Материалы по импулсным блокам / транзистор 13001

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1.5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

TD13005D Datasheet (PDF)

7.1. std13005is.pdf Size:226K _auk

STD13005ISNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching VCEO(sus)=400V C Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C EESTD13005IS STD13005 I-PAK(S) I-PAK(S) Marking Diagram STD Column 1, 2: Device Code 13005 YWW Colu

7.2. std13005.pdf Size:268K _auk

STD13005NPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching C VCEO(sus)=400V Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13005 STD13005 TO-220ABAbsolute maximum ratings (Tc=25) Characteristic Symbol Ratings UnitCollector-Bas

 7.3. std13005f.pdf Size:274K _auk

STD13005FNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching VCEO(sus)=400V C Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C EESTD13005F STD13005 TO-220F-3LMarking Diagram Column 1 : Manufacturer Column 2 : Production Information AU

7.4. std13005fc.pdf Size:271K _auk

STD13005FCNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching VCEO(sus)=400V C Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13005FC STD13005 TO-220F-3SLAbsolute maximum ratings (Tc=25) Characteristic Symbol Ratings UnitColl

 7.5. std13005i.pdf Size:367K _kodenshi

STD13005INPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching VCEO(sus)=400V C Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code EB C ESTD13005I STD13005 I-PAK I-PAK Marking Diagram STD Column 1, 2: Device Code 13005 YWW Column 3 : Pr

PHE13005X Datasheet (PDF)

0.1. phe13005x.pdf Size:420K _philips

PHE13005XSilicon diffused power transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionHigh-voltage, high-speed planar-passivated, NPN power switching transistor in a full pack plastic package for use in high frequency electronic lighting ballast applications1.2 Features and benefits Fast switching Isolated package High voltage capab

6.1. phe13005 2.pdf Size:55K _philips

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor PHE13005 GENERAL DESCRIPTIONThe PHE13005 is a silicon npn power switching transistor in the TO220AB envelope intended for use in highfrequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems,etc.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS

6.2. phe13005.pdf Size:400K _philips

PHE13005Silicon diffused power transistorRev. 03 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionHigh voltage, high speed NPN planar-passivated power switching transistor in a SOT78 plastic package intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications1.2 Features and benefits Fast switching Low thermal resistance High volt

H13005 Datasheet (PDF)

0.1. ksh13005w.pdf Size:144K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13005W HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATION High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-263D2PAKTstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature

0.2. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

 0.3. h13005dl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005DL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.4. h13005.pdf Size:116K _jdsemi

RH13005 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

 0.5. h13005d 2.pdf Size:118K _jdsemi

RH13005D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.6. h13005d.pdf Size:118K _jdsemi

RH13005D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.7. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

0.8. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001.  SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).

Зарубежное производство

Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).

Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13005A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

13005A
Datasheet (PDF)

0.1. mje13005a.pdf Size:273K _nell

RoHS MJE13005A(NPN)RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSwitchmode Series NPN Silicon Power Transistors(4A / 400V / 75W)FEATURESVCEO(SUS) 400V @ lC = 10 mA, lB = 0 VCE(sat) = 1.0V (Max.) @ lC = 4 A, lB = 1 ASwitching time — tf = 0.9 s (Max.) @ lC = 2 A 700V blocking capability123TO-220AB(MJE13005A) DESCRIPTION These devices are designed for high-

0.2. 3dd13005a1.pdf Size:180K _crhj

NPN R 3DD13005 A1 3DD13005 A1 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.3. 3dd13005a7.pdf Size:145K _crhj

NPN R 3DD13005 A7 3DD13005 A7 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.4. 3dd13005a3.pdf Size:143K _crhj

NPN R 3DD13005 A3 3DD13005 A3 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

 0.5. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

RS13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.6. 13005adl.pdf Size:121K _jdsemi

R13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.7. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.8. 13005ad.pdf Size:121K _jdsemi

R13005AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.9. 13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.10. ksg13005ar.pdf Size:220K _semihow

KSG13005AR SEMIHOW REV.A0,Feb 2009KSG13005ARKSG13005ARSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls3 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted3.8 WattsTO-92LCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collec

