Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315
Отечественный транзистор | Зарубежный аналог | Возможность купить | Предприятие производитель | Страна производитель |
КТ315А | BFP719 | нет | Unitra CEMI | Польша |
КТ315Б | BFP720 | нет | Unitra CEMI | Польша |
КТ315В | BFP721 | нет | Unitra CEMI | Польша |
КТ315Г | BFP722 | нет | Unitra CEMI | Польша |
КТ315Д | 2SC641 | есть | Hitachi | Япония |
КТ315Е | 2N3397 | есть ~ 4$ | Central Semiconductor | США |
КТ315Ж | 2N2711 | есть ~ 9$ | Sprague electric corp. | США |
BFY37, BFY37i | есть | ITT Intermetall GmbH | Германия | |
КТ315И | 2SC634 | есть ~ 16$ | New Jersey Semiconductor | США |
есть | Sony | Япония | ||
КТ315Н | 2SC633 | есть ~ 1$ | Sony | Япония |
КТ315Р | BFP722 | нет | Unitra CEMI | Польша |
Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония. Транзисторы 2SC545, 2SC546 также можно приобрести, ориентировочная цена составляет около 6$.
Транзисторы — купить. или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Технические характеристики
Как уже писалось ранее, неплохие технические характеристики КТ827А обеспечиваются его составной структурой. Как известно коэффициент усиления по току (h21Э) в такой схеме очень высокий. Фактически он представляет собой произведение h21Э двух транзисторов находящихся в ней. В нашем случае h21Э находится в диапазоне от 750 до 18000, а его типовое значение для большинства подобных устройств составляет около 5000.
Рассмотрим подробнее предельно допустимые режимы эксплуатации КТ827А:
- напряжение между выводами: К-Э постоянное до 100 В (при RЭБ = 1 кОм); К-Э импульсное до 100 В (при tФ=2 мкс); Э-Б до 5 В;
- ток коллектора (IК): постоянный до 20 А; импульсный до 40 А;
- ток базы до 500 мА;
- мощность рассеиваемая на коллекторе (PК макс) до 125 Вт (при TК от -60 до +25 оС);
- температура p-n-перехода (ТК) до +200 оС;
- тепловое сопротивление кристалл-корпус (RТ П-К) до 4 °С/Вт (при UКЭ= 10 В, IК = 12.5 А);
- диапазон рабочих температур вокруг корпуса (TОКР.) от -60 до +100 °C.
Превышение предельных значений или длительная эксплуатация в максимальных режимах приводит к выходу устройства из строя. Для расчета предельно возможной PК макс, при превышении TК более 25 оС, используют следующую формулу PК макс = (200-ТК)/1.4 Вт.
Электрические
Теперь приведем таблицу электрических параметров КТ827А. В ней указаны минимальные и максимальных значения характеристик для этого транзистора с учетом различных режимов измерений, при выпуске устройства производителем. Температура ТК, при этом составляет не более 25 оС.
Аналоги
Для КТ827А очень сложно найти аналог как среди отечественных, так и импортных компонентов. Полностью идентичных транзисторов с соответствующими физическими и электрическими свойствами не существует. На многих интернет-форумах возможной заменой указывают TIP142 (STMicroelectronics). Он похож по своей мощности (до 125 Вт) и типу корпуса, однако имеет меньший максимальный коллекторный ток 10 А и напряжение насыщения К-Э -3 В
Из российских аналогов рекомендуем обратить внимание на КТ8105А, но его найти в продаже проблематично
В связи с трудностями в поисках достойной замены, многие радиолюбители прибегают к использованию вместо КТ827А его эквивалентной схемы. Состав её радиоэлектронных компонентов небольшой. Пару Дарлингтона составляют два биполярных транзистора из серии КТ815 и КТ819. Маломощный диод Д223А можно заменить на импульсные КД521 или КД522.
Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком
Тип транзистора | Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса | Маркировочная метка на торце корпуса |
KT315A1 | Треугольник зеленого цвета | Точка красного цвета |
KT315Б1 | Треугольник зеленого цвета | Точка желтого цвета |
KT315В1 | Треугольник зеленого цвета | Точка зеленого цвета |
KT315Г1 | Треугольник зеленого цвета | Точка голубого цвета |
KT315Д1 | Треугольник зеленого цвета | Точка синего цвета |
KT315Е1 | Треугольник зеленого цвета | Точка белого цвета |
KT315Ж1 | Треугольник зеленого цвета | Две точки красного цвета |
KT315И1 | Треугольник зеленого цвета | Две точка желтого цвета |
KT315Н1 | Треугольник зеленого цвета | Две точки зеленого цвета |
KT315Р1 | Треугольник зеленого цвета | Две точки голубого цвета |
Указания по применению и эксплуатации транзисторов
Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.
