Технические характеристики
Рассмотрим более подробно транзистор 2N2222, его технические характеристики и особенности. Они справедливы при температуре окружающей среды (ТА) не более +25оС. В datasheet указано, что устройство предназначено для работы с высокой скоростью переключений и обеспечивает эффективное усиление в широком диапазоне частот.
Максимальные параметры
2n2222 имеет следующие максимально допустимые эксплуатационные параметры (при ТА < +25оС):
- предельное напряжение между выводами: К-Б (VCBO) до 60 В (при IE=0); К-Э (VCEO) до 30 В (при IB=0); Э-Б (VEBO) до 5 В (при IB=0);
- пиковый ток коллектор (IB) до 0,8 А;
- рассеиваемая мощность (Ptot) до 500 мВт (при ТСase <+25оС); 1,2 Вт (с теплоотводом);
- температура хранения (TSTG) -65 … +200оС;
- температура кристалла (TJ) до +175оС.
Новые устройства изготавливаются с использованием безсвинцовых технологий (Lead Free) и соответствуют европейскому стандарту RoHS. У некоторых из них рабочая температура кристалла (TJ), согласно datasheet, может достигать +200 оС.
Электрические параметры
Электрические характеристики 2N2222 (на русском языке) сведены в единую таблицу, которая представлена ниже. Их величины, как и для максимальных указаны для температуры (ТА) не более +25 оС. В отдельном столбце выведены условия измерений.
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току (HFE) рассматриваемого триода, как и у большинства подобных электронных компонентов из 60-х, сильно разнится и находится в диапазоне от 100 до 300. Даже у устройств одного производителя значения параметра HFE могут быть разные. Обычно их HFE выясняют предварительно, зачастую с помощью мультиметра и непосредственно перед использованием в проекте.
Комплементарная пара
Комплементарной парой считается 2N2907(ТО-18). Можно сказать, что последний имеет «зеркальные» характеристики, по отношению к рассматриваемому и отличается только PNP-структурой. Внешне они очень похожи между собой и довольно часто встречаются вместе в схемах дифференциальных каскадов усиления.
Биполярный транзистор KTN2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTN2222A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
KTN2222A
Datasheet (PDF)
0.1. ktn2222ae.pdf Size:44K _kec
SEMICONDUCTOR KTN2222AETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURES BLow Leakage Current DDIM MILLIMETERS: ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.2_+A 1.60 0.10Low Saturation Voltage _+B 0.85 0.1031_C 0.70 0.10+: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA.D 0.27+0.10/-0.05_Complementary
7.1. ktn2222u au.pdf Size:49K _kec
SEMICONDUCTOR KTN2222U/AUTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURES M B MDIM MILLIMETERSLow Leakage Current _A+2.00 0.20D2: ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V. _+B 1.25 0.15_+C 0.90 0.10Low Saturation Voltage 31D 0.3+0.10/-0.05_E +2.10 0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150
7.2. ktn2222s as.pdf Size:411K _kec
SEMICONDUCTOR KTN2222S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURES DIM MILLIMETERSLow Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA.1G
7.3. ktn2222 a.pdf Size:405K _kec
SEMICONDUCTOR KTN2222/ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURES Low Leakage Current : ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.N DIM MILLIMETERSLow Saturation Voltage A 4.70 MAXEKB 4.80 MAX: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA. GC 3.70 MAXDComplementary to the KTN2907/2907A.D 0.45E 1.00K
Другие транзисторы… KTD2424
, KTD3055
, KTD525
, KTD686
, KTD718
, KTD863
, KTD998
, KTN2222
, BC109
, KTN2222AS
, KTN2222S
, KTN2369
, KTN2369A
, KTN2369S
, KTN2369U
, KTN2907
, KTN2907A
.
