Характеристики транзистора c2383

2SC2335O Datasheet (PDF)

7.1. 2sc2335.pdf Size:118K _nec

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC2335NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHINGThe 2SC2335 is a mold power transistor developed for high-speed ORDERING INFORMATIONhigh-voltage switching, and is ideal for use as a driver in devices suchPart No. Packageas switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power2SC2335 TO-220ABamplif

7.2. 2sc2335.pdf Size:131K _mospec

AAA

 7.3. 2sc2335.pdf Size:205K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335 DESCRIPTION With TO-220C package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching in inductive cir

7.4. 2sc2335f.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335F DESCRIPTION With TO-220F package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching

 7.5. 2sc2335.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2335DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 3A, I = 0.6ACE(sat) C BFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed switching in

Биполярный транзистор 2SC2335R — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC2335R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора:

2SC2335R
Datasheet (PDF)

7.1. 2sc2335.pdf Size:118K _nec

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC2335NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHINGThe 2SC2335 is a mold power transistor developed for high-speed ORDERING INFORMATIONhigh-voltage switching, and is ideal for use as a driver in devices suchPart No. Packageas switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power2SC2335 TO-220ABamplif

7.2. 2sc2335.pdf Size:131K _mospec

AAA

 7.3. 2sc2335.pdf Size:205K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335 DESCRIPTION With TO-220C package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching in inductive cir

7.4. 2sc2335f.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335F DESCRIPTION With TO-220F package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching

 7.5. 2sc2335.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2335DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 3A, I = 0.6ACE(sat) C BFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed switching in

Другие транзисторы… 2SC2333R
, 2SC2333Y
, 2SC2334
, 2SC2334O
, 2SC2334R
, 2SC2334Y
, 2SC2335
, 2SC2335O
, BC556
, 2SC2335Y
, 2SC2336
, 2SC2336A
, 2SC2336B
, 2SC2337
, 2SC2337A
, 2SC2338
, 2SC2339
.

Datasheet Download — NEC

Номер произв C2335
Описание 2SC2335
Производители NEC
логотип 　

1Page

No Preview Available !

www.DataSheet4U.com
DATA SHEET
SILICON POWER TRANSISTOR
2SC2335
NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR
FOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHING
The 2SC2335 is a mold power transistor developed for high-speed
high-voltage switching, and is ideal for use as a driver in devices such
as switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power
amplifiers.
FEATURES

• Low collector saturation voltage: VCE(sat) = 1.0 V MAX. @IC = 3.0 A

• Fast switching speed: tf = 1.0 µs MAX. @IC = 3.0 A

• Wide base reverse-bias SOA: VCEX(SUS)1 = 450 V MIN. @IC = 3.0 A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current (DC)
Collector current (pulse)
Base current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

IC(DC)

IC(pulse)

IB(DC)

PT

Tj

Tstg

Conditions

PW ≤ 300 µs,

duty cycle ≤ 10%

TC = 25°C

TA = 25°C

Ratings
500
400
7.0
7.0
15
Unit
V
V
V
A
A
3.5
40
1.5
150

−55 to +150

A
W
W

°C

°C

ORDERING INFORMATION
Part No.
2SC2335
Package
TO-220AB
(TO-220AB)
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. D14861EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan

219928

No Preview Available !

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

Parameter
Symbol
Conditions
Collector to emitter voltage
Collector to emitter voltage
Collector to emitter voltage

VCEO(SUS)

VCEX(SUS)1

VCEX(SUS)2

IC = 3.0 A, IB1 = 0.6 A, L = 1 mH

IC = 3.0 A, IB1 = −IB2 = 0.6 A,

VBE(OFF) = −5.0 V, L = 180 µH, clamped

IC = 6.0 A, IB1 = 2.0 A, −IB2 = 0.6 A,

VBE(OFF) = −5.0 V, L = 180 µH, clamped

Collector cutoff current
Collector cutoff current
Collector cutoff current
Collector cutoff current

ICBO

ICER

ICEX1

ICEX2

VCB = 400 V, IE = 0 A

VCE = 400 V, RBE = 51 Ω, TA = 125°C

VCE = 400 V, VBE(OFF) = −1.5 V

VCE = 400 V, VBE(OFF) = −1.5 V,

TA = 125°C

Emitter cutoff current
DC current gain
DC current gain
DC current gain
Collector saturation voltage
Base saturation voltage
Turn-on time
Storage time
Fall time

