Производители
DataSheet от транзистора S9012 можно скачать от фирм которые занимаются их производством: SeCoS Halbleitertechnologie, Galaxy Semi-Conductor Holdings, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Jiangsu High diode Semiconductor, KEC Semiconductor, Weitron Technology, Nanjing International Group, Tiger Electronic, SHENZHEN SLS TECHNOLOGY, Diode Semiconductor Korea, Daya Electric Group, SHIKE Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor.
На отечественном рынке данные изделия представлены несколькими компаниями: Weitron Technology, KEC Semiconductor.
Технические характеристики
Транзистор S9013 (ТО-92) имеет такие максимально допустимые технические характеристики (при температуре окружающей среды +25ОС):
- максимальное напряжение между коллектором и базой VCBO (Uкб max) = 40 В;
- наибольшее допустимое напряжение между коллектор-эмиттером VCEO (Uкэ max) = 25 В;
- напряжение между эмиттером и базой максимально возможное VEBO (Uэб max) = 5 В;
- максимально возможный постоянный ток коллектора IC (Iк max) = 500 мА;
- предельно допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе РС (Рк max) = 625 мВт;
- статический коэффициент передачи тока Hfe (H21э) от 64 до 400;
- диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150ОС;
Устройства в корпусе SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания — до 300 мВт. Также стоит отметить, что параметр Uкэ max у современных производителей может немного отличатся на ± 5 В.
Электрические
Теперь перейдем к рассмотрению электрических значений S9013. Они так же приведены с учетом температуры окружающего воздуха до +25ОС. Показатели дополнительных параметров, при которых производителем проводились измерения, представлены отдельным столбцом. Эти данные свойственны всем транзисторам данного вида, не зависимо от типа корпуса.
Классификация
В зависимости от статического коэффициента передачи по току (hfe) при VCE (Uкэ) = 1В и IC (Iк) =50 мА, рассматриваемое устройство подразделяют на семь классов: D (64-91); Е (78-112); F (96-135); G (112-166); H (144-202); I (190-300), J (300-400). Как видно из классификации, максимальным hfe обладают транзисторы S9013I и S9013J. В продаже наиболее чаще встречаются S9013H и S9013G, реже S9013D.
Аналоги
У транзистора S9013 отсутствуют полные аналоги. SS9013, C9013, MMBT9013, KTC9013 не в счёт, так как они фактически тоже самое, просто с другой маркировкой. На наш взгляд эта лучшая альтернатива рассматриваемому устройству. Но если таких нет, то можно использовать в качестве замены другие, например: S8050, 2N3904, 2N4401, BC547, BC337, 2N2222 и т. д.
Наиболее подходящим российским аналогом можно считать КТ530. Однако он имеет другую цоколевку (Э Б К), поэтому будьте внимательны при замене. В таком качестве можно рассмотреть также, незначительно отличающуюся по параметрам, отечественную серию КТ680.
Комплементарная пара
Рекомендуемой комплементарной парой, со структурой p-n-p, для рассматриваемого прибора является транзистор S9012.
Аналоги
Транзисторов которые были бы полным аналогом S9013 нет, но можно попытаться заменить его на такие зарубежные устройства:
- 2SC1008;
- KSC1008;
- KSP42;
- KSP43;
- MPSA42;
- MPSA43;
- MPSW05;
- ZTX457.
При замене нужно быть осторожным и перед принятием решения ознакомиться с технической документацией и после этого решать, подойдёт ли данный конкретный транзистор для замены. В качестве аналога также можно использовать отечественный КТ580, но он имеет другую распиновку. Также вместо S9013 можно попытаться установить КТ680, но к него немного другие параметры. Имеется также комплементарной пара – S9012.
Корпус и цоколевка
Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:
- SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
- ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.
По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.