FMMT2222A Datasheet (PDF)
9.1. fmmt2484.pdf Size:27K _diodes
SOT23 NPN SILICON PLANAR FMMT2484SMALL SIGNAL TRANSISTORISSUE 2 MARCH 94 T V I V EC T I D T I BSOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I
9.2. fmmt2369.pdf Size:34K _diodes
SOT23 NPN SILICON PLANAR FMMT2369HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORSFMMT2369AISSUE 3 AUGUST 1995 I TI T i i I i i I i i Ii i EC T I D T I T B T T T SOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T
9.3. fmmt2907.pdf Size:40K _diodes
SOT23 PNP SILICON PLANARFMMT2907SWITCHING TRANSISTORFMMT2907AISSUE 3 FEBRUARY 1996 . T i i I T T T T EC T T V T I D T I T B T T SOT23 T i i ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T T T IT i i II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T IT DITI I
2SA2222 Datasheet (PDF)
0.1. 2sa2222.pdf Size:69K _sanyo
Ordering number : ENA1148 2SA2222SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA2222High-Current Switching ApplicationsApplications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers.Features Adoption of MBIT process. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching.SpecificationsAbsolute Max
0.2. 2sa2222sg.pdf Size:298K _sanyo
2SA2222SGOrdering number : ENA1799SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA2222SGHigh-Current Switching ApplicationsApplications Relay drivers, lamp drivers, motor driversFeatures Adoption of MBIT process Large current capacitance (IC=—10A) Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)=—250mV(typ.)) High-speed swi
0.3. 2sa2222 .pdf Size:211K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA2222DESCRIPTIONLarge current capacitanceHigh speed switchingLow saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSRelay drivers,lamp drivers,motor driversABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage —
0.4. 2sa2222.pdf Size:211K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA2222DESCRIPTIONLarge current capacitanceHigh speed switchingLow saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSRelay drivers,lamp drivers,motor driversABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage —
0.5. 2sa2222sg.pdf Size:167K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA2222SGDESCRIPTIONLarge current capacitanceHigh-speed switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSrelay drivers,lamp drivers,motor driversABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -50 VCBOV Collector-
KN2222A Datasheet (PDF)
0.1. kn2222as s.pdf Size:43K _kec
SEMICONDUCTOR KN2222S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERSLow Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA.1G 1
8.1. kn2222 a.pdf Size:39K _kec
SEMICONDUCTOR KN2222/ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current : ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.N DIM MILLIMETERSLow Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXDComplementary to the KN2907/2907A.D 0.45E 1.00F
Биполярный транзистор P2N2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: P2N2222A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
P2N2222A
Datasheet (PDF)
0.1. mtp2n2222a p2n2222a.pdf Size:238K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby P2N2222A/DAmplifier TransistorsNPN SiliconP2N2222ACOLLECTOR12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit
0.2. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi
P2N2222AAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatures These are Pb—Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGS (TA =25C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Value Unit2BASECollector—Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector—Base Voltage VCBO 75 Vdc3Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 VdcEMITTERCollector Current — Continuous IC 600 mAdcTotal Devi
0.3. p2n2222ag.pdf Size:165K _onsemi
P2N2222AAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatures These are Pb—Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGS (TA =25C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Value Unit2BASECollector—Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector—Base Voltage VCBO 75 Vdc3Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 VdcEMITTERCollector Current — Continuous IC 600 mAdcTotal Devi
Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.
Биполярный транзистор KN2222 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KN2222
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
KN2222
Datasheet (PDF)
0.1. kn2222 a.pdf Size:39K _kec
SEMICONDUCTOR KN2222/ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current : ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.N DIM MILLIMETERSLow Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXDComplementary to the KN2907/2907A.D 0.45E 1.00F
0.2. kn2222as s.pdf Size:43K _kec
SEMICONDUCTOR KN2222S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERSLow Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA.1G 1
Другие транзисторы… KGS1001
, KGS1002
, KGS1003
, KGS1004
, KGS1005
, KM905
, KM935
, KN100
, BC108
, KN2222AS
, KN2222S
, KN2907
, KN2907A
, KN2907AS
, KN2907S
, KN3903
, KN3903S
.
