2sk2655-01r - параметры транзистора mosfet, его аналоги, datasheet

Содержание

Характерные особенности

Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE₍_sat₎≤ 1 В при I_C = 3 А.
Высокая скорость переключений: время спадания импульса t_f ≤ 1 мкс при I_C = 3 А.
Расширенная область безопасной работы транзистора при обратном смещении в цепи управления (базы): U_CEX₍_sus₎₁≥ 450 В I_C = 3 А.

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	V_CBO	500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	V_CEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	V_EBO	7
Ток коллектора постоянный, А	I_C	7
Ток коллектора импульсный, А	I_CP٭	15
Ток базы постоянный, А	I_B	3,5
Рассеиваемая мощность (T_a = 25°C), Вт	P_C	1,5
Рассеиваемая мощность (T_c = 25°C), Вт	P_C	40
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	T_j	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	T_stg	-55…+150

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%

Биполярный транзистор 2SC945P — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC945P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

2SC945P
Datasheet (PDF)

8.1. 2sc945.pdf Size:73K _nec

8.2. 2sc945-y.pdf Size:244K _mcc

MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC

8.3. 2sc945-gr.pdf Size:244K _mcc

8.4. 2sc945.pdf Size:180K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC945 NPN SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC945 is an audio frequency amplifier high frequency OSC NPN transistor. FEATURES * Collector-Emitter voltage: BVCBO=50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity Lead-free: 2SC945L * Complimentary to UTC 2SA733

8.5. 2sc945.pdf Size:226K _no

ST 2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurati

8.6. 2sc945.pdf Size:272K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SC945 TRANSISTOR (NPN) FEATURE 1. BASE Excellent hFE Linearity2. EMITTER Low noise 3. COLLECTOR Complementary to A733 MARKING:CR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emi

8.7. 2sc945m.pdf Size:1517K _blue-rocket-elect

2SC945M(BR3DG945M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,High voltage, excellent hFE linearity. / Applications General power amplifier application and low speed switching.

8.8. 2sc945lt1.pdf Size:634K _china

SEMICONDUCTOR 2SC945LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current: Ic= 150mA * Collector-Emitter Voltage:Vce= 50V * High Total Power Dissipation:Pc=225mW * High Hfe And Good Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo 60 V

8.9. 2sc945.pdf Size:781K _kexin

SMD TypeSMD Type si o orsSMD Type TranDistdesNPN Transistors2SC945SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector current up to 150mA High hFE linearity1 2 Complementary to 2SA733+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector

8.10. 2sc945.pdf Size:189K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Transistor 2SC945DESCRIPTIONHigh VoltageExcellent h linearityFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDsigned for use in driver stage of AF amplifierand low speed switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCBOV Collector-Emitter Vol

Другие транзисторы… MMBT4401W
, MMBT491
, MMBT493
, MMBT5401W
, MMBT5551W
, MMBT591
, MMBT593
, MMBT619
, TIP122
, MMBTA92W
, MMDT4944
, PZT13003
, S8050T
, S8550T
, S9012T
, S9013T
, S9014T
.

2SC2655Y Datasheet (PDF)

7.1. 2sc2655.pdf Size:148K _toshiba

2SC2655 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2655 Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High collector power dissipation: PC = 900 mW High-speed switching: tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SA1020. Absolute Maximum

7.2. 2sc2655l-y.pdf Size:385K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC2655L-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2655L-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF» Collector of 0.9Watts of Power Dissipation. NPN Collector-current 2.0A Plastic-Encapsulate Operating and storage junction temper

7.3. 2sc2655l-o.pdf Size:385K _mcc

7.4. 2sc2655-o.pdf Size:405K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC2655-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2655-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF» Collector of 0.9Watts of Power Dissipation. NPN Collector-current 2.0A Plastic-Encapsulate Operating and storage junction temperat

7.5. 2sc2655-y.pdf Size:405K _mcc

7.6. 2sc2655.pdf Size:254K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC2655 NPN SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES * Low saturation voltage: VCE(SAT)= 0.5V (Max.) * High speed switching time: TSTG=1.0s (Typ.) ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SC2655L-x-AE3-R 2SC2655G-x-AE3-R SOT-23 E B C

