Транзисторы – купить. или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы КТ814 можно найти в магнитофонах – «Весна 205-1», «Вильма 204 стерео», Маяк 240С-1, Маяк 233, Ореанда 204С и. т. д.
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
КТ814 – кремниевый биполярный p-n-p транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126, либо в корпусе D-PAK для поверхностного монтажа (в наименовании суффикс 9, например, КТ814А9).
Назначение: КТ814 —транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.
Типы: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г
Комплементарная пара: КТ815 (npn транзистор с такими же характеристиками)
Аналог: BD136, BD138, BD140
Цоколевка КТ814: Э-К-Б , смотри рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)
Datasheet Download — Integral
Номер произв
KT816
Описание
PNP Transistor
Производители
Integral
логотип
1Page
No Preview Available !
КТ816
p-n-p кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы
• Прототип КТ816Б – BD234
• Прототип КТ816В – BD236
• Прототип КТ816Г – BD238
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от — 60 до + 150°C
• Комплиментарная пара – КТ817
Обозначение технических условий
• аАО. 336.186 ТУ / 02
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ816А, Б, В, Г
• пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) — КТ816А9, Б9, В9, Г9
Назначение выводов
Вывод
(корпус КТ-27)
№1
№2
№3
Назначение
(корпус КТ-27)
Эмиттер
Коллектор
База
Вывод
(корпус КТ-89)
№1
№2
№3
КТ-27
КТ-89
Назначение
(корпус КТ-89)
База
Коллектор
Эмиттер
КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
No Preview Available !
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ816 при Токр. среды = 25 °С
Паpаметpы
Граничное напряжение колл-эмит
КТ816А, А9
КТ816Б, Б9
КТ816В, В9
КТ816Г, Г9
Обратный ток коллектора
КТ816А, А9
КТ816Б, Б9
КТ816В, В9
КТ816Г, Г9
Обратный ток коллектор-эмиттер
КТ816А, А9
КТ816Б, Б9
КТ816В, В9
КТ816Г, Г9
Статический коэффициент передачи тока
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Обозна-
чение
Uкэо гp.
Iкбо
Iкэr
h21э
Uкэ нас
Ед. изм. Режимы измеpения Min
B Iэ=0,1A, tи=0,3÷1 мс
25
45
60
80
мкА
Uкэ=40 В
—
Uкэ=45 В
—
Uкэ=60 В
—
Uкэ=100 В
—
мкА
Uкэ=40 В, Rбэ≤ 1 кОм —
Uкэ=45 В, Rбэ≤ 1 кОм
Uкэ=60 В, Rбэ≤ 1 кОм
Uкэ=100В, Rбэ≤ 1 кОм
—
—
—
Uкб=2 B, Iэ=1A
25
В Iк=1 A, Iб=0,1A
—
Max
—
—
—
100
100
100
100
200
200
200
200
275
0,6
Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы КТ816
Параметры
Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб ≤ 1кОм)
КТ816А, А9
КТ816Б, Б9
КТ816В, В9
КТ816Г, Г9
Напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Максимально допустимый постоянный ток базы
Рассеиваемая мощность коллектора
Температура перехода
Обозначение
Uкэ max
Uэб max
Iк max
Iки max
Iб max
Pк max
Tпер
Единица
измер.
В
В
А
А
А
Вт
°C
Значение
40
45
60
100
5
3
6
1
25
150
КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
No Preview Available !
ОАО «ИНТЕГРАЛ», г
Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции иили технологии
Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте
http://www.integral.by
КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)
3
Всего страниц
3 Pages
Скачать PDF
Характеристики популярных аналогов
Наименование производителя: 2N5153
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO39
Наименование производителя: 2N5153-220M
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO252
Наименование производителя: 2N5153S
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO39
Наименование производителя: 2N5153SM
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO252
Наименование производителя: 2N5153SMD
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO-276AB
