Транзистор tip42c

Содержание

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type Code  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Ft  Hfe  Caps
   Si  NPN  85  700  400  9  9  150  5  20  
13007S    Si  NPN  75  500  350  9  8  150  4  20  
13007T    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  5  20  
2SC4164M    Si  NPN  70  500  400  7  12  150  20  20  
2SC4164N    Si  NPN  70  500  400  7  12  150  20  30  
2SD1027    Si  NPN  100  200  200    15  175    3000  
2SD1123    Si  NPN  100  200      8  150    1000  
2SD1894    Si  NPN  70  160      7  150    15000  
2SD1895    Si  NPN  100  160      8  150    15000  
2SD2639    Si  NPN  80  160  140  6  12  150  15  60  
2ST501T    Si  NPN  100  500  330  5  8  150    2000  
3DD13005F8-1    Si  NPN  80  750  450  9  6  150  5  20  
3DD13005F9-1    Si  NPN  80  750  450  9  6  150  5  20  
3DD13005_F8-1    Si  NPN  80  750  450  9  6  150  5  20  
3DD13005_F9-1    Si  NPN  80  750  450  9  6  150  5  20  
3DD13007B8    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  5  20  
3DD13007X1    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  5  20  
3DD13007Y8    Si  NPN  80  520  340  9  7  150  4  20  
3DD13007_B8    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  5  20  
3DD13007_X1    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  5  20  
3DD13007_Y8    Si  NPN  80  520  340  9  7  150  4  20  
3DD13009A8    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  4  20  
3DD13009C8    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  5  20  
3DD13009_A8    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  4  20  
3DD13009_C8    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  5  20  
3DD13012A8    Si  NPN  100  750  400  10  15  150  5  20  
3DD4206  D4206  Si  NPN  75  600  400  9  7  150  6  20  
BD743E    Si  NPN  90  150  140  5  15  150  5  20  
BD743F    Si  NPN  90  170  160  5  15  150  5  20  
BDS12    Si  NPN  90    100    15  200  3  40  
BDS16    Si  NPN  90    120    15  200  30  40  
BDS17    Si  NPN  90    150    15  200  30  40  
BDX33E    Si  NPN  70  140  140  5  10  200  20  750  
BTC1510E3    Si  NPN  65  150  150  5  10  150    2000  
BU109NP    Si  NPN  85  330  120  7  10  150  10  25  
BU522    Si  NPN  75  400  350  5  7  150  3  250  
BU522A    Si  NPN  75  450  400  5  7  150  3  250  
BU522B    Si  NPN  75  475  450  5  7  150  3  250  
BU810    Si  NPN  75  600  400    7  150    100  
BU921T    Si  NPN  105  450  400  5  10  150    50  
BU922T    Si  NPN  105  500  450  5  10  150    50  
BU931T    Si  NPN  125  500  400  5  10  175    80  
BU941A    Si  NPN  150    400  5  15  175    300  
BU941T    Si  NPN  150  500  400  5  15  175    300  
BU941ZE3    Si  NPN  150  350  350  5  15  175    300  
BU941ZLE3    Si  NPN  150  350  350  5  15  175    1000  
BU941ZT    Si  NPN  150  350  300  5  15  175    300  
BUD47    Si  NPN  100  850  400    8  150    100  
BUD47A    Si  NPN  100  1000  400    8  150    100  
BUL48    Si  NPN  75  800  400  9  7  150    30  
BUL743    Si  NPN  100  1200  500  15  12  150    24  
BUL85D    Si  NPN  80  500  250  10  8  150    60  
BUS36    Si  NPN  107  250  120  8  12  175  30  30  
BUS37    Si  NPN  107  300  150  8  12  175  30  30  
BUT12    Si  NPN  100  850  400    8  150    30  
BUT12A    Si  NPN  125  1000  450    8  150    30  
BUT18    Si  NPN  110  800  400  5  6  200    20  
BUT18A    Si  NPN  110  800  450  5  6  200    20  
BUT22A    Si  NPN  125  750  350  5  8  200    25  
BUT22B    Si  NPN  125  750  400  5  8  200    25  
BUT22C    Si  NPN  125  850  450  5  8  200    25  
BUT54    Si  NPN  100  800  430    8  150  10  20  
BUT55    Si  NPN  105  400  400    12  200    40  
BUT60    Si  NPN  125  200  125    15  200    40  
BUT62    Si  NPN  125  400  300    15  200    40  
ECG2343    Si  NPN  125    120    12  150    1000  
ECG261    Si  NPN  65    100    8  150    100  
ECG263    Si  NPN  65    100    10  150    100  
ECG379    Si  NPN  100  700  400    12  175  4  20  
ECG380    Si  NPN  80  150  120    7  175  6  60  
ESM737    Si  NPN  75  400  400  5  8  150    50  
FJP5200  J5200R  Si  NPN  80  250  250  5  17  150  30  55  
HMJE13007    Si  NPN  80  700  400  9  8  150    25  
KSC5032    Si  NPN  80  500  400  7  8  150    50  
KSD5740    Si  NPN  80    300  8  8  150    200  
KSD5741    Si  NPN  80    350  8  8  150    200  
KSD5742    Si  NPN  80    400  8  8  150    200  
MJ10012T    Si  NPN  65  600  400  8  10  150    100  
MJE13009D    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  4  40  
MJE13009K    Si  NPN  80  700  400  9  12  150  4  40  
MJE13009P    Si  NPN  80  700  400  9  12  150  4  40  
MJE5740    Si  NPN  80  600  300  8  8  150    200  
MJE5741    Si  NPN  80  700  350  8  8  150    20  
MJE5742    Si  NPN  80  800  400  8  8  150    200  
MJE5742G  MJE5742  Si  NPN  100    400  8  8  150    50  
SD407    Si  NPN  90    100    10      25  
SD409    Si  NPN  90    120    10      25  
SD457    Si  NPN  90    100    10      25  
SD459    Si  NPN  90    120    10      25  
SGSD00020    Si  NPN  70  650  400    8  175    1000  
SGSD93E    Si  NPN  80  160  140    12  175    1000  
SGSD93F    Si  NPN  80  180  160    12  175    1000  
SGSD93G    Si  NPN  80  200  180    12  175    1000  
SGSF341    Si  NPN  85  850  400    10  175      
SGSF343    Si  NPN  85  1000  450    8  175      
SGSF344    Si  NPN  85  1200  600    7  175      
SM3176    Si  NPN  100    150    20  200  20  20  
SM56B    Si  NPN  85  200  100  7  14  175  20  25  
T2141    Si  NPN  80  400  300  5  6      600  
TIP150    Si  NPN  80  300  300  8  7  150    200  
TIP151    Si  NPN  80  350  350  8  7  150    200  
TIP152    Si  NPN  80  400  400  8  7  150    200  
TIP41C    Si  NPN  65  140  100  5  6  150  3  20  
TIP41D    Si  NPN  65  160  120  5  6  150  3  20  
TIP41E    Si  NPN  65  180  140  5  6  150  3  20  
TIP41F    Si  NPN  65  200  160  5  6  150  3  20  
TIPL790    Si  NPN  70  150  120  8  10  150  10  60  
TIPL790A    Si  NPN  70  200  150  8  10  150  10  60  

