Транзистор 13001: характеристики, цоколевка и аналоги

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13005A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

13005A
Datasheet (PDF)

0.1. mje13005a.pdf Size:273K _nell

RoHS MJE13005A(NPN)RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSwitchmode Series NPN Silicon Power Transistors(4A / 400V / 75W)FEATURESVCEO(SUS) 400V @ lC = 10 mA, lB = 0 VCE(sat) = 1.0V (Max.) @ lC = 4 A, lB = 1 ASwitching time — tf = 0.9 s (Max.) @ lC = 2 A 700V blocking capability123TO-220AB(MJE13005A) DESCRIPTION These devices are designed for high-

0.2. 3dd13005a1.pdf Size:180K _crhj

NPN R 3DD13005 A1 3DD13005 A1 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W

0.3. 3dd13005a7.pdf Size:145K _crhj

NPN R 3DD13005 A7 3DD13005 A7 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.4. 3dd13005a3.pdf Size:143K _crhj

NPN R 3DD13005 A3 3DD13005 A3 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.5. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

RS13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.6. 13005adl.pdf Size:121K _jdsemi

R13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.7. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.8. 13005ad.pdf Size:121K _jdsemi

R13005AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.9. 13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.10. ksg13005ar.pdf Size:220K _semihow

KSG13005AR SEMIHOW REV.A0,Feb 2009KSG13005ARKSG13005ARSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls3 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted3.8 WattsTO-92LCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collec

0.11. ksu13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.12. ksd13005a.pdf Size:558K _semihow

0.13. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

0.14. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

Другие транзисторы… , , , 13001-0
, 13001-2
, 13001-A
, 13003AD
, 13003B
, S9012
, 13005AD
, 13005ADL
, 13005D
, 13005DL
, 13005ED
, 13005F
, 13005S
, 13005SD
.

Схема «зарядки» для телефона.

R1 — 1 Ом, 1Ватт. R2 — 20 кОм. R3 — 680 кОм. R4 — 100 кОм. R5 — 43 Ом. R6 — 5,1 Ом. R7 — 33 Ом. R8 — 1 кОм. R9 — 1,5 кОм. C1 — 22 мФ,25в(оксидный). C2 — 1 нФ, 400в. C3 — 3,3 нФ, 1000в. C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный). C5 — 100 мФ,25в(оксидный). VD1 — стабилитрон 5,6в. VD2,VD3 — диод 1N407. VD4 — диод 1N4937. VD5 — индикаторный светодиод. Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

13001 – кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

WBR13003X Datasheet (PDF)

0.1. wbr13003x.pdf Size:350K _winsemi

WBR13003XWBR13003XWBR13003XWBR13003XHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionGener

6.1. wbr13003.pdf Size:329K _winsemi

WBR13003WBR13003WBR13003WBR13003High Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speed switchingcharacteristics required such as lighting system,switching modepower supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter T

6.2. wbr13003b3.pdf Size:313K _winsemi

WBR13003B3WBR13003B3WBR13003B3WBR13003B3High Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for

6.3. wbr13003b2d.pdf Size:317K _winsemi

WBR13003B2DWBR13003B2DWBR13003B2DWBR13003B2DHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA Built-in freewheeling diodeGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speed switchingcharacteristics required such as lighting system,switching modepower supply.

6.4. wbr13003l2.pdf Size:344K _winsemi

WBR13003L2WBR13003L2WBR13003L2WBR13003L2High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA Built-in freewheel

6.5. wbr13003b2.pdf Size:336K _winsemi

WBR13003B2WBR13003B2WBR13003B2WBR13003B2High Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speed switchingcharacteristics required such as lighting system,switching modepower supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Par

6.6. wbr13003ld.pdf Size:355K _winsemi

WBR13003LDWBR13003LDWBR13003LDWBR13003LDHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability High Voltage Capability Wide Soa Bu

6.7. wbr13003d1.pdf Size:269K _winsemi

WBR13003D1WBR13003D1WBR13003D1WBR13003D1High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA Built-in freewheeling diodeGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speeds

