Содержание
IRF740AS Datasheet (PDF)
0.1. irf740as.pdf Size:135K _international_rectifier
PD- 92005SMPS MOSFETIRF740AS/LHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and D 2 TO-262 PakAvalanch
0.2. irf740as-l.pdf Size:304K _international_rectifier
PD- 95532SMPS MOSFETIRF740AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and D 2
0.3. irf740alpbf irf740aspbf.pdf Size:316K _international_rectifier
PD- 95532SMPS MOSFETIRF740AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and2
IRF740A Datasheet (PDF)
0.1. irf740as.pdf Size:135K _international_rectifier
PD- 92005SMPS MOSFETIRF740AS/LHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and D 2 TO-262 PakAvalanch
0.2. irf740as-l.pdf Size:304K _international_rectifier
PD- 95532SMPS MOSFETIRF740AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and D 2
0.3. irf740alpbf irf740aspbf.pdf Size:316K _international_rectifier
PD- 95532SMPS MOSFETIRF740AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and2
0.4. irf740a.pdf Size:196K _international_rectifier
PD- 94828SMPS MOSFETIRF740APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance andAvalanch
0.5. irf740a.pdf Size:937K _samsung
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) : 0.437 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Va
0.6. irf740apbf sihf740a.pdf Size:206K _vishay
IRF740A, SiHF740AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 400RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 36COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 16and CurrentConfigur
0.7. irf740a sihf740a.pdf Size:205K _vishay
IRF740A, SiHF740AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 400RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 36COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 16and CurrentConfigur
0.8. irf740a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF740AFEATURESDrain Source Voltage-: V = 400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.55(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitch mode power supplyUninterruptable power supplyHigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM
IRF740SPBF Datasheet (PDF)
0.1. irf740spbf.pdf Size:951K _international_rectifier
PD — 95204IRF740SPbF Lead-Free4/29/04Document Number: 91055 www.vishay.com1IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com2IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com3IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com4IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com5IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com6IRF740SPbFD2Pak Package Outli
0.2. irf740spbf sihf740s.pdf Size:195K _vishay
IRF740S, SiHF740SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 400 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 63 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 9.0 Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingQgd (nC) 32 Ease of ParallelingConfiguration Sin
7.1. irf740s.pdf Size:93K _st
IRF740S N — CHANNEL 400V — 0.48 — 10A- D2PAKPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDIRF740S 400 V
7.2. irf740s.pdf Size:171K _international_rectifier
Аналоги IRF740
Полные: STP11NK40Z (ST), D84EQ2, VN2340N5. Существует отечественный аналог IRF740 и с теми же цифрами КП740!
Этот транзистор дешево купить можно на алиэкспрессе по 2 доллара за 10 штук.
6 thoughts on “ Транзистор IRF740 параметры ”
Импульсный блок питания собирал лишь раз, для своей первой и единственной IBM XT ручной сборки. Навозился с ним больше, чем с материнской платой, в основном из-за наводимых помех вызывающих аппаратные сбои. Любовь к изготовлению ИБП пропала навсегда. А вот металлоискателей, и как раз на КП740, сделал под заказы больше десятка. Неистребима в людях жажда кладоискания. Плохо то, что иногда, в виде клада выкапывают старые снаряды, мины и авиабомбы. Но транзистор хорош и просто как высоковольтный ключ, без ВЧ.
У меня был отрицательный опыт при работе с полевыми мощными транзисторами, которым хотел бы поделится , что бы другие не повторили. Ремонтировал мощную ультрозвуковую ванну. Мне нужно было контролировать точно частоту выходного сигнала. Я мерил ее на затворе . В результате чего уходила частота за счет входного R и С прибора. Результат , который я ожидал , частота ушла в разнос и вывела из строя выходной каскад.
Ну, о влиянии измерительного прибора на измеряемый надо помнить всегда ) особенно при работе с ВЧ. Приличный осциллограф влияет меньше всех, как правило. Но ультразвук не такое уж и ВЧ в общем-то, там другие нюансы. Непонятно почему вышел из строя выходной каскад, обычно, на ультразвуковых мойках (по крайней мере с теми, что работал) при взбесившейся частоте летит излучатель, как самое слабое звено данного устройства. А уж он может потащить за собой и выходной каскад, хотя и не часто.
Я их сейчас как ключи для «умного дома» (на даче) использую. И по вольтажу подходят , а токи сейчас небольшие у освещения. Простота включения и 400 Вольт. А в основном цена все-таки и габариты.
