Содержание
Параметры интегральных микросхем К174УН9
| Серия: | Серия: | Серия: | ||
| 140143148153154155 | 1591745445485541006 | 100810161022102510321103 | 110711131114119514461533 | 1816 |
Корпус ИМС К174УН9 Типовая схема включения ИМС К174УН9 Электрические параметры Предельно допустимые режимы эксплуатации Общие рекомендации по применению Литература Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощность 5,0 Вт
на нагрузку4 Ом . В состав микросхемы входят предварительный усилитель; выходной каскад; защиту выхода от коротких замыканий и перегрузки по току; стабилизатор тока. Аналог микросхемыTСA940 (функциональный аналог) . Содержит140 интегральных элементов. Конструктивно оформлена в корпусе типа2104.12-1 . Масса не более2,5 гр .Корпус ИМС К174УН4
| 1 — питание +Uи.п.; 4 — вольтодобавка; 5 — коррекция; 6 — обратная связь; 7 — фильтр; 8 — вход; 9 — общий -Uи.п.; 10 — вход датчика тепловой защиты нижнего плеча выходного каскада; 11 — вход датчика тепловой защиты верхнего плеча выходного каскада; 12 — выход. |
Типовая схема включения ИМС К174УН9
Электрические параметры
| 1 | Номинальное напряжение питания: К174УН9А, К174УН9Б К174УН9В | 18 В ± 10%15 В ± 10% |
| 2 | Выходное напряжение fвх = 1 кГц : К174УН9А, К174УН9Б приUп = 19,8 В К174УН9В приUп = 16,5 В | 4,7 B3,7 B |
| 3 | Входное напряжение при fвх = 1 кГц : К174УН9А, К174УН9Б приUп = 18 В, Рвых = 5 Вт К174УН9В приUп = 15 В, Рвых = 2,5 Вт | 50-120 мВ85 мВ |
| 3 | Напряжение шумов на выходе при Uп = 18 В, Rr = 51 кОм | 1,5 мВ |
| 4 | Ток потребления: К174УН9А, К174УН9Б при Uп = 18 В К174УН9В приUп = 15 В | 26 мА20 мА |
| 5 | Выходная мощность при Uп = 18 В, Rн = 4 Ома, Кг = 10 % К174УН9А К174УН9Б | 9 Вт7 Вт |
| 6 | Коэффициент гармоник при fвх = 1 кГц :Uп = 18 В К174УН9(А,Б) приUвых = 4,5 В, Рвых = 5 Вт К174УН9(А,Б) приUвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт К174УН9(А,Б) приUвых = 5,3 В, Рвых = 7 ВтUп = 15 В К174УН9В приUвых = 4,25 В, Рвых = 4,5 Вт К174УН9В приUвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт К174УН9В приUвых = 3,16 В, Рвых = 2,5 Вт | 1 %2 %10 %10 %2 %2 % |
| 7 | Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц | 100 кОм |
| 8 | Диапазон рабочих частот | 40-20 000 Гц |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение питания: К174УН9А, К174УН9Б К174УН9В | 16,2…19 В 13.5, 16.5 В |
| 2 | Входное напряжение: К174УН9А, К174УН9Б К174УН9В | 50-145 мВ120 мВ |
| 3 | Выходная мощность: К174УН9А, К174УН9Б К174УН9В | 7,0 Вт4,5 Вт |
| 4 | Рассеиваемая мощность | 8,0 Вт |
| 5 | Сопротивление нагрузки | 4 Ом |
| 6 | Температура окружающей среды | -10…+70°С |
Общие рекомендации по применению
При монтаже микросхемы необходимо предусматривать наименьшую длину соединений между выводами и навесными элементами для уменьшения влияния паразитных связей. Допускается использовать микросхемы только в типовой схеме включения.
При проведении монтажных операций допускается не более трех перепаек выводов микросхемы. Температура пайки 235 ± 5°С
, расстояние от корпуса до места пайки на более1,5 мм , продолжительность пайки не более6 с .
