V ,,h CE(sat) FELow saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE. / Applications 3 ,,

0.2. st2sb772t.pdf Size:668K _semtech

ST 2SB772T PNP Silicon Epitaxial Power Transistor These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications ECBTO-126 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current

 0.3. 2sb772t 3ca772t.pdf Size:348K _lzg

2SB772T(3CA772T) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : 3 ,,/Purpose: Output stage of 3 watts audio amplifier, regulator, DC-DC converter and relay driver. : V ,,h /Features: Low saturation voltage, excellent h FECE(sat) FElinearity and high h . FE

KTB772 Datasheet (PDF)

0.1. ktb772.pdf Size:396K _kec

SEMICONDUCTOR KTB772TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORAUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER ALOW SPEED SWITCHING BDCEFEATURESFComplementary to KTD882.GHDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )KB 5.8LC 0.7CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT_+D 3.2 0.1E 3.5VCBO -40 VCollector-Base Voltage_+F 11.0 0.3G 2.9 MAXVCEO -30 V

9.1. ktb778.pdf Size:53K _kec

SEMICONDUCTOR KTB778TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.DIM MILLIMETERSFEATURES A 16.30 MAXA C_+B 12.00 0.30RComplementary to KTD998._+C 5.50 0.20WWU D 1.20 MAXRecommended for 4550W Audio Frequency E 8.00VF 5.00Amplifier Output Stage._+G 17.00 0.30H 0.60+0.15/-0.10I 2.50_+J 20.0 0.1IM

9.2. ktb778.pdf Size:225K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor KTB778DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type KTD998Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power amplifier applicationsRecommend for 45-50W audio frequency amplifieroutput stage applicationsABSOL

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой PNP, эпитаксиальнопланарные, которые применяются в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах высокочастотного диапазона.

Отечественное производство

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE Корпус Примеча-ние
2SB772 12,5 (1,25) 60 30 5 3 150 50 60 TO-126
(2)КТ914А 7 65 65 4 0,8 150 350 12
(2)КТ932А/Б/В 20 80/60/40 4,5 2 150 100 300 от 15 до 120 TC ≤ 50°C
(2)КТ933А/Б 5 80/60 4,5 0,5 150 75 100 от 15 до 120 TC ≤ 50°C
КТ973А/Б/В/Г 8 60/45/60/60 5 2 150 от 750 до 5000
КТ974А/Б/В 5 80/60/50 3 2 150 450 80 от 10 до 120 TC ≤ 50°C

Зарубежное производство

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE Корпус
2SB772 12,5 (1,25) 60 30 5 3 150 50 60 TO-126
2SA1359 (O, Y) 10,0 (1,0) 40 40 5 3 150 100 35 70 TO-126
2SB843 10,0 (1,0) 50 40 6 5 175 90 TO-126
BTB1424AD3 10,0 (1,0) 50 50 6 3 150 240 35 180 TO-126
BTB1424AT3 10,0 (1,0) 50 50 6 3 150 240 35 180 TO-126
H772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
HT772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 100 TO-126
KSH772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
ST2SB772T 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
2SA1761 (0,9) 60 50 6 3 150 100 120 TO-92
2SA3802 (0,8) 40 30 6 3 150 80 60 TO-92
2SB985 (R, S, T, U) (1) 60 60 6 3 165 150 280 TO-92
BR3CG3802 (0,8) 40 30 6 3 150 80 60 TO-92
KTB985 (1) 60 50 6 3 150 150 100 TO-92
ZTX949 (1,2) 50 30 6 4,5 200 120 100 TO-92
ZTX951 (1,2) 100 60 6 4 200 100 TO-92
ZTX953 (1,2) 140 100 6 3,5 200 125 100 TO-92
2SA2039-TL-E 15 50 50 6 5 150 360 24 200 TO-252
2SA2126-TL-E 15 50 50 6 3 150 390 24 200 TO-252
2SAR573D 10 50 50 6 3 150 300 35 180 TO-252
BTA2039J3 15 60 50 6 5 150 150 42 200 TO-252
BTB1184J3 15 6 3 150 80 35 180 TO-252
BTB1184J3S 15 6 3 150 80 35 270 TO-252
BTB9435J3 10 40 32 6 3 150 180 20 180 TO-252