0.11. ksu13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.12. ksd13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.13. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

0.14. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

Другие транзисторы… , , , 13001-0
, 13001-2
, 13001-A
, 13003AD
, 13003B
, S9012
, 13005AD
, 13005ADL
, 13005D
, 13005DL
, 13005ED
, 13005F
, 13005S
, 13005SD
.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.
Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Список источников

• russianstartuprating.ru
• www.promebel.com
• shematok.ru
• elektrikaetoprosto.ru
• alltransistors.com

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

физические:

• биполярный транзистор;
• корпус ТО-220, ТО-3PN;
• материал корпуса  – пластик;
• кристалл — кремний (Si);

электрические (допустимые):

• проводимость – NPN;
• U_{КЭ макс} (V_CEmax) до 400 В (V);
• U_КЭВ (V_CEV) 700 В (V), при U_БЭ(V_BE) = -1.5 В (V);
• U_{ЭБ макс} (V_{ЕВ max}) до 9 В (V);
• I_K(I_C) 12 А, I_{K макс} (I_Cmax) до 24 А;
• I_Б. (I_B) 6А, импульсный пиковый I_{Б пик.} (I_Bmax) до 12 А, при t_p≤10 мc (ms);
• I_Э (I_E) 18А, импульсный пиковый  I_{Э пик.} (I_Emax) до 36 А, при t_p≤10 мc (ms);
• P (P_tod)= 100 Вт (W), при Tc ≤ 25°C и использовании радиатора;
• F_{Гр мин.}(f_tMIN) 4 МГц (MHz), при U _КЭ  (V_CE ) =10 В (V), I_K (I_{c )}= 0,5 А;
• U_КЭ.раб.(V_CEOsus) 400 В (V), при I_C (I_К) = 10 мA(mA), I_Б (I_B)=  0;
• I_КЭВ (I_CEV) 1 мА (mA) при U_КЭВ(V_CEV) = 700 В (V), до 5 мА (mA) при повышении T_раб (T_amb) до 150 °C;
• I_ЭБО (I _EBO) ≤1 мА (mA), при U _EБ (V_EB ) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0);
• выходная емкость C_22б (C_ob) = 180 пФ (pF);

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером U_{КЭ нас.} (V_BEsat):

напряжение насыщения между базой и эммитером U_{БЭ нас.} (V_BE sat):

коммутационные характеристики (при U_КЭ =120 В, I_K =8 A, I_{Б вкл}=1.6А, I_{Б выкл.}= -1.6А):

• время задержки t_зад (t_d) = 0.1 мкс (µs);
• время включения t_вкл (t_on) = 1.1 мкс (µs);
• время спада t_сп (t_f)  = 0.7 мкс (µs);
• время рассасывания t_РАС (t_s) = 3 мкс (µs);

тепловые:

• Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу R_θJC = 1.26 °C/W (°C/Вт);
• Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде R_θCA= 62.5 °C/W (°C/Вт);
• Общее тепловое сопротивление R_θJA= 100 °C/W (°C/Вт);
• T_{перехода}(T_j) ≤ + 150 °C;
• T_хран.(T_str) от — 65 до + 150 °C;
• T_раб.(T_amb) от — 65 до + 150 °C;
• T_пайки (T_L) до 275 °C.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009  находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

Одна из признанных мебельных компаний пересмотрела маркетинговую концепцию и запустила программу ребрендинга.

Ушедший 2013 год стал для фабрики мягкой мебели Anderssen во многом оценочным, поворотным.

«Мы вступили в новый этап, — комментирует генеральный директор Anderssen Елена Фетисова. — Было проанализировано всё, чего мы достигли, и определены перспективы развития компании на несколько лет вперёд — сформулировано видение и вытекающие из него цели.

Мы очень серьёзно, системно занялись оптимизацией и формализацией операционной деятельности. Дали старт девяти новым мощным проектам, связанным с построением корпоративной культуры на основе ценностей компании.

Всё это помогает позиционировать компанию на рынке, грамотно выстраивать внутренние и внешние коммуникации, точнее ставить акценты в маркетинговой политике».

Осенью 2013-го компания Anderssen провела ребрендинг.