Допускается использование микросхемы с нагрузкой не менее 3,2 Ом
и напряжением питания менее18 В. При увеличении сопротивления нагрузки и снижении напряжения питания выходная мощность уменьшается. Допускается использовать микросхему при напряжении питании не менее5 В .
Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода. При температуре корпуса выше 35°С
максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формулеР=(150-Ткорп)/12, Вт (с теплоотводом), гдеТкорп — температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы.
Типовое напряжение питания для К174УН9А
,К174УН9Б —24 В (Uп = 28 В при отсутствии входного сигнала),К174УН9В —…18 В .
Допустимое значение статического потенциала 30 В
Литература
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры
: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. — Москва: КУБК-а, 1995г. — 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги
: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:КУБК-а, 1996г. — 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы
: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. — 2-е издание, переработанное и дополненное — Минск: Беларусь, 1993г. — 382с.
УМЗЧ для радиомегафона на К174УН7
УМЗЧ собран на двух микросхемах К174УН7 (DA1, DA2), включенных по мостовой схеме. При питании от батареи напряжением 12 В на нагрузке, равной 4 Ом, он развивает мощность 7 Вт.
Указанные на схеме номиналы элементов усилителя оптимальны при его работе от микрофона на основе телефонного капсуля выходную ДЭМШ -1А.
Рис. 4. Схема УМЗЧ для радиомегафона на К174УН7.
Сопротивления резисторов R4, R8 подбирают в зависимости от чувствительности используемого микрофона, но они обязательно должны быть одинаковыми.
Соединение друг с другом седьмых выводов микросхем DA1, DA2 улучшает симметрию усилителя по постоянному току. Резистор R6 несколько уменьшает выходную мощность усилителя, но зато увеличивает его надежность. Описание усилителя приводится в .
Литература: Николаев А.П., Малкина М.В. Н82 500 схем для радиолюбителей. 1998, 143 с.
- PCBWay — всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН.
- Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет.
- Скидки до 50% + подарки в честь празднования 6-го ювилея 2020!
В схеме вторая сверху — нестандартное включение К174УН7 «забыли 7 ножку через 100 мкф на землю подключить ! А потом люди собирают и разочаровываются из-за таких выкладывателей.Постоянно ошибки в схемах, проверять надо !
На второй схеме сверху нагрузка (динамик) включается в разрыв цепи питания с ножки 4 и по плюсу. Ножка 7 — это фильтр с коррекцией, перестройка производится используя 5й вывод. Вполне вероятно что в таком включении конденсатор на ножке 7 не нужен, к тому же под схемой написано:
Собрал усилок по третей схеме, не работает?
По 3й схеме «УМЗЧ с малыми искажениями на ИС К174УН7»:
- Проверяем правильность монтажа, подключение микросхемы и транзистора в особенности;
- Проверить нет ли на печатной плате замыканий;
- Проверить тестером транзистор VT1;
- На всякий случай тестером проверить электролитические конденсаторы, особенно если они не новые;
- Если паяли мощным паяльником то может случиться что перегрели микросхему или транзистор — попробовать их заменить на новые, впаивать быстро и аккуратно чтобы не перегреть;
- Резистор R3 не должен быть накручен до короткого замыкания, выставляем его в среднее положение, а потом экспериментируем, когда схема заработает.
Источник
Схемы простых усилителей низкой частоты для радиоприемников
Рассмотрены простые выходные усилители низкой частоты обладающие повышенной мощностью. Данные усилители являются оконечными каскадами в структуре многих устройств.
На рис. 1 (а,б) представлены схемы выходных каскадов усилителей низкой частоты с использованием специализированных интегральных микросхем (ИС) серии 174 и соответствующих схем на операционных усилителях (ОУ).
Номиналы резисторов и конденсаторов для данных схем зависят от выходных сопротивлений предшествующих каскадов, требуемых коэффициентов усиления, внутреннего сопротивления и мощности используемых нагрузок — громкоговорителей (динамиков).
