Корпуса микросхем

8-28-выв. пластмассовые SO (D/DW) корпуса

Кол-во выводов, N 8 14 14 16 16 16 20 20 24 28 28
Обозначение корпусапо ГОСТ 17467-88 4303Ю.8-А 4306.14-А 4313.14-В 4307.16-А 4311Ю.16-А 4314. 16-А 4321. 20-В 4316. 20-А 4322. 24-А 4325. 28-А 4323. 28-А
JEDEC Аналог MS-012AA MS-012AB MO-046AA MS-012 AC MS-013AA MO-046AB MS-013AC MO-046AC MS-013AD MO-059AD MS-013AE
Суффикс D D D D DW D DW D DW D DW
Размеры, мм
A min 1.35 1.35   1.35 2.35   2.35   2.35 2.35 2.35
max 1.75 1.75 2.20 1.75 2.65 2.20 2.65 2.20 2.65 3.05 2.65
A1 min 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.05 0.10
max 0.25 0.25 0.30 0.25 0.30 0.30 0.30 0.30 0.30 0.35 0.30
В min 0.33 0.33 0.36 0.33 0.33 0.36 0.33 0.36 0.33 0.35 0.33
max 0.51 0.51 0.50 0.51 0.51 0.50 0.51 0.50 0.51 0.50 0.51
С min 0.19 0.19 0.18 0.19 0.23 0.18 0.23 0.18 0.23 0.14 0.23
max 0.25 0.25 0.32 0.25 0.32 0.32 0.32 0.32 0.32 0.32 0.32
D min 4.80 8.55 8.84 9.80 10.10 10.07 12.60 12.60 15.20 17.70 17.70
max 5.00 8.75 9.20 10.00 10.50 10.50 13.00 13.00 15.60 18.50 18.10
Е min 3.80 3.80 5.60 3.80 7.40 5.60 7.40 5.60 7.40 8.23 7.40
max 4.00 4.00 5.80 4.00 7.60 5.80 7.60 5.80 7.60 8.90 7.60
е nom 1.27 1.27 1.27 1.27 1.27 1.27 1.27 1.27 1.27 1.27 1.27
e1 nom 5.72 5.72 7.62 5.72 9.53 7.62 9.53 7.62 9.53 11.43 9.53
Н min 5.80 5.80 7.84 5.80 10.00 7.84 10.00 7.84 10.00 11.50 10.00
max 6.20 6.20 8.20 6.20 10.65 8.20 10.65 8.20 10.65 12.70 10.65
h min 0.25 0.25   0.25 0.25   0.25   0.25 0.25 0.25
max 0.50 0.50   0.50 0.75   0.75   0.75 0.75 0.75
L min 0.40 0.40 0.60 0.40 0.40 0.60 0.40 0.60 0.40 0.40 0.40
max 1.27 1.27   1.27 1.27 1.27 1.27   1.27 1.27 1.27
а min
max 10° 10° 10°

Как все припаять

Давайте рассмотрим, как быстро переделать микросхему из SO8 в DIP8 имея переходник быстро переделать микросхему в корпус ДИП8 . Помимо самих плат переходников потребуются также ножки. Чаще всего они идут в комплекте. Но продаются и отдельно..

В случае ножек стоит учитывать, что они бывают разные и перед пайкой необходимо убедиться. Что потом эти ножки залезут туда, куда им требуется.

Ножки обычно продаются рядами по 40 штук. Разламываем батарею ножек на кусочки по 4 ножки. Ножки хоть и зафиксированы в пластике, но ничто не мешает сдвинуть пластиковый держатель по ножкам, как нам удобно.

Чтобы не греть лишний раз микросхему первым делом припаивать будем именно ножки. Берем сокет на ДИП8 и втыкаем в него с обеих сторон по ряду ножек на всю глубину. Одеваем плату переходника и надавливаем, чтобы сместить пластиковый крепеж вплотную к сокету. 

В моем случае предполагалось, что получившиеся микросхемы будут использоваться в сокетах и длинные ножки меня не устраивали. Поэтому по сокету я и ориентировался. Но даже в случае, если микросхемы будут припаиваться к плате, как положено, то такая длина ножек будет оптимальна.

