Транзистор 2n5551: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить

Основные параметры ИМС серии 555

Внутреннее устройство NE555 включает в себя пять функциональных узлов, которые можно видеть на логической диаграмме. На входе расположен резистивный делитель напряжения, который формирует два опорных напряжения для прецизионных компараторов. Выходные контакты компараторов поступают на следующий блок – RS-триггер с внешним выводом для сброса, а затем на усилитель мощности. Последним узлом является транзистор с открытым коллектором, который может выполнять несколько функций, в зависимости от поставленной задачи.

Рекомендуемое напряжение питания для ИМС типа NA, NE, SA лежит в интервале от 4,5 до 16 вольт, а для SE может достигать 18В. При этом ток потребления при минимальном Uпит равен 2–5 мА, при максимальном Uпит – 10–15 мА. Некоторые ИМС 555 КМОП-серии потребляют не более 1 мА. Наибольший выходной ток импортной микросхемы может достигать значения в 200 мА. Для КР1006ВИ1 он не выше 100 мА.

Качество сборки и производитель сильно влияют на условия эксплуатации таймера

Например, диапазон рабочих температур NE555 составляет от 0 до 70°C, а SE555 от -55 до +125°C, что важно знать при конструировании устройств для работы в открытой окружающей среде. Более детально ознакомиться с электрическими параметрами, узнать типовые значения напряжения и тока на входах CONT, RESET, THRES, и TRIG можно в datasheet на ИМС серии XX555

Datasheet Download — ON Semiconductor

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,630 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 150в.

Максимальное напряжение коллектор — база — 160в.

Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.

Коэффициент передачи тока — от 60 до 240.

Максимальный постоянный ток коллектора — 0,3А, 0,6А — пульсирующий.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 1в.

Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в. не более 50нА.

Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 нА.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Транзистор 2N5551 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > F_ГР —> транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > P_К,МАКС

Транзистор
U_КЭ0 /U_{КБ0 ПРОБ}В
I_{К, МАКС}мА
P_{К, МАКС}мВт
h_21Э
f_грМГц
Изготовитель

мин.
макс.
I_КмА
U_КЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)

2N5551
160/180
600
350
100
American Microsemiconductor Inc
AmerMicroSC

Advanced Semiconductor tnc
Advncd Semi

Allegro Microsystems Inc
AlegroMicro

Central Semiconductor Corp
CentralSemi

Continental Device India Ltd
Contin Dev

Crimson Semiconductor Inc
CrimsonSimi

Diodes Inc
Diodes Inc

Elm State Electronics lnc
Elm State

Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SA
Indust Mexi

KSL Microdevices Ing
KSL Micro

Korea Electronics Со Ltd
Korea Elecs

Micro Electronics Ltd
Micro Еlecs

Mistral SPA
Mistral SpA

Motorola Semiconductor Products Inc
Motorola

NAS Etektronische Halbleiter Gmbh
NAS Elekt

National Semiconductor Corp
Natl Semi

Phitips International BV/Philips Components
PhilipsComp

Samsung Electronics Inc
Samsung

Semelab Plc
Semelab

Semiconductor Technology Inc
SemiconTech

Intex Со Inc/Semitronics Corp
Semitronics

Solid State Inc
Solid Stinc

Swampscott Electronics Со Inc
Swampscott

Space Power Electronics Inc
Space Power

Цоколёвка

Тип
Номера выводов

1
2
3

3 вывода
E
B
C

U_{КЭ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

I_К — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

h_21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

f_ГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

CXT5551 Datasheet (PDF)

0.1. cxt5551e.pdf Size:290K _central

CXT5551Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage.MARKING: FULL PART NUMBERFEATURES: High Collector Breakdown Voltage: 250VSOT-89 CASE Low

0.2. cxt5551hc.pdf Size:283K _central

CXT5551HCwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTHIGH CURRENTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551HC type is an high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBERSOT-89 CASEMAXIMUM RAT

 0.3. cxt5551.pdf Size:731K _htsemi

CXT5551TRANSISTOR (NPN) SOT-89 FEATURES Switching and amplification in high voltage 1 Applications such as telephony 1. BASE Low current(max. 600mA) 2. COLLECTOR High voltage(max.180v) 3. EMITTER Marking: 1G6 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V

0.4. cxt5551.pdf Size:248K _lge

CXT5551 SOT-89 Transistor(NPN)1. BASE 2. COLLECTOR 1 3. EMITTER SOT-894.6B4.41.61.81.41.4Features2.64.25 Switching and amplification in high voltage 2.43.75Applications such as telephony 0.8MINLow current(max. 600mA) 0.530.400.480.442x)0.13 B0.35 High voltage(max.180v) 0.37 1.53.0Marking: 1G6 Dimensions in inches and (mil