Усилители низкой частоты на микросхемах
Схема на К174УН14
Микросхемы в усилителях низкой частоты применяются двояким образом – либо как составная часть усилителя, либо как усилитель целиком. Ярким примером второй концепции является микросхема К174УН14 (зарубежный аналог TDA2003). Эта пятиногая микросхема в корпусе ТО-220 (в такие корпуса упакованы транзисторы КТ818–КТ819) представляет собой полностью готовый к употреблению усилитель, к которому требуется только подсоединить несколько элементов обвязки. Схема такого усилителя приведена на рис. 11.22.
| Рис. 11.22. | Принципиальная схема УНЧ на микросхеме К174УН14 |
Она является типовой и приводится в описании на данную микросхему. Сразу хочется дать читателю один совет на будущее – с незнакомыми микросхемами свою первую конструкцию всегда собирайте по типовой схеме, потому что без надлежащего опыта работы с той или иной микросхемой вы не сможете определить, насколько критичным для работы является тип и/или номинал того или иного элемента типовой схемы.
Плата. Усилитель собран на печатной плате из одностороннего стеклотекстолита толщиной 1.5 мм размерами 22.5×30 мм. Разводку печатной платы в зеркальном изображении и схему расположения деталей можно взять здесь. Доступен и ролик с демонстрацией работы усилителя.
Никаких особых требований по замене деталей нет, лишь бы их рабочее напряжение было не ниже напряжения питания микросхемы. Внешний вид усилителя представлен на рис. 11.23.
| Рис. 11.23. | Внешний вид усилителя НЧ на микросхеме К174УН14 |
Схема на К157УД1
Примером применения микросхемы как составной части конструкции является усилитель, схема которого приведена на рис. 11.24. Основой схемы является мощный операционный усилитель К157УД1, к выходу которого подключен двухкаскадный усилитель мощности на комплементарных парах VТ1, VT2 и VT3, VT4.
| Рис. 11.24. | Принципиальная схема УНЧ на микросхеме К157УД1 |
Большой запас по мощности ОУ позволил применить в усилителе транзисторы с достаточно ординарными характеристиками, а большой запас усиления – применить в выходном каскаде режим C без дополнительной подстройки тока покоя.
Плата. Усилитель собран на печатной плате из одностороннего стеклотекстолитатолщиной 1.5 мм размерами 27.5×45 мм. Разводку печатной платы в зеркальном изображении и схему расположения деталей можно скачать отсюда. Здесь находится ролик с демонстрацией работы усилителя.
Внешний вид усилителя приведен на рис. 11.25.
| Рис. 11.25. | Внешний вид усилителя НЧ на микросхеме К157УД1 |
Аналоги. При отсутствии необходимых деталей их следует заменить в соответствии с рекомендациями, изложенными при описании второго варианта транзисторного усилителя. Привыкайте, уважаемый радиолюбитель, к самостоятельности!
Из книги С. А. Гаврилов. «Искусство схемотехники. Просто о сложном»
Окончание читайте здесь
Сборка и ремонт усилителя низкой частоты
Иногда начинающие ремонтники очень аккуратно собирают усилитель мощности низкой частоты на отдельных платах по схемам, аналогичным рис. 1-4, и располагают их на большом расстоянии от основных блоков аппарата. Результат же бывает совсем не тот, какой ожидался. Возникают трудноустранимые генерации МС. Иногда же монтаж выглядит “ежиком”, а схема хорошо работает. Такой монтаж простых схем вполне и технологически оправдан (замена МС не представляет труда). Поэтому всегда нужно хорошо подумать, стоит ли возиться даже с простой печатной платой, которая может привести к неустойчивой работе всего аппарата, или воспользоваться таким простым и проверенным методом.
Расскажу о ремонте двух-кассетного двухканального (моноблочного) магнитофона FIAST модели 136. В аппарате из-за переключателя сетевого отвода на 110В вышел из строя не только сетевой трансформатор, но УМЗЧ, блок регулировки тембра, громкости и трехполосный эквалайзер. Уцелели двигатель и приемник с усилителем универсальным для магнитофона. Пришлось установить на свободные печатные установочные места на плате 5 дополнительных деталей (изображение.5). Транзистор и резистор R1 впаяны в плату, а резисторы R2 и R3 припаяны со стороны печатных проводников. Необходимо сделать разрез в печатной плате (указан значком “X”) и впаять в него резистор R2 сопротивлением в 1-1,5 кОм.
