IRF450 Datasheet (PDF)
0.1. irf450 irf451 irf452 irf453.pdf Size:359K _st
0.2. 2n6770 irf450.pdf Size:144K _international_rectifier
PD — 90330FREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF450HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6770THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6770500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF450 500V 0.400 12AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestS
0.3. irf450.pdf Size:56K _intersil
IRF450Data Sheet March 1999 File Number 1827.313A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel FeaturesPower MOSFET 13A, 500VThis N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 0.400effect transistor is an advanced power MOSFET designed, Single Pulse Avalanche Energy Ratedtested, and guaranteed to withstand a specified level ofenergy in the breakdown avalanche mode
0.4. irf450b irf450c.pdf Size:409K _nell
RoHS IRF450 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET14A, 500VoltsDESCRIPTIOND The Nell IRF450 is a three-terminal silicon devicewith current conduction capability of 14A, fast switchingspeed, low on-state resistance, breakdown voltagerating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications such as G
IRFP450N Datasheet (PDF)
0.1. irfp450n.pdf Size:121K _international_rectifier
PD- 94216SMPS MOSFETIRFP450NHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply (SMPS)l Uninterruptible Power Supply 500V 0.37 14Al High Speed Power SwitchingBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Cur
0.2. irfp450npbf.pdf Size:199K _international_rectifier
PD- 95663SMPS MOSFETIRFP450NPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply (SMPS)l Uninterruptible Power Supply 500V 0.37 14Al High Speed Power Switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance andAvalanche
0.3. irfp450n irfp450npbf.pdf Size:129K _vishay
IRFP450N, SiHFP450NVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementRoHS RDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 0.37 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANT RuggednessQg (Max.) (nC) 77 Fully Characterized Capacitance andQgs (nC) 26Avalanche Voltage and CurrentQgd (nC) 34 Effect
IRFP450LC Datasheet (PDF)
0.1. irfp450lc.pdf Size:159K _international_rectifier
PD — 9.1231IRFP450LCHEXFET Power MOSFETUltra Low Gate ChargeReduced Gate Drive RequirementVDSS = 500VEnhanced 30V Vgs RatingReduced Ciss, Coss, CrssRDS(on) = 0.40Isolated Central Mounting HoleDynamic dv/dt RatedRepetitive Avalanche Rated ID = 14ADescriptionThis new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantlylower gate charge over conventional
0.2. irfp450lc sihfp450lc.pdf Size:1566K _vishay
IRFP450LC, SiHFP450LCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 74 Reduced Ciss, Coss, CrssCOMPLIANTQgs (nC) 19 Isolated Central Mounting HoleQgd (nC) 35 Dynamic dV/dt RatedConfiguration
0.3. irfp450lc sihfp450lc.pdf Size:1570K _infineon
IRFP450LC, SiHFP450LCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 74 Reduced Ciss, Coss, CrssCOMPLIANTQgs (nC) 19 Isolated Central Mounting HoleQgd (nC) 35 Dynamic dV/dt RatedConfiguration
Параметры, характеристики irfp450
|
Вашему вниманию подборки материалов: Конструирование источников питания и преобразователей напряжения Разработка источников питания и преобразователей напряжения. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам Практика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств. Элементная база. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Подробные описания. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам |
Максимально допустимое напряжение: 500 В.
Максимально допустимый средний ток (при условии выполнения требований по мощности) при температуре корпуса 25 грЦ: 14 А.
Максимально допустимый средний ток (при условии выполнения требований по мощности) при температуре корпуса 100 грЦ: 9 А.
Какая будет температура у корпуса в реальных условиях, предсказать тяжело. Я советую использовать этот прибор на ток до 10 — 11 А. Эти транзисторы легко можно соединять параллельно, если нужны большие токи.
Максимальный импульсный ток: 56 А. Конечно, вероятно, МОП транзистор irfp 450 может выдержать этот ток одноразово, в течение очень короткого времени. Но по моей практике пиковая сила тока через этот MOSFET не должна превышать 30 — 35 А. Иначе устройство будет работать ненадежно.
Максимальная рассеиваемая мощност:ь 190 Вт. Я на самом деле сделал устройство, где этот транзистор рассеивал близкую мощность. Применялось жидкостное охлаждение. irfp50 отлично работает в нем и по сей день.
Максимальная энергия, которая может рассеиваться прибором периодически: 19 мДж.
Максимальное напряжение на затворе: +- 20 В.
Управляющее напряжение: от 10 до 15 В. Вообще использование более высокого управляющего напряжения снижает потери и нагрев, но нельзя допускать превышения максимального напряжения на затворе с учетом некоторых его бросков в результате переходных процессов. Отсюда и выбран интервал.