Зарубежные прототипы
- КТ815Б — BD135
- КТ815В — BD137
- КТ815Г — BD139
14 thoughts on “ КТ815 параметры ”
Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше
Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая
Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.
Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.
Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».
На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм
Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.
Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…
Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.
Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).
По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.
Транзистор КТ815 (n-p-n типа).
КТ815 — кремниевый биполярный n-p-n транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126, либо в корпусе D-PAK для поверхностного монтажа (в наименовании суффикс 9, например, КТ815А9).
Назначение: КТ815 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.
Типы: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г
Комплементарная пара: КТ814 (pnp транзистор с такими же характеристиками)
Аналог: BD135, BD137, BD139
Цоколевка КТ815: Э-К-Б , смотри рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)
Технические характеристики
Первое, на что стоит обратить внимание при подборе транзистора для замены или проектировании новой схемы, это предельные эксплуатационные данные. Превышение их недопустимо даже в течение небольших промежутков времени
Также устройство не сможет долго функционировать при значениях параметров равных максимальным. Для КТ827А эти характеристики равны:
- наибольшее допустимое напряжение между К-Э действующее на протяжении длительного времени ( при сопротивлении Б – Э равном RБЭ = 1000 Ом) – 100 В;
- максимально возможное напряжение (действующее постоянно или длительное время) между К-Э – 100 В;
- предельное импульсное напряжение действующее между К-Э (при tФ = 0,2 мкс) – 100 В;
- наибольшее возможное постоянно действующее напряжение между Э — Б – 5 В;
- максимально допустимый ток через коллектора (действующий на протяжении длительного времени) – 20 А;
- наибольший кратковременный ток через коллектора – 40 А;
- максимальный длительный ток через базу – 0,5 А;
- предельно допустимый кратковременный ток через базу – 0,8 А;
- максимальная постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе при (ТК = -60 … +25ОС) – 125 Вт;
- тепловое сопротивление между переходом и корпусом – 1,4 ОС /Вт;
- наибольшая возможная температура перехода – +200ОС;
- рабочий диапазон температур окружающего воздуха – -60 … +100ОС.
При конструировании схем кроме максимальных значений следует также обращать внимание на электрические параметры. Из таблицы, которая находится ниже по тексту, можно узнать их основные величины
Условия тестирования приведены в столбце под названием «Режимы измерения». Наибольшие и наименьшие значения, полученные во время измерения, находятся в колонках «min» и «max».
Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | max | Ед. изм |
Статический к-т передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером | UКЭ = 3 В, IК= 10 A, ТК = 25ОС
Т = ТК макс ТК = — 60ОС UКЭ = 3 В, IК= 20 A |
h21Э | 750
750 100 100 |
6000 3500 |
|
Граничная частота к-та передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером | UКЭ = 3 В, IК= 10 A | fгр | 4 | МГц | |
Напряжение насыщения перехода К-Э | IК = 10 A, IБ = 40 мA
IК = 20 A, IБ = 200 мA |
UКЭнас | 1
1,8 |
2
3 |
В
В |
Напряжение насыщения перехода Б-Э | IК = 20 A, IБ = 200 мA | UБЭнас | 2,6 | 4 | В |
Входное напряжение Б-Э | IК= 10 A, UКЭ = 3 В | 1,6 | 2,8 | В | |
Время включения | IК= 10 A, IБ = 40 мA | tвкл | 0,3 | 1 | мкс |
Время выключения | IК= 10 A, IБ = 40 мA | tвыкл | 3 | 6 | мкс |
Время рассасывания | IК= 10 A, IБ = 40 мA | tрас | 2 | 4,5 | мкс |
Обратный ток К-Э, | UКЭ = UКЭ макс RБЭ = 1000 Ом
Т = +25 и — 60ОС Т = ТК макс |
IКЭO |
3 5 |
мА мА |
|
Обратный ток через эмиттер | UЭБ = 5 В | IЭБО | 2 | мА | |
Емкость коллекторного перехода | UКБ = 10 В | cк | 200 | 400 | пФ |
Емкость эмиттерного перехода | UЭБ = 5 В | cк | 160 | 350 | пФ |
Цветомузыкальная приставка на П213.
Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.
Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.
Меры безопасности
Меры предосторожности при монтаже подобных устройств стандартные и обычно не вызывают вопросов у начинающих радиолюбителей. В техописании указывается на недопустимость давления на корпус при осуществлении изгибов металлических выводов
Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки. Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд.
Не стоит превышать предельно допустимые эксплуатационные параметры, указанные в техописании, при работе устройства. При длительной эксплуатации на максимальных значениях оно может выйти из строя.