Теперь используя припой и паяльник пропаиваем по очереди все ножки. Отверстия металлизированные. Поэтому можно хорошенько залить все оловом.

Торчащие вверх концы ножек будут мешать при пайке микросхемы. Поэтому откусываем их. Чтобы острые концы не торчали вверх можно пройтись напильником. После чего можно еще раз пропаять ножки сверху.

Можно наготовить таких заготовок впрок и использовать при необходимости.

Типы корпусов импортных микросхем

Корпус – это часть конструкции микросхемы, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологического процесса изготовления изделий из разных микросхем. Число стандартных корпусов исчисляется сотнями!

Ниже представлены наиболее распространенные серии корпусов импортных микросхем.Для просмотра чертежей корпусов микросхем кликните ссылку с названием типа корпуса или на соответствующую типу корпуса картинку.

DIP (Dual In-line Package, также DIL) – тип корпуса микросхем, микросборок и некоторых других электронных компонентов для монтажа в отверстия печатной платы. Имеет прямоугольную форму с двумя рядами выводов по длинным сторонам. Может быть выполнен из пластика (PDIP) или керамики (CDIP). Обычно в обозначении также указывается число выводов.SOIC или просто SO (small-outline integrated circuit), а также SOP (Small-Outline Package) корпус микросхем , предназначенный для поверхностного монтажа, занимающий на печатной плате на 30-50% меньше площади чем аналогичный корпус DIP, а также имеющий на 50-70% меньшую толщину. Обычно в обозначении также указывается число выводов.

SIP (Single In-line Package) – плоский корпус для вертикального монтажа в отверстия печатной платы, с одним рядом выводов по длинной стороне. Обычно в обозначении также указывается число выводов.QFP (Quad Flat Package) — плоский корпус с четырьмя рядами контактов. Представляет собой квадратный корпус с расположенными по краям контактами. Существуют также другие варианты: TQFP (Thin QFP) — с малой высотой корпуса, LQFP (Low-profile QFP) и многие другие.

LCC (Leadless Chip Carrier) представляет собой низкопрофильный квадратный керамический корпус с расположенными на его нижней части контактами, предназначенный для поверхностного монтажа.PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) и СLCC (Ceramic Leaded Chip Carrier) представляют собой квадратный корпус с расположенными по краям контактами, предназначенный для установки в специальную панель (часто называемую «кроваткой»).

TSOP (Thin Small-Outline Package) тонкий малогабаритный корпус, разновидность SOP корпуса микросхем. Часто применяется в области DRAM, особенно для упаковки низковольтных микросхем из-за их малого объёма и большого количества штырьков.SSOP (Shrink small-outline package) (уменьшенный малогабаритный корпус) разновидность SOP корпуса микросхем , предназначенного для поверхностного монтажа. Выводы расположены по двум длинным сторонам корпуса.

ZIP (Zigzag-In-line Package) – плоский корпус для вертикального монтажа в отверстия печатной платы со штырьковыми выводами, расположенными зигзагообразно.

Подбор MOSFET или аналога (замены)