Особенности и применение транзистора
Анализ технических характеристик позволяет сделать вывод, что данный радиокомпонент является высокочастотным транзистором общего применения средней мощности. В первую очередь, об этом свидетельствуют высокие значения коллекторного тока – до 0,5А и характерной для корпуса ТО-92 рассеиваемой мощностью – 0,63Вт
Особое внимание стоит уделить коэффициенту усиления hFE. Его характеристика обладает хорошей линейностью, а предельная частота составляет 140МГц
Сочетание этих параметров в одном компоненте позволяет использовать его в выходных каскадах радиостанций небольшой мощности, до 1Вт. Вместе с тем, S9013 достаточно широко применяется в дискретных схемах и переключающих устройствах соответствующей мощности.
Свойства транзистора и его надежность хорошо известны профессионалам и радиолюбителя. Он широко применяется в электротехнической промышленности и радиолюбительской практике.
Биполярный транзистор KST9013C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KST9013C
Маркировка: J3Y.
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 144
Корпус транзистора:
KST9013C
Datasheet (PDF)
0.1. kst9013c.pdf Size:388K _kexin
SMD Type ICSMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST9013CSOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4-0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A12+0.1+0.050.95-0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO 40 VCollector — Emitter Voltag
7.1. kst9013.pdf Size:987K _kexin
SMD Type TransistICsSMD Type orSMD TypeNPN TransistorsKST9013SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A1 2+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO 40 VCollector — Emitter Voltage
8.1. kst9012c.pdf Size:137K _kexin
SMD Type TransistorsSMD Type ICSMD TypePNP TransistorsKST9012CSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesExcellent hFE liearityCollector Current :IC=-0.5A 12+0.050.95+0.1-0.1 0.1-0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO -40 VCollector — Emitter Voltag
8.2. kst9015-d.pdf Size:1068K _kexin
SMD Type TransistorsSMD TypePNP TransistorsKST9015-DSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=-0.1A1 2Complementary to KST9014-D+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollect
8.3. kst9012.pdf Size:925K _kexin
SMD Type orSMD Type TransistICsSMD TypePNP TransistorsKST9012SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE liearityCollector Current :IC=-0.5A 1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO -40 VCollector — Emitter Volta
8.4. kst9014-d.pdf Size:1021K _kexin
SMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST9014-DSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.1A1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.01Complementary to KST9015-D1.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-E
8.5. kst9015.pdf Size:971K _kexin
SMD Type TransistorsSMD TypePNP TransistorsKST9015SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesComplementary to KST90141 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -45 VEmitter-Base Voltage VEBO —
8.6. kst9014.pdf Size:925K _kexin
SMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST9014SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.1A1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 45 VEmit
8.7. kst9018.pdf Size:515K _kexin
SMD Type SMD Type Tra n s i s to rs ICSMD TypeNPN TransistorsKST9018SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features Features High current gain bandwidth product. 1 2+0.1+0.05 power dissipation.(PC=200mW) 0.95 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating UnitCol
Другие транзисторы… MMBT4401W
, MMBT491
, MMBT493
, MMBT5401W
, MMBT5551W
, MMBT591
, MMBT593
, MMBT619
, TIP122
, MMBTA92W
, MMDT4944
, PZT13003
, S8050T
, S8550T
, S9012T
, S9013T
, S9014T
.
2SC9013 Datasheet (PDF)
0.1. 2sc9013.pdf Size:84K _usha
Transistors2SC9013Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor
8.1. 2sc9014.pdf Size:76K _usha
Transistors2SC9014
8.2. 2sc9018.pdf Size:77K _usha
Transistors2SC9018This datasheet has been downloaded from:www.DatasheetCatalog.comDatasheets for electronic components.
8.3. 2sc9014.pdf Size:222K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC9014DESCRIPTIONHigh total power dissipationHigh hFE and good linearityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switching and amplificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 50 VCBOV Coll
Биполярный транзистор 2SC9013 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC9013
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 64
Корпус транзистора:
2SC9013
Datasheet (PDF)
0.1. 2sc9013.pdf Size:84K _usha
Transistors2SC9013Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor
8.1. 2sc9014.pdf Size:76K _usha
Transistors2SC9014
8.2. 2sc9018.pdf Size:77K _usha
Transistors2SC9018This datasheet has been downloaded from:www.DatasheetCatalog.comDatasheets for electronic components.