7.7. 2sc2655.pdf Size:212K _secos

2SC2655 2A , 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES Low saturation voltageVCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) AD High speed switching timetstg=1s(Typ.) B Complementary to 2SA1020 KEFCLASSIFICATION OF hFE (1) CProduct-Rank 2SC2655-O

7.8. 2sc2655 to-92l.pdf Size:251K _lge

2SC2655 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1.EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 4.700 2 3 5.1001Features Low saturation voltage: VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) 7.800 High speed switching time: tstg=1s(Typ.) 8.200 Complementary to 2SA1020 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.350Symbol Parameter Symbol Units0.55013.800VCBO Collector-Base Vo

7.9. 2sc2655 to-92mod.pdf Size:276K _lge

2SC2655 TO-92MOD Transistor (NPN)1.EMITTER TO-92MOD1 22.COLLECTOR 3 3.BASE Features5.800 Low saturation voltage: VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) 6.200 High speed switching time: tstg=1s(Typ.) Complementary to 2SA1020 8.4008.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.9001.100Symbol Parameter Symbol Units0.4000.600VCBO Collector-Base Voltag

7.10. 2sc2655.pdf Size:277K _wietron

2SC2655NPN General Purpose TransistorsP b Lead(Pb)-Free1231.EMITTER3.BASE2.COLLECTORTO-92MOD ELECTRICAL CHARACTERISTICSTamb=25 unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNITCollector-base breakdown voltage V(BR)CBO VIc=100A,IE=0 50 Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO VIc=10mA,IB=0 50 Emitter-base breakdown voltag

7.11. 2sc2655.pdf Size:204K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Pow Transistor 2SC2655DESCRIPTIONSilicon NPN epitaxial typeLow saturation voltageComplementary to 2SA1020100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsPower switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Аналоги

Транзисторов которые были бы полным аналогом S9013 нет, но можно попытаться заменить его на такие зарубежные устройства:

2SC1008;
KSC1008;
KSP42;
KSP43;
MPSA42;
MPSA43;
MPSW05;
ZTX457.

При замене нужно быть осторожным и перед принятием решения ознакомиться с технической документацией и после этого решать, подойдёт ли данный конкретный транзистор для замены. В качестве аналога также можно использовать отечественный КТ580, но он имеет другую распиновку. Также вместо S9013 можно попытаться установить КТ680, но к него немного другие параметры. Имеется также комплементарной пара – S9012.

Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог

Транзистор	Аналог
КТ209	MPS404
КТ368А9	BF599
КТ3102АМ КТ3102БМ КТ3102ВМ КТ3102ДМ	BC547A BC547B BC548B BC549C
КТ3107БМ КТ3107ГМ КТ3107ДМ КТ3107ЖМ КТ3107ИМ КТ3107КМ КТ3107ЛМ	BC308A BC308A BC308B BC309B BC307B BC308C BC309C
КТ3117А КТ3117Б	2N2221 2N2222A
КТ3126А	BF506
КТ3127А	2N4411
КТ3129Б9 КТ3129В9 КТ3129Г9	BC857A BC858A BC858B
КТ3130А9 КТ3130Б9 КТ3130В9	BCW71 BCW72 BCW31
КТ3142А	2N2369
КТ3189А9 КТ3189Б9 КТ3189В9	BC847A BC847B BC847C
КТ635Б	2N3725
КТ639А КТ639Б КТ639В КТ639Г КТ639Д КТ639Е КТ639Ж	BD136-6 BD136-10 BD136-16 BD138-6 BD138-10 BD140-6 BD140-10
КТ644А КТ644Б КТ644В КТ644Г	PN2905A PN2906 PN2907 PN2907A
КТ645А КТ645Б	2N4400 2N4400
КТ646А КТ646Б	2SC495 2SC496
КТ660А КТ660Б	BC337 BC338

