Даташит mbr20100ct pdf ( datasheet )

Содержание

Datasheet Download — Diodes Incorporated

Номер произв MBR20100CT
Описание 20A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Производители Diodes Incorporated
логотип  

1Page

No Preview Available !

MBR2070CT — MBR20100CT
20A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features

· Schottky Barrier Chip

· Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

· Low Power Loss, High Efficiency

· High Surge Capability

· High Current Capability and Low Forward

Voltage Drop

· For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity
Protection Applications

· Plastic Material: UL Flammability

Classification Rating 94V-0
Mechanical Data

· Case: Molded Plastic

· Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

· Polarity: As Marked on Body

· Weight: 2.24 grams (approx)

· Mounting Position: Any

· Marking: Type Number

B
C
K
D
L
M
A
12 3
E
JN
G
HH
Pin 1
Pin 2
Pin 3
P
Case
TO-220AB
Dim Min Max

A 14.22 15.88

B 9.65 10.67

C 2.54 3.43

D 5.84 6.86

E ¾ 6.35

G 12.70 14.73

H 2.29 2.79

J 0.51 1.14

K 3.53Æ 4.09Æ

L 3.56 4.83

M 1.14 1.40

N 0.30 0.64

P 2.03 2.92

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
(Note 1)

@ TC = 125°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Forward Voltage Drop

@ IF = 10A, Tj =

@ IF = 10A, Tj =

@ IF = 20A, Tj =

@ IF = 20A, Tj =

125°C

25°C

125°C

25°C

Peak Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage

@TA = 25°C

@ TA = 125°C

Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)
Voltage Rate of Change
Operating and Storage Temperature Range

VRRM

VRWM

VR

VR(RMS)

IO

IFSM

VFM

IRM

Cj

RqJc

dV/dt

Tj

TSTG

MBR
2070CT
70
49
MBR
2080CT
MBR
2090CT
80 90
56 63
20
150
0.75
0.85
0.85
0.95
0.15
150
1000
2.0
10000
-65 to +150
-65 to +175
MBR
20100CT
100
70
Notes: 1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.
2. Measured at 1.0 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.
Unit
V
V
A
A
V
mA
pF

°C/W

V/ms

°C

DS30019 Rev. C-2

1 of 2
MBR2070CT-MBR20100CT

No Preview Available !

20

16
12
8
4

300
250
200
150
50 100

TC, CASE TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Fwd Current Derating Curve
150
100
50

1 10 100
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
Fig. 3 Max Non-Repetitive Surge Current
50
10
1.0
0.1
4000

TJ = 125°C

Pulse width = 300µs

2% duty cycle
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

VF, INSTANTANEOUS FWD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Forward Characteristics
1000
100
0.1
1.0 10

VR, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 4 Typical Junction Capacitance
100

DS30019 Rev. C-2

2 of 2
MBR2070CT-MBR20100CT

Всего страниц 2 Pages
Скачать PDF

Диод Шоттки отличается от обычных кремниевых диодов

Диод Шоттки делают из кремния (Si), арсенида галлия (GaAs) и редко — на основе германия (Ge). Металл в соединении с полупроводником определяет многие параметры диода. Этим металлом, может быть, золото (Au), ралладий (Pd), платина (Pt), вольфрам (W) которые наносятся на полупроводники.

А также как и обычный диод соединение полупроводник-металл обладает односторонней проводимостью с рядом положительных, а также отрицательных качеств.

Вольт-амперная характеристика диода шоттки

Вольт-амперная характеристика диода Шоттки отличается от обычного полупроводникового большей нелинейностью.

Что дает использование соединения металл-полупроводник? Два положительных момента:

    1. Очень небольшое падение напряжения на прямом переходе — 0,2-0,4 В. Для кремниевого диода «среднее» значение этого параметра — 0,7 В.  Правда, малое падение напряжения имеют только приборы с небольшим напряжением пробоя — до 100 В. Для более мощных это падение только чуть ниже, чем у кремниевых.
    2. Высокое быстродействие. То есть, он быстро меняет своё состояние. Переход из открытого состояния в закрытое и обратно происходит за очень короткий промежуток времени и определяется только барьерной ёмкостью. Их применяют в системах коммутации, где важна скорость реакции.

