13001 транзистор характеристики и его российские аналоги, цоколевка

Содержание

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.

Биполярный транзистор 13009A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13009A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

13009A
Datasheet (PDF)

0.1. hmje13009a.pdf Size:55K _hsmc

Spec. No. : HE200206HI-SINCERITYIssued Date : 2002.02.01Revised Date : 2006.07.04MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6HMJE13009A12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORDescriptionThe HMJE13009A is designed for high-voltage, high-speed power switchinginductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and220V switch-controls, Solenoid/Relay dri

0.2. mje13009a.pdf Size:252K _sisemi

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009ANPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009ANPN MJE

0.3. mje13009a 1.pdf Size:207K _sisemi

0.4. 3dd13009an.pdf Size:159K _crhj

NPN R 3DD13009 AN 3DD13009 AN NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 120 W

0.5. 3dd13009a8.pdf Size:153K _crhj

NPN R 3DD13009 A8 3DD13009 A8 NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 100 W

0.6. 13009a.pdf Size:113K _jdsemi

R13009A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Computer Switch Power Supply 222FEA

0.7. p13009a.pdf Size:113K _jdsemi

RP13009A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Computer Switch Power Supply 222FE

0.8. ksh13009al.pdf Size:459K _semihow

KSH13009AL SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH13009ALKSH13009AL Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 12 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 130 Watts TO-3P CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Base

0.9. ksh13009af.pdf Size:191K _semihow

KSH13009AF KSH13009AFKSH13009AFSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls12 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted100 WattsTO-220FCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Base2. Collector

0.10. ksh13009a.pdf Size:203K _semihow

KSH13009A KSH13009AKSH13009ASwitch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls12 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted100 WattsTO-220CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Base2. CollectorCo

Другие транзисторы… 13005ED
, 13005F
, 13005S
, 13005SD
, 13005SDL
, 13007DL
, 13007S
, 13007T
, 2N5088
, 13009SDL
, 13009T
, 3866S
, 3866SF
, B647
, B772P
, B772PC
, BU102D
.

Производители

Выберите производителя, чтобы ознакомится с его DataSheet на 13009:

MOTOROLA;ON Semiconductor;MOSPEC Semiconductor;SavantIC Semiconductor;STMICROELECTRONICS (STMicroelectronics);UTC (Unisonic Technologies);TGS (Tiger Electronics).

Русская версия даташит.

MJE13009 — Кремниевые NPN Силовые Транзисторы.

пластмассовый корпус TO-220С

№1 — База

№2 — Коллектор

№3 — Эмиттер

Характеристики транзистора MJE13009

Предельные параметры MJE13009

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (V_CBO):

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (V_CEO):

400 V

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (V_EBO):

9 V

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_C):

12 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_CM):

24 А

Ток эмиттера (I_E):

18 А

Импульсный ток эмиттера (I_EM):

36 А

Ток базы (I_B):

6 А

Импульсный ток базы (I_BM):

12 А

Общая рассеиваемая мощность (P_D):

100 W

Максимально допустимая температура перехода (T_j):

150° C

Температура хранения (T_stg):

-65~150° C

Электрические характеристики транзисторов MJE13009 (Т_j=25oС если не указано иное)

Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (V_CEO(sus))

400 V при IC = 10 mA, IB = 0

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (V_CE(sat))

1 V при I_C = 5 A, I_B = 1 A
1.5 V при I_C = 8 A, I_B = 1.6 A
3 V при I_C = 12 A, I_B = 3 A

Напряжение насыщения база-эмиттеp (V_BE(sat))

1.2 V при I_C = 5 A, I_B = 1 A
1.6 V при I_C = 8 A, I_B = 1.6 A

Обратный ток эмиттера (I_EBO) (I_C = 0)

1 mA при VEB = 9 V

Коэффициент усиления транзистора по току(h_FE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (V_CE) 5 V:

8 — 40 при I_C = 5 A
6 — 30 при I_C = 8 A

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_T)

4 MHz при IC = 0.5 A, VCE = 10 V, f = 1MHz

Опубликовано 11.02.2020

Особенности

Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
Аналоги: BUJ106A

Корпус TO-220AB
Вывод	Назначение	Цоколевка транзистора MJE13005, MJE13007. MJE13009 </p>
1	База
2	Коллектор
2	Эмиттер
Корпус	Коллектор

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Обозначение	Параметр	Условия	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
V_ceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	400	В
V_ebo	Напряжение эмиттер-база	—	—	—	9	В
I_c	Ток коллектора постоянный	—	—	—	12	А
I_cm	Ток коллектора импульсный	—	—	—	24	А
I_b	Ток базы	—	—	—	6	А
I_bm	Ток базы импульсный	—	—	—	12	А
P_c	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	—	—	100	Вт
I_ebo	Обратный ток эмиттера	V_eb = 9 В, I_c = 0 А	—	—	1	мА
h_FE	Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	V_ce = 5 В, I_c = 5 А	8	—	40
V_ce = 5 В, I_c = 8 А	6	—	30
V_{ce_sat}	Напряжение насыщения К-Э	I_c = 5 А, I_b = 1 А	—	—	1	В
I_c = 8 А, I_b = 1.6 А	—	—	1.5	В
I_c = 12 А, I_b = 3 А	—	—	3	В
V_{be_sat}	Напряжение насыщения Б-Э	I_c = 5 А, I_b = 1 А	—	—	1.2	В
I_c = 8 А, I_b = 1.6 А	—	—	1.6	В
C_ob	Выходная емкость	V_cb = 10 В,f = 0.1 МГц	—	180	—	пФ

