Простой самодельный усилитель мощности на пяти транзисторах 100-200ватт (tip142, tip147)

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Модель	P_C, T_C=25°C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
TIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
TO-220AB
TO-220C
TIP42C	25	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220IS
TIP42CG/L	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
300	15…75	TO-263
TIP42CG/L	22	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220F
TIP42CG/L	20	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-252
STTIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
HTIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
TIP42E	65	180	140	5	6	150	3	300	15…75	TO-220C
TIP42F	65	200	160	5	6	150	3	300	15…75	TO-220C
TIP42P	100	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-3P

Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.

Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента h_FE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону h_FE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:

— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:

TIP42C R – диапазон h_FE от 15 до 28;
TIP42C O – диапазон h_FE от 24 до 44;
TIP42C Y – диапазон h_FE от 42 до 75.

— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по h_FE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:

TIP42CG(L) – A — диапазон h_FE от 15 до 30;
TIP42CG(L) – B — диапазон h_FE от 28 до 48;
TIP42CG(L) – C — диапазон h_FE от 45 до 75.

Следующий пример применения транзистора

В данном примере мы имеем микрофон, соединенный с затвором полевого транзистора и лампу накаливания, подключенную к транзистору и повышенному источнику питания. Теперь при улавливании звука микрофоном, лампочка будет загораться. И чем громче будет звук, тем ярче будет светиться лампа.

Это происходит потому, что микрофон создает напряжение, поступающее на затвор полевого транзистора. При появлении сигнала на затворе происходит отпирание транзистора, в результате чего через транзистор начинает течь ток от стока к истоку.

Фактически, в этой схеме полевой транзистор играет роль усилителя сигнала. Для еще большего усиления можно использовать еще один транзистор.

Данная схема аналогична предыдущей, только теперь вместо лампы подключен электродвигатель. Это позволяет управлять скоростью вращения электродвигателя силой звука поступающего в динамик.

Чем громче вы кричите в микрофон, тем быстрее двигатель будет вращаться.

Биполярный транзистор TIP147 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP147

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500

Корпус транзистора:

TIP147
Datasheet (PDF)

0.1. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147 .pdf Size:48K _st

TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESTMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 32APPLICATIONS 1 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TI

0.2. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147.pdf Size:68K _st

TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 3APPLICATIONS 2 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL1EQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TIP140, TIP141

0.3. tip142t tip147t.pdf Size:57K _st

TIP142TTIP147TCOMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS STM PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION LOW VOLTAGE HIGH CURRENT HIGH GAINAPPLICATIONS 32 GENERAL PURPOSE SWITCHING 1DESCRIPTION TO-220The TIP142T is a silicon epitaxial-base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration, mo

0.4. tip147f.pdf Size:62K _fairchild_semi

TIP145F/146F/147FMonolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = -4V, IC = -5A (Min.) Industrial Use Complement to TIP140F/141F/142FTO-3PF11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value

0.5. tip140-tip147.pdf Size:321K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS TIP140, 141, 142 NPNTIP145, 146, 147 PNPTO- 3PN Non IsolatedPlastic PackageDesigned for General Purpose Amplifier and Low Frequency Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL TIP140 TIP141 TIP142 UNITTIP145 TIP146 TIP147C

0.6. tip147.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP147DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP142Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and lowfrequency switching applic

Другие транзисторы… TIP142F
, TIP142T
, TIP145
, TIP145F
, TIP145T
, TIP146
, TIP146F
, TIP146T
, 2N5551
, TIP147F
, TIP147T
, TIP150
, TIP151
, TIP152
, TIP160
, TIP161
, TIP162
.