Я, в основном, использую их так же, о чем и писал выше. Если не упираться в их высокочастотность, то как коммутационные и управляющие ключи электросети — они очень хороши. Для «умного дома» самое оно, много интересных вещиц, повышающих комфорт жилища можно понаделать и объединить в систему. Используя, как готовые решения, так и свои, несложные разработки. Когда-то казавшееся фантастикой, сейчас реализуется довольно просто, благодаря современной базе. А прогресс всегда двигался людьми ленивыми, но с фантазией )
IRF740 — это N-канальный мощный полевой MOSFET-транзистор компании International Rectifier (IR) с изолированным затвором. В настоящее время производится компанией Vishay (преемницей IR) с другим наименованием, указанным в даташит — SiHF740. Он способен переключать нагрузки до 400 В, потребляющие до 10 А c пороговым напряжением на затворе до 10 В. При этом мощность рассеивания не должна превышать 125 Вт. Заявленное производителем сопротивление в открытом состоянии достаточно низкое и составляет 0,55 Ом.
Поскольку этот mosfet предназначен для переключения силовых линий, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому не может использоваться непосредственно с выходом микроконтроллера. Для использования с микроконтроллером потребуется дополнительная обвязка.
IRF740S Datasheet (PDF)
0.1. irf740s.pdf Size:93K _st
IRF740S N — CHANNEL 400V — 0.48 — 10A- D2PAKPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDIRF740S 400 V
0.2. irf740s.pdf Size:171K _international_rectifier
0.3. irf740spbf.pdf Size:951K _international_rectifier
PD — 95204IRF740SPbF Lead-Free4/29/04Document Number: 91055 www.vishay.com1IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com2IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com3IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com4IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com5IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com6IRF740SPbFD2Pak Package Outli
0.4. irf740spbf sihf740s.pdf Size:195K _vishay
IRF740S, SiHF740SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 400 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 63 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 9.0 Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingQgd (nC) 32 Ease of ParallelingConfiguration Sin
Аналоги IRF740
Полные: STP11NK40Z (ST), D84EQ2, VN2340N5. Существует отечественный аналог IRF740 и с теми же цифрами КП740!
Этот транзистор дешево купить можно на алиэкспрессе по 2 доллара за 10 штук.
6 thoughts on “ Транзистор IRF740 параметры ”
Импульсный блок питания собирал лишь раз, для своей первой и единственной IBM XT ручной сборки. Навозился с ним больше, чем с материнской платой, в основном из-за наводимых помех вызывающих аппаратные сбои. Любовь к изготовлению ИБП пропала навсегда. А вот металлоискателей, и как раз на КП740, сделал под заказы больше десятка. Неистребима в людях жажда кладоискания. Плохо то, что иногда, в виде клада выкапывают старые снаряды, мины и авиабомбы. Но транзистор хорош и просто как высоковольтный ключ, без ВЧ.
У меня был отрицательный опыт при работе с полевыми мощными транзисторами, которым хотел бы поделится , что бы другие не повторили. Ремонтировал мощную ультрозвуковую ванну. Мне нужно было контролировать точно частоту выходного сигнала. Я мерил ее на затворе . В результате чего уходила частота за счет входного R и С прибора. Результат , который я ожидал , частота ушла в разнос и вывела из строя выходной каскад.
Ну, о влиянии измерительного прибора на измеряемый надо помнить всегда ) особенно при работе с ВЧ. Приличный осциллограф влияет меньше всех, как правило. Но ультразвук не такое уж и ВЧ в общем-то, там другие нюансы. Непонятно почему вышел из строя выходной каскад, обычно, на ультразвуковых мойках (по крайней мере с теми, что работал) при взбесившейся частоте летит излучатель, как самое слабое звено данного устройства. А уж он может потащить за собой и выходной каскад, хотя и не часто.
Я их сейчас как ключи для «умного дома» (на даче) использую. И по вольтажу подходят , а токи сейчас небольшие у освещения. Простота включения и 400 Вольт. А в основном цена все-таки и габариты.
Я, в основном, использую их так же, о чем и писал выше. Если не упираться в их высокочастотность, то как коммутационные и управляющие ключи электросети — они очень хороши. Для «умного дома» самое оно, много интересных вещиц, повышающих комфорт жилища можно понаделать и объединить в систему. Используя, как готовые решения, так и свои, несложные разработки. Когда-то казавшееся фантастикой, сейчас реализуется довольно просто, благодаря современной базе. А прогресс всегда двигался людьми ленивыми, но с фантазией )
Транзистор IRF740 – MOSFET транзистор 3 поколения, гарантирует быструю скорость переключения, имеет хорошую стабильность, во включенном состоянии обладает малым сопротивлением и наилучшим соотношение эффективность – цена.