8.3. 2sc9014.pdf Size:222K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC9014DESCRIPTIONHigh total power dissipationHigh hFE and good linearityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switching and amplificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 50 VCBOV Coll
Другие транзисторы… MMBT4401W
, MMBT491
, MMBT493
, MMBT5401W
, MMBT5551W
, MMBT591
, MMBT593
, MMBT619
, TIP122
, MMBTA92W
, MMDT4944
, PZT13003
, S8050T
, S8550T
, S9012T
, S9013T
, S9014T
.
Зависимость тока коллектора от выходного напряжения
На графике представлена выходная вольтамперная характеристика биполярного транзистора. Он интересен тем, что на форму кривых влияют практически все основные электрические параметры полупроводникового элемента. Семейство линий представляет собой ступенчатое открытие транзистора по мере увеличения тока базы. Это активный (усилительный) режим работы элемента. На графике это последовательность практически горизонтальных линий, свидетельствующих о нарастании тока коллектора с ростом тока базы.
Режим отсечки на графике – это область, граничащая с осью Х (напряжение коллектор-эмиттер). Транзистор закрыт – ток коллектора практически отсутствует.
Режим насыщения – это вертикальная зона семейства кривых, в непосредственной близости от оси Y. Падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер минимально.
Технические характеристики
Рассмотрим предельно допустимые характеристики транзистора S9013. При их превышении транзистор выйдет из строя. Они были измерены при температуре +25°С и представлены ниже в списке:
- напряжение К-Б VCBO (Uкб max) = 40 В;
- напряжение К-Э VCEO (Uкэ max) = 25 В;
- напряжение Э-Б VEBO (Uэб max) = 5 В;
- постоянный ток коллектора IC (Iк max) = 500 мА;
- мощность, рассеиваемая на коллекторе:
- для корпуса ТО-92 РС (Рк max) = 625 мВт;
- для корпуса SOT-23 РС (Рк max) = 300 мВт
- диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150°С;
- максимальная температура кристалла Tj = 150°С.
Теперь перейдём к рассмотрению электрических параметров S9013. Они также важны, так как от них тоже зависят возможности транзистора. Их тестирование проводилось при температуре +25°С. Остальные параметры измерения можно найти в колонке «Условия измерения».
| Электрические характеристики транзистора S9013 (при Т = +25°C) | ||||||
| Параметры | Обозн. | Условия измерения | min | typ | max | Ед. изм |
| Пробивное напряжение К –Э | Uкэ(проб.) (V (BR)CBO ) | IК = 100 мкA, IЭ=0 | 40 | В | ||
| Пробивное напряжение К – Б | Uкб(проб.) (V (BR)CЕO ) | IК= 1 мA, IЭ=0 | 25 | В | ||
| Пробивное напряжение Э – Б | Uэб(проб.) (V (BR)ЕВO ) | IЭ=100 мкA, IК=0 | 5 | В | ||
| Обратный ток К — Б | Iкбо (ICBO) | Uкб = 40 В, IЭ = 0 | 0,1 | мкА | ||
| Обратный ток К — Э | Iкэо (ICЕO) | Uкб = 20 В, IЭ = 0 | 0,1 | мкА | ||
| Обратный ток эмиттера | Iэбо (IЕВO) | Uэб= 5 В, IК=0 | 0,1 | мкА | ||
| Статический к-т передачи тока | h21э | IК= 50 мA, Uкэ= 1 В | 64 | |||
| IК= 500 мA, Uкэ= 1 В | 40 | |||||
| Напряжение насыщения К — Э | Uкэ(нас.) (VCE(sat)) | IК= 500 мA, IБ= 50 мA | 0,6 | В | ||
| Напряжение насыщения Б — Э | Uбэ(нас.) (VВE(sat)) | IК= 500 мA, IБ= 50 мA | 1,2 | В | ||
| Граничная частота к-та передачи тока | fгр | Uкэ= 6 B,IК= 20 мA | 150 | МГц |
Кроме этого, производители дополнительно делят транзисторы S9013 на семь классов, в зависимости от статического к-та усиление по току (hfe):
- D — hfe от 64 до 91;
- E — hfe от 78 до 112;
- F — hfe от 96 до 135;
- G — hfe от 112 до 166;
- H — hfe от 144 до 202;
- I — hfe от 190 до 300;
- J — hfe от 300 до 400.