Керамический конденсатор С1 припаять также со стороны печатных проводников платы. Установка дополнительных деталей на плату показана на рис.5, а, а на рис.5,б выделен вновь введенный фрагмент схемы. Следует по возможности применять вместо электролитических конденсаторов бумажные (МБМ), керамические (КМ) и т.д. Как показывает статистика ремонтов, именно на электролитические конденсаторы приходится большинство отказов, особенно в аппаратуре, выпущенной в СССР, где количество таких конденсаторов достигает десятков на одной плате.
Рассмотренные МС уже относятся к компонентам несколько устаревшим (особенно МС типа К174УН7). Современная МС типа TDA7052 имеет самое простое включение за счет более сложной внутренней принципиальной схемы. Но не всем доступны зарубежные компоненты радиоаппаратуры, которые иногда и намного дороже аналогичных отечественных. Таким образом, применяя при ремонте схемы, которые уже опробованы, можно значительно упростить и ускорить ремонт аппаратуры.
Параметры интегральных микросхем К174УН9
| Серия: | Серия: | Серия: | ||
| 140143148153154155 | 1591745445485541006 | 100810161022102510321103 | 110711131114119514461533 | 1816 |
Корпус ИМС К174УН9 Типовая схема включения ИМС К174УН9 Электрические параметры Предельно допустимые режимы эксплуатации Общие рекомендации по применению Литература Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощность 5,0 Вт
на нагрузку4 Ом . В состав микросхемы входят предварительный усилитель; выходной каскад; защиту выхода от коротких замыканий и перегрузки по току; стабилизатор тока. Аналог микросхемыTСA940 (функциональный аналог) . Содержит140 интегральных элементов. Конструктивно оформлена в корпусе типа2104.12-1 . Масса не более2,5 гр .Корпус ИМС К174УН4
| 1 — питание +Uи.п.; 4 — вольтодобавка; 5 — коррекция; 6 — обратная связь; 7 — фильтр; 8 — вход; 9 — общий -Uи.п.; 10 — вход датчика тепловой защиты нижнего плеча выходного каскада; 11 — вход датчика тепловой защиты верхнего плеча выходного каскада; 12 — выход. |
Типовая схема включения ИМС К174УН9
Электрические параметры
| 1 | Номинальное напряжение питания: К174УН9А, К174УН9Б К174УН9В | 18 В ± 10%15 В ± 10% |
| 2 | Выходное напряжение fвх = 1 кГц : К174УН9А, К174УН9Б приUп = 19,8 В К174УН9В приUп = 16,5 В | 4,7 B3,7 B |
| 3 | Входное напряжение при fвх = 1 кГц : К174УН9А, К174УН9Б приUп = 18 В, Рвых = 5 Вт К174УН9В приUп = 15 В, Рвых = 2,5 Вт | 50-120 мВ85 мВ |
| 3 | Напряжение шумов на выходе при Uп = 18 В, Rr = 51 кОм | 1,5 мВ |
| 4 | Ток потребления: К174УН9А, К174УН9Б при Uп = 18 В К174УН9В приUп = 15 В | 26 мА20 мА |
| 5 | Выходная мощность при Uп = 18 В, Rн = 4 Ома, Кг = 10 % К174УН9А К174УН9Б | 9 Вт7 Вт |
| 6 | Коэффициент гармоник при fвх = 1 кГц :Uп = 18 В К174УН9(А,Б) приUвых = 4,5 В, Рвых = 5 Вт К174УН9(А,Б) приUвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт К174УН9(А,Б) приUвых = 5,3 В, Рвых = 7 ВтUп = 15 В К174УН9В приUвых = 4,25 В, Рвых = 4,5 Вт К174УН9В приUвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт К174УН9В приUвых = 3,16 В, Рвых = 2,5 Вт | 1 %2 %10 %10 %2 %2 % |
| 7 | Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц | 100 кОм |
| 8 | Диапазон рабочих частот | 40-20 000 Гц |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение питания: К174УН9А, К174УН9Б К174УН9В | 16,2…19 В 13.5, 16.5 В |
| 2 | Входное напряжение: К174УН9А, К174УН9Б К174УН9В | 50-145 мВ120 мВ |
| 3 | Выходная мощность: К174УН9А, К174УН9Б К174УН9В | 7,0 Вт4,5 Вт |
| 4 | Рассеиваемая мощность | 8,0 Вт |
| 5 | Сопротивление нагрузки | 4 Ом |
| 6 | Температура окружающей среды | -10…+70°С |
Общие рекомендации по применению
При монтаже микросхемы необходимо предусматривать наименьшую длину соединений между выводами и навесными элементами для уменьшения влияния паразитных связей. Допускается использовать микросхемы только в типовой схеме включения.