Биполярный транзистор TIP41A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP41A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора:

TIP41A
Datasheet (PDF)

0.1. tip41are.pdf Size:222K _motorola

Order this documentMOTOROLAby TIP41A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP41AComplementary Silicon PlasticTIP41B*Power TransistorsTIP41C*. . . designed for use in general purpose am

0.2. tip41a tip41b tip41c tip42a tip42b tip42c.pdf Size:39K _st

TIP41A/41B/41CTIP42A/42B/42CCOMPLEMENTARY SILICON POWERTRANSISTORSn SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe TIP41A, TIP41B and TIP41C are siliconepitaxial-base NPN power transistors in JedecTO-220 plastic package, intented for use inmedium power linear and switching applications.The complementary PNP types are TIP42A,TIP42B and TIP42C.321TO-220INTERNAL SCH

0.3. tip41a tip42a.pdf Size:205K _st

TIP41ATIP42ACOMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORFeatures COMPLEMENTARY PNP-NPN DEVICES NEW ENHANCED SERIES HIGH SWITCHING SPEED hFE IMPROVED LINEARITY32Applications1 GENERAL PURPOSE CIRCUITSTO-220 AUDIO AMPLIFIER POWER LINEAR AND SWITCHINGDescriptionInternal Schematic DiagramThe TIP41A is a silicon base island technologyNPN power tran

0.4. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:527K _fairchild_semi

July 2008TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41CNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Complementary to TIP42/TIP42A/TIP42B/TIP42C1. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TIP41A 60 V : TIP41B 80 V : TIP41C 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TI

0.5. tip41abc.pdf Size:39K _fairchild_semi

TIP41 Series(TIP41/41A/41B/41C)Medium Power Linear Switching Applications Complement to TIP42/42A/42B/42CTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TIP41A 60 V : TIP41B 80 V : TIP41C 100 V VCEO Collector-Emitter Vo

0.6. tip41 tip41a tip41b tip41c to-220.pdf Size:248K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTMTIP41/41A/41B/41C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Silicon NPN The complementary PNP types are the TIP42 respectively Epoxy meets UL 94 V-0

0.7. tip41 tip41a tip41b tip41c tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:93K _onsemi

TIP41, TIP41A, TIP41B,TIP41C (NPN); TIP42, TIP42A,TIP42B, TIP42C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.6 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 VPOWER TRANSISTORSHuman Body Model, 3B; > 8000 V40-60-80-100 VOLTS, Epoxy Meets U

0.8. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:203K _lge

TIP41/41A/41B/41C TO-220 Transistor (NPN)TO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Medium Power Linear Switching Applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C Units VCBO Collector-Base Voltage 40 60 80 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 60 80 100 V

0.9. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C DESCRIPTIONDC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= 0.3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 40V(Min)- TIP41; 60V(Min)- TIP41A 80V(Min)- TIP41B; 100V(Min)- TIP41C Complement to Type TIP42/42A/42B/42C APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifer

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Принципиальная схема предусилителя

Схема предусилителя питается от тех же самых 60В, что и усилитель НЧ.

Рис. 2. Принципиальная схема гитарного предусилителя с темброблком на транзисторах.

Резисторы:

P1, P2 — 10K линейные потенциометры
P3 — 10K логарифмический потенциометр
R1, R2 — 68K 1/4W
R3 — 680K 1/4W
R4 — 220K 1/4W
R5 — 33K 1/4W
R6, R16 — 2K2 1/4W
R7 — 5K6 1/4W
R8,R21 — 330R 1/4W
R9 — 47K 1/4W
R10 — 470R 1/4W
R11 — 4K7 1/4W
R12, R20 — 10K 1/4W
R13 — 100R 1/4W
R14, R15 — 47R 1/4W
R17, R18,R19 — 100K 1/4W

Конденсаторы:

C1, C4, C5, C6 — 10µF 63V электролитические
C2 — 47µF 63V электролитический
C3 — 47pF 63V керамический
C7 — 15nF 63V пленчатый
C8 — 22nF 63V пленчатый
C9 — 470nF 63V пленчатый
C10, C11, C12 — 10µF 63V электролитические
C13 — 220µF 63V электролитический

Диоды:

D1, D2 — BAT46 100V 150mA диоды Шотки

Транзисторы:

Q1, Q3 — BC546 65V 100mA NPN
Q2 — BC556 65V 100mA PNP

Другие детали:

J1,J2 — 6.3mm. разъемы Mono Jack
SW1, SW2 — переключатели

Технические характеристики

Выходная мощность на нагрузку 8 Ohm — 40W;
Выходная мощность на нагрузку 4 Ohm — 60W;
Чувствительность по входу: 35mV с выходной мощностью 40W при 8 Ohm;
Чувствительность по входу: 42mV с выходной мощностью 60W при 4 Ohm;
Отзывчивость по частотам: 50Hz-20KHz — 0.5dB; -1.5dB — 40Hz; -3.5dB — 30Hz;
THD при 1KHz и 8 Ohm нагрузке: меньше 0.1% вплоть до 10W; 0.2% при 30W;
THD при 10KHz и 8 Ohm нагрузке: меньше 0.15% вплоть до 10W; 0.3% при 30W;
THD при 1KHz и 4 Ohm нагрузке: меньше 0.18% вплоть до 10W; 0.4% при 60W;
THD при 10KHz и 4 Ohm нагрузке: меньше 0.3% вплоть до 10W; 0.6% при 60W;
Регулировка ВЧ: +9/-16dB @ 1KHz; +12/-24dB @ 10KHz;
Регулировка НЧ: -17.5dB @ 100Hz; -26dB @ 50Hz; -28dB @ 40Hz;
Регулировка яркости: +6.5dB @ 500Hz; +7dB @ 1KHz; +8.5dB @ 10KHz.

Детали и конструкция

Электролитические конденсаторы в схеме усилителя и выпрямителя желательно установить на напряжение порядка 63В, как исключение на схеме (рисунок 1) — это C1 и C2.

В качестве выходных транзисторов TIP142, TIP147 можно попробовать использовать другую пару транзисторов с высоким коэффициентом усиления (DC Current Gain = 700-1000). Из отечественных могут подойти КТ825 + КТ827, правда выходная мощность в данном случае будет ограничена до 120 Ватт.

Рис. 3. Внешний вид составных транзисторов TIP142, TIP147.

Рис. 3. Печатная плата для мощного транзисторного УМЗЧ и расположение деталей на ней.

При работе усилителя выходные транзисторы будут рассеивать достаточно большое количество тепла, поэтому их необходимо установить на радиаторы с достаточной площадью тепловыделения, также не помешает дополнительное активное охлаждение в виде вентилятора(куллера).

Рис. 4. Крепление печатных плат с транзисторами к радиаторам.

Стоит заметить что при заметном нагреве диодов D2-D4 их не помешало бы установить на небольшой теплоотвод, это повысит термостабильность схемы.

Трансформатор блока питания должен обладать хорошим запасом мощности: 250-350 Ватт для одного канала, и 480-700 Ватт для стерео-варианта. Также можно использовать два отдельных трансформатора — по одному на каждый канал.

Напряжение каждой вторичной обмотки трансформатора должно быть примерно 34В, что после выпрямления и конденсаторов поднимется до 48-50В. По каждой линии питания выпрямителя 48В следует включить предохранитель на 5-6А, для двухканальной версии при питании от одного выпрямителя — 12А.

TIP142 Datasheet (PDF)

0.1. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147 .pdf Size:48K _st

0.2. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147.pdf Size:68K _st

0.3. tip142t tip147t.pdf Size:57K _st

0.4. tip142t.pdf Size:52K _fairchild_semi

TIP140T/141T/142TMonolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = 4V, IC = 5A (Min.) Industrial Use Complement to TIP145T/146T/147TTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitSymbol Parameter Val

0.5. tip142f.pdf Size:62K _fairchild_semi

TIP140F/141F/142FMonolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors Complement to TIP145F/146F/147F High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = 4V, IC = 5A (Min.) Industrial UseTO-3PF11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value Uni

0.6. tip142t 47t.pdf Size:410K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP142T NPNTIP147T PNPTO-220Plastic PackageFor use in Power Linear and Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Base Voltage VCBO 100 VCollector Emitter Voltage VCEO 100 VEmitter Base Voltage VEBO

