Характеристики транзистора кт818г

Технические характеристики

Сначала рассмотрим предельно допустимые характеристики. В них приведены максимальные значения, превышать которые нельзя, так как транзистор выйдет из строя. Стандартная температура, при которой производились измерения равна 25°С. Вот они:

• напряжение К-Б:
• 2Т819(А) U_{КБ max} = 25 В;
• 2Т819(Б) U_{КБ max} = 40 В;
• 2Т819(В_ U_{КБ max} = 60 В;
• напряжение К-Э (R_БЭ ≤ 100 Ом, Т = Т_мин – 323 К)
• КТ819(А, АМ) U_{КЭ max} = 40 В;
• 2Т819(Б) U_{КЭ max} = 80 В;
• КТ819(Б, БМ) U_{КЭ max} = 50 В;
• КТ819(В, ВМ) U_{КЭ max} = 70 В;
• 2Т819(В) U_{КЭ max} = 60 В
• 2Т819(А), КТ819(Г, ГМ) U_{КЭ max} = 100 В.
• напряжение Б-Э U_{ЭБ max} = 5 В;
• постоянный ток через коллектор
• КТ819(А, Б, В, Г) I_{K max} = 10 А;
• 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{K max} = 15 А.
• импульсный ток через коллектор (t_и < 10 мс. Q ≥ 100)
• КТ819(А, Б, В, Г) I_{К , и max} = 15 А;
• 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{К , и max} = 20 А.
• ток через базу I_{Б max} = З А;
• импульсный через ток базу (t_и < 10 мс, Q > 100) I_{Б и max} = 5 А;
• мощность (с теплоотводом при Т_к ≤ 298 К)
• КТ819(А, Б, В, Г) P_{K Т max} = 60 Вт;
• 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_{K Т max} = 100 Вт.
• мощность (без теплоотвода при Т_к ≤ 298 К)
• КТ819(А, Б, В, Г) P_K = 1,5 Вт;
• 2Т8І9(А, Б, В) P_K = 3 Вт;
• КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_K = 2 Вт.
• т-ра перехода
• 2Т8І9(А, Б, В) T_п= 423 К;
• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) T_п = 398 К.

Для того, чтобы понять возможности транзистора, нужно рассмотреть также и его электрические характеристики. Они так же, как и в предыдущем случае измерялись при температуре +25°С. Все остальные параметры приведены рядом с результатами тестирования.

• граничное напряжение (I_К = 0,1 А, t_И ≤ 300 мкс, Q ≥ 100)
• KT8I9(A, АМ) U_КЭОгр ≤ 25 В;
• КТ819(Б, БМ), 2Т819(В) U_{КЭО гр} ≤ 40 В;
• КТ819(В, ВМ), 2Т819(Б) U_{КЭО гр} ≤ 60 В;
• КТ819(Г, ГМ), 2Т819(А) U_{КЭО гр} ≤ 60 В.
• напряжение насыщения К – Э

при I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А:

• 2Т8І9(А, Б, В) U_{КЭ нас} = 1 В;
• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 2 В.

при I_К = 20 А, I_Б = 4 А:

2Т8І9(А, Б, В) UКЭ нас = 5 В;

при I_К = 15 А, I_Б = 3 А:

• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 4 В.
• напряжение насыщения база-эмиттер (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А)
• 2Т8І9(А, Б, В) U_{БЭ нас} = 1,5 В;
• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{БЭ нас} = 3 В.
• Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ (U_КБ = 5 В, I_К = 5 А),

при Т = 298 К и Т= Т_{к макс}:

• 2Т8І9(А, Б, В) h_21э = 20;
• KT8I9(A, В, AM, ВМ) h_21э = 15;
• КТ819(Б, БМ) h_21э = 20;
• КТ819(Г, ГМ) h_21э = 12.

при Т =213 К:

2Т8І9(А, Б, В) h21э = 9;

при Т = 233 К

• KT8I9(A, В, AM, ВМ) h_21э = 10;
• КТ819(Б, БМ) h_21э = 15;
• КТ819(Г,(ГМ) h_21э = 7.
• частота к-та передачи в схеме с ОЭ при U_КБ=5 В, I_э = 05 А f_гр = 3 (min), 5 (typ), 12 (max) МГц;
• время выкл. (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А) t_вкл = 2,5 мкс;
• ёмкость на коллекторе (U_КБ=5 В) c_к = 360 (min), 600 (typ), 1000 (max) пФ;
• пробивное напряжение К-Б (Т = 213 — 298 К, I_К,= 1 мА)
• 2Т819(А) U_{КБО проб} = 100 В;
• 2Т8І9(Б) U_{КБО проб} = 80 В;
• 2T8I9(B) U_{КБО проб} = 60 В.
• Обратный ток через коллектор при (U_КБ =40 В)
• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_КБО = 1 мА.

Технические характеристики

КТ818Г является самым мощным транзистором в своей серии, если не брать во внимание устройства в металлостеклянном корпусе. Среди своих собратьев он способен выдерживать наибольшее возможное напряжение между коллектором (К) и эмиттером (Б) (Uкэ макс), однако имеет самый низкий коэффициент усиления по току (H21э)

Далее рассмотрим максимальные параметры поподробнее.