IEBO

hFE1

hFE2

hFE3

VCE(sat)

VBE(sat)

ton

tstg

tf

VEB = 5.0 V, IC = 0 A

VCE = 5.0 V, IC = 0.1 ANote

VCE = 5.0 V, IC = 1.0 ANote

VCE = 5.0 V, IC = 3.0 ANote

IC = 3.0 A, IB = 0.6 ANote

IC = 3.0 A, IB = 0.6 ANote

IC = 3.0 A, RL = 50 Ω,

IB1 = −IB2 = 0.6 A, VCC ≅ 150 V

Refer to the test circuit.

Note Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2%

hFE CLASSIFICATION

Marking

hFE2

M
20 to 40
L
30 to 60
K
40 to 80

SWITCHING TIME (ton, tstg, tf) TEST CIRCUIT

2SC2335
MIN.
400
450
400
20
20
10
TYP.
MAX.
10
1.0
10
1.0
10
80
80
1.0
1.2
1.0
2.5
1.0
Unit
V
V
V

µA

mA

µA

mA

µA

V
V

µs

µs

µs

Base current
waveform
Collector current
waveform

2 Data Sheet D14861EJ2V0DS

No Preview Available !

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PP DOXPLQXP ERDUG
QR LQVXODWLQJ ERDUG
JUHDVH FRDWLQJ QDWXUDO
DLU FRROLQJ
:LWK LQILQLWH KHDWVLQN

$PELHQW 7HPSHUDWXUH 7$ °&

2SC2335
6LQJOH SXOVH

&ROOHFWRU WR (PLWWHU 9ROWDJH 9&( 9

&DVH 7HPSHUDWXUH 7& °&

3XOVH :LGWK 3: PV

&ROOHFWRU WR (PLWWHU 9ROWDJH 9&( 9

&ROOHFWRU WR (PLWWHU 9ROWDJH 9&( 9

Data Sheet D14861EJ2V0DS
3
Всего страниц 6 Pages
Скачать PDF

Модификации и группы транзистора C3198

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE ٭ NF (типовое) dB Корпус
C3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL) 0,625 60 50 5 0,15 125 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
FTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198A 0,4 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 1 TO-92
KTC3198L ٭٭ 0,625 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 0,5 (1) 0,2 (2) TO-92

٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Временные параметры Корпус
KSC2335 40 500 400 7 7 150 — 10…80 ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс TO-220
КТ840А 60 900 400 5 6 150 8 10…60 ton ˂ 0,2 мкс tstg ˂ 3,5 мкс tf ˂ 0,6 мкс TO-3
КТ841А 50 600 400 5 10 150 10 10 ton = 0,08 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,5 мкс TO-3
2Т842А 50 300 300 5 5 150 20 15 ton = 0,12 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,13 мкс TO-3
КТ847А 125 650 — 8 15 150 ˃ 15 ˃ 8 tstg = 3,0 мкс tf = 1,5 мкс TO-3
КТ858А 60 400 400 6 7 150 — ˃ 10 tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 0,75 мкс TO-220
2Т862 50 600 400 5 10 150 20 12…50 ton ˂ 0,4 мкс tstg ˂ 1,0 мкс tf ˂ 0,25 мкс TO-3
КТ812А 50 400 400 7 8 150 ˃ 3 — tf = 0,2…1,3 мкс TO-3
КТ8126А1 80 700 400 9 8 150 ˃ 4 8…40 ton = 1,6 мкс tstg = 3,0 мкс tf = 0,7 мкс TO-220
КТ8164А 75 700 400 9 4 150 ˃ 4 10…60 ton = 0,8 мкс tstg = 0,9 мкс tf = 4,0 мкс TO-220