Технические характеристики
При проектировании нового электронного устройства в первую очередь следует обратить внимание на предельно допустимые характеристики используемых транзисторов. Если один или несколько значений превысят их, то прибор выйдет из строя
Поэтому надо чтобы рабочие значения параметров при эксплуатации были на 20 % меньше максимальных. Для S9012, согласно технической документации от разных производителей, они имеют такие величины:
- наибольшее возможное напряжение между коллектором и базой VCBO (Uкб max) = -40 В;
- предельно допустимое напряжение между коллектором и эмиттером VCEO (Uкэ max) = -25 В;
- максимально возможное напряжение между эмиттером и базой VEBO (Uэб max) = -5 В;
- предельно возможный постоянный ток коллектора IC (Iк max) = -500 мА;
- максимально допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе РС (Рк max) = 625 мВт;
- наибольшая возможная температура на кристалле TС до +150ОС;
- диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150ОС;
Выше приведены данные для изделий, выполненных в корпусе ТО-92. Устройства в SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания 300 мВт. Некоторые фирмы-производители в своей документации пишут разные значения для максимального напряжения коллектор-эмиттер VCEO (Uкэ max). Например у компании Nanjing International Group оно равно 30 В, а у фирмы Tiger Electronic – 20 В.
Электрические параметры
Рассмотрим электрические параметры S9012. Они не менее важны для инженера, занимающегося разработкой устройств на данном транзисторе. Их значения также тестировались в лаборатории при температуре +25ОС:
Классификация по hfe
Транзистор S9012 делится на несколько классов, в зависимости от коэффициента передачи тока hfe1 измеренного, при VCE (Uкэ) = 1В и IC (Iк) =50 мА. Большинство компаний подразделяют свои изделия на три класса: L с коэффициентом передачи тока от 120 до 200, H от 200 до 350 и J от 300 до 400. Однако некоторые, например Jiangsu High diode Semiconductor (для своей продукции в корпусе ТО-92) и Weitron Technology делят свои изделия на шесть категорий:
| Категория | D | E | F | G | H | I |
|---|---|---|---|---|---|---|
| hfe1 | 64-91 | 78-112 | 96-135 | 112-166 | 144-202 | 190-300 |
Комплементарная пара
У рассматриваемого устройства существует комплементарная пара, рекомендуемая всеми фирмами-производителями — S9013.
Аналоги и комплементарная пара
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| S9013 | 25 | 0,5 | 0,625 | 64 | 150 |
| Отечественное производство | |||||
| КТ315Г | 35 | 0,1 | 0,15 | 50 | 250 |
| КТ3102А | 50 | 0,1 | 0,25 | 100 | 150 |
| КТ680А | 25 | 0,6 | 0,35 | 85 | 120 |
| Импорт | |||||
| 2SC1008 | 60 | 0,75 | 0,75 | 60 | 100 |
| BC537 | 60 | 1 | 0,625 | 50 | 120 |
| BC538 | 80 | 1 | 0,625 | 50 | 120 |
| KSC1008 | 60 | 0,7 | 0,8 | 40 | 30 |
| KSC1009 | 140 | 0,7 | 0,8 | 40 | 30 |
| KSP05 | 60 | 0,5 | 0,625 | 50 | 100 |
| KSP06 | 80 | 0,5 | 0,625 | 50 | 100 |
| KSP42 | 300 | 0,5 | 0,625 | 40 | 50 |
| KSP43 | 200 | 0,5 | 0,625 | 40 | 50 |
| MPS6532 | 30 | 0,6 | 0,31 | 30 | 200 |
| MPSA42 | 300 | 0,5 | 0,625 | 25 | 50 |
| MPSA43 | 200 | 0,5 | 0,625 | 25 | 50 |
| MPSW01A | 40 | 1 | 1 | 50 | 50 |
| MPSW01AG | 50 | 1 | 1 | 60 | 50 |
| MPSW05 | 60 | 0,5 | 1 | 60 | 50 |
| MPSW05G | 60 | 0,5 | 1 | 60 | 50 |
| MPSW06 | 80 | 0,5 | 1 | 80 | 50 |
| MPSW06G | 80 | 0,5 | 1 | 60 | 50 |
| MPSW42 | 300 | 0,5 | 1 | 40 | 50 |
| MPSW42G | 300 | 0,5 | 1 | 40 | 50 |
Примечание: все характеристики транзисторов аналогов взяты из даташип производителя.
