Технические характеристики
В начале технического описания производитель приводит предельно допустимые параметры. Эти данные играют большую роль при выборе транзистора, так как даже при кратковременном превышении данных значений транзистор может выйти из строя. Также недопустима долговременная работа прибора в условиях, когда рабочие характеристики равны максимальным.
После предельно допустимых параметров в технической документации на прибор обычно идут электрические характеристики KT940А. В таблице ниже приведены эти значения при температуре +25 ОС. Остальные условия, в которых тестировался транзистор, можно найти в столбце «Режимы измерения».
Применение. Блок питания 5…12 вольт
Данный БП подойдёт для питания приборов, имеющих небольшую мощность, например часов или радиоприемников. И хоть он проигрывает в мощности, его фишка в размерах. Всю конструкция свободно можно разместить внутри корпуса сетевой вилки.
Данный прибор питается переменным напряжением от 100 до 250 вольт, частотой от 50 до 500 герц. На его выходе, подбирая стабилизатор, можно добиться постоянного напряжения от 5 до 12 вольт. При напряжении на выходе равном 5 вольт, его номинальный ток нагрузки равен 20 мА. А максимальный ток, при том же напряжении на выходе равен 100 мА.
На изображении ниже приведём схему. Опишем её работу: Напряжение сети через диодный мост, обозначенный на рисунке VD1, поступает на делитель, состоящий из трёх резисторов R1, R3, R4, а с него на базу VT2. Одновременно через R2 напряжение подаётся на базу составного устройства состоящего из двух приборов VT4 и VT5.
В начале полупериода, до тех пор, пока разность потенциалов в общей точке коллекторов устройств VT1 и VT3 по отношению к эмиттеру прибора VT2 не будет больше 100 вольт, VT2 будет находиться в закрытом состоянии. При этом составной прибор VT4, VT5 будет открыт. В этот момент времени через переход эмиттер – коллектор открытого VT5, R1 и R10 электролитический конденсатор С1 заряжается.
При превышении напряжения в заданной точке предела 100 вольт происходит открытие VT2 и эмиттерный переход устройств VT4 и VT5 шунтируется и конденсатор С1 начинает разряжаться. Энергия разряда используется для питания автогенератора собранного на VT1 и VT3. Его частота примерно равна 60 Гц.
Стабилитрон VD4 ограничивает ток коллектора транзистора VT5 в момент включения.
На вторичной обмотке трансформатора Т1 появляется напряжение величиной 7 вольт, которое выпрямляется двумя диодами VD2 и VD3, после чего сглаживается электролитическим конденсатором С2. Установленный на выходе стабилизатора DA1 конденсатор С3 предназначен для уменьшения высокочастотных пульсаций.
В Т1 использованы два кольца из феррита марки 2000НМ. Их габариты К10х8х3. Обмотки номер 1-2 и 4-5 намотаны проводом ПЭВ-1-0,1 и имеют по 8 витков каждая. Этим же проводом намотаны 200 витков каждой из обмоток 2-3 и 3-4. Проводом ПЭВ-1-0,17 намотаны 6-7 и 7-8. В зависимости от выдаваемого напряжения эти обмотки имеют разное количество витков. Для 5 вольт нужно 14 витков, для 9 вольт – 22 витка, для 12 вольт – 28 витков.
A940 Datasheet (PDF)
0.1. 2sa940a.pdf Size:165K _toshiba
0.2. ksa940.pdf Size:59K _fairchild_semi
KSA940Vertical Deflection Output Power Amplifier Complement to KSC2073TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage — 150 VVCEO Collector-Emitter Voltage — 150 VVEBO Emitter-Base Voltage — 5 VIC Collector Current — 1.5 AIB Base Curr
0.3. dsa9402.pdf Size:434K _panasonic
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSA9402Silicon PNP epitaxial planar typeFor general amplification Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini3-F3-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1. Base Packaging 2
0.4. csa940 csc2073.pdf Size:204K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-220 Plastic Package CSA940, CSC2073CSA940 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORCSC2073 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORPower Amplifier Applications and Vertical Output ApplicationsPIN CONFIGURATION41. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER4. COLLECTOR123CDIM MIN. MAX.B EFA 14.42 16.51B 9.6
0.5. 2sa940.pdf Size:197K _jmnic
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA940 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC2073 APPLICATIONS Power amplifier applications Vertical output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Col
0.6. 2sa940.pdf Size:223K _lge
2SA940(PNP) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Wide safe Operating Area. Complementary to 2SC2703 Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Paramenter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -150 V VCEO Collector-Emitter Voltage -150 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Co
0.7. a940.pdf Size:280K _fgx
A940PNP silicon APPLICATIONLow Noise Audio Amplifier Applications.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage -150 VVCBOCollector-emitter voltage -150 VVCEOTO-2201Emitter-base voltage -5 VVEBO1.Base 2.Collector 3.EmitterCollector current -1.5 AICBase current -0.5 AIBC
0.8. ha940.pdf Size:139K _shantou-huashan
PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HA940 APPLICATIONS Vertical Deflection Output Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation
0.9. 2sa940a 3ca940a.pdf Size:227K _china
2SA940A(3CA940A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications. : 2SC2073A(3DA2073A) Features: Complementary to 2SC2073A(3DA2073A). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -150 V CBO V -1
0.10. 2sa940 3ca940.pdf Size:375K _lzg
2SA940(3CA940) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications. : 2SC2073(3DA2073) Features: Complementary to 2SC2073(3DA2073). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -150 V CBO V -150 V
0.11. 2sa940.pdf Size:201K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA940DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -150V(Min)(BR)CEODC Current Gain: h = 40-140@ I = -0.5AFE CComplement to Type 2SC2073Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier ,vertical output applications.ABSOLUTE
0.12. ksa940tu.pdf Size:190K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor KSA940TUDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= -150V(Min)DC Current Gain: hFE= 40-140@ IC= -0.5AComplement to Type KSC2073TUMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier ,vertical output app