 0.5. cxt5551.pdf Size:1000K _kexin

SMD Type TransistorsNPN TransistorsCXT5551 (KXT5551)Features 1.70 0.1High current (max. 600mA).Low voltage (max. 160 V). Comlementary to CXT54010.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO 180 Collector — Emitter Voltage VCEO 160 V Emitter — Base Voltage VEBO 6 Collector

Datasheets

Просмотр и загрузка
Datasheet 2N5551 / MMBT5551

PDF, 417 Кб, Язык: анг., Версия: 2, Файл закачен: 30 апр 2019, Страниц: 11NPN General Purpose Amplifier

Выписка из документа

2N5551 / MMBT5551
NPN General-Purpose Amplifier
Description
This device is designed for general-purpose high-voltage
amplifiers and gas discharge display drivers. 2N5551 MMBT5551
3 2 TO-92
1 SOT-23
Marking: 3S
1. Base 2. Emitter 3. Collector Ordering Information
Part Number Package Top Mark Packing Method 2N5551TA 5551 TO-92 3L Ammo 2N5551TFR 5551 TO-92 3L Tape and Reel 2N5551TF 5551 TO-92 3L Tape and Reel 2N5551BU 5551 TO-92 3L Bulk MMBT5551 3S SOT-23 3L Tape and Reel 2009 Semiconductor Components Industries, LLC
2N5551 / MMBT5551 Rev. 2 www.onsemi.com
1 2N5551 / MMBT5551 — NPN General-Purpose Amplifier August 2018 Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VCBO Collector-Base Voltage 180 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V 600 mA -55 to +150 °C Collector current -Continuous IC
TJ, Tstg (2) Junction and Storage Temperature Notes:
2. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
3. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 °C.
These are steady-state limits. Fairchild Semiconductor should be consulted on applications involving pulsed
or low-duty cycle operations. Thermal Characteristics
Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol Maximum Parameter Units 2N5551 MMBT5551 Total Device Dissipation 625 350 mW Derate above 25°C 5.0 2.8 mW/°C RθJC Thermal Resistance, Junction to Case 83.3 RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 200 PD 2009 Semiconductor Components Industries, LLC
2N5551 / MMBT5551 Rev. 2 °C/W
357 °C/W www.onsemi.com
2 2N5551 / MMBT5551 — NPN General-Purpose Amplifier Absolute Maximum Ratings(2) Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol Parameter Test Condition Min. Max. Units Off Characteristics
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 1.0 mA, IB = 0 160 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC = 100 μA, IE = 0 180 V IE = 10 μA, IC = 0 6.0 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage ICBO Collector Cut-Off Current IEBO Emitter Cut-Off Current VCB = 120 V, IE = 0 50 nA VCB = 120 V, IE = 0, TA = 100°C 50 μA VEB = 4.0 V, IC = 0 50 nA On Characteristics
…

Описание и область применения

NE555 является разработкой американской компании Signetics, специалисты которой в условиях экономического кризиса не сдались и смогли воплотить в жизнь труды Ганса Камензинда

Именно он в 1970 году сумел доказать важность своего изобретения, которое на тот момент не имело аналогов. ИМС NE555 имела высокую плотность монтажа при низкой себестоимости, чем заслужила особый статус

https://youtube.com/watch?v=i1DcGIRuT9Y

Впоследствии её стали копировать конкурирующие производители из разных стран мира. Так появилась отечественная КР1006ВИ1, которая так и осталась уникальной в данном семействе. Дело в том, что в КР1006ВИ1 вход останова (6) имеет приоритет над входом запуска (2). В импортных аналогах других фирм такая особенность отсутствует. Данный факт следует учитывать при разработке схем с активным использованием двух входов.

Однако в большинстве случаев приоритеты не влияют на работу устройства. С целью снижения мощности потребления, ещё в 70-х годах прошлого века был налажен выпуск таймера КМОП-серии. В России микросхема на полевых транзисторах получила название КР1441ВИ1.

Наибольшее применение 555 таймер нашёл в построении схем генераторов и реле времени с возможностью задержки от микросекунд до нескольких часов. В более сложных устройствах он выполняет функции по исключению дребезга контактов, ШИМ, восстановлению цифрового сигнала и так далее.