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

Тип Code Pol Struct Pd Uds Ugs Ugs(th) Ugs(off) Id Tj Qg Tr Cd Rds Caps
NTMFS4119N N MOSFET 6.1 30 20 30 0.0023 SO8FLDFN5
NTMFS4821N N MOSFET 2.14 30 16 13.8 0.00695 SO8FLDFN5
NTMFS4825NFE N MOSFET 2.74 30 20 29 83.6 0.002 SO8FLDFN5
NTMFS4826NE N MOSFET 2.16 30 20 15 0.0059 SO8FLDFN5
NTMFS4833N N MOSFET 2.35 30 20 26 88 0.002 SO8FLDFN5
NTMFS4833NS N MOSFET 2.31 30 20 26 36 0.0022 SO8FLDFN8
NTMFS4834N N MOSFET 2.31 30 20 21 74 0.003 SO8FLDFN5
NTMFS4835N N MOSFET 2.27 30 20 20 52 0.0035 SO8FLDFN5
NTMFS4836N N MOSFET 2.25 30 20 18 0.004 SO8FLDFN5
NTMFS4845 N MOSFET 2.27 30 16 22 25.6 0.0029 SO8FLDFN5
NTMFS4846 N MOSFET 2.25 30 16 20.3 21.8 0.0034 SO8FLDFN5
NTMFS4847N N MOSFET 2.21 30 16 18 19.2 0.0041 SO8FLDFN5
NTMFS4851 N MOSFET 2.16 30 16 15 13.5 0.0059 SO8FLDFN5
NTMFS4852N N MOSFET 2.31 30 20 25 71.3 0.0021 SO8FLDFN5
NTMFS4897N N MOSFET 2.74 30 20 29 83.6 0.002 SO8FLDFN5
NTMFS4898N N MOSFET 2.72 30 20 22.5 24.5 0.003 SO8FLDFN5
NTMFS4899N N MOSFET 2.7 30 20 17.8 25 0.005 SO8FLDFN5
NTMFS4921N N MOSFET 2.14 30 20 13.8 25 0.00695 SO8FLDFN5
NTMFS4923NE N MOSFET 2.63 30 20 21.4 49.4 0.0033 SO8FLDFN5
NTMFS4925N N MOSFET 2.7 30 20 16.7 0.006 SO8FLDFN5
NTMFS4933N N MOSFET 2.74 30 20 34 148 0.0012 SO8FLDFN5
NTMFS4934N N MOSFET 2.72 30 20 29.1 34 0.002 SO8FLDFN5
NTMFS4935N N MOSFET 2.63 30 20 21.8 49.4 0.0032 SO8FLDFN5
NTMFS4936N N MOSFET 2.62 30 20 19.5 19 0.004 SO8FLDFN5
NTMFS4937N N MOSFET 2.6 30 20 17.1 31 0.0045 SO8FLDFN5
NTMFS4939N N MOSFET 2.58 30 20 15.7 28.5 0.0055 SO8FLDFN5
NTMFS4941N N MOSFET 2.56 30 20 15 25.5 0.0062 SO8FLDFN5
NTMFS4955N 4955N N MOSFET 2.7 30 20 2.2 16.7 150 10.8 32.7 483 0.0056
NTMFS4C01N 4C01N N MOSFET 3.2 30 20 2.2 47 150 63 68 5073 0.0009
NTMFS4C03N 4C03N N MOSFET 3.1 30 20 2.2 30 150 20.8 32 1673 0.0021
NTMFS4C09N N MOSFET 2.51 30 20 2.1 16.4 150 10.9 32 610 0.0058
NTMFS5830NL N MOSFET 3.2 40 20 28 113 0.0023 SO8FLDFN5
NTMFS5832NL N MOSFET 3.1 40 20 20 51 0.0042 SO8FLDFN5
NVMFS4C01N 4C01N N MOSFET 3.84 30 20 2.2 49 175 63 68 5073 0.0009
NVMFS4C03N 4C03N N MOSFET 3.71 30 20 2.2 31.4 175 20.8 32 1673 0.0021
NVMFS4C05N 4C05N N MOSFET 3.61 30 20 2.2 24.7 175 14 32 1215 0.0034
NVMFS5832NL V5832L N MOSFET 3.7 40 20 2.4 21 175 25 24 360 0.0042

Всего результатов: 37

Промывка…

После того, как все припаяно, остается только довести внешний вид до идеального, удалив следы канифоли и/или паяльного жира. Это нужно не только для красивости получившейся микросхемы но и для того, чтобы убедиться, что под канифолью нет случайных замыканий.

Наливаем небольшое количество чистого спирта в небольшую герметичную баночку от лекарств и закидываем туда получившуюся конструкцию.

Желательно чтобы микросхема с переходником полностью погружалась в спирт. А для более эффективной промывки, плотно закрываем баночку и трясем ей во все стороны. Так же можно сделать процесс эффективнее при помощи зубной щетки.