6.8. wbr13003d.pdf Size:344K _winsemi

WBR13003DWBR13003DWBR13003DWBR13003DHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA Built-in freewheeling diodeGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speedswitc

6.9. wbr13003b.pdf Size:316K _winsemi

WBR13003BWBR13003BWBR13003BWBR13003BHighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speed switchingcharacteristics required such as lighting system,switchingmode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Tes

Транзисторы MJE13001 и 13001

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов. Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими

Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

MJE13003HT Datasheet (PDF)

0.1. mje13003ht.pdf Size:550K _sisemi

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationMJE NPN / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13003HTMJE NPN / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13003HTMJ

0.2. mje13003ht 1.pdf Size:212K _sisemi

5.1. mje13003hv.pdf Size:41K _kec

SEMICONDUCTOR MJE13003HVTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORSWITCHING REGULATOR APPLICATION.AHIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED BDCSWITCHING APPLICATION.EFFEATURESExcellent Switching TimesG: ton=1.1 S(Typ.), tf=0.7 S(Typ.), at IC=1AHHigh Collector Voltage : VCBO=900V.DIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXKB 5.8LC 0.7_+D 3.2 0.1E 3.5_+F 11.0 0.3

5.2. mje13003hk5.pdf Size:284K _foshan

MJE13003HK5(3DD13003HK5) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 900 V

5.3. mje13003hn6.pdf Size:243K _foshan

MJE13003HN6(3DD13003HN6) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: For switching power supply and other power switching circuit. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 1400 V CBO V 800 V CEO V 9 V EBO I 1.5 A C P (Ta=25) 1.25 W CP

5.4. mje13003h6.pdf Size:191K _foshan

MJE13003H6(3DD13003H6) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

5.5. mje13003h1.pdf Size:195K _foshan

MJE13003H1(3DD13003H1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR: Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters,switching regulators, etc./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating UnitVCBO 600 VVCEO

5.6. mje13003h5.pdf Size:189K _foshan

MJE13003H5(3DD13003H5) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

5.7. mje13003h3.pdf Size:191K _foshan

MJE13003H3(3DD13003H3) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V

Биполярный транзистор ALJ13003 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ALJ13003

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

Корпус транзистора:

ALJ13003
Datasheet (PDF)

0.1. alj13003.pdf Size:104K _sunroc

SUNROCALJ13003 TRANSISTOR(NPN)FEATURESpower switching applicationsMAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 600 VVCEO Collector-Emitter Voltage 400 VVEBO Emitter-Base Voltage 9 VIC Collector Current-Continuous 1.2 APC Collector Power Dissipation 25 WTJ Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55

7.1. alj13005.pdf Size:150K _sunroc

SUNROCALJ13005 TRANSISTOR(NPN) MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted) MAXI Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage VCBO 700 VCollector-Emitter Voltage VCEO 400 VEmitter-Base Voltage VEBO 9 VCollector Current IC 2.0 ACollector Power Dissipation PC 50 WJunction Temperature Tj 150 Storag Temperature -55150 Tstg ELECTRICAL CHARACTERISTICS

7.2. alj13002.pdf Size:103K _sunroc

SUNROCALJ13002 TRANSISTOR(NPN) FEATURES 1. EMITTER Power dissipation 2.COLLECTOR PCM:0.8W(Tamb=25) Collector current 3.BASE ICM:0.6A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600V 1 2 3 Opcrating and storage junction temperature range TJ,Tstg:-65 to -150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25 unless otherwise specjfied): MIN TYP MAX UNITParameter Symbol Tes

7.3. alj13001.pdf Size:195K _sunroc

SUNROC ALJ13001 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. BASE power switching applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 1 2 3 VCBO Collector -Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current -Continuous 0.2 A PC Collector Power Dissipation

Другие транзисторы… 3CA5322
, 3CA5323
, 3CA5679
, 3CA5680
, 3CA5781
, 3CA5782
, 3CA5783
, ALJ13002
, , 3CA034
, 3CA1011
, 3CA1012
, 3CA1072
, 3CA1129
, 3CA117
, 3CA1184
, 3CA1185
.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 700 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 12 А, пульсирующий — 24 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 5А, базы 1 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 5А, базы 1 А — 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — около 100 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Мысли и афоризмы: Возобновленная рана много хуже противу новой. Козьма Прутков.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13005.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13005 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13005 транзистором BU406D;