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Биполярный транзистор B772S — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: B772S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора:

B772S
Datasheet (PDF)

0.1. b772ss.pdf Size:233K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD B772SS PNP SILICON TRANSISTOR MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC B772SS is a medium power low voltage transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage regulator. FEATURES * High current output up to 3A * Low saturation voltage * Complement to D882SS ORDERING INFORMATION Order Number Pi

0.2. 2sb772s.pdf Size:251K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB772S PNP SILICON TRANSISTOR MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB772S is a medium power low voltage transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage regulator. FEATURES * High current output up to 3A * Low saturation voltage * Complement to 2SD882S ORDERING INFORMATION Ordering Num

 0.3. b772s.pdf Size:346K _secos

B772S -3A , -40V PNP Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Low speed switching. G H1Emitter 1112Collector 222J3Base 333CLASSIFICATION OF hFE A DMillimeter Product-Rank B772S-R B772S-O B772S-Y B772S-GR REF. BMin. Max. A 4.40 4.7

0.4. tsb772sct.pdf Size:78K _taiwansemi

TSB772S Low Vcesat PNP Transistor TO-92 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter BVCBO -50V 2. Collector 3. Base BVCEO -30V IC -3A VCE(SAT) -0.5V @ IC / IB = -2A / -200mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSD882S TSB772SCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk Structure T

 0.5. b772s.pdf Size:195K _lge

B772S Transistor(PNP)TO-921. EMITTER 2. COLLECTOR 3 BASE Features Low speed switching MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V Dimensions in inches and (millimeters)IC Collector Current -Continuous -3 A PC Collector Power Dis

0.6. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc

Spec. No. : HE6549HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2004.08.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSB772SPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltageregulator, DC-DC converter and driver.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………

0.7. btb772st3.pdf Size:221K _cystek

Spec. No. : C809T3 Issued Date : 2008.08.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date: Page:1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB772ST3 Features Low VCE(sat), typically -0.45 V at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent current gain characteristics Pb-free package Symbol Outline BTB772ST3 TO-126 BBase CCollector EEmitter E C B Absolute

0.8. btb772sa3.pdf Size:352K _cystek

Spec. No. : C817A3-H Issued Date : 2003.05.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date:2013.03.21 Page:1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB772SA3 Features Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTD882SA3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTB77

0.9. hb772s.pdf Size:27K _shantou-huashan

PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P HB772S AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING TO-92 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature150 PCCollector Dissipation

0.10. 2sb772s 3ca772s.pdf Size:256K _lzg

2SB772S(3CA772S) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : 3 ,,/Purpose: Output stage of 3 watts audio amplifier, regulator, DC-DC converter and relay driver. : V ,,h /Features: Low saturation voltage, excellent h FECE(sat) FElinearity and high h . FE

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Биполярный транзистор B772-R — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: B772-R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора:

B772-R
Datasheet (PDF)

0.1. 2sb772-r.pdf Size:287K _mcc

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

0.2. b772-r b772-y.pdf Size:245K _mcc

B772-RMCCMicro Commercial ComponentsTMB772-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311 B772-YPhone: (818) 701-4933B772-GRFax: (818) 701-4939Features Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon Collector-current 3.0APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating and storage junction temperature range: -55O

 9.1. 2sb772-y.pdf Size:287K _mcc

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

9.2. 2sb772-gr.pdf Size:287K _mcc

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

 9.3. 2sb772-o.pdf Size:287K _mcc

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

9.4. b772-gr b772-o.pdf Size:245K _mcc

B772-RMCCMicro Commercial ComponentsTMB772-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311 B772-YPhone: (818) 701-4933B772-GRFax: (818) 701-4939Features Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon Collector-current 3.0APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating and storage junction temperature range: -55O