0.7. tip142t 3da142t.pdf Size:518K _lzg

TIP142T(3DA142T) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Linear and switching industrial equipment. : — TIP147T(3CA147T) Features: Monolithic construction with built in base-emitter shunt resistorsHigh DC current gain complement to TIP147T(

0.8. tip142t.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP142TDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP147TMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applicatio

0.9. tip142f.pdf Size:223K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP142FDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP147FMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and lowfrequency switching applic

0.10. tip142.pdf Size:164K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP142 DESCRIPTION High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= 5A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 100V(Min) Complement to Type TIP147 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Как пользоваться цифровым мультиметром

Для того чтобы провести измерения, тестер подключается набором проводов к измеряемому элементу. На одном конце каждого из проводов находится штекер, предназначенный для установки в гнездо измерителя, а на другом — контактный щуп. Порядок измерения электронным мультиметром в общем виде можно представить в виде следующих действий:

Включить устройство, нажав на кнопку ON/OFF.
Вставить штекера проводов в соответствующие гнёзда на панели. COM — общее гнездо для подключения щупа. V/Ω — положительное гнездо для подключения щупа.
Поворотный выключатель установить в положение диодной прозвонки «o)))».
Прижать измерительные щупы к выводам прибора.
Снять показания с экрана.

Datasheet Download — STMicroelectronics

Номер произв

TIP147

Описание

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

Производители

STMicroelectronics

логотип

1Page

No Preview Available !

TIP142, TIP147
Complementary power Darlington transistors
Features

■ Monolithic Darlington configuration

■ Integrated antiparallel collector-emitter diode

Applications

■ Linear and switching industrial equipment

Description
The devices are manufactured in planar
technology with “base island” layout and
monolithic Darlington configuration. The resulting
transistors show exceptional high gain
performance coupled with very low saturation
voltage.
Datasheet — production data
3
2
1
TO-247
Figure 1. Internal schematic diagrams

R1 typ. = 5 kΩ

R2 typ. = 60 Ω

R1 typ. = 8 kΩ

R2 typ. = 100 Ω

Table 1. Device summary
Part number
Marking
TIP142
TIP142
TIP147
TIP147
Polarity
NPN
PNP
Package
TO-247
Packaging
Tube
April 2012
This is information on a product in full production.
Doc ID 4132 Rev 8
1/10
www.st.com
10

No Preview Available !

Absolute maximum ratings
1 Absolute maximum ratings
TIP142, TIP147
Note:
Table 2. Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter

VCBO

VCEO

VEBO

ICM

PTOT

TSTG

Collector-base voltage (IE = 0)

Collector-emitter voltage (IB = 0)

Emitter-base voltage (IC = 0)

Collector current
Collector peak current
Base current

Total dissipation at Tcase = 25 °C

Storage temperature
Max. operating junction temperature
For PNP type voltage and current are negative.
Table 3. Thermal data
Symbol
Parameter

RthJC Thermal resistance junction-case

Value
100
100
5
10
20
0.5
125
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
__max
Value
1
Unit
°C/W
2/10 Doc ID 4132 Rev 8

No Preview Available !

TIP142, TIP147
2 Electrical characteristics
Electrical characteristics

Tcase = 25 °C; unless otherwise specified.

Table 4. Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions

ICBO

Collector cut-off current

(IE = 0)

VCB = 100 V

ICEO

Collector cut-off current

(IB = 0)

VCE = 50 V

IEBO

Emitter cut-off current

(IC = 0)

VEB = 5 V

VCEO(sus)(1)

Collector-emitter
sustaining voltage

(IB = 0)

IC = 30 mA

VCE(sat)(1)

VBE(on)(1)

Collector-emitter
saturation voltage
Base-emitter on voltage

IC = 5 A

IC = 10 A

IB = 10 mA

IB = 40 mA

VCE = 4 V

hFE(1)

DC current gain

IC = 5 A

IC = 10 A

VCE = 4 V

Resistive load

ton Turn-on time

toff Turn-off time

IC = 10 A

RL = 3 Ω

IB1 = -IB2 = 40 mA

1. Pulse test: pulse duration ≤300 µs, duty cycle ≤2 %.

For PNP type voltage and current are negative.
Min. Typ. Max. Unit
1 mA
2 mA
2 mA
100 V
1000
500
2V
3V
3V
0.9 µs
4 µs
Doc ID 4132 Rev 8
3/10

Всего страниц

10 Pages

Скачать PDF

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, NPN, составные, импульсные. Разработаны для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, переключающих устройствах и других схемах аппаратуры широкого применения.