2N5551C Datasheet (PDF)

0.1. 2n5551cn.pdf Size:249K _auk

2N5551CNSemiconductor Semiconductor NPN Silicon TransistorDescriptions General purpose amplifier High voltage application Features High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code 2N5551CN 2N5551C TO-92NOutline Dimensions unit : mm 4.20

0.2. 2n5551csm.pdf Size:31K _semelab

2N5551CSM HIGH VOLTAGE NPNSWITCHING TRANSISTOR IN AHERMETICALLY SEALEDMECHANICAL DATACERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGEDimensions in mm (inches)FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS0.51 0.10(0.02 0.004) 0.31 FEATURESrad.(0.012) SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN 3TRANSISTOR HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNTPACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)21 CECC SCREENING OPTIONS1.9

 0.3. 2n5551c.pdf Size:32K _kec

SEMICONDUCTOR 2N5551CTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.HIGH VOLTAGE APPLICATION.B CFEATURES High Collector Breakdwon VoltageN DIM MILLIMETERS: VCBO=180V, VCEO=160VA 4.70 MAXEKLow Leakage Current. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD: ICBO=50nA(Max.), VCB=120VD 0.45E 1.00Low Saturation VoltageF 1.27G 0.85: VCE(sat)=0.2V(Max.),

2SC5551 Datasheet (PDF)

0.1. 2sc5551.pdf Size:43K _sanyo

Ordering number:ENN6328NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5551High-Frequency Medium-OutputAmplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions High fT : (fT=3.5GHz typ).unit:mm Large current : (IC=300mA).2038A Large allowable collector dissipation (1.3W max).4.51.51.60.4 0.53 2 10.41.53.01 : Base0.752 : Collector3 : EmitterSA

0.2. 2sc5551a.pdf Size:287K _sanyo

Ordering number : ENA1118 2SC5551ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorHigh-Frequency Medium-Output2SC5551AAmplifier ApplicationsFeatures High fT : (fT=3.5GHz typ). Large current : (IC=300mA). Large allowable collector dissipation (1.3W max).SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings Un

 0.3. 2sc5551ae 2sc5551af.pdf Size:185K _onsemi

Ordering number : ENA1118A2SC5551ARF Transistorhttp://onsemi.com30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCPFeatures High fT : (fT=3.5GHz typ) Large current : (IC=300mA) Large allowable collector dissipation (1.3W max)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 40 VCollector-to-Emitter Volta

Режимы работы NE555

Таймер 555 серии работает в одном из трёх режимов, рассмотрим их более детально на примере микросхемы NE555.

Одновибратор

Принципиальная электрическая схема одновибратора приведена на рисунке. Для формирования одиночных импульсов, кроме микросхемы NE555, понадобится сопротивление и полярный конденсатор. Схема работает следующим образом. На вход таймера (2) подают одиночный импульс низкого уровня, который приводит к переключению микросхемы и появлению на выходе (3) высокого уровня сигнала. Продолжительность сигнала рассчитывается в секундах по формуле:

По истечении заданного времени (t) на выходе формируется сигнал низкого уровня (исходное состояние). По умолчанию вывод 4 объединен с выводом 8, то есть имеет высокий потенциал.

Во время разработки схем нужно учесть 2 нюанса:

1. Напряжение источника питания не влияет на длительность импульсов. Чем больше напряжение питания, тем выше скорость заряда времязадающего конденсатора и тем больше амплитуда выходного сигнала.
2. Дополнительный импульс, который можно подать на вход после основного, не повлияет на работу таймера, пока не истечет время t.

На работу генератора одиночных импульсов можно влиять извне двумя способами:

• подать на Reset сигнал низкого уровня, который переведёт таймер в исходное состояние;
• пока на вход 2 поступает сигнал низкого уровня, на выходе будет оставаться высокий потенциал.

Таким образом, с помощью одиночных сигналов на входе и параметров времязадающей цепочки можно получать на выходе импульсы прямоугольной формы с чётко заданной длительностью.

Мультивибратор

Мультивибратор представляет собой генератор периодических импульсов прямоугольной формы с заданной амплитудой, длительностью или частотой, в зависимости от поставленной задачи. Его отличие от одновибратора состоит в отсутствии внешнего возмущающего воздействия для нормального функционирования устройства. Принципиальная схема мультивибратора на базе NE555 показана на рисунке.

В формировании повторяющихся импульсов участвуют резисторы R1, R2 и конденсатор С1

Время импульса (t1), время паузы(t2), период (T) и частоту (f) рассчитывают по нижеприведенным формулам: Из данных формул несложно заметить, что время паузы не сможет превысить время импульса, то есть достичь скважности (S=T/t1) более 2 единиц не удастся. Для решения проблемы в схему добавляют диод, катод которого соединяют с выводом 6, а анод с выводом 7

Схема работает следующим образом. В момент подачи питания конденсатор С₁ разряжен, что переводит выход таймера в состояние высокого уровня. Затем С₁ начинает заряжаться, набирая ёмкость до верхнего порогового значения 2/3 U_ПИТ. Достигнув порога ИМС переключается, и на выходе появляется низкий уровень сигнала. Начинается процесс разряда конденсатора (t₁), который продолжается до нижнего порогового значения 1/3 U_ПИТ. По его достижении происходит обратное переключение, и на выходе таймера устанавливается высокий уровень сигнала. В результате схема переходит в автоколебательный режим.

Прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером

Внутри таймера NE555 встроен двухпопроговый компаратор и RS-триггер, что позволяет реализовывать прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером на аппаратном уровне. Входное напряжение делится компаратором на три части, при достижении каждой из которых происходит очередное переключение. При этом величина гистерезиса (обратного переключения) равна 1/3 U_ПИТ. Возможность применения NE555 в качестве прецизионного триггера востребована в построении систем автоматического регулирования.

Где и как использовать ?

Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.

Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.

https://youtube.com/watch?v=xNMr1MZa_IU

KST5551 Datasheet (PDF)

0.1. kst5551.pdf Size:44K _fairchild_semi

KST5551Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V 3 Collector Power Dissipation: PC (max)=350mW2SOT-231Mark: G11. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 180 VVCEO Collector-Emitter Voltage 160 VVEBO Emitter-Base

8.1. kst5550.pdf Size:56K _fairchild_semi

KST5550High Voltage Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 160 VVCEO Collector-Emitter Voltage 140 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current 600 mAPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Storage Tempe

 9.1. kst55 kst56.pdf Size:44K _fairchild_semi

KST55/56Driver Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST55: — 60V3KST56: — 80V Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW Complement to KST05/06 2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector Base Voltage : KST55 -60 V: K

9.2. kst55.pdf Size:21K _samsung

KST55/56 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDRIVER TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector Base Voltage VCBO :KST55 -60 V :KST56 -80 VCollector-Emitter Voltage VCEO :KST55 -60 V :KST56 -80 VEmitter-Base Voltage VEBO -4 VCollector Current IC -500 mACollector Dissipation PC 350 mWStorage Temperature TSTG 150 Therma

Related Datasheets

Расположение и назначение выводов

NE555 и её аналоги преимущественно выпускаются в восьмивыводном корпусе типа PDIP8, TSSOP или SOIC. Расположение выводов независимо от корпуса – стандартное. Условное графическое обозначение таймера представляет собой прямоугольник с надписью G1 (для генератора одиночных импульсов) и GN (для мультивибраторов).

1. Общий (GND). Первый вывод относительно ключа. Подключается к минусу питания устройства.
2. Запуск (TRIG). Подача импульса низкого уровня на вход второго компаратора приводит к запуску и появлению на выходе сигнала высокого уровня, длительность которого зависит от номинала внешних элементов R и С. О возможных вариациях входного сигнала написано в разделе «Одновибратор».
3. Выход (OUT). Высокий уровень выходного сигнала равен (Uпит-1,5В), а низкий – около 0,25В. Переключение занимает около 0,1 мкс.
4. Сброс (RESET). Данный вход имеет наивысший приоритет и способен управлять работой таймера независимо от напряжения на остальных выводах. Для разрешения запуска необходимо, чтобы на нём присутствовал потенциал более 0,7 вольт. По этой причине его через резистор соединяют с питанием схемы. Появление импульса менее 0,7 вольт запрещает работу NE555.
5. Контроль (CTRL). Как видно из внутреннего устройства ИМС он напрямую соединен с делителем напряжения и в отсутствие внешнего воздействия выдаёт 2/3 Uпит. Подавая на CTRL управляющий сигнал, можно получить на выходе модулированный сигнал. В простых схемах он подключается к внешнему конденсатору.
6. Останов (THR). Является входом первого компаратора, появление на котором напряжения более 2/3Uпит останавливает работу триггера и переводит выход таймера в низкий уровень. При этом на выводе 2 должен отсутствовать запускающий сигнал, так как TRIG имеет приоритет перед THR (кроме КР1006ВИ1).
7. Разряд (DIS). Соединен напрямую с внутренним транзистором, который включен по схеме с общим коллектором. Обычно к переходу коллектор-эмиттер подключают времязадающий конденсатор, который разряжается, пока транзистор находится в открытом состоянии. Реже используется для наращивания нагрузочной способности таймера.
8. Питание (VCC). Подключается к плюсу источника питания 4,5–16В.

Похожие записи:

Обзор makita 5704r Установка столба на дачном участке. установка столбов под электричество Как построить схему управления на arduino и esp8266 с настраиваемыми таймерами, контролируемую через wi-fi Автоматическое включение фар при запуске двигателя автомобиля своими руками Топ новых гаджетов 2020 года Выбираем энергосберегающие лампы: сравнительный обзор 3-х видов энергоэффективных лампочек