VN2222LL Datasheet (PDF)
0.1. vn2222ll.rev1.pdf Size:68K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby VN2222LL/DTMOS FET TransistorN Channel EnhancementVN2222LL3 DRAINMotorola Preferred Device2GATE1 SOURCEMAXIMUM RATI
0.2. vn10lls vn0605t vn0610ll vn2222ll.pdf Size:51K _vishay
VN10LLS, VN0605T, VN0610LL, VN2222LLVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID Min (A)VN10LLS 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.32VN0605T 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3.0 0.1860VN0610LL 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.28VN2222LL 5 @ VGS = 10 V 0.6 to 2.5 0.23FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 2.5 W
0.3. vn2222ll.pdf Size:17K _diodes
N-CHANNEL ENHANCEMENTVN2222LLMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 FEB 94S G DTO92ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb = 25C ID 150 mAPulsed Drain Current IDM 1AGate Source Voltage VGS 40 VPower Dissipation at Tamb = 25C Ptot 400 mWOperating and Storage Temperature Range Tj:Tstg -55 to
0.4. vn2222llg.pdf Size:92K _onsemi
VN2222LLGSmall Signal MOSFET150 mAmps, 60 VoltsN-Channel TO-92http://onsemi.comhttp://onsemi.comFeatures This is a Pb-Free Device*150 mA, 60 VRDS(on) = 7.5 WMAXIMUM RATINGSN-ChannelRating Symbol Value UnitDDrain -Source Voltage VDSS 60 VdcDrain-Gate Voltage (RGS = 1.0 MW) VDGR 60 VdcGate-Source VoltageG- Continuous VGS 20 Vdc- Non-repetitive (tp 5
История создания
Разработчиком 2N2222 в корпусе ТО-18 считается американская компания Motorola. Её сотрудник (Джек Хайничен) изобрёл кольцевую структуру (annular) при производстве полупроводниковых триодов, позволившую увеличить напряжение p-n-перехода до 100 В. Ряд изделий, изготовленных по новой технологии, в том числе и рассматриваемый транзистор, впервые были продемонстрированы конференции «Института инженеров радиотехники» (IRE) в марте 1962 г. в г.Нью-Йорк.
С 1965 г. его стали производить в пластиковом корпусе ТО-92. У компании Motorola он имел маркировку PN2222, а затем PN2222A. Последний завоевал большую популярность, как среди любителей электроники, так и её производителей. В те времена для зарубежной промышленности он был таким же известным, как например, в Советском союзе КТ315.
В последующем, вместе с внедрением технологий поверхностного монтажа (SMD), появились 2N2222 в корпусах SOT-23, SOT-223. К таким транзисторам можно отнести: MMBT2222(Motorola), PMBT2222(Philips), FMMT2222(Zetex) и др. Их производством в настоящее время занимаются и другие компании.
Более поздние модификации рассматриваемого транзистора имеют маркировку 2N2222ADCSM. Они производятся в герметичном керамическом корпусе LCC (для поверхностного монтажа на плату) английской компанией Semelab.