Всего результатов: 108

TIP41A Datasheet (PDF)

0.1. tip41are.pdf Size:222K _motorola

Order this documentMOTOROLAby TIP41A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP41AComplementary Silicon PlasticTIP41B*Power TransistorsTIP41C*. . . designed for use in general purpose am

0.2. tip41a tip41b tip41c tip42a tip42b tip42c.pdf Size:39K _st

TIP41A/41B/41CTIP42A/42B/42CCOMPLEMENTARY SILICON POWERTRANSISTORSn SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe TIP41A, TIP41B and TIP41C are siliconepitaxial-base NPN power transistors in JedecTO-220 plastic package, intented for use inmedium power linear and switching applications.The complementary PNP types are TIP42A,TIP42B and TIP42C.321TO-220INTERNAL SCH

 0.3. tip41a tip42a.pdf Size:205K _st

TIP41ATIP42ACOMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORFeatures COMPLEMENTARY PNP-NPN DEVICES NEW ENHANCED SERIES HIGH SWITCHING SPEED hFE IMPROVED LINEARITY32Applications1 GENERAL PURPOSE CIRCUITSTO-220 AUDIO AMPLIFIER POWER LINEAR AND SWITCHINGDescriptionInternal Schematic DiagramThe TIP41A is a silicon base island technologyNPN power tran

