13003d транзистор параметры цоколевка

Электрические параметры

Характеристика
Обозначение
Параметры при измерениях
Значения Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В ٭
UCEO(SUS)
IC = 10 мА, IB = 0 А.
400 Ток коллектора выключения, мА ٭
Ta = 25°C
ICEO
UCEO = номинальное значение, UBE(OFF) = 1,5 В
1 Tc = 25°C
5 Ток эмиттера выключения, мА ٭
IEBO
UEB = 9,0 В, IC = 0
1 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭
UCE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
0,5 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1 IC = 1,2 А, IB = 0,4 А
3 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1 Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭
UBE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
1 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1,2 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1,1 Статический коэффициент усиления по току ٭
hFE (1)
UCE = 5,0 В, IC = 0,4 А
14….57 hFE (2)
UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А
5…30 Выходная емкость коллектора, pF
Cob
UCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц
21 Частота среза, МГц
fT
UCE = 10 В, IC = 0,1 А
10 Временные параметры транзистора при работе на резистивную нагрузку Время задержки, мкс
td
См

схему измерения временных параметров: UCC = 125 В, IC = 1 А, IB1 = IB2 = 0,2 А, tp = 25 мкс, скважность импульсов ≤ 1%
0,05 Время нарастания импульса тока, мкс
tr
0,5 Время сохранения импульса, мкс
ts
2 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,4 Временные параметры транзистора при работе на индуктивную нагрузку с ограничениями напряжений Время сохранения импульса, мкс
ts
IC = 1 А, UCLAMP = 300 В, IB1 = 0,2 А, UBE(OFF) = 5 В, Tc = 100°C.
1,7 Коммутационный промежуток, мкс
tc
0,29 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,15. ٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%

٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a=25°C, если не указано иное.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 700 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 12 А, пульсирующий — 24 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 5А, базы 1 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 5А, базы 1 А — 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — около 100 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C / I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C / I_B = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE(sat) при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE(ON) при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Транзисторы MJE13001 и 13001

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов. Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими

Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1.5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Биполярный транзистор 13003C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13003C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора:

13003C
Datasheet (PDF)

0.1. phd13003c.pdf Size:136K _philips

PHD13003CNPN power transistor with integrated diodeRev. 01 29 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionHigh voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel emitter-collector diode in a SOT54 plastic package1.2 Features and benefits Fast switching High voltage capability High typical DC current

0.2. phe13003c.pdf Size:254K _philips

PHE13003CNPN power transistorRev. 1 29 July 2010 Preliminary data sheet1. Product profile1.1 General descriptionHigh voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor in a SOT54 (TO-92) 3 leads plastic package.1.2 Features and benefits Fast switching High voltage capability of 700 V High typical DC current gain1.3 Applications Compact fluorescent l

 0.3. ts13003ck-ct.pdf Size:164K _taiwansemi

TS13003 High Voltage NPN Transistor TO-92 TO-126 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter BVCEO 400V 2. Collector 3. Base BVCBO 700V IC 1.5A VCE(SAT) 1V @ IC =0.5A, IB =0.1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing T

0.4. ksb13003c.pdf Size:986K _semihow

KSB13003C SEMIHOW REV.A0, January 2012 KSB13003CKSB13003C High Voltage Switch Mode Application High voltage, High speed power switching Suitable for Electronic Ballast up to 21W 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 1.1 Watts TO-92 CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Base 2. Collector 3. E

 0.5. ksb13003cr.pdf Size:985K _semihow

KSB13003CR SEMIHOW REV.A0, January 2012 KSB13003CRKSB13003CR High Voltage Switch Mode Application High voltage, High speed power switching Suitable for Electronic Ballast up to 21W 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 1.1 Watts TO-92 CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Emitter 2. Collector

Другие транзисторы… 2N5154L
, 2N6193U3
, WT5611
, WT5650
, WT5651
, WT5652
, , 13003A
, BC108
, 13003D
, 13003E
, 13003F
, , 3CA3505
, 3CA2505
, 3CA4505
, 3CA5322
.

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA)

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

Режим RBSOA

В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база V_BE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В.

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения U_CE(sat) коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при соотношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 5.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения U_BE(sat) база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при соотношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 5.

Рис. 4. Ограничение мощности рассеивания P_C при увеличении температуры внешней среды T_a.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Ограничительные кривые определены при в импульсном режиме при длительностях импульсов: 1 мс, 100 мс, 1с.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40, в зависимости от буквы У MJE13003A — от 8 до 12. У MJE13003B — от 12 до 18. У MJE13003C — от 18 до 27. У MJE13003D — от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 400 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора: В корпусе TO-126 — 1.4 ватт, TO-220 — 50 ватт(с радиатором), TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором), TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Биполярный транзистор SBN13003A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: SBN13003A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 18
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5

Корпус транзистора:

SBN13003A
Datasheet (PDF)