PZT2222A Datasheet (PDF)
0.1. pzt2222a.pdf Size:136K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby PZT2222AT1/DNPN Silicon PlanarPZT2222AT1Epitaxial TransistorMotorola Preferred DeviceThis NPN Silicon Epitaxial transistor is
0.2. pzt2222a 3.pdf Size:51K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087PZT2222ANPN switching transistor1999 Apr 14Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 02Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor PZT2222AFEATURES PINNING High current (max. 600 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2, 4 collectorAPPLICATIONS3 emitter
0.3. pzt2222a.pdf Size:124K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEEThandbook, halfpageM3D087PZT2222ANPN switching transistorProduct data sheet 1999 Apr 14Supersedes data of 1997 Jun 02 NXP Semiconductors Product data sheetNPN switching transistor PZT2222AFEATURES PINNING High current (max. 600 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2, 4 collectorAPPLICATIONS3 emitter Swi
0.4. pn2222a mmbt2222a pzt2222a.pdf Size:174K _fairchild_semi
August 2010PN2222A / MMBT2222A / PZT2222ANPN General Purpose AmplifierFeatures This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA. Sourced from process 19.PN2222A MMBT2222A PZT2222ACCEECBTO-92 SOT-23 SOT-223BMark:1PEBCAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value U
0.5. pzt2222at1-d.pdf Size:129K _onsemi
PZT2222AT1NPN Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use in linearand switching applications. The device is housed in the SOT—223package which is designed for medium power surface mounthttp://onsemi.comapplications.Features SOT—223 PACKAGE PNP Complement is PZT2907AT1 NPN SILICON TRANSISTOR The SOT—223 Package Can be
0.6. pzt2222a.pdf Size:284K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD PZT2222A NPN SILICON TRANSISTOR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER FEATURES * This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA. 1SOT-223 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 PZT2222AL-AA3-R PZT2222AG-AA3-R SOT-223 B C E Tape Ree
0.7. pzt2222a.pdf Size:176K _secos
PZT2222ANPN SiliconElektronische BauelementeGeneral Purpose TransistorRoHS Compliant ProductSOT-223 C 1. BASE 2. COLLECTORFEATURES 3. EMITTERE CPower dissipationB PCM : 1 W Tamb=25 Collector currentICM : 0.6 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 75 V Operating and stora
0.8. pzt2222a.pdf Size:1032K _lge
PZT2222A SOT-223 Transistor(NPN)1. BASE SOT-2232. COLLECTOR 1 3. EMITTER Features Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available (PZT2907A) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V Dimensions in inches and
0.9. pzt2222a.pdf Size:189K _wietron
PZT2222ANPN Silicon Planar Epitaxial TransistorCOLLECTOR2, 4 SOT-22341. BASE BASE2.COLLECTOR1 13.EMITTER24.COLLECTOR33EM ITTERABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Rating SymbolValue UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector-Base Voltage VCBOVdc75Emitter-Base Voltage VEBOVdc6.0Collector Current (DC) IC(DC)Adc0.61.5Total Device D
0.10. pzt2222al3.pdf Size:163K _cystek
Spec. No. : C825L3 Issued Date : 2006.04.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/4 NPN Epitaxial Planar Transistor PZT2222AL3 Features High current, max. 600mA Low voltage, max. 40V Pb-free package Applications Switching and linear amplification Symbol Outline PZT2222AL3 SOT-223 C E C BBase B CCollector EEmitter
0.11. pzt2222a.pdf Size:691K _kexin
SMD Type TransistorsNPN TransistorsPZT2222A (KZT2222A)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 Epitaxial planar die construction Complementary to PZT2907A1 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VC
Замена импортных транзисторов отечественными
Аналоги и возможные замены | |||
Тип | Аналог | Возможная замена | Примечания |
MJEF34 | КТ816 | Любой мощный рпр-транзистор с максимальным током коллектора большим 3 А | |
TIP42 | КТ816 | ||
2SK58 | КПС315А, Б | ||
2N5911 | Обычные ПТ | ||
U441 | КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12; КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е | ||
U444 | КП303Д, Е; КП307Г, Д;КП312; КП323,КП329; КП341;КП364Д, Е | ||
MPF102 | КП303Д, Е | В этой схеме можно применить любой высокочастотный полевой транзистор с каналом ri-типа и изоляцией рп-переходом. При наладке схемы может понадобиться подобрать резисторы в цепях затворов и/или истоков. Предпочтение следует отдавать транзисторам с наибольшим и начальными токами стока, малым пороговым напряжением и уровнем шума на ВЧ | |
