Д815

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Тип Структура PК max, PК* т. max, мВт fгр, МГц UКБО max, UКЭR*max, В UЭБО max, В IК max, мА IКБО, мкА h21э, h21Э* CК, пФ rКЭ нас, Ом rб, Ом τк, пс
KT315A1 n-p-n 150 ≥250 25 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Б1 n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315В1 n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Г1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Д1 n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Е1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Ж1 n-p-n 100 ≥250 15 6 100 ≤0,5 30…250 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315И1 n-p-n 100 ≥250 60 6 100 ≤0,5 30 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Н1 n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7
KT315Р1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 150…350 (10 В; 1 мА) ≤7
КТ315А n-p-n 150 (250*) ≥250 25 6 100 ≤0,5 30…120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
КТ315Б n-p-n 150 (250*) ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315В n-p-n 150 (250*) ≥250 40 6 100 ≤0,5 30…120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315Г n-p-n 150 (250*) ≥250 35 6 100 ≤0,5 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315Д n-p-n 150 (250*) ≥250 40* (10к) 6 100 ≤0,6 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
КТ315Е n-p-n 150 (250*) ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
КТ315Ж n-p-n 100 ≥250 20* (10к) 6 50 ≤0,6 30…250* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤25 ≤800
КТ315И n-p-n 100 ≥250 60* (10к) 6 50 ≤0,6 ≥30* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤45 ≤950
КТ315Н n-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤5,5 ≤1000
КТ315Р n-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,5 150…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤500

Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h2lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Цоколёвка и маркировка КТ815

Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.

Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.

На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.

Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.