Характеристики транзистора mje13007

Содержание

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13007 транзистором BU406D; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13007A;

транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335; транзистором 2SC2553; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC2335; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335;

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).

Тип PC, Вт UCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), В Tj , °С fT , МГц hFE ton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003 40 700 400 9 2 0,6 150 4 5…40 — / 3,5 / 1 TO-126
КТ8170А 40 700 400 9 2,25 3 150 4 5…40 1,1 / 4 / 0,7 TO-126
КТ859А 40 800 800 10 3 1,5 150 ˃ 3,3 ˃ 10 0,35 / 3,3 / 0,35 TO-220AB
КТ841А/В 50 600/800 350 5 10 1,5 150 10 12…45 0,08 / 0,8 / 0,2 TO-3
КТ8118А 50 900 800 — 3 ˂ 2,0 150 ˃ 15 10…40 — TO-220
КТ8120А 60 600 450 5 8 1 150 20 ˃ 10 — / 2 / 0,2 TO-220
КТ840А/Б/В 60 900/750/800 400/350/375 5 6 0,6 150 8…15 10…60 0,2 / 3,5 / 0,6 TO-3
КТ868А/Б 70 900/750 400/375 5 6 1,5 150 ˃ 8 10…100 — TO-3PML

Зарубежное производство

Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).

Тип PC, Вт UCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), В Tj , °С fT , МГц hFE ton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003 40 700 400 9 2 0,6 150 4 5…40 — / 3,5 / 1 TO-126
3DD1910 40 700 400 9 2,5 1 150 5 15…30 1 / 5 / 0,8 TO-126A
3DD13005A7 40 800 400 9 3 0,6 150 5 15…35 1 / 5 / 1 TO-126F
WBR13005D1 40 700 400 9 4 1 150 4 10…40 — / 3,6 / 1,6 TO-126
BTN3A60T3 40 900 700 9 3 0,6 150 4 10…40 — TO-126
HLD133D 35 700 400 9 2 1 150 — 5…40 — / 4 / 0,8 TO-126
ST13007DFP 36 700 400 9 8 3 150 4 8…40 — / 2,2 / 0,15 TO-220FP
BUL310FP 36 1000 500 9 5 1,1 150 — 10 — / 1,8 / 0,5 TO-220FP

Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).

Тип PC, Вт UCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), В Tj , °С fT , МГц hFE ton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003BR 30 600 400 9 2 0,85 150 — 5…40 — / 3 / 0,8 TO-126
BLD123D 30 600 400 9 2 0,9 150 — 5…40 — / 4 / 0,8 TO-126
KSE13003T 30 700 400 9 1,5 3 150 4 5…40 1,1 / 4 / 0,7 TO-220
FJPE3305 30 700 400 9 4 1 150 4 8…40 0,8 / 4 / 0,9 TO-220F
KSH13005AF 30 700 400 9 4 1 150 4 8…60 0,8 / 4 / 0,9 TO-220F
MJE13005AF 30 800 400 10 5 1 150 4 8…35 0,15 / 5 / 0,8 TO-220IS
MJE13005F 30 700 400 9 4 1 150 4 10…35 0,8 / 4 / 0,9 TO-220IS
STD13005F/FC 30 700 400 9 4 1 150 4 8…40 0,8 / 4 / 0,9 TO-220F-3L
STL128DFP 30 700 400 — 4 1,5 150 — 10…32 — / 0,6 / 0,1 TO-220FP
TS13005CI 30 700 400 9 4 1 150 4 8…40 0,7 / 3 / 0,5 ITO-220
TSC236CI 30 700 400 9 4 1,3 150 — 8…32 0,5 / 3 / 0,5 ITO-220
BUL128FP 31 700 400 9 4 1,5 150 — 10…45 — / 2,9 / 0,4 TO220FP

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Биполярный транзистор KSE13007 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KSE13007

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

Корпус транзистора:

KSE13007
Datasheet (PDF)

0.1. kse13007f.pdf Size:23K _samsung

KSE13007F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 700 V Collector Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 8 A Collector Current (Pulse) IC 16

7.1. kse13004,13005.pdf Size:48K _fairchild_semi

KSE13004/13005High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE13004 600 V : KSE13005 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13004

7.2. kse13006,13007.pdf Size:48K _fairchild_semi

KSE13006/13007High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE13006 600 V : KSE13007 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13006

 7.3. kse13003.pdf Size:465K _fairchild_semi

March 2008KSE13003NPN Silicon TransistorHigh Voltage Switch Mode Applications High Voltage Capability High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter

7.4. kse13003t.pdf Size:47K _fairchild_semi

KSE13003THigh Voltage Switch Mode Applications High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC C

 7.5. kse13009f.pdf Size:25K _samsung

KSE13009F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 12 A Collector Current (Pulse) IC 24