Транзистор	Аналог
КТ668А КТ668Б КТ668В	BC556 BC557 BC558
КТ940А	BF458
КТ940Б КТ940В	BF457 BF459
КТ961А КТ961Б КТ961В	BD139 BD137 BD135
КТ969А	BF469
КТ972А КТ972Б	BD877 BD875
КТ684А КТ684Б КТ684В	BC636 BC638 BC640
КТ685А КТ685Б КТ685В КТ685Г	PN2906 PN2906A PN2907 PN2907A
КТ686А КТ686Б КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е	BC327-16 BC327-25 BC327-40 BC328-16 BC328-25 BC328-40
КТ6109А КТ6109Б КТ6109В КТ6109Г КТ6109Д	SS9012D SS9012E SS9012F SS9012G SS9012H
КТ6110А КТ6110Б КТ6110В КТ6110Г КТ6110Д	SS9013D SS9013E SS9013F SS9013G SS9013H
КТ6111А КТ6111Б КТ6111В КТ6111Г	SS9014A SS9014B SS9014C SS9014D
КТ6112А КТ6112Б КТ6112В	SS9015A SS9015B SS9015C
КТ6113А КТ6113Б КТ6113В КТ6113Г КТ6113Д КТ6113Е	SS9018D SS9018E SS9018F SS9018G SS9018H SS9018I

Транзистор	Аналог
КТ6114А КТ6114Б КТ6114В	SS8050B SS8050C SS8050D
КТ6115А КТ6115Б КТ6115В	SS8550B SS8550C SS8550D
КТ6116А КТ6116Б	2N5401 2N5400
КТ6117А КТ6117Б	2N5551 2N5550
КТ6128А КТ6128Б	SS9016D SS9016E
КТ973А КТ973Б	BD878 BD876
KT9116A KT9116Б	TPV-394 TPV-375
KT9133A	TPV-376
KT9142A	2SC3218
KT9150	TPV-595
KT9151A	2SC3812
KT9152A	2SC3660
КТ6136А	2N3906
КТ728А КТ729А	MJ3055 2N3055
КТ808АМ КТ808БМ	2SC1619A 2SC1618
КТ814Б КТ814В КТ814Г	BD136 BD138 BD140
КТ815Б КТ815В КТ815Г	BD135 BD137 BD139
КТ817Б КТ817В КТ817Г	BD233 BD235 BD237
КТ818Б	TIP42
КТ819Б	TIP41
КТ840А КТ840Б	BU326A BU126

Транзистор	Аналог
КТ856А КТ856Б	BUX48A BUX48
КТ867А	BUY21
КТ872А КТ872Б КТ872Г	BU508A BU508 BU508D
КТ878А КТ878Б КТ878В	BUX98 2N6546 BUX98A
КТ879А КТ879Б	2N6279 2N6278
КТ892А КТ892Б КТ892В	TIP661 BU932Z TIP662
КТ899А	2N6388
КТ8107А	BU508A
КТ8109А	TIP151
КТ8110А	2SC4242
КТ8121А	MJE13005
КТ8126А КТ8126Б	MJE13007 MJE13006
КТ8164А КТ8164Б	MJE13005 MJE13004
КТ8170А1 КТ8170Б1	MJE13003 MJE13002
КТ8176А КТ8176Б КТ8176В	TIP31A TIP31B TIP31C
КТ8177А КТ8177Б КТ8177В	TIP32A TIP32B TIP32C
КТ6128В КТ6128Г КТ6128Д КТ6128Е	SS9016F SS9016G SS9016H SS9016I
КТ6137А	2N3904
КТ928А	2N2218
КТ928Б КТ928В	2N2219 2N2219A

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог	V_CEO	I_C	P_C	h_FE	f_T
C945	50	0,15	0,4	70	200
Отечественное производство
КТ3102	45	0,1	0,25	250	300
Импорт
KSC945	50	0,15	0,25	40	300
2N2222	30	0,8	0,5	100	250
2N3904	40	0,2	0,31	40	300
2SC3198	50	0,15	0,4	20	130
2SC1815	50	0,15	0,4	70	80
2SC2002	60	0,3	0,3	90	70
2SC3114	50	0,15	0,4	55	100
2SC3331	50	0,2	0,5	100	200
2SC2960	50	0,15	0,25	100	100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945

Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C/ I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE₍_OFF₎ = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE₍_sat₎ при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE₍_ON₎ при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO₍_SUS₎= 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE₍_OFF₎соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B₁ = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

t_on – время включения;
t_stg – время сохранения импульса тока;
t_f – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения UIN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%

U_CC – напряжение питания.
R_L – сопротивление нагрузки.
I_C – ток коллектора.
I_B₁ и I_B₂ – токи базы в разные периоды времени.
U_BB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