При проведении монтажных операций допускается не более трех перепаек выводов микросхемы. Температура пайки 235 ± 5°С
, расстояние от корпуса до места пайки на более1,5 мм , продолжительность пайки не более6 с .
Допускается использование микросхемы с нагрузкой не менее 3,2 Ом
и напряжением питания менее18 В. При увеличении сопротивления нагрузки и снижении напряжения питания выходная мощность уменьшается. Допускается использовать микросхему при напряжении питании не менее5 В .
Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода. При температуре корпуса выше 35°С
максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формулеР=(150-Ткорп)/12, Вт (с теплоотводом), гдеТкорп — температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы.
Типовое напряжение питания для К174УН9А
,К174УН9Б —24 В (Uп = 28 В при отсутствии входного сигнала),К174УН9В —…18 В .
Допустимое значение статического потенциала 30 В
Литература
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры
: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. — Москва: КУБК-а, 1995г. — 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги
: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:КУБК-а, 1996г. — 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы
: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. — 2-е издание, переработанное и дополненное — Минск: Беларусь, 1993г. — 382с.
Что делать, если усилитель не работает
Для начала, пройдите несколько пунктов проверки:
- Проверьте плату на наличие лишнего припоя;
- Все контакты должны быть качественно запаяны, без трещин;
- Удостоверьтесь в качественном соединении всех проводов;
- Нужно так же проверить вход усилителя на наличие сигнала — пальцем постучать по джеку (входу усилителя).
Схема рабочая и неисправность может быть либо на этапе изготовления платы, либо пайки. Например, можно перегреть саму микросхему, и она не будет работать. Так же не стоит забывать и о бракованных деталях. Сначала проверьте качество пайки, а затем принимайте решение о замене той или иной детали.
Post Views: 1 794
DataSheet
| Типовая схема включения ИМС К174УН7 в качестве усилителя мощности. При нагрузках 8 или 16 Ом емкость конденсатора должна быть 500 или 100…200 мкФ соответственно | Корпус типа 201.12-1 |
| Электрическая схема включения | Типовая схема включения микросхемы К174УН7 |
| Принципиальная схема мостового усилителя мощности низкой частоты на двух микросхемах К174УН7 (21) | Принципиальная схема генератора стирания и подмагничивания для магнитофона на микросхеме К174УН7 (21) |
Описание Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с выходной мощностью 4,5 Вт. Предназначена для работы в телевизионной аппаратуре. Содержит 41 интегральный элемент. Корпус типа 201.12-1, масса не более 2 г (ТУ 1986 г.).
Назначение выводов: 1 — напряжение питания (+Uп); 6 — цепь обратной связи для регулировки Ку,U; 7 — коррекция; 8 — обратная связь; 9 — фильтр; 10 — вход; 11, 14 — напряжение питания (—Uп); 16 — выход.