7.6. kse13006.pdf Size:70K _samsung

KSE13006/13007 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION High Speed SwitchingTO-220 Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit VCBO 600 V Collector Base Voltage : KSE13006V : KSE13007 700 VCEO 300 V Collector Emitter Voltage : KSE13006V : KSE13007 400V Emitter Base Voltage VEB

7.7. kse13005f.pdf Size:23K _samsung

KSE13005F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 700 V Collector Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 4 A Collector Current (Pulse) IC 8

7.8. kse13003t.pdf Size:21K _samsung

KSE13003 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-126 High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 1.5 A Collector Current (Pulse) IC 3

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

SBP13007K Datasheet (PDF)

0.1. sbp13007k.pdf Size:435K _winsemi

SBP13007-KSBP13007-KSBP13007-KSBP13007-KHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOABBBBCCCC

6.1. sbp13007x.pdf Size:290K _winsemi

SBP13007-XHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOABBBBCCCCGeneral DescriptionGeneral Descr

6.2. sbp13007o.pdf Size:335K _winsemi

SBP13007-OSBP13007-OSBP13007-OSBP13007-OHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOABBBBCCCC

 6.3. sbp13007s.pdf Size:377K _winsemi

SBP13007-SSBP13007-SSBP13007-SSBP13007-SHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionG

6.4. sbp13007d.pdf Size:315K _winsemi

SBP13007DSBP13007DSBP13007DSBP13007DHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot h VariationFE Wide Reverse Bias SOA Built-in fr

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 700 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 12 А, пульсирующий — 24 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 5А, базы 1 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 5А, базы 1 А — 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — около 100 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Мысли и афоризмы: Возобновленная рана много хуже противу новой. Козьма Прутков.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13005.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13005 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13005 транзистором BU406D;

транзистором MJE13004; транзистором MJE53T; транзистором MJ4380; транзистором MJE53; транзистором MJ4401; транзистором TIP75C; транзистором TIP75; транзистором TIP75A; транзистором TIP75B; транзистором 2SC2126;

Добавить аналог транзистора MJE13005.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13005? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

13007DL Datasheet (PDF)

0.1. 13007dl.pdf Size:115K _jdsemi

R13007DL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

8.1. st13007d.pdf Size:213K _st

ST13007DHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR IMPROVED SPECIFICATION:- LOWER LEAKAGE CURRENT- TIGHTER GAIN RANGE- DC CURRENT GAIN PRESELECTION- TIGHTER STORAGE TIME RANGE HIGH VOLTAGE CAPABILITY INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR32RELIABLE OPERATION1 VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARACT

8.2. stb13007dt4.pdf Size:235K _st

STB13007DT4High voltage fast-switching NPN power transistorGeneral features Improved specification: Lower leakage current, Tighter gain range, DC current gain preselection, Tighter storage time range High voltage capability Integrated free-wheeling diode3 Low spread of dynamic parameters 1 Minimum lot-to-lot spread for reliable operationD2PAK Very high

 8.3. st13007dfp.pdf Size:160K _st

ST13007DFPHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR IMPROVED SPECIFICATION:- LOWER LEAKAGE CURRENT- TIGHTER GAIN RANGE- DC CURRENT GAIN PRESELECTION- TIGHTER STORAGE TIME RANGE HIGH VOLTAGE CAPABILITY INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR32RELIABLE OPERATION1 VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARA

8.4. mje13007d.pdf Size:368K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13007D NPN SILICON TRANSISTOR NPN BIPOLAR POWER TRANSISTOR FOR SWITCHING POWER SUPPLY APPLICATIONS DESCRIPTION The UTC MJE13007D is designed for high-voltage,high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for 115 and 220 V switch mode applications. FEATURES * VCEO(SUS) 400V * 70

 8.5. cdl13007ddl.pdf Size:218K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN PLASTIC POWER TRANSISTORCDL13007DTO-220Plastic PackageBuilt in DiodeABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Base Voltage VCBO 700 VVCEOCollector Emitter Voltage 400 VVEBOEmitter Base Voltage 9 VICCollector Current Continuous 7 ACollector Power Diss

8.6. sbp13007d.pdf Size:315K _winsemi

SBP13007DSBP13007DSBP13007DSBP13007DHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot h VariationFE Wide Reverse Bias SOA Built-in fr

8.7. mje13007dv7.pdf Size:240K _foshan

MJE13007DV7 NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting, switching power supply applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V V 400 CEO V 9.0 V EBO I 7 A C I 16 A CP I 4.0

KSH13007A Datasheet (PDF)

0.1. ksh13007a.pdf Size:229K _semihow

KSH13007AKSH13007A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130007AKSH13007ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls8 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted80 WattsTO-220

0.2. ksh13007af.pdf Size:226K _semihow

KSH13007AFKSH13007AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130007AFKSH13007AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls8 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted80 WattsTO

 6.1. ksh13007w.pdf Size:146K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13007W HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-263D2PAKTstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