2SC2655L-Y Datasheet (PDF)

0.1. 2sc2655l-y.pdf Size:385K _mcc

5.1. 2sc2655l-o.pdf Size:385K _mcc

7.1. 2sc2655.pdf Size:148K _toshiba

7.2. 2sc2655-o.pdf Size:405K _mcc

7.3. 2sc2655-y.pdf Size:405K _mcc

7.4. 2sc2655.pdf Size:254K _utc

7.5. 2sc2655.pdf Size:212K _secos

7.6. 2sc2655 to-92l.pdf Size:251K _lge

7.7. 2sc2655 to-92mod.pdf Size:276K _lge

7.8. 2sc2655.pdf Size:277K _wietron

7.9. 2sc2655.pdf Size:204K _inchange_semiconductor

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	h_FE	Временные параметры	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	—	10…80	t_on˂ 1 мкс t_stg˂ 2,5 мкс t_f ˂ 1 мкс	TO-220
КТ840А	60	900	400	5	6	150	8	10…60	t_on˂ 0,2 мкс t_stg˂ 3,5 мкс t_f ˂ 0,6 мкс	TO-3
КТ841А	50	600	400	5	10	150	10	10	t_on= 0,08 мкс t_stg= 0,8 мкс t_f = 0,5 мкс	TO-3
2Т842А	50	300	300	5	5	150	20	15	t_on= 0,12 мкс t_stg= 0,8 мкс t_f = 0,13 мкс	TO-3
КТ847А	125	650	—	8	15	150	˃ 15	˃ 8	t_stg= 3,0 мкс t_f = 1,5 мкс	TO-3
КТ858А	60	400	400	6	7	150	—	˃ 10	t_stg˂ 2,5 мкс t_f ˂ 0,75 мкс	TO-220
2Т862	50	600	400	5	10	150	20	12…50	t_on˂ 0,4 мкс t_stg˂ 1,0 мкс t_f ˂ 0,25 мкс	TO-3
КТ812А	50	400	400	7	8	150	˃ 3	—	t_f = 0,2…1,3 мкс	TO-3
КТ8126А1	80	700	400	9	8	150	˃ 4	8…40	t_on= 1,6 мкс t_stg= 3,0 мкс t_f = 0,7 мкс	TO-220
КТ8164А	75	700	400	9	4	150	˃ 4	10…60	t_on= 0,8 мкс t_stg= 0,9 мкс t_f = 4,0 мкс	TO-220

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	h_FE	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	10…80	TO-220
KSC2334	40	150	100	7	7	150	20…240	TO-220C
2SC2502	50	500	400	7	8	150	˃ 15	TO-220
TT2194	50	500	400	7	12	150	20	TO-220
WBP3308	45	900	500	7	7	150	20	TO-220
2SC3038	40	500	400	7	7	150	50	TO-220
2SC3039	50	500	400	7	7	150	30	TO-220
2SC3170	40	500	—	—	7	150	25	TO-220
2SC3626	40	—	400	—	8	—	55	TO-220
2SC4055	60	600	450	7	8	180	100	TO-220
2SC4106 M/N	50	500	400	7	7	175	60	TO-220
2SC4107 M/N	60	500	400	7	10	150	20/60	TO-220
2SC4274	40	500	400	—	10	150	40	TO-220
2SC4458 L	40	900	500	9	8	150	25	TO-220F
2SC4559	40	500	400	—	7	175	150	TO-220
2SD1162	40	500	—	10	10	150	400	TO-220
2SD1349	50	500	—	—	7	150	150	TO-220
2SD1533	45	500	—	—	7	150	800	TO-220
2SD1710A	50	900	500	9	8	150	25	TO-220
3DK3039	50	500	400	7	7	175	25	TO-220, TO-276AB
MJ10012T	65	600	400	—	15	200	200	TO-220

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

2sc2655 datasheet, equivalent, cross reference search

Характерные особенности

Биполярный транзистор 2SC945P — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2SC945P Datasheet (PDF)

2SC2655Y Datasheet (PDF)

Аналоги

Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог

Отечественные и импортные аналоги

Графические иллюстрации характеристик

Временные параметры

2SC2655L-Y Datasheet (PDF)

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Похожие записи:

2SC945P
Datasheet (PDF)