Отечественное производство

Модель	P_C *	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_C, pF	h_FE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150		300	≥ 1000	TO-220
КТ716А/Б	60	100/80	100/80	5	8/10	150	6	150	от 500 до 750	TO-220, TO-66
КТ8116А/Б	65	100	5	4	—	1000	TO-220
КТ8116А/Б	25	100	3	4	—	1000	DPAK
КТ8141А	60	100	100	8	7	—	750	TO-220
КТ8147А/Б	100	700/500	—	8	10	5	—	5	—
КТ8158В	125	100	100	5	12	5	—	2500	TO-218

Зарубежное производство

Модель	P_C *	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	h_FE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150	≥ 1000	TO-220
NTE261	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
NTE263	65	100	100	5	10	150	1000	TO-220
RCA122	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
SE9302	70	100	100	5	10	150	1000	TO-220
TIP102	80	100	100	5	8	150	1000	TO-220
TIP132	70	100	100	5	8	150	1000	TO-220
WW263	65	100	100	5	10	150	1000	TO-220
2N6045G	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220AB
2SD498	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220
3DA122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
3DA142T	80	100	100	5	10	150	1000	TO-220
3DD122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
BDW93C	80	100	100	5	12	150	15000	TO-220
CFD811	65	110	100	5	8	150	1000	TO-220FP
HEPS9151	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
HP102	80	100	100	5	8	150	1000	TO-220
HP122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
HP142T/TS	80/70	100	100	5	10/8	150	1000	TO-220
MJE6045/T	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220 TO-220AB

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит производителя.

TIP147T Datasheet (PDF)

0.1. tip142t tip147t.pdf Size:57K _st

8.1. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147 .pdf Size:48K _st

8.2. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147.pdf Size:68K _st

8.3. tip147f.pdf Size:62K _fairchild_semi

8.4. tip140-tip147.pdf Size:321K _cdil

8.5. tip147.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

Принципиальная схема

Приведенная схема усилителя может развивать мощность до 200 Ватт и даже более при питании +/-48В, она построена всего на пяти транзисторах в обвязке с небольшим числом других деталей. Если посмотреть на схемы транзисторных УНЧ на сайте «RadioStorage.net» то эту схему можно смело назвать очень сбалансированной в соотношении: выходная мощность/количество деталей/простота/качество.

Рис. 1. Принципиальная схема транзисторного усилителя мощности на TIP142, TIP147.

Если попробовать соединить два таких усилителя в мостовом режиме то можно ожидать выходной мощности на нагрузку порядка 400-500 Ватт. Данный усилитель можно использовать в комплексе со стационарной и самодельной звуковоспроизводящей аппаратурой, на дискотеках, в автомобиле как УМЗЧ для самбвуфера и т.п.

В случае питания схемы усилителя от сети переменного напряжения 220В необходимо собрать несложный выпрямитель, схема которого представлена ниже.

Рис. 2. Принципиальная схема простого двуполярного выпрямителя для УМЗЧ (+/-48В).

Простой самодельный усилитель мощности нч на пяти транзисторах 100-200 ватт (tip142, tip147)

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Следующий пример применения транзистора

Биполярный транзистор TIP147 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

TIP147 Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор TIP41A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

TIP41A Datasheet (PDF)

Принципиальная схема предусилителя

Технические характеристики

Детали и конструкция

TIP142 Datasheet (PDF)

Как пользоваться цифровым мультиметром

Datasheet Download — STMicroelectronics

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

TIP147T Datasheet (PDF)

Принципиальная схема

Похожие записи:

TIP147
Datasheet (PDF)

TIP41A
Datasheet (PDF)