Транзистор кт818

Содержание

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.

Технические характеристики

Сначала рассмотрим предельно допустимые характеристики. В них приведены максимальные значения, превышать которые нельзя, так как транзистор выйдет из строя. Стандартная температура, при которой производились измерения равна 25°С. Вот они:

  • напряжение К-Б:
  • 2Т819(А) UКБ max = 25 В;
  • 2Т819(Б) UКБ max = 40 В;
  • 2Т819(В_ UКБ max = 60 В;
  • напряжение К-Э (RБЭ ≤ 100 Ом, Т = Тмин – 323 К)
  • КТ819(А, АМ) UКЭ max = 40 В;
  • 2Т819(Б) UКЭ max = 80 В;
  • КТ819(Б, БМ) UКЭ max = 50 В;
  • КТ819(В, ВМ) UКЭ max = 70 В;
  • 2Т819(В) UКЭ max = 60 В
  • 2Т819(А), КТ819(Г, ГМ) UКЭ max = 100 В.
  • напряжение Б-Э UЭБ max = 5 В;
  • постоянный ток через коллектор
  • КТ819(А, Б, В, Г) IK max = 10 А;
  • 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) IK max = 15 А.
  • импульсный ток через коллектор (tи < 10 мс. Q ≥ 100)
  • КТ819(А, Б, В, Г) IК , и max = 15 А;
  • 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) IК , и max = 20 А.
  • ток через базу IБ max = З А;
  • импульсный через ток базу (tи < 10 мс, Q > 100) IБ и max = 5 А;
  • мощность (с теплоотводом при Тк ≤ 298 К)
  • КТ819(А, Б, В, Г) PK Т max = 60 Вт;
  • 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) PK Т max = 100 Вт.
  • мощность (без теплоотвода при Тк ≤ 298 К)
  • КТ819(А, Б, В, Г) PK = 1,5 Вт;
  • 2Т8І9(А, Б, В) PK = 3 Вт;
  • КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) PK = 2 Вт.
  • т-ра перехода
  • 2Т8І9(А, Б, В) Tп= 423 К;
  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) Tп = 398 К.

Для того, чтобы понять возможности транзистора, нужно рассмотреть также и его электрические характеристики. Они так же, как и в предыдущем случае измерялись при температуре +25°С. Все остальные параметры приведены рядом с результатами тестирования.

  • граничное напряжение (IК = 0,1 А, tИ ≤ 300 мкс, Q ≥ 100)
  • KT8I9(A, АМ) UКЭОгр ≤ 25 В;
  • КТ819(Б, БМ), 2Т819(В) UКЭО гр ≤ 40 В;
  • КТ819(В, ВМ), 2Т819(Б) UКЭО гр ≤ 60 В;
  • КТ819(Г, ГМ), 2Т819(А) UКЭО гр ≤ 60 В.
  • напряжение насыщения К – Э

при IК = 5 А, IБ = 0,5 А:

  • 2Т8І9(А, Б, В) UКЭ нас = 1 В;
  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) UКЭ нас = 2 В.

при IК = 20 А, IБ = 4 А:

2Т8І9(А, Б, В) UКЭ нас = 5 В;

при IК = 15 А, IБ = 3 А:

  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) UКЭ нас = 4 В.
  • напряжение насыщения база-эмиттер (IК = 5 А, IБ = 0,5 А)
  • 2Т8І9(А, Б, В) UБЭ нас = 1,5 В;
  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) UБЭ нас = 3 В.
  • Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ (UКБ = 5 В, IК = 5 А),

при Т = 298 К и Т= Тк макс:

  • 2Т8І9(А, Б, В) h21э = 20;
  • KT8I9(A, В, AM, ВМ) h21э = 15;
  • КТ819(Б, БМ) h21э = 20;
  • КТ819(Г, ГМ) h21э = 12.

при Т =213 К:

2Т8І9(А, Б, В) h21э = 9;

при Т = 233 К

  • KT8I9(A, В, AM, ВМ) h21э = 10;
  • КТ819(Б, БМ) h21э = 15;
  • КТ819(Г,(ГМ) h21э = 7.
  • частота к-та передачи в схеме с ОЭ при UКБ=5 В, Iэ = 05 А fгр = 3 (min), 5 (typ), 12 (max) МГц;
  • время выкл. (IК = 5 А, IБ = 0,5 А) tвкл = 2,5 мкс;
  • ёмкость на коллекторе (UКБ=5 В) cк = 360 (min), 600 (typ), 1000 (max) пФ;
  • пробивное напряжение К-Б (Т = 213 — 298 К, IК,= 1 мА)
  • 2Т819(А) UКБО проб = 100 В;
  • 2Т8І9(Б) UКБО проб = 80 В;
  • 2T8I9(B) UКБО проб = 60 В.
  • Обратный ток через коллектор при (UКБ =40 В)
  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) IКБО = 1 мА.

КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г

Транзисторы меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и 
дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

Выпускаются в пластмассовом корпусе ТО126(КТ-27) с гибкими выводами. 
Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 0,7 г.



Граничное напряжение при IЭ> = 100 мА, τи < 300 мкс, Q> 100 не менее:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК = 3 А, IБ = 0,3 А не более . . . . . .  1 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК = 3 А, IБ = 0,3 А не более  . . . . . . .  1,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером
при UКЭ = 2 В, IK = 2 А не менее:
КТ816А, КТ816Б, КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . .  20
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . .  15
Граничная частота коэффициента передачи тока при UКЭ = 5 В, IК = 0,05 А не менее . . .  3 МГц
Емкость коллекторного перехода при UКЭ = 5 В, f = 465 кГц не более . . . . . . . . . . 115 пФ
Обратный ток коллектора 
при UКБ = 25 В (КТ816А);
при UКБ = 45 В (КТ816Б); 
при UКБ = 60 В (КТ816В);
при UКБ = 100 В (КТ816Г) 
не более . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 мкА



Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при бесконечном значении RБЭ, Tк 213...373 К:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ < 1 кОм, Tк 213...373 К:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  100 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Tк 213...373 К  . . . . . . . . . . . . . . . .  5 В
Постоянный ток коллектора при Tк 213...373 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  3 А
Постоянный ток коллектора при τи < 20 мс, Q > 100, Tк 213...373 К . . . . . . . 6 А
Постоянный ток базы при Tк 213...373 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом при Tк 213...298 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 Вт
без теплоотвода при Tк 213...298 К   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Вт
Температура перехода  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 423 К
Температура окружающей среды  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . от 213 до 398 К

Цоколевка

Распиновка КТ818 зависит от его исполнения. Как говорилось ранее, эти транзисторы бывают двух видов: пластиковой упаковке КТ-28 (аналог импортного ТО220) и металлостеклянной КТ-9(ТО3). Обозначение типа приводится на корпусе. Таким устройство впервые появилось еще во времена СССР и с тех пор никак не изменилось. В техническом описании обычно указаны оба варианта.

Внимательно рассмотрим цоколевку у КТ-28. Если смотреть на обозначение транзистора, то слева будет эмиттер (Э), в центре коллектор (К), а справа база (Б).

В металлостеклянном корпусе КТ818 практически перестали выпускать. Связано это с их моральным устареванием и непригодностью применения при создании новой техники. Старое оборудование, в котором они использовались ранее, уже сильно уступает современным техническим новинкам по своим параметрам. В тоже время их можно использовать в учебных целях и ремонта оборудования советских времен.

На рисунке ниже указано расположение выводов для КТ818(КТ-9). Если перевернуть транзистор и посмотреть на него, то вывод Б будет слева, а Э справа. Корпус устройства – это контакт К.

Технические характеристики

КТ818Г является самым мощным транзистором в своей серии, если не брать во внимание устройства в металлостеклянном корпусе. Среди своих собратьев он способен выдерживать наибольшее возможное напряжение между коллектором (К) и эмиттером (Б) (Uкэ макс), однако имеет самый низкий коэффициент усиления по току (H21э)

Далее рассмотрим максимальные параметры поподробнее.

Максимальные параметры

Максимальные параметры КТ818Г:

  • постоянное напряжение: К-Э Uкэ макс до 90 В (при Rэб < 1 кОм); К-Б Uкб макс до 90 В; Э-Б Uкэ макс до 5 В;
  • коллекторный ток: Iк до 10 А; импульсный Iкимп. до 15 А;
  • ток базы: Iб до 3 А; импульсный Iбимп. до 5 А;
  • рассеиваемая мощность ограничена корпусом (при ТКорп. до +25 oC)  Pк макс до 1,5 Вт; до 60 Вт (с радиатором);
  • диапазон температур окружающей среды (Токр. среды): -40 … +100 oC;
  • температура кристалла до +125 oC.

Превышение указанных максимальных параметров недопустимо, чаще всего приводит к порче и выходу устройства из строя

Для переменного тока длительность импульса (tи) должна быть менее 10 мс, а скважности (Q) более 100

Для предотвращения перегрева устройства, особенно при больших нагрузках, желательно применение радиатора. В случае превышения ТКорп. более +25 oC рассеиваемая на коллекторе мощность  Pк макс  снижается линейно на 0,015 Вт/ oC, с применением теплоотвода на 0,6 Вт/оС.