Общие рекомендации по применению
При монтаже микросхемы необходимо предусматривать наименьшую длину соединений между выводами и навесными элементами для уменьшения влияния паразитных связей. Температура пайки при монтаже микросхемы 235±5 °С, расстояние от основания корпуса до места пайки не менее 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с. При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхемы. Допускается использовать микросхему с нагрузкой не менее 4 Ом. При увеличении сопротивления нагрузки выходная мощность уменьшается. Допускается использовать микросхему при напряжении питания менее 15 В; при этом выходная мощность снижается. Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. При температуре корпуса выше 60 °С максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле Р = ( 150-Ткорп)/20, Вт (с теплоотводом), где Ткорп — температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы. Допускается кратковременное (в течение 3 мин) увеличение напряжения питания до 18 В. Подача постоянного напряжения от внешнего источника на выводы 5 ,6 и 12 микросхемы недопустима. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Выходное сопротивление источника питания должно быть не более 0,05 Ом.
| Электрические параметры | |||
| Параметры | Условия | К174УН7 | Ед. изм. |
| Номинальное напряжение питания | — | 15±10% | В |
| Выходное напряжение | при Uп = 15 В, fвх = 1 кГц | 2,6…5,5 | В |
| Максимальное входное напряжение | при Uп = 15 В, Uвых = 3,16 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 2,5 Вт | 30…70 | мВ |
| Ток потребления | при Uп = 15 В | ≤5…20 | мА |
| Выходная мощность | при Rн = 4 Ом | 4,5 | Вт |
| Коэффициент гармоник | при Uп = 15 В, Uвых = 4,25 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 4,5 Вт | ≤10 | % |
| при Uп = 15 В, Uвых = 0,45 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 0,05 Вт | ≤2 | ||
| при Uп = 15 В, Uвых = 3,16 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 2,5 Вт | ≤2 | ||
| Коэффициент усиления по напряжению | при Т = -10…+55 °С | ≥45 | — |
| Диапазон рабочих частот | — | 40…20×103 | Гц |
| Значение КПД | при Pвых = 4,5 Вт | ≥50 | % |
| Входное сопротивление | — | ≥30 | кОм |
| Предельно допустимые режимы эксплуатации | |||
| Параметры | Условия | К174УН7 | Ед.изм. |
| Напряжение питания | — | 13,5…16,5 | В |
| Амплитуда входного напряжения | — | ≤2 | В |
| Постоянное напряжение | на выводе 7 | ≤15 | В |
| на выводе 8 | 0,3…2 | ||
| Сопротивление нагрузки | — | ≥4 | Ом |
| Тепловое сопротивление | переход—среда | 100 | °С/Вт |
| переход—корпус | 20 | ||
| Температура корпуса | — | 85 | °С |
| Температура окружающей среды | — | -10…+55 | °С |
| Зависимость выходного напряжения от напряжения питания при Rн = 4 Ом, Kr = 10%, Т = +25 °С. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость | Амплитудно-частотная характеристика |
| Зависимость коэффициента гармоник от выходной мощности | Зависимость коэффициента гармоник от частоты |
| Зависимость выходной мощности от напряжения питания при Rн = 4 Ом, Kr = 10%, Т = +25 °С. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Микросхема К174УН9А
Параметры микросхемы К174УН9А
Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощность 5,0 Вт на нагрузку4 Ом . В состав микросхемы входят предварительный усилитель; выходной каскад; защиту выхода от коротких замыканий и перегрузки по току; стабилизатор тока. Аналог микросхемыTСA940 (функциональный аналог) . Содержит140 интегральных элементов. Конструктивно оформлена в корпусе типа2104.12-1 . Масса не более2,5 гр .Корпус ИМС К174УН4
| 1 — питание +Uи.п.; 4 — вольтодобавка; 5 — коррекция; 6 — обратная связь; 7 — фильтр; 8 — вход; 9 — общий -Uи.п.; 10 — вход датчика тепловой защиты нижнего плеча выходного каскада; 11 — вход датчика тепловой защиты верхнего плеча выходного каскада; 12 — выход. |
Типовая схема включения ИМС К174УН9
Электрические параметры