0.4. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:527K _fairchild_semi

July 2008TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41CNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Complementary to TIP42/TIP42A/TIP42B/TIP42C1. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TIP41A 60 V : TIP41B 80 V : TIP41C 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TI

 0.5. tip41abc.pdf Size:39K _fairchild_semi

TIP41 Series(TIP41/41A/41B/41C)Medium Power Linear Switching Applications Complement to TIP42/42A/42B/42CTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TIP41A 60 V : TIP41B 80 V : TIP41C 100 V VCEO Collector-Emitter Vo

0.6. tip41 tip41a tip41b tip41c to-220.pdf Size:248K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTMTIP41/41A/41B/41C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Silicon NPN The complementary PNP types are the TIP42 respectively Epoxy meets UL 94 V-0

0.7. tip41 tip41a tip41b tip41c tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:93K _onsemi

TIP41, TIP41A, TIP41B,TIP41C (NPN); TIP42, TIP42A,TIP42B, TIP42C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.6 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 VPOWER TRANSISTORSHuman Body Model, 3B; > 8000 V40-60-80-100 VOLTS, Epoxy Meets U

0.8. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:203K _lge

TIP41/41A/41B/41C TO-220 Transistor (NPN)TO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Medium Power Linear Switching Applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C Units VCBO Collector-Base Voltage 40 60 80 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 60 80 100 V

0.9. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C DESCRIPTIONDC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= 0.3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 40V(Min)- TIP41; 60V(Min)- TIP41A 80V(Min)- TIP41B; 100V(Min)- TIP41C Complement to Type TIP42/42A/42B/42C APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifer

TIP41B Datasheet (PDF)

0.1. tip41a tip41b tip41c tip42a tip42b tip42c.pdf Size:39K _st

TIP41A/41B/41CTIP42A/42B/42CCOMPLEMENTARY SILICON POWERTRANSISTORSn SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe TIP41A, TIP41B and TIP41C are siliconepitaxial-base NPN power transistors in JedecTO-220 plastic package, intented for use inmedium power linear and switching applications.The complementary PNP types are TIP42A,TIP42B and TIP42C.321TO-220INTERNAL SCH

0.2. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:527K _fairchild_semi

July 2008TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41CNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Complementary to TIP42/TIP42A/TIP42B/TIP42C1. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TIP41A 60 V : TIP41B 80 V : TIP41C 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TI

 0.3. tip41 tip41a tip41b tip41c to-220.pdf Size:248K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTMTIP41/41A/41B/41C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Silicon NPN The complementary PNP types are the TIP42 respectively Epoxy meets UL 94 V-0

0.4. tip41 tip41a tip41b tip41c tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:93K _onsemi

TIP41, TIP41A, TIP41B,TIP41C (NPN); TIP42, TIP42A,TIP42B, TIP42C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.6 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 VPOWER TRANSISTORSHuman Body Model, 3B; > 8000 V40-60-80-100 VOLTS, Epoxy Meets U

 0.5. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:203K _lge

TIP41/41A/41B/41C TO-220 Transistor (NPN)TO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Medium Power Linear Switching Applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C Units VCBO Collector-Base Voltage 40 60 80 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 60 80 100 V

0.6. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C DESCRIPTIONDC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= 0.3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 40V(Min)- TIP41; 60V(Min)- TIP41A 80V(Min)- TIP41B; 100V(Min)- TIP41C Complement to Type TIP42/42A/42B/42C APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifer

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления hFE от коллекторной нагрузки IC при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 2 В.

Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения UCE от управляющего тока базы IB при различных нагрузках IC.

Характеристики сняты при температуре п/п структуры Tj = 25°C.

Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:

  • зависимость напряжения насыщения UCE(sat) коллектор-эмиттер от тока нагрузки IC;
  • зависимость напряжения насыщения UBE(sat) от тока нагрузки IC (Обе характеристики сняты при соотношении тока коллектора к току базы как 10:1);
  • зависимость управляющего напряжения UBE база-эмиттер от тока нагрузки IC при коллекторном напряжении UCE = 4 В.

Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки IC:

  • ƟUC – для коллекторного напряжения насыщения UCE(sat);
  • ƟUB – напряжения базы UBE.

Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току IC/IB не превышающем ¼ от значения hFE по постоянному току.

Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:

  • зависимости сняты при различных значениях температуры п/п структуры и значении коллекторного напряжения UCE = 30 В;
  • область разделена осью UBE = 0 на две половины – отрицательных напряжений базы (помечено на графике REVERSE) и область положительных напряжений базы (помечено на графике FORWARD). По этой оси отсчитываются значения тока выключения коллектора ICES.

Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:

  • шкала (помечена на графике TA) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры среды;
  • шкала (помечена на графике TC) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры контакта коллектора и охладителя.

Рис. 7. Характеристики включения транзистора.

Зависимость времени задержки td и времени нарастания tr импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C и отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10.

Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.

Зависимость времени рассасывания заряда ts в п/п структуре и времени спадания tf импульса от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C, отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10 и равенстве токов IB1 = IB2.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.

Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):

  • сплошная ограничивающая линия -повреждение в результате вторичного пробоя п/п структуры при превышении предельного напряжения UCEO коллектор-эмиттер (напряжения отмечены на горизонтальной оси для нескольких типов транзисторов);
  • штрихпунктирная ограничивающая линия –
  • UCE повреждение в результате расплавления внутренних контактных соединений в конструкции транзистора;
  • пунктирная ограничивающая линия – повреждение в результате перегрева п/п структуры выше предельной температуры Tj = 150 °C.

Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса TC = 25°C).

Биполярный транзистор TIP41A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP41A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора:

TIP41A
Datasheet (PDF)

0.1. tip41are.pdf Size:222K _motorola

Order this documentMOTOROLAby TIP41A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP41AComplementary Silicon PlasticTIP41B*Power TransistorsTIP41C*. . . designed for use in general purpose am

0.2. tip41a tip41b tip41c tip42a tip42b tip42c.pdf Size:39K _st

TIP41A/41B/41CTIP42A/42B/42CCOMPLEMENTARY SILICON POWERTRANSISTORSn SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe TIP41A, TIP41B and TIP41C are siliconepitaxial-base NPN power transistors in JedecTO-220 plastic package, intented for use inmedium power linear and switching applications.The complementary PNP types are TIP42A,TIP42B and TIP42C.321TO-220INTERNAL SCH

 0.3. tip41a tip42a.pdf Size:205K _st

TIP41ATIP42ACOMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORFeatures COMPLEMENTARY PNP-NPN DEVICES NEW ENHANCED SERIES HIGH SWITCHING SPEED hFE IMPROVED LINEARITY32Applications1 GENERAL PURPOSE CIRCUITSTO-220 AUDIO AMPLIFIER POWER LINEAR AND SWITCHINGDescriptionInternal Schematic DiagramThe TIP41A is a silicon base island technologyNPN power tran

0.4. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:527K _fairchild_semi

July 2008TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41CNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Complementary to TIP42/TIP42A/TIP42B/TIP42C1. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TIP41A 60 V : TIP41B 80 V : TIP41C 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TI

 0.5. tip41abc.pdf Size:39K _fairchild_semi

TIP41 Series(TIP41/41A/41B/41C)Medium Power Linear Switching Applications Complement to TIP42/42A/42B/42CTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TIP41A 60 V : TIP41B 80 V : TIP41C 100 V VCEO Collector-Emitter Vo

0.6. tip41 tip41a tip41b tip41c to-220.pdf Size:248K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTMTIP41/41A/41B/41C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Silicon NPN The complementary PNP types are the TIP42 respectively Epoxy meets UL 94 V-0

0.7. tip41 tip41a tip41b tip41c tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:93K _onsemi

TIP41, TIP41A, TIP41B,TIP41C (NPN); TIP42, TIP42A,TIP42B, TIP42C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.6 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 VPOWER TRANSISTORSHuman Body Model, 3B; > 8000 V40-60-80-100 VOLTS, Epoxy Meets U

0.8. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:203K _lge

TIP41/41A/41B/41C TO-220 Transistor (NPN)TO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Medium Power Linear Switching Applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C Units VCBO Collector-Base Voltage 40 60 80 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 60 80 100 V

0.9. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C DESCRIPTIONDC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= 0.3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 40V(Min)- TIP41; 60V(Min)- TIP41A 80V(Min)- TIP41B; 100V(Min)- TIP41C Complement to Type TIP42/42A/42B/42C APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifer

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Поиск транзистора (аналога) по параметрам

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type Code  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Ft  Hfe  Caps
   Si  NPN  85  700  400  9  9  150  5  20  
13007S    Si  NPN  75  500  350  9  8  150  4  20  
13007T    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  5  20  
2SC4164M    Si  NPN  70  500  400  7  12  150  20  20  
2SC4164N    Si  NPN  70  500  400  7  12  150  20  30  
2SD1027    Si  NPN  100  200  200    15  175    3000  
2SD1123    Si  NPN  100  200      8  150    1000  
2SD1894    Si  NPN  70  160      7  150    15000  
2SD1895    Si  NPN  100  160      8  150    15000  
2SD2639    Si  NPN  80  160  140  6  12  150  15  60  
2ST501T    Si  NPN  100  500  330  5  8  150    2000  
3DD13005F8-1    Si  NPN  80  750  450  9  6  150  5  20  
3DD13005F9-1    Si  NPN  80  750  450  9  6  150  5  20  
3DD13005_F8-1    Si  NPN  80  750  450  9  6  150  5  20  
3DD13005_F9-1    Si  NPN  80  750  450  9  6  150  5  20  
3DD13007B8    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  5  20  
3DD13007X1    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  5  20  
3DD13007Y8    Si  NPN  80  520  340  9  7  150  4  20  
3DD13007_B8    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  5  20  
3DD13007_X1    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  5  20  
3DD13007_Y8    Si  NPN  80  520  340  9  7  150  4  20  
3DD13009A8    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  4  20  
3DD13009C8    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  5  20  
3DD13009_A8    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  4  20  
3DD13009_C8    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  5  20  
3DD13012A8    Si  NPN  100  750  400  10  15  150  5  20  
3DD4206  D4206  Si  NPN  75  600  400  9  7  150  6  20  
BD743E    Si  NPN  90  150  140  5  15  150  5  20  
BD743F    Si  NPN  90  170  160  5  15  150  5  20  
BDS12    Si  NPN  90    100    15  200  3  40  
BDS16    Si  NPN  90    120    15  200  30  40  
BDS17    Si  NPN  90    150    15  200  30  40  
BDX33E    Si  NPN  70  140  140  5  10  200  20  750  
BTC1510E3    Si  NPN  65  150  150  5  10  150    2000  
BU109NP    Si  NPN  85  330  120  7  10  150  10  25  
BU522    Si  NPN  75  400  350  5  7  150  3  250  
BU522A    Si  NPN  75  450  400  5  7  150  3  250  
BU522B    Si  NPN  75  475  450  5  7  150  3  250  
BU810    Si  NPN  75  600  400    7  150    100  
BU921T    Si  NPN  105  450  400  5  10  150    50  
BU922T    Si  NPN  105  500  450  5  10  150    50  
BU931T    Si  NPN  125  500  400  5  10  175    80  
BU941A    Si  NPN  150    400  5  15  175    300  
BU941T    Si  NPN  150  500  400  5  15  175    300  
BU941ZE3    Si  NPN  150  350  350  5  15  175    300  
BU941ZLE3    Si  NPN  150  350  350  5  15  175    1000  
BU941ZT    Si  NPN  150  350  300  5  15  175    300  
BUD47    Si  NPN  100  850  400    8  150    100  
BUD47A    Si  NPN  100  1000  400    8  150    100  
BUL48    Si  NPN  75  800  400  9  7  150    30  
BUL743    Si  NPN  100  1200  500  15  12  150    24  
BUL85D    Si  NPN  80  500  250  10  8  150    60  
BUS36    Si  NPN  107  250  120  8  12  175  30  30  
BUS37    Si  NPN  107  300  150  8  12  175  30  30  
BUT12    Si  NPN  100  850  400    8  150    30  
BUT12A    Si  NPN  125  1000  450    8  150    30  
BUT18    Si  NPN  110  800  400  5  6  200    20  
BUT18A    Si  NPN  110  800  450  5  6  200    20  
BUT22A    Si  NPN  125  750  350  5  8  200    25  
BUT22B    Si  NPN  125  750  400  5  8  200    25  
BUT22C    Si  NPN  125  850  450  5  8  200    25  
BUT54    Si  NPN  100  800  430    8  150  10  20  
BUT55    Si  NPN  105  400  400    12  200    40  