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

Тип Code Pol Struct Pd Uds Ugs Ugs(th) Ugs(off) Id Tj Qg Tr Cd Rds Caps
NTMFS4119N N MOSFET 6.1 30 20 30 0.0023 SO8FLDFN5
NTMFS4821N N MOSFET 2.14 30 16 13.8 0.00695 SO8FLDFN5
NTMFS4825NFE N MOSFET 2.74 30 20 29 83.6 0.002 SO8FLDFN5
NTMFS4826NE N MOSFET 2.16 30 20 15 0.0059 SO8FLDFN5
NTMFS4833N N MOSFET 2.35 30 20 26 88 0.002 SO8FLDFN5
NTMFS4833NS N MOSFET 2.31 30 20 26 36 0.0022 SO8FLDFN8
NTMFS4834N N MOSFET 2.31 30 20 21 74 0.003 SO8FLDFN5
NTMFS4835N N MOSFET 2.27 30 20 20 52 0.0035 SO8FLDFN5
NTMFS4836N N MOSFET 2.25 30 20 18 0.004 SO8FLDFN5
NTMFS4845 N MOSFET 2.27 30 16 22 25.6 0.0029 SO8FLDFN5
NTMFS4846 N MOSFET 2.25 30 16 20.3 21.8 0.0034 SO8FLDFN5
NTMFS4847N N MOSFET 2.21 30 16 18 19.2 0.0041 SO8FLDFN5
NTMFS4851 N MOSFET 2.16 30 16 15 13.5 0.0059 SO8FLDFN5
NTMFS4852N N MOSFET 2.31 30 20 25 71.3 0.0021 SO8FLDFN5
NTMFS4897N N MOSFET 2.74 30 20 29 83.6 0.002 SO8FLDFN5
NTMFS4898N N MOSFET 2.72 30 20 22.5 24.5 0.003 SO8FLDFN5
NTMFS4899N N MOSFET 2.7 30 20 17.8 25 0.005 SO8FLDFN5
NTMFS4921N N MOSFET 2.14 30 20 13.8 25 0.00695 SO8FLDFN5
NTMFS4923NE N MOSFET 2.63 30 20 21.4 49.4 0.0033 SO8FLDFN5
NTMFS4925N N MOSFET 2.7 30 20 16.7 0.006 SO8FLDFN5
NTMFS4933N N MOSFET 2.74 30 20 34 148 0.0012 SO8FLDFN5
NTMFS4934N N MOSFET 2.72 30 20 29.1 34 0.002 SO8FLDFN5
NTMFS4935N N MOSFET 2.63 30 20 21.8 49.4 0.0032 SO8FLDFN5
NTMFS4936N N MOSFET 2.62 30 20 19.5 19 0.004 SO8FLDFN5
NTMFS4937N N MOSFET 2.6 30 20 17.1 31 0.0045 SO8FLDFN5
NTMFS4939N N MOSFET 2.58 30 20 15.7 28.5 0.0055 SO8FLDFN5
NTMFS4941N N MOSFET 2.56 30 20 15 25.5 0.0062 SO8FLDFN5
NTMFS4955N 4955N N MOSFET 2.7 30 20 2.2 16.7 150 10.8 32.7 483 0.0056
NTMFS4C01N 4C01N N MOSFET 3.2 30 20 2.2 47 150 63 68 5073 0.0009
NTMFS4C03N 4C03N N MOSFET 3.1 30 20 2.2 30 150 20.8 32 1673 0.0021
NTMFS4C09N N MOSFET 2.51 30 20 2.1 16.4 150 10.9 32 610 0.0058
NTMFS5830NL N MOSFET 3.2 40 20 28 113 0.0023 SO8FLDFN5
NTMFS5832NL N MOSFET 3.1 40 20 20 51 0.0042 SO8FLDFN5
NVMFS4C01N 4C01N N MOSFET 3.84 30 20 2.2 49 175 63 68 5073 0.0009
NVMFS4C03N 4C03N N MOSFET 3.71 30 20 2.2 31.4 175 20.8 32 1673 0.0021
NVMFS4C05N 4C05N N MOSFET 3.61 30 20 2.2 24.7 175 14 32 1215 0.0034
NVMFS5832NL V5832L N MOSFET 3.7 40 20 2.4 21 175 25 24 360 0.0042