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

https://shematok.ru/transistor/13009
http://www.sdelai-sam.su/mje13009.html
https://rudatasheet.ru/transistors/mje13009/

Биполярный транзистор KSH13009 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KSH13009

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6

Корпус транзистора:

KSH13009
Datasheet (PDF)

0.1. ksh13009w.pdf Size:141K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13009W HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATIONS High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-263D2PAKTstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature

0.2. ksh13009l.pdf Size:219K _semihow

KSH13009L SEMIHOW REV.A0,May 2003KSH13009LKSH13009LSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls12 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted100 WattsTO-3PCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Base2. CollectorC

0.3. ksh13009al.pdf Size:459K _semihow

0.4. ksh13009af.pdf Size:191K _semihow

0.5. ksh13009.pdf Size:227K _semihow

KSH13009KSH13009 SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130009KSH13009Switch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls12 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted100 WattsTO-220

0.6. ksh13009f.pdf Size:224K _semihow

KSH13009FKSH13009F SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130009FKSH13009FSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls12 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted100 WattsTO-2

0.7. ksh13009a.pdf Size:203K _semihow

Другие транзисторы… KSH13005A
, KSH13005AF
, KSH13006A
, KSH13007
, KSH13007A
, KSH13007AF
, KSH13007F
, KSH13008A
, 2SC5200
, KSH13009A
, KSH13009AF
, KSH13009AL
, KSH13009F
, KSH13009L
, KSH5027
, KSH5027A
, KSH5027AF
.

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13005A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

13005A
Datasheet (PDF)

0.1. mje13005a.pdf Size:273K _nell

RoHS MJE13005A(NPN)RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSwitchmode Series NPN Silicon Power Transistors(4A / 400V / 75W)FEATURESVCEO(SUS) 400V @ lC = 10 mA, lB = 0 VCE(sat) = 1.0V (Max.) @ lC = 4 A, lB = 1 ASwitching time — tf = 0.9 s (Max.) @ lC = 2 A 700V blocking capability123TO-220AB(MJE13005A) DESCRIPTION These devices are designed for high-

0.2. 3dd13005a1.pdf Size:180K _crhj

NPN R 3DD13005 A1 3DD13005 A1 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W

0.3. 3dd13005a7.pdf Size:145K _crhj

NPN R 3DD13005 A7 3DD13005 A7 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.4. 3dd13005a3.pdf Size:143K _crhj

NPN R 3DD13005 A3 3DD13005 A3 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.5. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

RS13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.6. 13005adl.pdf Size:121K _jdsemi

R13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.7. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.8. 13005ad.pdf Size:121K _jdsemi

R13005AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.9. 13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.10. ksg13005ar.pdf Size:220K _semihow

KSG13005AR SEMIHOW REV.A0,Feb 2009KSG13005ARKSG13005ARSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls3 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted3.8 WattsTO-92LCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collec

0.11. ksu13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.12. ksd13005a.pdf Size:558K _semihow

0.13. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

0.14. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

Другие транзисторы… , , , 13001-0
, 13001-2
, 13001-A
, 13003AD
, 13003B
, S9012
, 13005AD
, 13005ADL
, 13005D
, 13005DL
, 13005ED
, 13005F
, 13005S
, 13005SD
.

Производители

Выберите производителя, чтобы ознакомится с его DataSheet на 13009:

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Во время пьянки мы чувствуем себя личностью. Наутро – организмом.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;

транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;

Коллективный разум.

дата записи: 2015-02-14 22:21:29

дата записи: 2016-02-23 16:11:18

дата записи: 2016-02-23 16:13:10

дата записи: 2016-10-12 13:39:27

MJE13005 – функциональный аналог; дата записи: 2017-11-01 08:40:54

2SC3040 – функциональный аналог; дата записи: 2018-07-06 22:01:53

Добавить аналог транзистора MJE13009.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13009? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали

Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил.KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W 2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W 2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w 2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w 2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w 2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w 2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w. 2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w. 2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w. 2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w. 2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w. 2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w. 2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w. 2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w. KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w. ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Угловая модель

Это один из самых удобных вариантов для любого помещения. Выделяют различные варианты таких конструкций, которые наиболее удобны для квартир и офисов. Несмотря на основную форму, у мебели могут быть и другие особенности. В anderssen предлагают следующие варианты:

Раскладные, оснащенные наиболее прочными механизмами трансформации и длительным сроком эксплуатации.
Маленькие и большие модели, выбор которых обусловлен параметрами помещения и наличием свободного пространства.
Закругленные и прямые конструкции.