Максимальные параметры

Максимальные параметры КТ818Г:

• постоянное напряжение: К-Э U_{кэ макс} до 90 В (при R_эб < 1 кОм); К-Б U_{кб макс} до 90 В; Э-Б U_{кэ макс} до 5 В;
• коллекторный ток: I_к до 10 А; импульсный I_кимп. до 15 А;
• ток базы: I_б до 3 А; импульсный I_бимп. до 5 А;
• рассеиваемая мощность ограничена корпусом (при Т_Корп. до +25 oC)  P_{к макс} до 1,5 Вт; до 60 Вт (с радиатором);
• диапазон температур окружающей среды (Т_{окр. среды}): -40 … +100 oC;
• температура кристалла до +125 oC.

Превышение указанных максимальных параметров недопустимо, чаще всего приводит к порче и выходу устройства из строя

Для переменного тока длительность импульса (tи) должна быть менее 10 мс, а скважности (Q) более 100

Для предотвращения перегрева устройства, особенно при больших нагрузках, желательно применение радиатора. В случае превышения Т_Корп. более +25 oC рассеиваемая на коллекторе мощность  P_{к макс}  снижается линейно на 0,015 Вт/ oC, с применением теплоотвода на 0,6 Вт/оС.

При монтаже на плату, находящуюся под напряжением, вывод базы (Б) должен паяться в первую очередь, а отпаиваться в последнюю. Допустимый статический потенциал до 1 кВ.

Электрические параметры

Ниже представлены основные электрические характеристики взятые из даташит на КТ818Г белорусского предприятия электронной промышленности ОАО «Интеграл». Аналогичные параметры будут и у других современных производителей. Все значения представлены для температуры окружающей среды до +25 oC.

Аналоги

Многие радиолюбители, разочаровавшиеся в качестве отечественного КТ818Г, ищут его импортный аналог, но не находят полноценной замены. Вместе с тем, технологии изготовления подобных устройств ушли далеко вперёд и на рынке как отечественной, так и зарубежной радиоэлектроники появилось много достойных для него альтернатив. Вот самые популярные: BD304, MJE2955T, 2SA1962, MJL21193, MJL21195, 2SA1386, BD911, 2SA1943N. С меньшим коллекторным током возможной заменой могут быть: 2N6107, TIP42С.

Из отечественных транзисторов функциональным аналогом считается КТ8102. Немного другой корпус (КТ-431) имеет новый КТ818Г1, но по остальным характеристикам он практически идентичен рассматриваемому. В случае наличия места на плате, можно рекомендовать более мощный транзистор в металлостеклянном корпусе КТ818ГМ (он же зарубежный BDX18).

Технические характеристики

Семейство кремниевых биполярных транзисторов КТ819, в зависимости от модификации, могут иметь следующие предельные эксплуатационные характеристики:

• напряжение между: коллектором и базой от 25 до 60 В; коллектором и эмиттером (при R_БЭ ≤ 100 Ом) от 40 до 100 В; базой и эмиттером – 5 В;
• постоянный ток на коллекторе от 10 до 15 А; проходящий через базу – 3 А;
• импульсный ток (при t_и ≤ 10 мс, Q ≥ 100): коллектора от 15 до 20 А; базы– 5 А;
• максимальная рассеиваемая мощность (при Т_К ≤ 25 oC) с теплоотводом от 60 до 100 Вт и без него от 1,5 до 3 Вт;
• температура p-n перехода от +125 до +150 oC;
• диапазон рабочих температур от -45 до +150 oC;

Основные параметры представлены в документации от производителя. Значения приводятся с учетом температуры окружающей среды не более +25 oC. Рассмотрим их подробнее, в зависимости от классификации устройств.

В связи с тем, что транзистор устарел, современные производители указывают в его техописании только минимальный набор параметров. Более подробную информацию по серии можно найти в старой версии даташит. Там данные приведены вместе с графиками передаточных характеристик, зависимостями статического коэффициента усиления от тока эмиттера и др.

Маркировка

Изучая параметры КТ819, стоит знать и другую маркировку этой серии транзисторов. Выполняя условия отраслевого стандарта ОСТ 11.336.919-81 различные отечественные производители обозначали его так — 2Т819. Первые символы «2T» указывают на кремневые биполярные транзисторы. В старых технических описаниях данные об этих устройствах приводят вместе с рассматриваемыми в этой статье.

КТ818 , 2Т818 — кремниевый транзистор структуры p-n-p

Рис. 4. Изображение транзистора КТ818 на принципиальных схемах.

Рис. 5. КТ818(А…Г), 2Т818(А-2…В-2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Рис. 6. КТ818(АМ…ГМ), 2Т818(А…В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Основные технические характеристики транзисторов КТ818:

Подготовлено для сайта RadioStorage.net

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.

Похожие записи:

Сенсорный выключатель Контроллеры Algodoo 1.8.0 [2010, simulator] Как произвести замер сопротивления заземления Выбор и установка опор уличного освещения Как сделать дистанционное управление светом своими руками