Сопротивление в открытом состоянии при управляющем напряжении 10 В, токе стока 8.4 А: 0.4 Ом. Если управляющее напряжение будет больше, то сопротивление будет немного меньше. При росте тока сопротивление тоже немного снижается. Но для оценки потерь на проводимость имеет смысл использовать именно это значение, тогда Вы получите расчетное значение немного выше реального, что неплохо.
Емкость затвор — исток: 2.6 нФ.
Емкость затвор — сток: 0.2 нФ.
Емкость исток — сток: 0.72 нФ.
IRFP450A MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFP450A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30
V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 64(max)
nC
Время нарастания (tr): 36
ns
Выходная емкость (Cd): 307
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4
Ohm
Тип корпуса:
IRFP450A
Datasheet (PDF)
0.1. irfp450a.pdf Size:101K _international_rectifier
PD -91884SMPS MOSFETIRFP450AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Current
0.2. irfp450apbf.pdf Size:195K _international_rectifier
PD -95054SMPS MOSFETIRFP450APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirementl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and Avala
0.3. irfp450a.pdf Size:942K _samsung
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 0.308 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val
0.4. irfp450a sihfp450a.pdf Size:302K _vishay
IRFP450A, SiHFP450AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 64RuggednessCOMPLIANTQgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 26Avalanche Voltage and CurrentConfigu
0.5. irfp450a sihfp450a.pdf Size:309K _infineon
IRFP450A, SiHFP450AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 64RuggednessCOMPLIANTQgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 26Avalanche Voltage and CurrentConfigu
Другие MOSFET… IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP441
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRF250
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
, IRFP452
, IRFP453
, IRFP460
, IRFP460A
, IRFP460LC
.
IRFP450A Datasheet (PDF)
0.1. irfp450a.pdf Size:101K _international_rectifier
PD -91884SMPS MOSFETIRFP450AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Current
0.2. irfp450apbf.pdf Size:195K _international_rectifier
PD -95054SMPS MOSFETIRFP450APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirementl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and Avala
0.3. irfp450a.pdf Size:942K _samsung
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 0.308 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val
0.4. irfp450a sihfp450a.pdf Size:302K _vishay
IRFP450A, SiHFP450AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 64RuggednessCOMPLIANTQgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 26Avalanche Voltage and CurrentConfigu
0.5. irfp450a sihfp450a.pdf Size:309K _infineon
IRFP450A, SiHFP450AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 64RuggednessCOMPLIANTQgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 26Avalanche Voltage and CurrentConfigu
IRF450C Datasheet (PDF)
0.1. irf450b irf450c.pdf Size:409K _nell
RoHS IRF450 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET14A, 500VoltsDESCRIPTIOND The Nell IRF450 is a three-terminal silicon devicewith current conduction capability of 14A, fast switchingspeed, low on-state resistance, breakdown voltagerating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications such as G
8.1. irf450 irf451 irf452 irf453.pdf Size:359K _st
8.2. 2n6770 irf450.pdf Size:144K _international_rectifier
PD — 90330FREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF450HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6770THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6770500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF450 500V 0.400 12AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestS
8.3. irf450.pdf Size:56K _intersil
IRF450Data Sheet March 1999 File Number 1827.313A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel FeaturesPower MOSFET 13A, 500VThis N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 0.400effect transistor is an advanced power MOSFET designed, Single Pulse Avalanche Energy Ratedtested, and guaranteed to withstand a specified level ofenergy in the breakdown avalanche mode
IRFP450APBF Datasheet (PDF)
0.1. irfp450apbf.pdf Size:195K _international_rectifier
PD -95054SMPS MOSFETIRFP450APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirementl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and Avala
6.1. irfp450a.pdf Size:101K _international_rectifier
PD -91884SMPS MOSFETIRFP450AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.40 14A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Current
6.2. irfp450a.pdf Size:942K _samsung
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 0.308 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val
6.3. irfp450a sihfp450a.pdf Size:302K _vishay
IRFP450A, SiHFP450AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 64RuggednessCOMPLIANTQgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 26Avalanche Voltage and CurrentConfigu
6.4. irfp450a sihfp450a.pdf Size:309K _infineon
IRFP450A, SiHFP450AVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 64RuggednessCOMPLIANTQgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 26Avalanche Voltage and CurrentConfigu
Похожие записи:
Асинхронный двигатель: виды и детали конструкции
Как подключить двигатель 380 на 220: схемы и способы подключения
Даташит p0903bd pdf ( datasheet )
7 технологий, которые нам запретили использовать (7 фото + 3 видео)
Туннельный диод. принцип действия и параметры кратко
Огненные эффекты на светодиодных лентах и arduino