 9.5. 2sb772-s.pdf Size:174K _fci

9.6. 2sb772-126.pdf Size:891K _kexin

DIP Type TransistorsPNP Transistors2SB772TO-126Unit:mm8.00 0.30 3.25 0.20 Features PNP transistor High current output up to 3A Low Saturation Voltage3.20 0.10 Complement to 2SD882(1.00) (0.50)0.75 0.101.75 0.201.60 0.100.75 0.101 2 3#1+0.102.28TYP 2.28TYP 0.50 0.05 1. Base2. Collector3. Emitte

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

H772 Datasheet (PDF)

0.1. h772.pdf Size:817K _shantou-huashan

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H772 APPLICATIONS Audio Frequency Power Amplifier , Switching Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature 150 PCCollect

0.2. ch772gp.pdf Size:102K _chenmko

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCH772GPSMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* Power driver and Dc to DC convertor .FEATURE* Small flat package. (DPAK)DPAK* Low saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=-2A) * High speed switching time: tstg= 1.0uSec (typ.)* PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate)..094 (2.38).086 (2.19)* High s

 0.3. ksh772.pdf Size:224K _semihow

KSH772KSH772 SEMIHOW REV.A2,Mar 2008KSH7722KSH772Audio Frequency Power AmplifierAudio Frequency Power Amplifier- Low Speed Switching- Complement to KSH8823 AmperesPNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted1 WattsTO-126CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collector3. BaseCollector-Base Voltage VCBO

2SA772 Datasheet (PDF)

9.1. 2sa777.pdf Size:46K _panasonic

Transistor2SA777Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SC15095.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30Woutput amplifier.0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base vo

9.2. 2sa777 e.pdf Size:50K _panasonic

Transistor2SA777Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SC15095.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30Woutput amplifier.0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base vo

 9.3. 2sa778.pdf Size:42K _hitachi

2SA778(K), 2SA778A(K)Silicon PNP EpitaxialApplicationHigh voltage medium speed switchingOutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SA778(K), 2SA778A(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SA778(K) 2SA778A(K) UnitCollector to base voltage VCBO 150 180 VCollector to emitter voltage VCEO 150 180 VEmitter to base voltage VEBO 5

9.4. 2sa770 2sa771.pdf Size:152K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA770 2SA771 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1985/1986 Low collector saturation voltage APPLICATIONS For general and industrial purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol3 BaseAbs

 9.5. 2sa775.pdf Size:147K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA775 DESCRIPTION With TO-220 package High breakdown voltage APPLICATIONS For TV vertical output amplifier applicatons PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER COND

9.6. 2sa770 2sa771.pdf Size:236K _sanken-ele

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

9.7. 2sa779.pdf Size:181K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA779DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = -0.15AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = -35V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as audio amplifiers and drivers utilizingcomplementary or quasi complementa

9.8. 2sa770 2sa771.pdf Size:123K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA770 2SA771 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1985/1986 Low collector saturation voltage APPLICATIONS For general and industrial purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and sy

9.9. 2sa775.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA775DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -100V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose output amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base V

9.10. 2sa770.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA770DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = -60(V)(Min.)(BR)CEOComplement to Type 2SC1985Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

9.11. 2sa771.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA771DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = -80(V)(Min.)(BR)CEOComplement to Type 2SC1986Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

Биполярный транзистор WTP772 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: WTP772

Маркировка: B772

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

WTP772
Datasheet (PDF)

0.1. wtp772 wtp882.pdf Size:275K _wietron

WTP772WTP882PNP/NPN Epitaxial Planar TransistorsTO-251P b Lead(Pb)-Free1.BASE2.COLLECTOR3.EMITTER1 2 3ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)Rating Symbol PNP/WTP772 UnitNPN/WTP882Collector-Emitter Voltage V 30 VdcCEO -30Collector-Base Voltage VCBO -4040 VdcEmitter-B ase Voltage VEBO-5.0 5.0 VdcCollector Current (DC) IC(DC)-3.0 3.0 AdcAdcCollector Current (