6.2. ksh13007.pdf Size:229K _semihow

KSH13007KSH13007 SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130007KSH13007Switch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls8 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted80 WattsTO-220CH

 6.3. ksh13007f.pdf Size:226K _semihow

KSH13007FKSH13007F SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130007FKSH13007FSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls8 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted80 WattsTO-220

Биполярный транзистор HMJE13007 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: HMJE13007

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

Корпус транзистора:

HMJE13007
Datasheet (PDF)

0.1. hmje13007a.pdf Size:50K _hsmc

Spec. No. : HE200501 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.06.01 Revised Date : 2007.03.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HMJE13007A NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description High Voltage, High Speed Power Switch TO-220 Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings (

0.2. hmje13007.pdf Size:50K _hsmc

Spec. No. : HE200207 HI-SINCERITY Issued Date : 1993.04.12 Revised Date : 2007.03.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HMJE13007 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description High Voltage, High Speed Power Switch TO-220 Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings (T

 6.1. hmje13009a.pdf Size:55K _hsmc

Spec. No. : HE200206HI-SINCERITYIssued Date : 2002.02.01Revised Date : 2006.07.04MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6HMJE13009A12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORDescriptionThe HMJE13009A is designed for high-voltage, high-speed power switchinginductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and220V switch-controls, Solenoid/Relay dri

6.2. hmje13003.pdf Size:140K _hsmc

Spec. No. : HT200210 HI-SINCERITY Issued Date : 2001.01.01 Revised Date : 2010.03.16 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 HMJE13003 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description High Voltage, High Speed Power Switch Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls TO-126 Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings (T

 6.3. hmje13003e.pdf Size:83K _hsmc

Spec. No. : HE200502 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.10.01 Revised Date : 2009.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HMJE13003E NPN Epitaxial Planar Transistor Description High Voltage, High Speed Power Switch Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls TO-220 Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings (

6.4. hmje13001.pdf Size:46K _hsmc

Spec. No. : HA200213HI-SINCERITYIssued Date : 2002.06.01Revised Date : 2005.02.05MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMJE13001NPN Triple Diffused Planar Type High Voltage TransistorDescriptionThe HMJE13001 is a medium power transistor designed for use in switchingapplications.TO-92Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fast switch

 6.5. hmje13005.pdf Size:52K _hsmc

Spec. No. : HE6741 HI-SINCERITY Issued Date : 1993.04.12 Revised Date : 2007.03.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HMJE13005 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Switch Regulators TO-220 PWM Inverters and Motor Controls Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings (T =25C) A Maximum Temperatures Stora

6.6. hmje13003d.pdf Size:51K _hsmc

Spec. No. : HD200207 HI-SINCERITY Issued Date : 1993.04.12 Revised Date : 2007.09.04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HMJE13003D NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description High Voltage, High Speed Power Switch TO-126ML Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Биполярный транзистор KSH13007W — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KSH13007W

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора:

KSH13007W
Datasheet (PDF)

0.1. ksh13007w.pdf Size:146K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13007W HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-263D2PAKTstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

6.1. ksh13007.pdf Size:229K _semihow

KSH13007KSH13007 SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130007KSH13007Switch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls8 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted80 WattsTO-220CH

6.2. ksh13007a.pdf Size:229K _semihow

KSH13007AKSH13007A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130007AKSH13007ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls8 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted80 WattsTO-220

 6.3. ksh13007af.pdf Size:226K _semihow

KSH13007AFKSH13007AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130007AFKSH13007AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls8 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted80 WattsTO

6.4. ksh13007f.pdf Size:226K _semihow

KSH13007FKSH13007F SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130007FKSH13007FSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls8 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted80 WattsTO-220

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

E13007-2 Datasheet – 8A, Vcbo=700V, NPN Transistor

Part Number : E13007-2

Function : NPN Silicon Transistor

Manufacturers : Fairchild, ON Semiconductor, San Pu Semiconductor

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C

1. Collector-Base Voltage : Vcbo = 700 V 2. Collector-Emitter Voltage : Vceo = 400 V 3. Emitter- Base Voltage : Vebo = 9 V 4. Collector Current (DC) : Ic = 8 A 5. Collector Current (Pulse) : Icp = 16 A 6. Base Current : Ib = 4 A 7. Collector Dissipation (TC=25°C) : Pc = 80 W

High Voltage Switch Mode Application • High Speed Switching • Suitable for Switching Regulator and Motor Control

1. FLUORESCENT LAMP 2. ELECTRONIC BALLAST 3. ELECTRONIC TRANSFORMER 4. SWITCH MODE POWER SUPPLY

Похожие записи:

Электросчетчик цэ6803вм Какие лампы w5w установить в габариты и подсветку номера Как замерить сопротивление мультиметром Усилители сотовых сигналов Автомобильный генератор. виды и устройство. работа и особенности Сопротивление нити лампы накаливания