«Ребрендинг был вызван изменением концепции компании, — говорит Вера Малова, коммерческий директор Anderssen. — Фабрика давно ушла от «детского» модельного ряда, ассортимент стал более широким, универсальным. Мы, например, стали делать не только раскладные диваны, но и модульные модели, диваны для сидения. Фабрика «выросла» из прежнего своего имиджа, и мы хотели, чтобы клиент увидел наше новое лицо. Если раньше в позиционировании мебели от Anderssen звучали утилитарные нотки — качество, ежедневный сон, практичность, надёжность, — то сейчас мы движемся дальше и стараемся через нашу мебель нести в дома покупателей заботу наших рук и тепло наших сердец. Чуть смягчилось начертание логотипа, изменился дескриптор — «Диваны для семейного тепла» вместо безэмоционального, бесстрастного — «Современная мягкая мебель».

Разумеется, перепозиционирование потребовало новых подходов к оформлению фирменных розничных площадок Anderssen. Экспериментировали на собственном 1000-метровом салоне при фабрике, и, надо признать, эксперимент удался. Получилось очень комфортное, обаятельное, обжитое пространство. Позитивная колористика, модные ткани на подиумных образцах, нетривиальные композиционные решения — всё это «работает» на образ дружелюбного, обустроенного с любовью и вкусом семейного «гнезда». Причём эффект полноценного жилого интерьера дизайнер компании Елена Попова смогла создать без «участия» корпусной мебели.

Салон грамотно зонирован. В центре — своеобразная рекреация, где вольготно расположились лаунж-диваны из коллекции Tanagra. Отдельная зона, озаглавленная Anderssen Kids, отдана под модельную линейку трансформируемых диванов для детей и тинейджеров. Раскладные диваны из базовой ассортиментной программы Anderssen (каждый — в своей мини-декорации) обрамляют торговый зал.

«Дилерам мы показали обновлённый салон в ноябре прошлого года, когда проводили на фабрике домашнюю выставку, — продолжает Вера Малова. — Все партнёры оценили нововведения, и сейчас идёт процесс переформатирования салонов. Для каждой торговой точки — с учётом её площади и архитектурных особенностей — специалисты Anderssen делают проект застройки, визуализацию. Сформирована коллекция тканей, в которых мы рекомендуем выставлять диваны в торговые залы».

В Москве в самое ближайшее время в новом свете предстанут площадки Anderssen в «Мебельграде» и на улице Полярной. Постепенно все фирменные места продаж — как в столице, так и в регионах — планируется привести к утверждённым визуальным стандартам.

За последние полтора года фабрика ввела в ассортимент 17 новинок. Значительно расширился размерный ряд диванов. Некоторые модели выпускаются в нескольких габаритных вариантах и на разной конструкционной базе — с выкатным механизмом или с металлическими трансформерами. Активно развивает Anderssen и тему классики: всё больше в модельном ряду диванов с подлокотниками-волютами, с басонным декором, в тканях с традиционными орнаментами.

«Понять, чего ждёт покупатель — задача, которую решает каждая компания, — говорит Елена Фетисова. — Конечно, профессионал интуитивно чувствует рынок, но всегда полезно подтверждать интуицию точными данными. Поэтому в прошлом году мы заказали независимому маркетинговому агентству целый пакет качественных исследований. Результаты фокус-групп, покупательских опросов, анкетирования клиентов легли в основу нашей работы по обновлению модельного ряда».

Маркером покупательского признания может служить победа в народном конкурсе-голосовании «Марка №1 в России», который проходит с 1998 года. В 2013-м компания Anderssen собрала наибольшее число голосов в номинации «Мягкая мебель». К слову, среди розничных клиентов компании велика доля тех, кто, однажды купив диван Anderssen, совершает покупки вновь и рекомендует продукцию фабрики своим друзьям и знакомым.