Всего результатов: 37

8-64-выв. пластмассовые DIP (N/NS) корпуса

Обозначениепо ГОСТ 17467-88 2101.8-А 2102Ю.14-В 2103Ю.16-Д 2104.18-А 2140.20-В 2142.24-А 2121.28-С 2138Ю.30-А 2123.40-С 2171Ю.42-А 2151Ю.52-А 2151Ю.56-А
Кол-во выводов, N 8 14 16 18 20 24 28 30 40 42 52 56 64
JEDEC Аналог MS-001BA MS-001AA MS-001BB MS-001 AC MS-001 AD MS-001AF MS-О11АВ MO-026BB MS-011AC MS-020AB MS-020AD MS-020AD SOT 274-1
Суффикс N N N N N N N NS N NS NS NS NS
А max 5.33 5.33 5.33 5.33 5.33 5.33 6.35 5.08 6.35 5.08 5.08 5.08 5.84
Ai min 0.38 0.38 0.38 0.38 0.38 0.38 0.38 0.51 0.38 0.51 0.51 0.51 0.51
A2 min 2.92 2.92 2.92 2.92 2.92 2.92 3.18 3.05 3.18 3.05 3.05 3.05 3.05
max 4.95 4.95 4.95 4.95 4.95 4.95 4.95 4.57 4.95 4.57 4.57 4.57 4.57
В min 0.36 0.36 0.36 0.36 0.36 0.36 0.36 0.36 0.36 0.38 0.38 0.38 0.4
max 0.56 0.56 0.56 0.56 0.56 0.56 0.56 0.58 0.56 0.56 0.56 0.56 0.53
B2 min 1.14 1.14 1.14 1.14 1.14 1.14 0.77 0.76 0.77 0.89 0.89 0.89 0.8
max 1.78 1.78 1.78 1.78 1.78 1.78 1.78 1.40 1.78 1.14 1.14 1.14 1.3
С min 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 0.23 0.23 0.23 0.23
max 0.36 0.36 0.36 0.36 0.36 0.36 0.38 0.36 0.38 0.38 0.38 0.38 0.38
D min 8.51 18.67 18.67 22.35 24.89 31.24 35.10 26.67 50.30 36.58 45.72 45.72 57.7
max 10.16 19.69 19.69 23.37 26.92 32.51 39.70 28.49 53.20 37.08 46.23 46.23 58.67
Е min 7.62 7.62 7.62 7.62 7.62 7.62 15.24 9.91 15.24 15.24 15.24 15.24 19.05
max 8.26 8.26 8.26 8.26 8.26 8.26 15.87 11.05 15.87 16.00 16.00 16.00 19.61
E1 min 6.1 6.1 6.1 6.1 6.1 6.1 12.32 7.62 12.32 12.70 12.70 12.70 16.9
max 7.11 7.11 7.11 7.11 7.11 7.11 14.73 9.40 14.73 14.48 14.48 14.48 17.2
е nom 2.54 2.54 2.54 2.54 2.54 2.54 2.54 1.778 2.54 1.778 1.778 1.778 1.778
e2 nom 7.62 7.62 7.62 7.62 7.62 7.62 15.24 10.16 15.24 15.24 15.24 15.24 19.05
L min 2.92 2.92 2.92 2.92 2.92 2.92 2.92 2.54 2.92 2.54 2.54 2.54 2.8
max 3.81 3.81 3.81 3.81 3.81 3.81 5.08 3.81 5.08 3.56 3.56 3.56 3.2
а min
max 10° 10° 10° 10° 10° 10° 10° 10° 10° 10° 10° 15° 15°

DIP8

DIP14

DIP16

CDIP16

DIP18

CDIP18

DIP20

CDIP20

DIP22

DIP24

DIP28

DIP32

DIP36

DIP40

DIP42

DIP48

DIP52

DIP64

Переходник для микросхем из SO8 в DIP8

Рассмотрим сегодня переходник из SO8 в DIP8. В готовом виде это чудо выглядит следующим образом:

По сути переходник из SO8 в DIP8 представляет собой двустороннюю печатную плату. Прелесть такого решения заключается в том, что переходник можно использовать как для SO8 так и для его еще более мелкого собрата.

Разницы какой корпус использовать нет, оба варианта можно легко припаять и превратить в DIP8. Для тех кому интересны более точные размеры:

Нумерация ножек будущей ДИП микросхемы обозначена на плате белыми цифрами. А рядом с первой ножкой мелких корпусов стоит метка, по которой следует ориентироваться при пайке.

