Характеристики транзистора кт818г

Технические характеристики

Сначала рассмотрим предельно допустимые характеристики. В них приведены максимальные значения, превышать которые нельзя, так как транзистор выйдет из строя. Стандартная температура, при которой производились измерения равна 25°С. Вот они:

  • напряжение К-Б:
  • 2Т819(А) UКБ max = 25 В;
  • 2Т819(Б) UКБ max = 40 В;
  • 2Т819(В_ UКБ max = 60 В;
  • напряжение К-Э (RБЭ ≤ 100 Ом, Т = Тмин – 323 К)
  • КТ819(А, АМ) UКЭ max = 40 В;
  • 2Т819(Б) UКЭ max = 80 В;
  • КТ819(Б, БМ) UКЭ max = 50 В;
  • КТ819(В, ВМ) UКЭ max = 70 В;
  • 2Т819(В) UКЭ max = 60 В
  • 2Т819(А), КТ819(Г, ГМ) UКЭ max = 100 В.
  • напряжение Б-Э UЭБ max = 5 В;
  • постоянный ток через коллектор
  • КТ819(А, Б, В, Г) IK max = 10 А;
  • 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) IK max = 15 А.
  • импульсный ток через коллектор (tи < 10 мс. Q ≥ 100)
  • КТ819(А, Б, В, Г) IК , и max = 15 А;
  • 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) IК , и max = 20 А.
  • ток через базу IБ max = З А;
  • импульсный через ток базу (tи < 10 мс, Q > 100) IБ и max = 5 А;
  • мощность (с теплоотводом при Тк ≤ 298 К)
  • КТ819(А, Б, В, Г) PK Т max = 60 Вт;
  • 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) PK Т max = 100 Вт.
  • мощность (без теплоотвода при Тк ≤ 298 К)
  • КТ819(А, Б, В, Г) PK = 1,5 Вт;
  • 2Т8І9(А, Б, В) PK = 3 Вт;
  • КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) PK = 2 Вт.
  • т-ра перехода
  • 2Т8І9(А, Б, В) Tп= 423 К;
  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) Tп = 398 К.

Для того, чтобы понять возможности транзистора, нужно рассмотреть также и его электрические характеристики. Они так же, как и в предыдущем случае измерялись при температуре +25°С. Все остальные параметры приведены рядом с результатами тестирования.

  • граничное напряжение (IК = 0,1 А, tИ ≤ 300 мкс, Q ≥ 100)
  • KT8I9(A, АМ) UКЭОгр ≤ 25 В;
  • КТ819(Б, БМ), 2Т819(В) UКЭО гр ≤ 40 В;
  • КТ819(В, ВМ), 2Т819(Б) UКЭО гр ≤ 60 В;
  • КТ819(Г, ГМ), 2Т819(А) UКЭО гр ≤ 60 В.
  • напряжение насыщения К – Э

при IК = 5 А, IБ = 0,5 А:

  • 2Т8І9(А, Б, В) UКЭ нас = 1 В;
  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) UКЭ нас = 2 В.

при IК = 20 А, IБ = 4 А:

2Т8І9(А, Б, В) UКЭ нас = 5 В;

при IК = 15 А, IБ = 3 А:

  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) UКЭ нас = 4 В.
  • напряжение насыщения база-эмиттер (IК = 5 А, IБ = 0,5 А)
  • 2Т8І9(А, Б, В) UБЭ нас = 1,5 В;
  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) UБЭ нас = 3 В.
  • Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ (UКБ = 5 В, IК = 5 А),

при Т = 298 К и Т= Тк макс:

  • 2Т8І9(А, Б, В) h21э = 20;
  • KT8I9(A, В, AM, ВМ) h21э = 15;
  • КТ819(Б, БМ) h21э = 20;
  • КТ819(Г, ГМ) h21э = 12.

при Т =213 К:

2Т8І9(А, Б, В) h21э = 9;

при Т = 233 К

  • KT8I9(A, В, AM, ВМ) h21э = 10;
  • КТ819(Б, БМ) h21э = 15;
  • КТ819(Г,(ГМ) h21э = 7.
  • частота к-та передачи в схеме с ОЭ при UКБ=5 В, Iэ = 05 А fгр = 3 (min), 5 (typ), 12 (max) МГц;
  • время выкл. (IК = 5 А, IБ = 0,5 А) tвкл = 2,5 мкс;
  • ёмкость на коллекторе (UКБ=5 В) cк = 360 (min), 600 (typ), 1000 (max) пФ;
  • пробивное напряжение К-Б (Т = 213 — 298 К, IК,= 1 мА)
  • 2Т819(А) UКБО проб = 100 В;
  • 2Т8І9(Б) UКБО проб = 80 В;
  • 2T8I9(B) UКБО проб = 60 В.
  • Обратный ток через коллектор при (UКБ =40 В)
  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) IКБО = 1 мА.

Технические характеристики

КТ818Г является самым мощным транзистором в своей серии, если не брать во внимание устройства в металлостеклянном корпусе. Среди своих собратьев он способен выдерживать наибольшее возможное напряжение между коллектором (К) и эмиттером (Б) (Uкэ макс), однако имеет самый низкий коэффициент усиления по току (H21э)

Далее рассмотрим максимальные параметры поподробнее.