При монтаже на плату, находящуюся под напряжением, вывод базы (Б) должен паяться в первую очередь, а отпаиваться в последнюю. Допустимый статический потенциал до 1 кВ.

Электрические параметры

Ниже представлены основные электрические характеристики взятые из даташит на КТ818Г белорусского предприятия электронной промышленности ОАО «Интеграл». Аналогичные параметры будут и у других современных производителей. Все значения представлены для температуры окружающей среды до +25 oC.

Аналоги

Многие радиолюбители, разочаровавшиеся в качестве отечественного КТ818Г, ищут его импортный аналог, но не находят полноценной замены. Вместе с тем, технологии изготовления подобных устройств ушли далеко вперёд и на рынке как отечественной, так и зарубежной радиоэлектроники появилось много достойных для него альтернатив. Вот самые популярные: BD304, MJE2955T, 2SA1962, MJL21193, MJL21195, 2SA1386, BD911, 2SA1943N. С меньшим коллекторным током возможной заменой могут быть: 2N6107, TIP42С.

Из отечественных транзисторов функциональным аналогом считается КТ8102. Немного другой корпус (КТ-431) имеет новый КТ818Г1, но по остальным характеристикам он практически идентичен рассматриваемому. В случае наличия места на плате, можно рекомендовать более мощный транзистор в металлостеклянном корпусе КТ818ГМ (он же зарубежный BDX18).

Технические характеристики

Серия кремниевых биполярных транзисторов КТ818, в зависимости от групповой принадлежности, обладает такими максимальными эксплуатационными параметрами:

  • напряжение между выводами: К-Э – 40…90 В; К-Б – 40…90 В; Э-Б – 5 В;
  • ток коллектора:  постоянный до 10 А; импульсный до 15 А;
  • ток базы: постоянный до 3 А; импульсный до 5 А;
  • рассеиваемая мощность с использование радиатора от 60 до 100  Вт, без него  1,5-3 Вт;
  • температура перехода от +125 до +150 oC;
  • диапазон рабочих температур от -45 до +100 oC;

В техописаний транзистора, по современным меркам, данных не так много. В некоторых версиях документации отсутствует даже информация о статическом коэффициенте передачи по току H21Э – в графе стоит прочерк. Многие значения тестирования вообще не указываются. Это связано моральным устареванием серии и нежеланием современных производителей заниматься её совершенствованием, а так же разрабатывать на неё новую документацию. Электрические параметры приводятся с указанием дополнительных условий их измерения, с учетом температуры окружающей среды до +25 oC.

Аналоги

Отечественным аналогом для серии КТ818 считается КТ816. Также рассмотрим в качестве возможных вариантов для его замены импортные транзисторы. Распределим их по группам:

для устройств в корпусе КТ-28 (ТО220):

  • А- 2N6111, BD292, 2N6132;
  • Б- 2N6132, 2SB754, BD202, BD294, BD534, BD664, BD706, BD950, BDT92, BDV92, TIP42;
  • В- 2N5194, 2N6109, 2N6133, 2SB1019, 2SB553, BD204, BD296, BD536,BDT94, BDW94, КТ816В;
  • Г-2N5195, 2N6107, 2N6134, 2SB1016, 2SB1018, BD538, BD710, BD954, BDT96,   BDV96;

для устройств в корпусе КТ-9(ТО3):

  • АМ – аналогов нет;
  • БМ -2N6469, BDW22, BDW52, BDX92, 2N6246;
  • ГМ- 2N6247, 2N6248, 2SB558, BDW22B, BDW22C, BDW52B, BDW52C, BDX18, BDX96;
  • ВМ — 2N6246, BDW22A, BDW52A, BDX94.

Маркировка

Ознакамливаясь со свойствами необходимо знать, что они так же имеют и другую, отличную от привычной маркировку. В свое время, для того чтобы выполнить условия ОСТ 11.336.919-81, производители применяли наименование 2Т818. Таким образом обозначали устройства, выпускавшиеся для нужд армии. Они имели лучшие характеристики по отношению версии КТ. При их изготовлении использовались более дорогие материалы. Для того, чтобы избежать путаницы у конечного потребителя, в новых версиях даташит приводятся оба варианта обозначений.

Похожие записи:

Ультрафиолет Характеристики диода шоттки 1n5819 Правила прокладки кабелей в помещениях Smd резисторы. маркировка smd резисторов, размеры, онлайн калькулятор ⏱ таймеры включения и выключения приборов: действительно ли эффективна такая автоматизация? Прокалывающий ответвительный зажим для сип