Дешевле всего купить такие переходники для микросхем из SO8 в DIP8 на АлиЭкспресс. Конечно они продаются и во многих магазинах радиодеталей, но обычно продаются дороже, т.к. везутся они опять таки из Китая.

Как припаять микросхему к переходнику

Собственно это делается так же как и припайка микросхемы на любую другую плату. Чтобы этот процесс был нагляднее рассмотрим его на отдельном переходнике.

Все контакты платки уже залужены. Наносим капельку олова на одну из угловых площадок. Это потребуется для начальной фиксации микросхемы.

Теперь разогревая площадку паяльником устанавливаем пинцетом микросхему. Стараемся расположить ее так, чтобы она симметрично попадала своими ножками во все контактные площадки.

Когда микросхема встала как требуется — убираем паяльник и дуем. При остывании олово становится матовым. Когда это произошло можно отпустить микросхему.

Теперь можно спокойно пропаять остальные ножки. Для их пайки прикладываем паяльник к краю контактной площадки и тыкаемся оловом в ножку микросхемы. Как только капелька олова склеила ножку с площадкой, убираем паяльник.

Важно помнить, что нельзя долго греть микросхему. Крайне желательно ограничиваться 3 секундами

Иначе ее можно убить. Потрогайте пальцем, если уже не терпит, дождитесь пока микросхема остынет.

Не рекомендую использовать кислотные флюсы. Во первых их парЫ токсичны. А во вторых при плохом смывании, они начинают разъедать пайку и контакты.

Корпус BGA

BGA (Ball Grid Array) — матрица из шариков.

Корпус BGA

В корпусе BGA выводы заменены припойными шариками. На одной такой микросхеме можно разместить сотни шариков-выводов. Экономия места на плате просто фантастическая. Поэтому микросхемы в корпусе BGA применяют в производстве мобильных телефонов, планшетах, ноутбуках и в других микроэлектронных девайсах.

Микросхемы в корпусе BGA на плате мобильного телефона.

Технология BGA является апогеем микроэлектроники. В настоящее время мир перешел уже на технологию  корпусов microBGА, где расстояние между шариками еще меньше, и можно  уместить  даже тысячи(!) выводов под одной микросхемой!

Корпус 201.16-5, 201.16-6  
Корпус 201.14-1, 201.14-2 Корпус 201.14-8, 201.14-9
Корпус 201.14-10 Корпус 201.16-5, 201.16-6
Корпус 201.16-12, 201.16-16 Корпус 201.16-13, 201.16-15
   
Корпус 209.24-1  
Корпус 239.24-1, 239.24-2, 239.24-7, 239.24-6 Корпус 244.48-8, 244.48-11
Корпус 401.14-1, 401.14-4 Корпус 401.14-3
Корпус 401.14-5 Корпус 402.16-1
Корпус 402.16-7 Корпус 402.16-11
Корпус 402.16-18 Корпус 402.16-21, 402.16-32, 402.16-23, 402.16-33, 402.16-25
Корпус 402.16-34 Корпус 405.24-1, 405.24-2
Корпус 405.24-7 Корпус 2101.8-1, 2101.8-2
Корпус 2104.18-1 Корпус 2106.16-1
Корпус 2107.18-1, 2107.18-2, 2107.18-3, 2107.18-4 Корпус 2108.22-1
Корпус 2120.24-1 Корпус 2121.28-1
Корпус 2123.40-1 Корпус 2140.20-2
Корпус 4105.14-1, 4105.14-2 Корпус 4105.14-4
Корпус 4106.16-3 Корпус 4109.20-1
Корпус 4112.16-2 Корпус 4114.24-1
Корпус 4118.24-1, 4118.24-2, 4118.24-3 Корпус 4117.22-3
Корпус 4119.28-1 Корпус 4122.40-1
Корпус 4134.48-2 Корпус 4152Ю.20-1, 4153.20-6

«Четырехсторонние» корпуса типа «Н»

Корпус 4116.8-3 Корпус 4116.4-2
   
Корпус 1102.9-5 Корпус 238.18-1
   
Корпус 210.Б.24-1 Корпус 2121.28-6
   
Корпус 2123.40-6 Корпус 238.18-3
   
Корпус 301.12-1 Корпус 3107.12-1
   
Корпус 301.8-2 Корпус 3001.8-1