BUT60    Si  NPN  125  200  125    15  200    40  
BUT62    Si  NPN  125  400  300    15  200    40  
ECG2343    Si  NPN  125    120    12  150    1000  
ECG261    Si  NPN  65    100    8  150    100  
ECG263    Si  NPN  65    100    10  150    100  
ECG379    Si  NPN  100  700  400    12  175  4  20  
ECG380    Si  NPN  80  150  120    7  175  6  60  
ESM737    Si  NPN  75  400  400  5  8  150    50  
FJP5200  J5200R  Si  NPN  80  250  250  5  17  150  30  55  
HMJE13007    Si  NPN  80  700  400  9  8  150    25  
KSC5032    Si  NPN  80  500  400  7  8  150    50  
KSD5740    Si  NPN  80    300  8  8  150    200  
KSD5741    Si  NPN  80    350  8  8  150    200  
KSD5742    Si  NPN  80    400  8  8  150    200  
MJ10012T    Si  NPN  65  600  400  8  10  150    100  
MJE13009D    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  4  40  
MJE13009K    Si  NPN  80  700  400  9  12  150  4  40  
MJE13009P    Si  NPN  80  700  400  9  12  150  4  40  
MJE5740    Si  NPN  80  600  300  8  8  150    200  
MJE5741    Si  NPN  80  700  350  8  8  150    20  
MJE5742    Si  NPN  80  800  400  8  8  150    200  
MJE5742G  MJE5742  Si  NPN  100    400  8  8  150    50  
SD407    Si  NPN  90    100    10      25  
SD409    Si  NPN  90    120    10      25  
SD457    Si  NPN  90    100    10      25  
SD459    Si  NPN  90    120    10      25  
SGSD00020    Si  NPN  70  650  400    8  175    1000  
SGSD93E    Si  NPN  80  160  140    12  175    1000  
SGSD93F    Si  NPN  80  180  160    12  175    1000  
SGSD93G    Si  NPN  80  200  180    12  175    1000  
SGSF341    Si  NPN  85  850  400    10  175      
SGSF343    Si  NPN  85  1000  450    8  175      
SGSF344    Si  NPN  85  1200  600    7  175      
SM3176    Si  NPN  100    150    20  200  20  20  
SM56B    Si  NPN  85  200  100  7  14  175  20  25  
T2141    Si  NPN  80  400  300  5  6      600  
TIP150    Si  NPN  80  300  300  8  7  150    200  
TIP151    Si  NPN  80  350  350  8  7  150    200  
TIP152    Si  NPN  80  400  400  8  7  150    200  
TIP41C    Si  NPN  65  140  100  5  6  150  3  20  
TIP41D    Si  NPN  65  160  120  5  6  150  3  20  
TIP41E    Si  NPN  65  180  140  5  6  150  3  20  
TIP41F    Si  NPN  65  200  160  5  6  150  3  20  
TIPL790    Si  NPN  70  150  120  8  10  150  10  60  
TIPL790A    Si  NPN  70  200  150  8  10  150  10  60  

Всего результатов: 108

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Модель PC, TC=25°C UCB UCE UEB IC TJ fT CC hFE Корпус
TIP42C 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
TO-220AB
TO-220C
TIP42C 25 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220IS
TIP42CG/L 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
300 15…75 TO-263
TIP42CG/L 22 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220F
TIP42CG/L 20 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-252
STTIP42C 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
HTIP42C 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
TIP42E 65 180 140 5 6 150 3 300 15…75 TO-220C
TIP42F 65 200 160 5 6 150 3 300 15…75 TO-220C
TIP42P 100 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-3P

Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.

Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента hFE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону hFE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:

— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:

  •    TIP42C R – диапазон hFE от 15 до 28;
  •    TIP42C O – диапазон hFE от 24 до 44;
  •    TIP42C Y – диапазон hFE от 42 до 75.

— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по hFE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:

  •    TIP42CG(L) – A — диапазон hFE от 15 до 30;
  •    TIP42CG(L) – B — диапазон hFE от 28 до 48;
  •    TIP42CG(L) – C — диапазон hFE от 45 до 75.