Для комплементарной пары рекомендуется использовать транзистор прямой проводимости S9012.
STS9013 Datasheet (PDF)
0.1. sts9013.pdf Size:197K _auk
STS9013NPN Silicon TransistorDescriptions PIN Connection General purpose application. C Switching application. BFeatures Excellent hFE linearity. E Complementary pair with STS9012 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9013 STS9013 TO-92 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Ratings UnitCollector-B
8.1. sts9012.pdf Size:106K _auk
STS9012SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescription General purpose application. Switching application.Features Excellent hFE linearity. Complementary pair with STS9013Ordering InformationType NO. Marking Package Code STS9012 STS9012 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.50.12.250.10.40.022.060.11.27 Typ.2.54
8.2. sts9015.pdf Size:97K _auk
STS9015SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescription General purpose application. Switching application.Features Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1mA) / hFE(IC=2mA) = 0.95(Typ.) Low noise : NF = 10dB(Max.) Complementary pair with STS9014Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9015 STS9015 TO-92 Outline Dimensions uni
8.3. sts9014.pdf Size:207K _auk
STS9014NPN Silicon TransistorDescription PIN Connection General purpose application C Switching application Features B Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92A
8.4. sts9018.pdf Size:232K _auk
STS9018NPN Silicon TransistorDescription PIN Connection High frequency low noise amplifier application C VHF band amplifier application BFeatures Low noise figure : NF = 4dB(Max.) at f=100MHz High transition frequency fT = 800MHz(Typ.) E TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9018 STS9018 TO-92 Absolute maximum ratings T
8.5. gsts9014lt1.pdf Size:221K _globaltech_semi
GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q
Биполярный транзистор STS9013 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STS9013
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 96
Корпус транзистора:
STS9013
Datasheet (PDF)
0.1. sts9013.pdf Size:197K _auk
STS9013NPN Silicon TransistorDescriptions PIN Connection General purpose application. C Switching application. BFeatures Excellent hFE linearity. E Complementary pair with STS9012 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9013 STS9013 TO-92 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Ratings UnitCollector-B
8.1. sts9012.pdf Size:106K _auk
STS9012SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescription General purpose application. Switching application.Features Excellent hFE linearity. Complementary pair with STS9013Ordering InformationType NO. Marking Package Code STS9012 STS9012 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.50.12.250.10.40.022.060.11.27 Typ.2.54
8.2. sts9015.pdf Size:97K _auk
STS9015SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescription General purpose application. Switching application.Features Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1mA) / hFE(IC=2mA) = 0.95(Typ.) Low noise : NF = 10dB(Max.) Complementary pair with STS9014Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9015 STS9015 TO-92 Outline Dimensions uni
8.3. sts9014.pdf Size:207K _auk
STS9014NPN Silicon TransistorDescription PIN Connection General purpose application C Switching application Features B Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92A
8.4. sts9018.pdf Size:232K _auk
STS9018NPN Silicon TransistorDescription PIN Connection High frequency low noise amplifier application C VHF band amplifier application BFeatures Low noise figure : NF = 4dB(Max.) at f=100MHz High transition frequency fT = 800MHz(Typ.) E TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9018 STS9018 TO-92 Absolute maximum ratings T
8.5. gsts9014lt1.pdf Size:221K _globaltech_semi
GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q
Другие транзисторы… MMBT4401W
, MMBT491
, MMBT493
, MMBT5401W
, MMBT5551W
, MMBT591
, MMBT593
, MMBT619
, TIP122
, MMBTA92W
, MMDT4944
, PZT13003
, S8050T
, S8550T
, S9012T
, S9013T
, S9014T
.