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ hFE Корпус
KSC2335 40 500 400 7 7 150 10…80 TO-220
KSC2334 40 150 100 7 7 150 20…240 TO-220C
2SC2502 50 500 400 7 8 150 ˃ 15 TO-220
TT2194 50 500 400 7 12 150 20 TO-220
WBP3308 45 900 500 7 7 150 20 TO-220
2SC3038 40 500 400 7 7 150 50 TO-220
2SC3039 50 500 400 7 7 150 30 TO-220
2SC3170 40 500 — — 7 150 25 TO-220
2SC3626 40 — 400 — 8 — 55 TO-220
2SC4055 60 600 450 7 8 180 100 TO-220
2SC4106 M/N 50 500 400 7 7 175 60 TO-220
2SC4107 M/N 60 500 400 7 10 150 20/60 TO-220
2SC4274 40 500 400 — 10 150 40 TO-220
2SC4458 L 40 900 500 9 8 150 25 TO-220F
2SC4559 40 500 400 — 7 175 150 TO-220
2SD1162 40 500 — 10 10 150 400 TO-220
2SD1349 50 500 — — 7 150 150 TO-220
2SD1533 45 500 — — 7 150 800 TO-220
2SD1710A 50 900 500 9 8 150 25 TO-220
3DK3039 50 500 400 7 7 175 25 TO-220, TO-276AB
MJ10012T 65 600 400 — 15 200 200 TO-220

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Особенности и применение транзистора

Анализ технических характеристик позволяет сделать вывод, что данный радиокомпонент является высокочастотным транзистором общего применения средней мощности. В первую очередь, об этом свидетельствуют высокие значения коллекторного тока – до 0,5А и характерной для корпуса ТО-92 рассеиваемой мощностью – 0,63Вт

Особое внимание стоит уделить коэффициенту усиления hFE. Его характеристика обладает хорошей линейностью, а предельная частота составляет 140МГц

Сочетание этих параметров в одном компоненте позволяет использовать его в выходных каскадах радиостанций небольшой мощности, до 1Вт. Вместе с тем, S9013 достаточно широко применяется в дискретных схемах и переключающих устройствах соответствующей мощности.

Свойства транзистора и его надежность хорошо известны профессионалам и радиолюбителя. Он широко применяется в электротехнической промышленности и радиолюбительской практике.

Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT972A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Параметры транзистора КТ972
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение
Аналог КТ972А BD877, BD263 *2, SK9255 *3, BD321A *3
КТ972Б BD875, BD477, BSP50 *3, SMD3303 *3, BD675A *2
Структура — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ972А — 8*
КТ972Б — 8*
КТ972В — 8*
КТ972Г — 8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ972А — ≥200
КТ972Б — ≥200
КТ972В — ≥200
КТ972Г — ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ972А 1к 60*
КТ972Б 1к 45*
КТ972В 1к 60*
КТ972Г 1к 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб., КТ972А — 5,00
КТ972Б — 5,00
КТ972В — 5,00
КТ972Г — 5,00
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ972А — 4*
КТ972Б — 4*
КТ972В — 2,00
КТ972Г — 2,00
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ972А 60 В ≤1*
КТ972Б 45 В ≤1*
КТ972В 60 В ≤1*
КТ972Г 60 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э, h*21Э КТ972А 3 В; 1 А ≥750*
КТ972Б 3 В; 1 А ≥750*
КТ972В 3 В; 1 А 750…5000
КТ972Г 3 В; 1 А 750…5000
Емкость коллекторного перехода cк, с*12э КТ972А — ≤3
КТ972Б — ≤3
КТ972В — ≤3
КТ972Г — ≤1.9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. КТ972А — —
КТ972Б — —
КТ972В — —
КТ972Г — —
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ972А — —
КТ972Б — —
КТ972В — —
КТ972Г — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) КТ972А — ≤200*
КТ972Б — ≤200*
КТ972В — ≤200*
КТ972Г — ≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

2SC2335Y Datasheet (PDF)

7.1. 2sc2335.pdf Size:118K _nec

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC2335NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHINGThe 2SC2335 is a mold power transistor developed for high-speed ORDERING INFORMATIONhigh-voltage switching, and is ideal for use as a driver in devices suchPart No. Packageas switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power2SC2335 TO-220ABamplif

7.2. 2sc2335.pdf Size:131K _mospec

AAA

 7.3. 2sc2335.pdf Size:205K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335 DESCRIPTION With TO-220C package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching in inductive cir

7.4. 2sc2335f.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335F DESCRIPTION With TO-220F package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching

 7.5. 2sc2335.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2335DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 3A, I = 0.6ACE(sat) C BFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed switching in

Характерные особенности

  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 1 В при IC = 3 А.
  • Высокая скорость переключений: время спадания импульса tf ≤ 1 мкс при IC = 3 А.
  • Расширенная область безопасной работы транзистора при обратном смещении в цепи управления (базы): UCEX (sus)1 ≥ 450 В IC = 3 А.
Характеристика Обозначение Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В VCBO 500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В VCEO 400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В VEBO 7
Ток коллектора постоянный, А IC 7
Ток коллектора импульсный, А ICP ٭ 15
Ток базы постоянный, А IB 3,5
Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), Вт PC 1,5
Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), Вт PC 40
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С Tj 150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg -55…+150

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%

Аналоги

В таблице 3 представлены основные параметры n-p-n транзисторов, пригодных для замены S9014.

Таблица 3. Транзисторы, подходящие для замены S9014 (все кремниевые, n-p-n)

Тип VCEO IC PC hFE fT Корпус Цоколевка*
S9014 45 100 450 60-1000 150 ТО-92 эбк
200 SOT-23 эбк
Импорт
BC547 45 100 625 110 – 800 150 ТО-92 кбэ
MPSW06 60 500 1000 от 80 50 ТО-92 эбк
BC550 45 100 500 420-800 300 ТО-92 кбэ
MPSA43 200 500 625 от 25 от 50 ТО-92 эбк
2SD1938 20 300 200 500 –2500 80 SOT-346 эбк
9014SLT1 45 100 300 300 300 SOT-23 эбк
2N7051 100 1500 625 от 1000 200 ТО-92 экб
Российское производство
КТ3102 20-50 100 250 100 – 1000 от 150 ТО-92 кбэ
КТ6111 45 100 450 60 – 1000 от 150 ТО-92 кбэ

*Цоколевка (ТО-92 – слева направо; SOT-23 – по часовой стрелке)

Примечания.

1. Значение VCEO КТ3102 определяется буквой, следующей за последней цифрой.

2. Корпус SOT-346 отличается от SOT-23 размерами (см. табл. 4).

3. Информация по параметрам аналогов заимствована из даташитов компаний-производителей.

Рис. 7. Корпуса  SOT-23 и SOT-346.

Таблица 4. Размеры SMD-корпусов

Корпус А (мм) B (мм) S (мм) H (мм)
SOT-23 2,9 1,3 2,4 0,95
SOT-346 2,9 1,6 2,8 1,1

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

  • ton – время включения;
  • tstg – время сохранения импульса тока;
  • tf – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения UIN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%

  • UCC – напряжение питания.
  • RL – сопротивление нагрузки.
  • IC – ток коллектора.
  • IB1 и IB2 – токи базы в разные периоды времени.
  • UBB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