0.1. sbn13003a.pdf Size:273K _winsemi

SBN13002DSBN13002DSBN13002DSBN13002DHighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistorFeaturessymbolsymbolsymbolsymbol2.Collector Very High Switching Speed High Voltage Capability1.Base Wide Reverse Bias SOA3.Emitter Built -in freewheeling diodeGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, high speedswitching characteristics required suc

0.2. sbn13003a1.pdf Size:406K _winsemi

SBN13003A1SBN13003A1SBN13003A1SBN13003A1High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage , High speedswitching Characteristics required such as lightingsystem,switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Par

 6.1. sbn13003hb.pdf Size:147K _winsemi

SBN13003HBHigh Voltage FastSwitching NPN Power Transistor Features Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA General Description This Device is designed for high voltage , High speed Switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Test Conditions Value

Другие транзисторы… MMBT4401W
, MMBT491
, MMBT493
, MMBT5401W
, MMBT5551W
, MMBT591
, MMBT593
, MMBT619
, TIP122
, MMBTA92W
, MMDT4944
, PZT13003
, S8050T
, S8550T
, S9012T
, S9013T
, S9014T
.

MJE13003G Datasheet (PDF)

0.1. mje13003g.pdf Size:107K _onsemi

MJE13003SWITCHMODEt Series NPNSilicon Power TransistorThese devices are designed for high-voltage, high-speed powerswitching inductive circuits where fall time is critical. They areparticularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applicationshttp://onsemi.comsuch as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls,Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.1.5 AMPERESFeat

0.2. mje13003g6.pdf Size:219K _foshan

MJE13003G6(3DD13003G6) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

 0.3. mje13003g1.pdf Size:212K _foshan

MJE13003G1(3DD13003G1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

0.4. mje13003g5.pdf Size:219K _foshan

MJE13003G5(3DD13003G5) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

Схема «зарядки» для телефона.

R1 — 1 Ом, 1Ватт. R2 — 20 кОм. R3 — 680 кОм. R4 — 100 кОм. R5 — 43 Ом. R6 — 5,1 Ом. R7 — 33 Ом. R8 — 1 кОм. R9 — 1,5 кОм. C1 — 22 мФ,25в(оксидный). C2 — 1 нФ, 400в. C3 — 3,3 нФ, 1000в. C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный). C5 — 100 мФ,25в(оксидный). VD1 — стабилитрон 5,6в. VD2,VD3 — диод 1N407. VD4 — диод 1N4937. VD5 — индикаторный светодиод. Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Раздел: Зарубежные Полупроводники Транзисторы Биполярные

• Наименование: MJE13003
• Тип: NPN
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер V_CE (max) (U_КЭ (max)): 400 В
• Максимально допустимое напряжение коллектор-база V_CBO (max) (U_КБ (max)): 700 В
• Максимально допустимое напряжение эмиттер-база V_EBO (max) (U_ЭБ (max)): 9 В
• Максимальный ток коллектора I_C (max) (I_К (max)): 1.5 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_К (max)): 20 Вт

Граничная частота f_t (f_ГР): 4 МГц

Корпус:TO-220

Даташит:Даташит

Распиновка:

Производитель:Unisonic technologies

В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003) транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.

Биполярный транзистор 13003E — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13003E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора:

13003E
Datasheet (PDF)

0.1. dxt13003ek.pdf Size:312K _diodes

DXT13003EK460V NPN HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR IN TO252 Features Mechanical Data BVCEO > 460V Case: TO252 (DPAK) BVCES > 700V Case Material: Molded Plastic, «Green» Molding Compound BVEBO > 9V UL Flammability Classification Rating 94V-0 Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 IC = 1.5A high Continuous Collector Current Terminals: Finish — Ma

0.2. 13003eda.pdf Size:140K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003EDA Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION DESCRIPTION The UTC 13003EDA is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTCs advanced technology to provide customers high collector-base breakdown voltage, low reverse leakage current and high reliability, etc. The UTC 1

 0.3. hmje13003e.pdf Size:83K _hsmc

Spec. No. : HE200502 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.10.01 Revised Date : 2009.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HMJE13003E NPN Epitaxial Planar Transistor Description High Voltage, High Speed Power Switch Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls TO-220 Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings (

0.4. 3dd13003e6d.pdf Size:150K _crhj

NPN R 3DD13003 E6D 3DD13003 E6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W

 0.5. apt13003eu-ez.pdf Size:427K _bcdsemi

Data SheetHIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR APT13003EGeneral Description FeaturesThe APT13003E series are high voltage, high speed High Switching Speed switching NPN Power transistors specially designed High Collector-Emitter Voltagefor off-line switch mode power supplies with low out- Low Costput power. Bulk and Ammo Packing TO-92 Package andTO-12

0.6. mje13003e1.pdf Size:290K _foshan

MJE13003E1(3DD13003E1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V

0.7. ksd13003e.pdf Size:611K _semihow

KSD13003E KSU13003E SEMIHOW REV.A0,July 2011 KSD13003E/KSU13003EKSD13003E/KSU13003E High Voltage Switch Mode Application High Voltage, High Speed Switching Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls 150 Max. Operating temperature 8KV ESD proof at HBM (C=100, R=1.5) 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum

0.8. ksu13003er.pdf Size:611K _semihow

KSD13003ER KSU13003ER SEMIHOW REV.A0,July 2011 KSD13003ER/KSU13003ERKSD13003ER/KSU13003ER High Voltage Switch Mode Application High Voltage, High Speed Switching Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls 150 Max. Operating temperature 8KV ESD proof at HBM (C=100, R=1.5) 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute M

0.9. ksu13003e.pdf Size:611K _semihow

KSD13003E KSU13003E SEMIHOW REV.A0,July 2011 KSD13003E/KSU13003EKSD13003E/KSU13003E High Voltage Switch Mode Application High Voltage, High Speed Switching Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls 150 Max. Operating temperature 8KV ESD proof at HBM (C=100, R=1.5) 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum

0.10. ksd13003er.pdf Size:611K _semihow

KSD13003ER KSU13003ER SEMIHOW REV.A0,July 2011 KSD13003ER/KSU13003ERKSD13003ER/KSU13003ER High Voltage Switch Mode Application High Voltage, High Speed Switching Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls 150 Max. Operating temperature 8KV ESD proof at HBM (C=100, R=1.5) 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute M

0.11. ksb13003er.pdf Size:323K _semihow

KSB13003ERKSB13003ER SEMIHOW REV.A0,Apr 2008KSB130003ERKSB13003ERHigh Voltage Switch Mode Application High Voltage, High Speed Switching Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls150 Max Operating temperature 150 Max. Operating temperature 8KV ESD proof at HBM (C=100, R=1.5)1.5 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute M

Другие транзисторы… WT5611
, WT5650
, WT5651
, WT5652
, , 13003A
, 13003C
, 13003D
, C1815
, 13003F
, , 3CA3505
, 3CA2505
, 3CA4505
, 3CA5322
, 3CA5323
, 3CA5679
.

S13003A-D Datasheet (PDF)

0.1. s13003a-d.pdf Size:115K _jdsemi

RS13003A-D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 2

7.1. s13003ad 3.pdf Size:116K _jdsemi

RP13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

7.2. s13003ad 2.pdf Size:120K _jdsemi

RS13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

 7.3. s13003ad-h.pdf Size:116K _jdsemi

RS13003AD-H www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Charger and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2 High voltage c

7.4. s13003adl.pdf Size:119K _jdsemi

RS13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

 7.5. s13003a.pdf Size:111K _jdsemi

RS13003A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

7.6. s13003ad 4.pdf Size:120K _jdsemi

RS13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

7.7. s13003ad.pdf Size:121K _jdsemi

RS13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

7.8. s13003a 2.pdf Size:112K _jdsemi

RS13003A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

BU13003D Datasheet (PDF)

0.1. bu13003d.pdf Size:110K _jdsemi

RBU13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

7.1. bu13003f.pdf Size:120K _jdsemi

RBU13003F www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

7.2. sbu13003bd.pdf Size:162K _winsemi

SBU13003BDHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeatures symbol Very High Switching Speed 2.Collector High Voltage Capability 1.Base Wide Reverse Bias SOA 3.Emitter General Description This Device is designed for high voltage, High speed switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolute Maximum Rat

SBR13003D Datasheet (PDF)

0.1. sbr13003d.pdf Size:354K _winsemi

SBR13003DSBR13003DSBR13003DSBR13003DHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA Built-in freewheeling

6.1. sbr13003b.pdf Size:406K _winsemi

SBR13003BSBR13003BSBR13003BSBR13003BHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speedswitching characteristics required such as lightingsystem,switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Paramet

6.2. sbr13003b1.pdf Size:327K _winsemi

SBR13003B1SBR13003B1SBR13003B1SBR13003B1High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionG

 6.3. sbr13003bd.pdf Size:281K _winsemi

SBR13003BDSBR13003BDSBR13003BDSBR13003BDHighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistorFeaturessymbolsymbolsymbolsymbol Very High Switching Speed2.Collector High Voltage Capability1.Base Wide Reverse Bias SOA3.EmitterGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speedswitching characteristics required such as lightingsystem,switchin

6.4. sbr13003h.pdf Size:202K _winsemi

SBR13003HHigh Voltage FastSwitching NPNPower Transistor Features Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA General Description This Device is designed for high voltage , High speed Switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Test Conditions Value U

 6.5. sbr13003a.pdf Size:460K _semiwell

SBR13003ASemiWell SemiconductorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesSymbol2.Collector Very High Switching Speed (Typical 120ns@1.0A) Minimum Lot-to-Lot hFE Variation1.Base Low VCE(sat) (Typical 200mV@1.0A/0.25A) Wide Reverse Bias S.O.A3.EmitterGeneral DescriptionTO-126This devices is designed for high voltage, high speed s

Похожие записи:

Первая помощь при поражении электрическим током Нормы освещенности рабочих мест и производственных помещений Коэффициент использования светового потока уличных led-светильников Электрические схемы бесплатно. интегралка я112а схема Как создать плату из схемы в altium designer Подключение розетки 380в