Изначально разработчиком и производителем транзистора IRF740 была компания International Rectifier, впоследствии передав право на производство VISHAY. Так же выпуском этого транзистора занимаются такие компании как: ST, Fairchild, Infineon.
IRF740 широко используется в роли элемента усиления в модулях и блоках электронной аппаратуры, а также в ключевых схемах.
Характеристики IRF740
При ознакомлении с характеристиками полевого транзистора IRF740 изначально обращают внимание на его максимальные (предельно допустимые) характеристики. Затем, исходя из поставленной задачи, изучают электрические параметры
После этого переходят к графикам типовых выходных, передаточных и других характеристик. Рассмотрим основные фрагменты из DataSheet irf740 на русском языке.
Максимальные
Ниже представлены предельно допустимые значения МОП-транзистора IRF740. Не следует воспринимать их как основные, при которых mosfet будет работать стабильно. Превышение любого из них, даже на короткий промежуток времени, может привести к выходу устройства из строя.
Электрические
В электрических характеристиках IRF740 содержится информация проверенная производителем при определенных условия. Эти условия указываются дополнительно, в одном из столбцов таблицы. Например, из дополнительных условий можно узнать, что irf740 при напряжении 400 вольт между стоком-истоком, при отсутствующем напряжении на затворе, начинает проводить слабый ток — 250 микроампер.
Тепловые параметры
Основным параметром, который ограничивает применение полевого транзистора, является его рабочая температура. А точнее её увеличение, которое связанно с ростом сопротивления транзистора при прохождении через него электрического тока. Несмотря на низкое сопротивление mosfet, на нём все равно рассеивается некоторая мощность, из-за этого он нагревается. Для упрощения расчётов связанных с нагревом IRF740, в даташит приводятся значения его тепловых сопротивлений: от кристалла к корпусу (Junction-to-Case ) и от корпуса в окружающую среду (Junction-to-Ambient).
Неправильные расчеты тепловых параметров для использования в проектах и плохая пайка приводит к перегреву mosfet. На одном из форумов радиолюбитель жаловался на то, что в собранной им схеме металлоискатель пират на irf740 сильно греется. После продолжительных разбирательств причина перегрева выяснилась и оказалась самой банальной – плохая пайка прибора на плату и охлаждение.
IRF740A Datasheet (PDF)
0.1. irf740as.pdf Size:135K _international_rectifier
PD- 92005SMPS MOSFETIRF740AS/LHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and D 2 TO-262 PakAvalanch
0.2. irf740as-l.pdf Size:304K _international_rectifier
PD- 95532SMPS MOSFETIRF740AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and D 2
0.3. irf740alpbf irf740aspbf.pdf Size:316K _international_rectifier
PD- 95532SMPS MOSFETIRF740AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and2
0.4. irf740a.pdf Size:196K _international_rectifier
PD- 94828SMPS MOSFETIRF740APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance andAvalanch
0.5. irf740a.pdf Size:937K _samsung
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) : 0.437 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Va
0.6. irf740apbf sihf740a.pdf Size:206K _vishay
IRF740A, SiHF740AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 400RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 36COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 16and CurrentConfigur
0.7. irf740a sihf740a.pdf Size:205K _vishay
IRF740A, SiHF740AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 400RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 36COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 16and CurrentConfigur
0.8. irf740a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF740AFEATURESDrain Source Voltage-: V = 400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.55(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitch mode power supplyUninterruptable power supplyHigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM
IRF740APBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF740APBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30
V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 36
nC
Время нарастания (tr): 35
ns
Выходная емкость (Cd): 170
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55
Ohm
Тип корпуса:
IRF740APBF
Datasheet (PDF)
0.1. irf740apbf sihf740a.pdf Size:206K _vishay
IRF740A, SiHF740AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 400RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 36COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 16and CurrentConfigur
7.1. irf740as.pdf Size:135K _international_rectifier
PD- 92005SMPS MOSFETIRF740AS/LHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and D 2 TO-262 PakAvalanch
7.2. irf740as-l.pdf Size:304K _international_rectifier
PD- 95532SMPS MOSFETIRF740AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and D 2
7.3. irf740alpbf irf740aspbf.pdf Size:316K _international_rectifier
PD- 95532SMPS MOSFETIRF740AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and2
7.4. irf740a.pdf Size:196K _international_rectifier
PD- 94828SMPS MOSFETIRF740APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance andAvalanch
7.5. irf740a.pdf Size:937K _samsung
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) : 0.437 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Va
7.6. irf740a sihf740a.pdf Size:205K _vishay
IRF740A, SiHF740AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 400RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 36COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 16and CurrentConfigur
7.7. irf740a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF740AFEATURESDrain Source Voltage-: V = 400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.55(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitch mode power supplyUninterruptable power supplyHigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM
Другие MOSFET… SIHF22N60S
, IRF7404PBF-1
, IRF7404QPBF
, IRF7404PBF
, IRF7406GPBF
, IRF7406PBF
, IRF7406PBF-1
, IRF740ALPBF
, BUZ11
, IRF740ASPBF
, IRF740B
, IRF740LC
, IRF740LCPBF
, IRF740PBF
, IRF740SPBF
, IRF7410GPBF
, IRF7410PBF-1
.