Поиск транзистора (аналога) по параметрам

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type Code  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Hfe  Caps
   Si  NPN  85  700  400  9  9  150  20  
13007T    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  20  
2SC2335    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  20  
2SC2335O    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  30  
2SC2335R    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  20  
2SC2335Y    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  40  
2SC2427    Si  NPN  40  500    7  7  150  20  
2SC3038    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  50  
2SC3039    Si  NPN  50  500  400  7  7  150  30  
2SC3158    Si  NPN  60  500  400  7  7    20  
2SC3170    Si  NPN  40  500      7  150  25  
2SC3522    Si  NPN  40  500      7  150  40  
2SC3562    Si  NPN  40  500  400    10  150  20  
2SC3563    Si  NPN  40  500  400    10  150  30  
2SC3626    Si  NPN  40  500  400    8  150  55  
2SC4055    Si  NPN  60  600  450  7  8  180  100  
2SC4106M    Si  NPN  50  500  400  7  7  175  20  
2SC4106N    Si  NPN  50  500  400  7  7  175  60  
2SC4107M    Si  NPN  60  500  400  7  10  150  20  
2SC4107N    Si  NPN  60  500  400  7  10  150  60  
2SC4164M    Si  NPN  70  500  400  7  12  150  20  
2SC4164N    Si  NPN  70  500  400  7  12  150  30  
2SC4274    Si  NPN  40  500  400    10  150  40  
2SC4458L    Si  NPN  40  900  500  9  8  150  25  
2SC4508    Si  NPN  40  500  400  7  10    25  
2SC4559    Si  NPN  40  500  400    7  175  150  
2SD1162    Si  NPN  40  500    10  10  150  400  
2SD1349    Si  NPN  50  500      7  150  150  
2SD1533    Si  NPN  45  500      7  150  800  
2SD1535    Si  NPN  45  500      7  150  2000  
2SD1710A    Si  NPN  50  900  500  9  8  150  25  
3DD13007B8    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  20  
3DD13007X1    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  20  
3DD13007_B8    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  20  
3DD13007_X1    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  20  
3DD13009A8    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  20  
3DD13009C8    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  20  
3DD13009_A8    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  20  
3DD13009_C8    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  20  
3DD13012A8    Si  NPN  100  750  400  10  15  150  20  
3DD4206  D4206  Si  NPN  75  600  400  9  7  150  20  
3DK3039    Si  NPN  50  500  400  7  7  175  25  TO276AB
TO257
BU810    Si  NPN  75  600  400    7  150  100  
BUD47    Si  NPN  100  850  400    8  150  100  
BUD47A    Si  NPN  100  1000  400    8  150  100  
BUL48    Si  NPN  75  800  400  9  7  150  30  
BUL743    Si  NPN  100  1200  500  15  12  150  24  
BUT12    Si  NPN  100  850  400    8  150  30  
BUT12A    Si  NPN  125  1000  450    8  150  30  
BUT54    Si  NPN  100  800  430    8  150  20  
CSC2335    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  20  
ECG379    Si  NPN  100  700  400    12  175  20  
HMJE13007    Si  NPN  80  700  400  9  8  150  25  
KSC2335    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  20  
KSC2335O    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  30  
KSC2335R    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  20  
KSC2335Y    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  40  
KSC3158    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  20  
KSC3158O    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  30  
KSC3158R    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  20  
KSC3158Y    Si  NPN  40  500  400  7  7  150  40  
KSC5032    Si  NPN  80  500  400  7  8  150  50  
KSD5742    Si  NPN  80    400  8  8  150  200  
MJ10012T    Si  NPN  65  600  400  8  10  150  100  
MJE13009D    Si  NPN  100  700  400  9  12  150  40  
MJE13009K    Si  NPN  80  700  400  9  12  150  40  
MJE13009P    Si  NPN  80  700  400  9  12  150  40  
MJE5742    Si  NPN  80  800  400  8  8  150  200  
MJE5742G  MJE5742  Si  NPN  100    400  8  8  150  50  
SGSD00020    Si  NPN  70  650  400    8  175  1000  
SGSF341    Si  NPN  85  850  400    10  175    
SGSF343    Si  NPN  85  1000  450    8  175    
SGSF344    Si  NPN  85  1200  600    7  175    
SM2175    Si  NPN  60    400    15  200  200  
TT2194    Si  NPN  50  500  400  7  12  150  20  
WBP3308    Si  NPN  45  900  500  7  7  150  20  

Всего результатов: 76

Биполярный транзистор 2SC2335F — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC2335F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора:

2SC2335F
Datasheet (PDF)

0.1. 2sc2335f.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335F DESCRIPTION With TO-220F package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching

7.1. 2sc2335.pdf Size:118K _nec

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC2335NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHINGThe 2SC2335 is a mold power transistor developed for high-speed ORDERING INFORMATIONhigh-voltage switching, and is ideal for use as a driver in devices suchPart No. Packageas switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power2SC2335 TO-220ABamplif

7.2. 2sc2335.pdf Size:131K _mospec

AAA

 7.3. 2sc2335.pdf Size:205K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335 DESCRIPTION With TO-220C package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching in inductive cir

7.4. 2sc2335.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2335DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 3A, I = 0.6ACE(sat) C BFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed switching in

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Похожие записи:

Default ThumbnailСветодиодные прожекторы на 50 вт: обзор моделей и цены Расчет освещенности помещения со светодиодными светильниками Обозначения постоянного и переменного тока: ac и dc ток Как выбрать узо + рейтинг лучших производителей Как защитить компьютер или ноутбук от плохой сети 220в. и надо ли защищать? Поезда на магнитной подушке