транзистором MJE13004; транзистором MJE53T; транзистором MJ4380; транзистором MJE53; транзистором MJ4401; транзистором TIP75C; транзистором TIP75; транзистором TIP75A; транзистором TIP75B; транзистором 2SC2126;

Добавить аналог транзистора MJE13005.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13005? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40, в зависимости от буквы У MJE13003A — от 8 до 12. У MJE13003B — от 12 до 18. У MJE13003C — от 18 до 27. У MJE13003D — от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 400 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора: В корпусе TO-126 — 1.4 ватт, TO-220 — 50 ватт(с радиатором), TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором), TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

MJE13003G Datasheet (PDF)

0.1. mje13003g.pdf Size:107K _onsemi

MJE13003SWITCHMODEt Series NPNSilicon Power TransistorThese devices are designed for high-voltage, high-speed powerswitching inductive circuits where fall time is critical. They areparticularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applicationshttp://onsemi.comsuch as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls,Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.1.5 AMPERESFeat

0.2. mje13003g6.pdf Size:219K _foshan

MJE13003G6(3DD13003G6) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

0.3. mje13003g1.pdf Size:212K _foshan

MJE13003G1(3DD13003G1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

0.4. mje13003g5.pdf Size:219K _foshan

MJE13003G5(3DD13003G5) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

Биполярный транзистор S13003AD — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S13003AD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO126S TO826 TO126D

S13003AD
Datasheet (PDF)

0.1. s13003ad 3.pdf Size:116K _jdsemi

RP13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.2. s13003ad 2.pdf Size:120K _jdsemi

RS13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.3. s13003ad-h.pdf Size:116K _jdsemi

RS13003AD-H www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Charger and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2 High voltage c

0.4. s13003adl.pdf Size:119K _jdsemi

RS13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.5. s13003ad 4.pdf Size:120K _jdsemi

RS13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.6. s13003ad.pdf Size:121K _jdsemi

RS13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

Другие транзисторы… J13003
, P13003
, P13003D
, P13009
, P13009A
, P1488
, S13003
, S13003A
, S9013
, S13003A-D
, S13003AD-H
, S13003ADL
, S13003DL
, S13005A
, S13005ED
, 3DD127_D3
, 3DD127_D5
.

Биполярный транзистор MJE13003G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: MJE13003G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5

Корпус транзистора:

MJE13003G
Datasheet (PDF)

0.1. mje13003g.pdf Size:107K _onsemi

0.2. mje13003g6.pdf Size:219K _foshan

0.3. mje13003g1.pdf Size:212K _foshan

0.4. mje13003g5.pdf Size:219K _foshan

Другие транзисторы… MJE13003DK7
, MJE13003DN5
, MJE13003E1
, MJE13003F1
, MJE13003F2
, MJE13003F5
, MJE13003F6
, MJE13003FT
, 2N2219
, MJE13003G1
, MJE13003G5
, MJE13003G6
, MJE13003H1
, MJE13003H3
, MJE13003H5
, MJE13003H6
, MJE13003HK5
.

Транзистор 13001

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

13005A Datasheet (PDF)

Схема «зарядки» для телефона.

Распиновка

WBR13003X Datasheet (PDF)

Транзисторы MJE13001 и 13001

Маркировка

MJE13003HT Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор ALJ13003 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

ALJ13003 Datasheet (PDF)

Наиболее важные параметры.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13005.

Добавить аналог транзистора MJE13005.

Другие разделы справочника:

Наиболее важные параметры.

MJE13003G Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор S13003AD — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

S13003AD Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор MJE13003G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

MJE13003G Datasheet (PDF)

Похожие записи:

13005A
Datasheet (PDF)

ALJ13003
Datasheet (PDF)

S13003AD
Datasheet (PDF)

MJE13003G
Datasheet (PDF)