Большинство моделей anderssen оборудовано дополнительными элементами. Современные коллекции включают боковые полки, отличающиеся удобством и особым стилем. Некоторые модели становятся настоящим центром просторного помещения. Диваны оснащены всем необходимым для полноценного отдыха и включают просторные мягкие зоны, столик квадратной формы и полки для книг. У столика подходящая высота для расположения на нем ноутбука или планшета.

Угловые диваны оборудованы угловой полкой. Некоторые варианты трансформации позволяют превратить обычный столик во вместительную тумбу. В качестве столешницы можно использовать деревянные подлокотники. На них можно положить телефон, планшет или книгу.

На видео: угловой диван Дискавери.

https://youtube.com/watch?v=-RLeY7oT_hY

KSE13009 Datasheet (PDF)

0.1. kse13009f.pdf Size:25K _samsung

KSE13009F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 12 A Collector Current (Pulse) IC 24

7.1. kse13004,13005.pdf Size:48K _fairchild_semi

KSE13004/13005High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE13004 600 V : KSE13005 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13004

7.2. kse13006,13007.pdf Size:48K _fairchild_semi

KSE13006/13007High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE13006 600 V : KSE13007 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13006

7.3. kse13003.pdf Size:465K _fairchild_semi

March 2008KSE13003NPN Silicon TransistorHigh Voltage Switch Mode Applications High Voltage Capability High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter

7.4. kse13003t.pdf Size:47K _fairchild_semi

KSE13003THigh Voltage Switch Mode Applications High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC C

7.5. kse13006.pdf Size:70K _samsung

KSE13006/13007 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION High Speed SwitchingTO-220 Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit VCBO 600 V Collector Base Voltage : KSE13006V : KSE13007 700 VCEO 300 V Collector Emitter Voltage : KSE13006V : KSE13007 400V Emitter Base Voltage VEB

7.6. kse13005f.pdf Size:23K _samsung

KSE13005F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 700 V Collector Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 4 A Collector Current (Pulse) IC 8

7.7. kse13007f.pdf Size:23K _samsung

KSE13007F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 700 V Collector Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 8 A Collector Current (Pulse) IC 16

7.8. kse13003t.pdf Size:21K _samsung

KSE13003 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-126 High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 1.5 A Collector Current (Pulse) IC 3

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, примененяемые в пускорегулирующих устройствах осветительной аппаратуры, преобразователях напряжения, импульсных регуляторах и других переключающих устройствах.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	h_FE	Врем. параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс	Корпус
13001-0	0,8	700	400	9	0,4	150	5	8…30	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92
КТ538А	0,7	600	400	9	0,5	125	4	5	—	TO-92
2Т506А/Б	0,8	800/600	800/600	5	2	150	17	30	0,25 / 1,56 / 0,5	TO-39
КТ8270А	7	600	400	9	0,5	125	4	10	—	TO-126

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	h_FE	Врем. параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс	Корпус
13001-0	0,8	600	400	9	0,5	150	5	8…30	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92
3DD6012A1	0,8	900	500	9	1,5	150	5	5	1 / 2 /1,5	TO-92
BU103AH	0,8	900	600	9	1,6	150	5	15	1 / 3 / 0,8	TO-92
BU103DH	0,8	800	500	9	1,6	150	5	20	1 / 3,5 / 0,8	TO-92
BUJ100	2	700	700	—	1	150	—	14	0,88 / 1,2 / 0,3	TO-92
CS13002	9,9	700	480	9	1	150	—	8	—	TO-92
CS13003	0,9	700	480	9	1,5	150	—	8	—	TO-92
KSB13003H	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
KSB13003HR	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
KTC3003HV	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 3 / 0,7	TO-92
MJE13002AHT	1,2	850	500	9	1,5	150	—	20	—	TO-92(S)
MJE13003HT	1,3	850	500	9	2	150	—	20	—	TO-92
MJE13003J1	1	900	550	9	1,5	150	5	10	— / 6 / 1,2	TO-92
MJE13003J1G	1	900	550	9	1,5	150	5	10	—	TO-92
MJE13003L1	1	900	530	9	1,5	150	5	10	— / 5 / 1,2	TO-92
STD5915	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
STX616	2,8	980	500	12	1,5	150	—	25	0,2 / 5 / 0,65	TO-92

Примечания:

Для транзистора MJE13002AHT возможны также корпуса: TO-126(S), TO-251(S), SOT-89.
Данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Транзистор 13009 чем заменить

Маркировка

Биполярный транзистор 13009A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

13009A Datasheet (PDF)

Производители

Характеристики транзистора MJE13009

Предельные параметры MJE13009

Электрические характеристики транзисторов MJE13009 (Тj=25oС если не указано иное)

Биполярный транзистор KSH13009 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

KSH13009 Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

13005A Datasheet (PDF)

Производители

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.

Коллективный разум.

Добавить аналог транзистора MJE13009.

Другие разделы справочника:

Маркировка

Угловая модель

KSE13009 Datasheet (PDF)

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Похожие записи:

13009A
Datasheet (PDF)

Электрические характеристики транзисторов MJE13009 (Т_j=25oС если не указано иное)

KSH13009
Datasheet (PDF)

13005A
Datasheet (PDF)