Валентина Леткова

13 июня 2014 (№128)

SBP13005D1 Datasheet (PDF)

0.1. sbp13005d1.pdf Size:314K _winsemi

SBP13005D1SBP13005D1SBP13005D1SBP13005D1High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot h VariationFE Wide Reverse Bias SOA Built-i

5.1. sbp13005d.pdf Size:313K _winsemi

SBP13005DSBP13005DSBP13005DSBP13005DHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot h VariationFE Wide Reverse Bias SOA Built-in fr

 6.1. sbp13005o.pdf Size:508K _winsemi

SBP13005-OSBP13005-OSBP13005-OSBP13005-OHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for hig

6.2. sbp13005s.pdf Size:158K _semiwell

SemiWell Semiconductor SBP13005-S High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor Features Very High Switching Speed Minimum lot to lot hFE Variation Wide Reverse Bias SOA General Description This Device is designed for high voltage, High speed switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolute Maximum Ratings

Усилитель на транзисторах 13002

Хотя компактные люминесцентные лампы уже непопулярны, у многих самодельщиков накопились платы от них. Среди прочих компонентов, там присутствуют транзисторы типов 13001, 13002, 13003. Хотя они считаются ключевыми, перевести их в линейный режим общепринятым способом не составляет труда, выходная мощность при этом, конечно, невелика. Так, например, автор Instructables под ником Utsource123 собрал из двух таких транзисторов составной (его также называют транзистором Дарлингтона, который сделал соответствующее изобретение в 1953 году) и построил на нём простой однотактный усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ). Поскольку мастер решил не составлять схему усилителя, переводчику пришлось восстановить её по описанию и фотографиям. Получилась самая обыкновенная схема УМЗЧ на составном транзисторе без каких-либо особенностей. На старых транзисторах МП она выглядела бы точно так же. С учётом противоположной структуры, конечно.

Смещение на базу резистором, конденсатор, чтобы это смещение не попало в источник сигнала — всё как обычно. Конденсатор на 100 мкФ, 25 В, резистор на 1 кОм.

Первым делом мастер знакомит читателей с цоколёвкой транзистора 13002:

Затем он, как и положено при сборке из двух транзисторов одного составного, соединяет эмиттер первого транзистора с базой второго. Хорошо, они как раз расположены рядом.

Впаивает резистор смещения между коллектором и базой первого транзистора. Благодаря ему оба транзистора будут работать в линейном режиме.

Подключает к базе первого транзистора плюсовой вывод конденсатора:

Соединяет коллекторы обоих транзисторов перемычкой:

Подключает сигнальный кабель: общий провод припаивает к эмиттеру второго транзистора, а выход любого из стереоканалов — к минусовому выводу конденсатора:

Один вывод динамической головки соединяет с плюсом питания, второй — с соединёнными вместе коллекторами обоих транзистора. Минус питания подаёт на эмиттер второго транзистора.

Усилитель готов к работе. Если не добавлять к нему регулятор громкости, источник сигнала придётся взять такой, в котором соответствующий регулятор имеется. И можно слушать.

Собрав второй такой же усилитель и подав на него сигнал с другого стереоканала, вы получите стереофонический эффект.

Источник (Source)

Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.

Схема «зарядки» для телефона.

R1 — 1 Ом, 1Ватт. R2 — 20 кОм. R3 — 680 кОм. R4 — 100 кОм. R5 — 43 Ом. R6 — 5,1 Ом. R7 — 33 Ом. R8 — 1 кОм. R9 — 1,5 кОм. C1 — 22 мФ,25в(оксидный). C2 — 1 нФ, 400в. C3 — 3,3 нФ, 1000в. C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный). C5 — 100 мФ,25в(оксидный). VD1 — стабилитрон 5,6в. VD2,VD3 — диод 1N407. VD4 — диод 1N4937. VD5 — индикаторный светодиод. Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

13001 – кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

13005ED Datasheet (PDF)

0.1. 13005ed.pdf Size:117K _jdsemi

R13005ED www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.2. s13005ed.pdf Size:116K _jdsemi

RS13005ED www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

 8.1. 13005ec.pdf Size:158K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13005EC Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. FEATURES * VCEO(SUS)= 850 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC =

Похожие записи:

Схема реверса двигателя с реле времени Инструкция по применению шпаклевки фугенфюллер Двойная розетка: проводим подключение самостоятельно Двухтактный выход Доработка мультиметра для защиты по току и напряжению Автоматическое включение генератора при отключении электричества