Характеристики (предельные значения)
| Параметр | Обозначение | Максимальное значение |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор-база | VCBO | 40В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | VCEO | 20В |
| Напряжение эмиттер-база | VEBO | 5В |
| Ток коллектор | IC | 0,5А |
| Постоянная рассеиваемая мощность | PС | 0,63Вт |
| Температурный диапазон | Tmin-max | от −55 до 150 град. Цельсия |
| Напряжение пробоя коллектор-база | BVCBO | 40В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | BVCEO | 20В |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | BVEBO | 5В |
| Обратный ток коллектора | ICBO | 100нА |
| Обратный ток эмиттера | IEBO | 100нА |
| Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =50мА) | hFE1 | от 64 до 202, тип. 120 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =500мА) | hFE2 | 120 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE (нас) | 0,6В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | VBE (нас) | 1,2В |
| Напряжение база-эмиттер | VBE (on) | 0,7В |
KST9013C Datasheet (PDF)
0.1. kst9013c.pdf Size:388K _kexin
SMD Type ICSMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST9013CSOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4-0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A12+0.1+0.050.95-0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO 40 VCollector — Emitter Voltag
7.1. kst9013.pdf Size:987K _kexin
SMD Type TransistICsSMD Type orSMD TypeNPN TransistorsKST9013SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A1 2+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO 40 VCollector — Emitter Voltage
8.1. kst9012c.pdf Size:137K _kexin
SMD Type TransistorsSMD Type ICSMD TypePNP TransistorsKST9012CSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesExcellent hFE liearityCollector Current :IC=-0.5A 12+0.050.95+0.1-0.1 0.1-0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO -40 VCollector — Emitter Voltag
8.2. kst9015-d.pdf Size:1068K _kexin
SMD Type TransistorsSMD TypePNP TransistorsKST9015-DSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=-0.1A1 2Complementary to KST9014-D+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollect
8.3. kst9012.pdf Size:925K _kexin
SMD Type orSMD Type TransistICsSMD TypePNP TransistorsKST9012SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE liearityCollector Current :IC=-0.5A 1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO -40 VCollector — Emitter Volta
8.4. kst9014-d.pdf Size:1021K _kexin
SMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST9014-DSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.1A1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.01Complementary to KST9015-D1.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-E
8.5. kst9015.pdf Size:971K _kexin
SMD Type TransistorsSMD TypePNP TransistorsKST9015SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesComplementary to KST90141 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -45 VEmitter-Base Voltage VEBO —
8.6. kst9014.pdf Size:925K _kexin
SMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST9014SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.1A1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 45 VEmit
8.7. kst9018.pdf Size:515K _kexin
SMD Type SMD Type Tra n s i s to rs ICSMD TypeNPN TransistorsKST9018SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features Features High current gain bandwidth product. 1 2+0.1+0.05 power dissipation.(PC=200mW) 0.95 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating UnitCol
Основные технические характеристики
Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:
- Тип проводимости транзистора NPN;
- Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
- Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
- Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
- Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
- Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
- Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft)100 МГц (MHz)
- Максимально допустимое обратное напряжении на коллекторном переходе (Collector-Base Voltage) U КБ макс .(VCBО ) не более 40 В (V);
- Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) от 85 до 300 hFE;
- Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО(ICBO) у транзистора S8050 не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
- Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40 В (V) и отключенном эммитере (IЭ (IE)=0);
- Максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 65 до +150 градусов (C).
Аналоги и описание
Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.
Полезная информация:
- Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
- Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
- Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
- Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.
Применение
Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:
- Реле;
- Светодиоды;
- Лампочками и т.д.
Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.