0.2. wtp772-ecb.pdf Size:364K _wietron

WTP772WTP882PNP/NPN Epitaxial Planar TransistorsTO-251P b Lead(Pb)-Free1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASE1 2 3ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)Rating Symbol PNP/WTP772 UnitNPN/WTP882Collector-Emitter Voltage V 30 VdcCEO -30Collector-Base Voltage VCBO -4040 VdcEmitter-Base Voltage VEBO-5.0 5.0 VdcCollector Current (DC) IC(DC)-3.0 3.0 AdcAdcCollector Current

 0.3. wtp772-bce.pdf Size:453K _wietron

WTP772PNP Epitaxial Planar TransistorsP b Lead(Pb)-Free1. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER1 2 3TO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)Rating Symbol PNP/WTP772 UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -30 VCollector-Base Voltage VCBO-40 VEmitter-B ase Voltage VEBO-5.0 VCollector Current (DC) IC(DC)-3.0 AA-7.0Collector Current (Pulse)1 IC (Pulse)IBB ase Current (

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Электрические характеристики (при Ta = 25°C)

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения ٭
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCE = 30 В, IE = 0 ≤ 1,0
Ток выключения коллектор-эмиттер, мкА ICEO UCE = 30 В, IB = 0 ≤ 1,0
Ток базы выключения, мкА IEBO UBE = 3 В, IC =0 ≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 2 А, IB = 200 мА ≤ 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 2 А, IB = 200 мА ≤ 2,0
Напряжение пробоя коллектор-база, В U(BR)CBO IC = 100 мкА, IE = 0 ˃ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В U(BR)CEO IC = 1 мА, IB = 0 ˃ 30
Напряжение пробоя эмиттер-база, В U(BR)EBO IE = 100 мкА, IC = 0 ˃ 5
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) UCE = 2 В, IC = 0,02 А ≥ 30
hFE (2) UCE = 2 В, IC = 1,0 А от 100 до 400
Частота среза, МГц fT UCE = 5 В, IC = 0,1 мА 80
Выходная емкость, pF CC UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц 45

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

Параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13005A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

13005A
Datasheet (PDF)

0.1. mje13005a.pdf Size:273K _nell

RoHS MJE13005A(NPN)RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSwitchmode Series NPN Silicon Power Transistors(4A / 400V / 75W)FEATURESVCEO(SUS) 400V @ lC = 10 mA, lB = 0 VCE(sat) = 1.0V (Max.) @ lC = 4 A, lB = 1 ASwitching time — tf = 0.9 s (Max.) @ lC = 2 A 700V blocking capability123TO-220AB(MJE13005A) DESCRIPTION These devices are designed for high-

0.2. 3dd13005a1.pdf Size:180K _crhj

NPN R 3DD13005 A1 3DD13005 A1 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.3. 3dd13005a7.pdf Size:145K _crhj

NPN R 3DD13005 A7 3DD13005 A7 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.4. 3dd13005a3.pdf Size:143K _crhj

NPN R 3DD13005 A3 3DD13005 A3 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

 0.5. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

RS13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.6. 13005adl.pdf Size:121K _jdsemi

R13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.7. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.8. 13005ad.pdf Size:121K _jdsemi

R13005AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.9. 13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.10. ksg13005ar.pdf Size:220K _semihow

KSG13005AR SEMIHOW REV.A0,Feb 2009KSG13005ARKSG13005ARSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls3 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted3.8 WattsTO-92LCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collec

0.11. ksu13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.12. ksd13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.13. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

0.14. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

Другие транзисторы… , , , 13001-0
, 13001-2
, 13001-A
, 13003AD
, 13003B
, S9012
, 13005AD
, 13005ADL
, 13005D
, 13005DL
, 13005ED
, 13005F
, 13005S
, 13005SD
.

Производители

Транзисторы D882 изготавливаются следующими зарубежными фирмами:  SeCoS Halbleitertechnologie, Shenzhen Jingdao Electronic, SHIKE Electronics, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Daya Electric Group, Diode Semiconductor Korea,  SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, STMicroelectronics, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Shenzhen Electronics, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, Stanson Technology, WILLAS ELECTRONIC CORP,  Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited, Nanjing International Group.

На Российском рынке чаще всего встречаются устройство произведённое компаниями Shenzhen Electronics, STMicroelectronics.