MPS3866 | КТ368 | В этой схеме можно применить любой высокочастотный биполярный прп-транзистор. Предпочтение следует отдавать транзисторам с малым уровнем шума на ВЧ | |
25139 | КП327А,В | КП346А-9; КП382А | |
1N754 | КС162 | ||
1N757A | КС182 | ||
2N3563 | КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
2N3565 | КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
2N3569 | КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
BFR90 | КТ3198А | КТ371А, КТ3190А | |
MPS3866 | КТ939А | ||
MRF557 | КТ948; КТ996Б-2;КТ9141; КТ9143;КТ919; КТ938 | ||
MRF837 | КТ634; КТ640; КТ657Б-2 | ||
MV2101 | KB102; KB107А,В | ||
2N4401 | КТ6103 | КТ504 | |
2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
ВС547В | КТ3102 | ||
ВС549С | КТ3102 | ||
ВС557В | KТ3107 | ||
BD139 | КТ815 | ||
BD140 | КТ814 | ||
2N5771 | КТ363АМ | ||
ВС548 | КТ3102 | ||
ВС557 | КТ3107 | ||
TIP111 | КТ716 | ||
TIP116 | КТ852 | ||
TIP33B | КТ865 | ||
TIP34B | КТ864 | ||
2SC2092 | КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120 | ||
MRF475 | КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120 | ||
40673 | КП350, КП306,КП327, КП347,КП382 | ||
2N4124 | КТ3102Д | ||
J309 | КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12, КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е | ||
MPS2907 | КТ313 | ||
2N3414 | КТ645 | ||
2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
3055Т | КТ8150А | ||
ВС517 | КТ972 | ||
IRF9Z30 | КП944 | ||
TIP125 | КТ853, КТ8115 | ||
BS250P | КП944 | ||
2N3391A | КТ3102 | Любые маломощные с большим h2fe | |
BC184L | КТ3102 | Любые маломощные с большим h2fe | |
ВС547В | КТ3102 | ||
BUZ11 | КП150 | ||
IRFL9110 | КП944 | ||
2N4401 | КТ6103, КТ6117 | КТ504 | |
2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
ВС109С | КТ342 | ||
ВС237 | КТ3102 | ||
ВС547 | КТЗ102, КТ645А | ||
2N4401 | КТ6103, КТ6117 | КТ504 | |
2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
MPS А18 | КТ342Б, Д | ||
2N3704 | КТ685 | ||
2N4393 | КП302ГМ | ||
2N5401 | КТ6116А | ||
ВС487 | КТ342Б, Д; КТ630Е | ||
IRFZ44 | КП723А | ||
MPS2907 | КТ313 | КТ3107 | |
MPSА14 | КТ685 | ||
MPSA64 | КТ973 | ||
2N2222 | КТ3117Б | КТ315 | |
2N3904 | КТ6137А | КТ815 | |
2N3906 | КТ6136А | ||
ECG-187 | ГТ906А | ||
FPT-100 | фототранзистор | ||
HRF-511 | КП904 | ||
TIL 414 | фототранзистор |
Нужно заменить диод или стабилитрон? — аналоги и замены диодов и полупроводников.
Графические данные
Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по току hFE от величины тока коллектора IC при различных температурах (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).
Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).
Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер VBE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).
Рис.4 Зависимость напряжения включения база-эмиттер VBE(ON) тока коллектора (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).
Рис.5 Зависимость тока выключения ICBO транзистора от температуры окружающей среды Ta (VCB – напряжение коллектор-база).
Рис.6 Зависимость рассеиваемой транзистором мощности (PC) от температуры окружающей среды Ta.
Рис.7 Зависимость коэффициента усиления тока hfe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.8 Зависимость полной выходной проводимости hoe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.9 Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.10 Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению hre от тока коллектора IC.
Рис.11 Зависимости емкостей переходов эмиттер-база (Cob) и коллектор-база (Cib) от величин напряжений обратного смещения переходов эмиттер-база (VEB) и коллектор-база (VCB).
Рис.12 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от частоты передаваемого сигнала f (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, RS – выходное сопротивление источника сигнала).
Рис.13 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от величины внутреннего сопротивления источника сигнала (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, f – частота входного сигнала, поступающего от внешнего источника).
Рис.14 Зависимости отрезков времени переключения (t) от величины тока коллектора (IC) (IB1, IB2 – значения тока базы при переключениях; td – время задержки переключения; tr – время нарастания выходного сигнала; tf – время спадания выходного сигнала; ts – время рассасывания объемного заряда (или — время сохранения tstg)).