| 1 | Номинальное напряжение питания: К174УН9А, К174УН9Б К174УН9В | 18 В ± 10%15 В ± 10% |
| 2 | Выходное напряжение fвх = 1 кГц :К174УН9А, К174УН9Б при Uп = 19,8 В К174УН9В приUп = 16,5 В | 4,7 B3,7 B |
| 3 | Входное напряжение при fвх = 1 кГц :К174УН9А, К174УН9Б при Uп = 18 В, Рвых = 5 Вт К174УН9В приUп = 15 В, Рвых = 2,5 Вт | 50-120 мВ85 мВ |
| 3 | Напряжение шумов на выходе при Uп = 18 В, Rr = 51 кОм | 1,5 мВ |
| 4 | Ток потребления: К174УН9А, К174УН9Б при Uп = 18 В К174УН9В приUп = 15 В | 26 мА20 мА |
| 5 | Выходная мощность при Uп = 18 В, Rн = 4 Ома, Кг = 10 %К174УН9А К174УН9Б | 9 Вт7 Вт |
| 6 | Коэффициент гармоник при fвх = 1 кГц :Uп = 18 В К174УН9(А,Б) приUвых = 4,5 В, Рвых = 5 Вт К174УН9(А,Б) приUвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт К174УН9(А,Б) приUвых = 5,3 В, Рвых = 7 ВтUп = 15 В К174УН9В приUвых = 4,25 В, Рвых = 4,5 Вт К174УН9В приUвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт К174УН9В приUвых = 3,16 В, Рвых = 2,5 Вт | 1 %2 %10 %10 %2 %2 % |
| 7 | Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц | 100 кОм |
| 8 | Диапазон рабочих частот | 40-20 000 Гц |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение питания: К174УН9А, К174УН9Б К174УН9В | 16,2…19 В 13.5, 16.5 В |
| 2 | Входное напряжение: К174УН9А, К174УН9Б К174УН9В | 50-145 мВ120 мВ |
| 3 | Выходная мощность: К174УН9А, К174УН9Б К174УН9В | 7,0 Вт4,5 Вт |
| 4 | Рассеиваемая мощность | 8,0 Вт |
| 5 | Сопротивление нагрузки | 4 Ом |
| 6 | Температура окружающей среды | -10…+70°С |
Общие рекомендации по применению
При монтаже микросхемы необходимо предусматривать наименьшую длину соединений между выводами и навесными элементами для уменьшения влияния паразитных связей. Допускается использовать микросхемы только в типовой схеме включения.
При проведении монтажных операций допускается не более трех перепаек выводов микросхемы. Температура пайки 235 ± 5°С
, расстояние от корпуса до места пайки на более1,5 мм , продолжительность пайки не более6 с .
Допускается использование микросхемы с нагрузкой не менее 3,2 Ом
и напряжением питания менее18 В. При увеличении сопротивления нагрузки и снижении напряжения питания выходная мощность уменьшается. Допускается использовать микросхему при напряжении питании не менее5 В .
Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода. При температуре корпуса выше 35°С
максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формулеР=(150-Ткорп)/12, Вт (с теплоотводом), гдеТкорп — температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы.
Типовое напряжение питания для К174УН9А
,К174УН9Б —24 В (Uп = 28 В при отсутствии входного сигнала),К174УН9В —…18 В .
Допустимое значение статического потенциала 30 В
Литература
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры
: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. — Москва: КУБК-а, 1995г. — 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги
: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:КУБК-а, 1996г. — 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы
: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. — 2-е издание, переработанное и дополненное — Минск: Беларусь, 1993г. — 382с.
Сборка усилителя
Схема проверенная и рабочая. Это простой моно усилитель, собран на микросхеме К174УН7. На эту микросхему необходим радиатор. Аналогами микросхемы являются TBA810AS и LA4420. Печатную плату можно сделать с помощью перекиси, этот метод очень доступен. Только для этой платы нужно 200 мл перекиси. Красная линия на печатной плате это ее граница, ее перед травлением нужно стереть. Плату можно питать от аккумуляторов, даже от 4 вольт. Еще в схеме еще регулировка звука с помощью переменного резистора на 40 кОм.
Проверить работу схемы просто. После подключения питания можно дотронуться пальцем до джека (вход усилителя). В динамике (выход усилителя) будет слышен резкий треск с фоновым шумом.
Пайку лучше начинать с проводов и мелких компонентов, например керамических конденсаторов или резисторов.