Максимальные параметры

Максимальные параметры КТ818Г:

  • постоянное напряжение: К-Э Uкэ макс до 90 В (при Rэб < 1 кОм); К-Б Uкб макс до 90 В; Э-Б Uкэ макс до 5 В;
  • коллекторный ток: Iк до 10 А; импульсный Iкимп. до 15 А;
  • ток базы: Iб до 3 А; импульсный Iбимп. до 5 А;
  • рассеиваемая мощность ограничена корпусом (при ТКорп. до +25 oC)  Pк макс до 1,5 Вт; до 60 Вт (с радиатором);
  • диапазон температур окружающей среды (Токр. среды): -40 … +100 oC;
  • температура кристалла до +125 oC.

Превышение указанных максимальных параметров недопустимо, чаще всего приводит к порче и выходу устройства из строя

Для переменного тока длительность импульса (tи) должна быть менее 10 мс, а скважности (Q) более 100

Для предотвращения перегрева устройства, особенно при больших нагрузках, желательно применение радиатора. В случае превышения ТКорп. более +25 oC рассеиваемая на коллекторе мощность  Pк макс  снижается линейно на 0,015 Вт/ oC, с применением теплоотвода на 0,6 Вт/оС.

При монтаже на плату, находящуюся под напряжением, вывод базы (Б) должен паяться в первую очередь, а отпаиваться в последнюю. Допустимый статический потенциал до 1 кВ.

Электрические параметры

Ниже представлены основные электрические характеристики взятые из даташит на КТ818Г белорусского предприятия электронной промышленности ОАО «Интеграл». Аналогичные параметры будут и у других современных производителей. Все значения представлены для температуры окружающей среды до +25 oC.

Аналоги

Многие радиолюбители, разочаровавшиеся в качестве отечественного КТ818Г, ищут его импортный аналог, но не находят полноценной замены. Вместе с тем, технологии изготовления подобных устройств ушли далеко вперёд и на рынке как отечественной, так и зарубежной радиоэлектроники появилось много достойных для него альтернатив. Вот самые популярные: BD304, MJE2955T, 2SA1962, MJL21193, MJL21195, 2SA1386, BD911, 2SA1943N. С меньшим коллекторным током возможной заменой могут быть: 2N6107, TIP42С.

Из отечественных транзисторов функциональным аналогом считается КТ8102. Немного другой корпус (КТ-431) имеет новый КТ818Г1, но по остальным характеристикам он практически идентичен рассматриваемому. В случае наличия места на плате, можно рекомендовать более мощный транзистор в металлостеклянном корпусе КТ818ГМ (он же зарубежный BDX18).

Технические характеристики

Семейство кремниевых биполярных транзисторов КТ819, в зависимости от модификации, могут иметь следующие предельные эксплуатационные характеристики:

  • напряжение между: коллектором и базой от 25 до 60 В; коллектором и эмиттером (при RБЭ ≤ 100 Ом) от 40 до 100 В; базой и эмиттером – 5 В;
  • постоянный ток на коллекторе от 10 до 15 А; проходящий через базу – 3 А;
  • импульсный ток (при tи ≤ 10 мс, Q ≥ 100): коллектора от 15 до 20 А; базы– 5 А;
  • максимальная рассеиваемая мощность (при ТК ≤ 25 oC) с теплоотводом от 60 до 100 Вт и без него от 1,5 до 3 Вт;
  • температура p-n перехода от +125 до +150 oC;
  • диапазон рабочих температур от -45 до +150 oC;

Основные параметры представлены в документации от производителя. Значения приводятся с учетом температуры окружающей среды не более +25 oC. Рассмотрим их подробнее, в зависимости от классификации устройств.

В связи с тем, что транзистор устарел, современные производители указывают в его техописании только минимальный набор параметров. Более подробную информацию по серии можно найти в старой версии даташит. Там данные приведены вместе с графиками передаточных характеристик, зависимостями статического коэффициента усиления от тока эмиттера и др.

Маркировка

Изучая параметры КТ819, стоит знать и другую маркировку этой серии транзисторов. Выполняя условия отраслевого стандарта ОСТ 11.336.919-81 различные отечественные производители обозначали его так — 2Т819. Первые символы «2T» указывают на кремневые биполярные транзисторы. В старых технических описаниях данные об этих устройствах приводят вместе с рассматриваемыми в этой статье.

КТ818 , 2Т818 — кремниевый транзистор структуры p-n-p

Рис. 4. Изображение транзистора КТ818 на принципиальных схемах.

Рис. 5. КТ818(А…Г), 2Т818(А-2…В-2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Рис. 6. КТ818(АМ…ГМ), 2Т818(А…В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Основные технические характеристики транзисторов КТ818:

Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт
    при T = 25°C                        
IК, max, А IК и, max, А UКЭ0 гр, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, Вт TК, °C Tп max, °C TК max, °C h21Э UКЭ(UКБ),В IК (IЭ), А UКЭ нас, В IКБ0, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ818А 10 15 25   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818Б 10 15 40   5 60 25 125 100 20 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818В 10 15 60   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818Г 10 15 80   5 60 25 125 100 12 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818АМ 15 20 25   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818БМ 15 20 40   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818ВМ 15 20 60   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818ГМ 15 20 80   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
2Т818А 15 20 80 100 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818Б 15 20 60 80 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818В 15 20 40 60 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818А2 15 20 80 100 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13
2Т818Б2 15 20 60 80 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13
2Т818В2 15 20 40 60 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13

Подготовлено для сайта RadioStorage.net

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.