✅ транзистор кт814 аналоги советские

КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г

Транзисторы меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и 
дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

Выпускаются в пластмассовом корпусе ТО126(КТ-27) с гибкими выводами. 
Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 0,7 г.



Граничное напряжение при I_Э> = 100 мА, τи < 300 мкс, Q> 100 не менее:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при I_К = 3 А, I_Б = 0,3 А не более . . . . . .  1 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при I_К = 3 А, I_Б = 0,3 А не более  . . . . . . .  1,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером
при U_КЭ = 2 В, I_K = 2 А не менее:
КТ816А, КТ816Б, КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . .  20
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . .  15
Граничная частота коэффициента передачи тока при U_КЭ = 5 В, I_К = 0,05 А не менее . . .  3 МГц
Емкость коллекторного перехода при U_КЭ = 5 В, f = 465 кГц не более . . . . . . . . . . 115 пФ
Обратный ток коллектора 
при U_КБ = 25 В (КТ816А);
при U_КБ = 45 В (КТ816Б); 
при U_КБ = 60 В (КТ816В);
при U_КБ = 100 В (КТ816Г) 
не более . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 мкА



Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при бесконечном значении R_БЭ, Tк 213...373 К:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R_БЭ < 1 кОм, Tк 213...373 К:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  100 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Tк 213...373 К  . . . . . . . . . . . . . . . .  5 В
Постоянный ток коллектора при Tк 213...373 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  3 А
Постоянный ток коллектора при τи < 20 мс, Q > 100, Tк 213...373 К . . . . . . . 6 А
Постоянный ток базы при Tк 213...373 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом при Tк 213...298 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 Вт
без теплоотвода при Tк 213...298 К   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Вт
Температура перехода  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 423 К
Температура окружающей среды  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . от 213 до 398 К

Транзисторы серии КТ825, 2Т825

По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилительных и коммутационных схемах. Встречаются в старых стабилизаторах напряжения, безконактных системах зажигания и управления двигателями. Кремниевые, изготавливаются по мезапланарной технологии и имеют p-n-p-структуру. Являются составными, т.е. сделанными по схеме Дарлингтона, имеющими большой статический коэффициент усиления по току (H_21э до 25000) и способность прогонять через себя большие напряжения и токи. Основные свойства этого популярного полупроводникового прибора, разработанного еще в советские времена, примерно в конце 80-х, приведены в данной статье.

Технические характеристики

Разброс величин предельно допустимых режимов эксплуатации у КТ825 достаточно широк. Например, максимальное напряжение между выводами К и Э находится в диапазоне от 30 до 100 В. Также эта серия, вместе с большими коэффициентами усиления, славится высокой мощностью и пропускаемым током. Рассмотрим значения этих параметров подробнее:

предельное напряжение К-Э от 30 до 100 В;
постоянное напряжение Б-Э до 5 В;
коллекторный ток: постоянный от 15 до 30 А; импульсный от 30 до 40 А;
рассеиваемая мощность на коллекторе: от 30 до 125 Вт (с радиатором); от 1 до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла до 40 Вт;
температура: p-n-перехода от +150 до +175 °С; окружающей среды от -60 до +100 °C.

Для КТ825 в пластиковом корпусе, при Т_К от +25 до + 100 °C, максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно на 0.25 Вт/°С с теплоотводом и на 8 мВт/°С без него.

Электрические параметры

Электрические параметры транзистора из серии кт825 представлены в таблице

Обратите внимание, что все данные представлены с учетом температуры окружающей среды не более + 25 °C. Стоит заметить, что H21э в схеме с общим эмиттером имеет наибольшее значение при нагреве корпуса близком к максимальному значению (ТК ≈ макс.)

Комплементарная пара

Комплементарной парой, для рассматриваемой серии, является отечественный составной транзистор с n-p-n-структурой — КТ827.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы КТ814 можно найти в магнитофонах — «Весна 205-1», «Вильма 204 стерео», Маяк 240С-1, Маяк 233, Ореанда 204С и. т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2N5153

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153-220M

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153S

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153SM

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153SMD

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO-276AB

Транзистор кт814 аналоги советские