Микросхему нужно установить на радиатор и припаивать к плате последней.
Время пайки одного вывода за одно прикосновение паяльника не больше пары секунд, затем перерыв.
Если вывод плохо запаялся, подождите пока он остынет, снова нанесите флюс и паяйте. Радиатор немного экранирует тепло, но чтобы перестраховаться, пайка одного контакта не должна быть слишком долгой.
Микросхема К174УН4Б
Параметры микросхемы К174УН4Б
Микросхемы служат в качестве усилителя мощности низкой частоты с выходной мощность до 1 Вт на нагрузку4 Ом . Предназначена для применения в переносных телевизорах и радиоприемниках. Аналог микросхемыTAA300 (функциональный аналог) . Содержат32 интегральных элемента. Конструктивно оформлены в корпусе типа201.9-1 . Масса не более1,5 гр .Корпус ИМС К174УН4 1 — коррекция Icc выходных транзисторов 2 — обратная связь 3 — теплоотвод 4 — вход 5 — фильтр 6 — вольтодобавка 7 — питание +Uи.п. 8 — выход 9 — общий — Uи.п.
Принципиальная схема ИМС К174УН4
Типовая схема включения ИМС К174УН4
Электрические параметры
| 1 | Номинальное напряжение питания | 9 В ± 10% |
| 2 | Ток потребления при Uп = 9 В, Uвх = 0 В | 10 мА |
| 3 | Коэффициент усиления при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В | 4…40 |
| 4 | Нестабильность коэффициента усиления напряжения при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Т=+25…+55°С | 20 % |
| 5 | Коэффициент гармоник при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц :К174УН4А приРвых = 1,0 Вт, Uвых = 2,0 ВК174УН4Б приРвых = 0,7 Вт, Uвых = 1,7 В | 2 %2 % |
| 6 | Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц | 10 кОм |
| 7 | Выходная мощность при Uп = 9 В, Rн = 4 Ома, Кг 2 % :К174УН4АК174УН4Б | 1,0 Вт0,7 Вт |
| 8 | Диапазон рабочих частот при Uп = 9 В | 30…20 000 Гц |
| 9 | Коэффициент полезного действия при Uп = 9 В, Rн = 4 Ома :К174УН4А приPвых = 1,0 ВтК174УН4Б приPвых = 0,7 Вт | 50 %35 % |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение питания: в предельном режиме: | 8,1…9,9 В5,4…10 В |
| 2 | Выходное напряжение: К174УН4А в предельном режимеК174УН4Б в предельном режиме | 2,0 В2,25 В1,7 В1,87 В |
| 4 | Амплитуда тока в нагрузке: К174УН4А в предельном режимеК174УН4Б в предельном режиме | 840 мА900 мА710 мА750 мА |
| 5 | Тепловое сопротивление: кристалл-корпус кристалл-среда | 60°С/Вт135°С/Вт |
| 6 | Температура кристалла | +125 °С |
| 7 | Температура окружающей среды | -25…+55°С |
Общие рекомендации по применению
При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки 235 ± 5°С
, расстояние от корпуса до места пайки на более1,5 мм , продолжительность пайки не более6 с . При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания. Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода.
Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющие вывод 7
с источником питания, использовать только короткие провода, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.
Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах может быть проведена изменением емкостей конденсаторов С2
иС4 . Ослабление усиления на верхней граничной частоте20кГц — не более3 дб . Допускается регулировка коэффициента усиления напряжения с помощью изменения сопротивления резистора обратной связиR2 (в пределах 240 Ом…2,7 кОм) и емкости конденсатораС2 . Допустимое значение статического потенциала200 В .
Литература
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры
: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. — Москва: КУБК-а, 1995г. — 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги
: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:КУБК-а, 1996г. — 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы
: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. — 2-е издание, переработанное и дополненное — Минск: Беларусь, 1993г. — 382с.
Аналоговые интегральные микросхемы для бытовой радиоаппаратуры
: Справочник /Д. И. Атаев, В. А. Болотников. — Москва: Издательство МЭИ, 1991г. 240 с., ил.