IRF740LC Datasheet (PDF)
0.1. irf740lcpbf.pdf Size:1404K _international_rectifier
PD — 94880IRF740LCPbF Lead-Free12/10/03Document Number: 91052 www.vishay.com1IRF740LCPbFDocument Number: 91052 www.vishay.com2IRF740LCPbFDocument Number: 91052 www.vishay.com3IRF740LCPbFDocument Number: 91052 www.vishay.com4IRF740LCPbFDocument Number: 91052 www.vishay.com5IRF740LCPbFDocument Number: 91052 www.vishay.com6IRF740LCPbFDocument Nu
0.2. irf740lc.pdf Size:174K _international_rectifier
0.3. irf740lc irf740lcpbf sihf740lc.pdf Size:197K _vishay
IRF740LC, SiHF740LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 400 Reduced Gate Drive Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 39 Reduced Ciss, Coss, CrssQgs (nC) 10 Extremely High Frequency OperationQgd (nC) 19 Repetitive Avalanche Rated Comp
0.4. irf740lc sihf740lc.pdf Size:197K _vishay
IRF740LC, SiHF740LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 400 Reduced Gate Drive Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 39 Reduced Ciss, Coss, CrssQgs (nC) 10 Extremely High Frequency OperationQgd (nC) 19 Repetitive Avalanche Rated Comp
IRFS740B Datasheet (PDF)
0.1. irf740b irfs740b.pdf Size:924K _fairchild_semi
November 2001IRF740B/IRFS740B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 400V, RDS(on) = 0.54 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been especially tailored to
7.1. irfs740 irfs741.pdf Size:276K _1
7.2. irfs740 irfs741 irfs742 irfs743.pdf Size:304K _1
7.3. irfs740a.pdf Size:931K _samsung
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) : 0.437 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val
Проверка мультиметром
Большинство полевых n-канальных mosfet можно проверить обычным мультиметром. Сначала проверяют работу, так называемого паразитного диода между выводами стока (D) и истока (S). Затем проводится проверка открытия и закрытие мосфета путем одновременного, кратковременного касания щупами мультиметра контактов «S» и затвора (G). Если при такой подаче плюса на вывод «G» транзистор открывается, а между его выводами «D» — «S» появляется короткое замыкание (в обоих направлениях, несмотря на наличие паразитного диода), то он считается рабочим. Соответственно, если не открывается, то он считается нерабочим.
Для проверки irf740 одним мультиметром не обойтись, так для его открытия требуется напряжение на затворе не менее 4-5 вольт, а мультиметр способен выдать не более 0,3. Поэтому при проверке необходимо запастись источникам питания, например обычной кроной. Кратковременным касанием минусовой клеммой кроны контакта И, а плюсовой «G» можно открыть транзистор. Если после этого ток между «D» и «S» течет в обоих направлениях, то значит транзистор исправен. Конечно, перед проверкой на открытие/закрытие, необходимо проверить исправность паразитного диода. Предлагаем посмотреть видео на эту тему.
https://youtube.com/watch?v=Mo4Ue6dY5DI
Похожие записи:
Подключение светильника своими руками
Как сделать и намотать высоковольтный трансформатор своими руками
Кд209
Фототранзистор: схема, принцип работы и характеристики
Используем arduino uno с wifi на одной плате для post запроса на сервер
Выполнение схемы электрической принципиальной и перечня элементов к ней