Рис.15 Зависимости времени включения (ton) и выключения (toff) от величины коллекторного тока IC (VBE(OFF) – напряжение база-эмиттер при выключении; IB1, IB2 – значения тока базы при включении и выключении).
Рис.16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (td) и времени нарастания (tr). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.
Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (tstg) заряда коллекторного перехода и времени спадания (tf). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%. CS – суммарная емкость монтажа и коннекторов.
P2N2222A Datasheet (PDF)
0.1. mtp2n2222a p2n2222a.pdf Size:238K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby P2N2222A/DAmplifier TransistorsNPN SiliconP2N2222ACOLLECTOR12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit
0.2. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi
P2N2222AAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatures These are Pb—Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGS (TA =25C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Value Unit2BASECollector—Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector—Base Voltage VCBO 75 Vdc3Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 VdcEMITTERCollector Current — Continuous IC 600 mAdcTotal Devi
0.3. p2n2222ag.pdf Size:165K _onsemi
P2N2222AAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatures These are Pb—Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGS (TA =25C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Value Unit2BASECollector—Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector—Base Voltage VCBO 75 Vdc3Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 VdcEMITTERCollector Current — Continuous IC 600 mAdcTotal Devi
Биполярный транзистор 2N2222AUA — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2222AUA
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора:
2N2222AUA
Datasheet (PDF)
0.1. 2n2222aua.pdf Size:186K _optek
0.2. 2n2221a 2n2221al 2n2221aua 2n2221aub 2n2222a 2n2222al 2n2222aua 2n2222aub.pdf Size:377K _aeroflex
Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors2N2221A, 2N2221AL, 2N2221AUA, 2N2221AUB2N2222A, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N2222AUBFeatures Qualified to MIL-PRF-19500/255 Levels: CommericalJANSJANSM-3K Rads (Si) JANSD-l0K Rads (Si) JANSP-30K Rads (Si) JANSL-50K Rads (Si) JANSR-l00K Rads (Si) TO-18 (TO-206AA), Surface mount UA & UB PackagesAbsolute Maximum Ra
6.1. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek
Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N2222AUBSeptember 1996Surface Mount NPN General Purpose TransistorType JANTX, JANTXV, 2N2222AUBFeature Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)Collector-Base Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 VCeramic surface mount packageCollector-Emitter Voltage. . . . . . .
6.2. 2n2222aubc.pdf Size:138K _microsemi
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N2221A 2N2222A JANSD 10K Rads (Si) 2N2221AL 2N2222AL JANSP 30K Rads (Si) 2N2221AUA 2N2222AUA
6.3. 2n2222au.pdf Size:326K _first_silicon
SEMICONDUCTOR2N2222AUTECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorNPN SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SC-323/SC-70 package which 3is designed for low power surface mount applications.Features 12compliance with RoHS requirements. We declare that the material of product SC-70 / SOT 323 ORDERING INFO
Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.
Модификации транзистора 2N3904
Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (fT, Сobo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.
Модель | Тип корпуса | PC | Другие параметры | Производитель |
---|---|---|---|---|
2N3904 | TO-92 | 0,625 | Tj = от -55°C до +150°C | Motorola |
2N3904 S | SOT-23 | 0,35 | Tj = от -55°C до +150°C | KEC (Korea Electronics) |
2N3904 E | ESM | 0,1 | ||
2N3904 U | USM | |||
2N3904 V | VSM | |||
2N3904 S | SOT-23 | 0,225 | FS (First Silicon) | |
2N3904 U | SOT-323 | 0,15 | ||
2N3904 N | TO-92N | 0,4 | AUK Semiconductor | |
MMBT 3904 | SOT-23 | 0,35 | Fairchild Semiconductor | |
PZT 3904 | SOT-223 | 1 | ||
2N3904 – T18 | TO-18 | 0,31 | Tj = от -63°C до +200°C | SEME LAB |