Что такое диод Шоттки и как он обозначается на схеме

Есть у них и минусы. При повышении температуры у них значительно возрастает обратный ток.

Второй недостаток — при превышении максимально допустимого обратного напряжения происходит необратимый пробой. То есть, прибор выходит из строя. Есть и ещё один минус — малое падение прямого напряжения только у диодов Шоттки с малым напряжением пробоя (до сотни вольт). У вариантов с более высоким напряжением потери сравнимы с кремниевыми.

Конструкция

Отличается диод Шоттки от обыкновенных диодов своей конструкцией, в которой используется металл-полупроводник, а не p-n переход. Понятно, что свойства здесь разные, а значит, и характеристики тоже должны отличаться.

Действительно, металл-полупроводник обладает такими параметрами:

  • Имеет большое значение тока утечки;
  • Невысокое падение напряжения на переходе при прямом включении;
  • Восстанавливает заряд очень быстро, так как имеет низкое его значение.

Диод Шоттки изготавливается из таких материалов, как арсенид галлия, кремний; намного реже, но также может использоваться – германий. Выбор материала зависит от свойств, которые нужно получить, однако в любом случае максимальное обратное напряжение, на которое могут изготавливаться данные полупроводники, не выше 1200 вольт – это самые высоковольтные выпрямители. На практике же намного чаще их используют при более низком напряжении – 3, 5, 10 вольт.

На принципиальной схеме диод Шоттки обозначается таким образом:

Но иногда можно увидеть и такое обозначение:

Это означает сдвоенный элемент: два диода в одном корпусе с общим анодом или катодом, поэтому элемент имеет три вывода. В блоках питания используют такие конструкции с общим катодом, их удобно использовать в схемах выпрямителей. Часто на схемах рисуется маркировка обычного диода, но в описании указывается, что это Шоттки, поэтому нужно быть внимательными.

Диодные сборки с барьером Шоттки выпускаются трех типов:

1 тип – с общим катодом;

2 тип – с общим анодом;

3 тип – по схеме удвоения.

Для экономии на платежах за электроэнергию наши читатели советуют «Экономитель энергии Electricity Saving Box». Ежемесячные платежи станут на 30-50% меньше, чем были до использования экономителя. Он убирает реактивную составляющую из сети, в результате чего снижается нагрузка и, как следствие, ток потребления. Электроприборы потребляют меньше электроэнергии, снижаются затраты на ее оплату.

Такое соединение помогает увеличить надежность элемента: ведь находясь в одном корпусе, они имеют одинаковый температурный режим, что важно, если нужны мощные выпрямители, например, на 10 ампер. Но есть и минусы

Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт

При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а

Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт. При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а

Но есть и минусы. Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт. При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а.

Еще один главный недостаток: для этих приборов нельзя превышать обратный ток даже на мгновение. Они тут же выходят из строя, в то время как кремниевые диоды, если не была превышена их температура, восстанавливают свои свойства.

Но положительного все-таки больше. Кроме низкого падения напряжения, диод Шоттки имеет низкое значение емкости перехода. Как известно: ниже емкость – выше частота. Такой диод нашел применение в импульсных блоках питания, выпрямителях и других схемах, с частотами в несколько сотен килогерц.

ВАХ такого диода имеет несимметричный вид. Когда приложено прямое напряжение, видно, что ток растет по экспоненте, а при обратном – ток от напряжения не зависит.

Все это объясняется, если знать, что принцип работы этого полупроводника основан на движении основных носителей – электронов. По этой же самой причине эти приборы и являются такими быстродействующими: у них отсутствуют рекомбинационные процессы, свойственные приборам с p-n переходами. Для всех приборов, имеющих барьерную структуру, свойственна несимметричность ВАХ, ведь именно количеством носителей электрического заряда обусловлена зависимость тока от напряжения.