Bt 1690 transistor datasheet & applicatoin notes

Содержание

Модификации и группы

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	h_FE	Группы по h_FE	Врем. параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс	Корпус
13001-0	0,8	700	400	9	0,4	150	˃ 5	8…30	—	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92T
13001-2	0,8	700	400	9	0,45	150	˃ 5	8…30	—	0,7 / 2,0 / 0,6	TO-92T
13001-A	0,8	600	400	9	0,5	150	˃5	8…30	—	0,7 / 2,5 / 0,6	TO-92T
3DD13001	0,75	600	400	7	0,2	150	˃8	5…26	Группы A/B	— / 1,5 / 0,3	TO-92
3DD13001A1	0,8	600	400	9	0,25	150	˃5	15…30	—	0,8 / 1 / 1	TO-92
3DD13001P	0,6	600	400	9	0,17	150	˃5	15…30	—	1 / 3 / 1	TO-92
3DD13001P1	0,6	600	400	9	0,2	150	˃5	15…30	—	1 / 3 / 1	TO-92
3DD13001A1	0,8	600	400	9	0,25	150	˃5	15…30	—	1 / 3 / 1	TO-92
ALJ13001	1	600	400	7	0,2	150	˃8	10…40	10 групп без обозначения	— / 1,5 / 0,3	TO-92
CD13001	0,9	500	400	9	0,5	150	—	—	6 групп A/B/C/…/F	— / 1,5 / 0,3	TO-92
CS13001	0,75	700	480	9	0,2	150	—	8…30	4 группы без обозначения	—	TO-92
HMJE13001	1	600	400	6	0,3	150	—	8…36	—	—	TO-92
MJ13001A	0,625	500	400	8	0,5	150	˃10	8…40	—	—	TO-92
MJE13001	0,75	600	400	7	0,2	150	˃8	10…70	12 групп A/B/C…/L	—	TO-92, SOT-89
MJE13001A1	0,8	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 1,2	TO-92
MJE13001A2	0,8	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 1,2	TO-92L
MJE13001AH	1	700	480	9	0,3	150	—	5…30	—	— / 2 / 0,8	TO-92(S)
MJE13001B1	1	600	400	9	0,2	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,6	TO-92
MJE13001C1	1	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,6	TO-92
MJE13001C2	1	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,6	TO-92L
MJE13001DE1	1	600	400	9	0,5	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,8	TO-92
MJE13001E1	1	600	400	9	0,45	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,6	TO-92
MJE13001E2	1	600	400	9	0,45	150	˃5	10…40		— / 3 / 0,6	TO-92L
MJE13001H	1	700	480	9	0,18	150	—	5…30	—	—	TO-92(S)
MJE13001P	0,75	600	400	7	0,2	150	˃8	5…70	12 групп A/B/C…/L	— / 1,5 / 0,3	TO-92
SBN13001	0,6	600	400	9	0.5	150	—	10…40	—	— / 2 / 0,8	TO-92
SXW13001	9	600	400	—	0.5	—	—	8…70	—	—	TO-92
SXW13001	10	600	400	—	0.5	—	—	10…40	—	—	TO-126
XW13001	7	600	400	—	0,25	—	—	8…70	—	—	TO-92
Исполнение SMD
MJD13001	0,3	700	400	8	0,2	150	˃8	10…40	6 групп A/B/C/…/F	— / 2,4 / 0,9	SOT-23
MJE13001A0	0,5	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 1,2	SOT-23
MJE13001AT	0,8	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 1,2	SOT-89
MJE13001C0	0,65	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,6	SOT-23
MJE13001CT	1	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	—	— / 3 / 0,6	SOT-89

Примечание. Маркировка:

MJE13001A0, MJE13001AT — H01A.
MJE13001C0, MJE13001CT — H01C.

Электрические параметры

Характеристика
Обозначение
Параметры при измерениях
Значения Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В ٭
UCEO(SUS)
IC = 10 мА, IB = 0 А.
400 Ток коллектора выключения, мА ٭
Ta = 25°C
ICEO
UCEO = номинальное значение, UBE(OFF) = 1,5 В
1 Tc = 25°C
5 Ток эмиттера выключения, мА ٭
IEBO
UEB = 9,0 В, IC = 0
1 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭
UCE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
0,5 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1 IC = 1,2 А, IB = 0,4 А
3 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1 Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭
UBE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
1 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1,2 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1,1 Статический коэффициент усиления по току ٭
hFE (1)
UCE = 5,0 В, IC = 0,4 А
14….57 hFE (2)
UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А
5…30 Выходная емкость коллектора, pF
Cob
UCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц
21 Частота среза, МГц
fT
UCE = 10 В, IC = 0,1 А
10 Временные параметры транзистора при работе на резистивную нагрузку Время задержки, мкс
td
См

схему измерения временных параметров: UCC = 125 В, IC = 1 А, IB1 = IB2 = 0,2 А, tp = 25 мкс, скважность импульсов ≤ 1%
0,05 Время нарастания импульса тока, мкс
tr
0,5 Время сохранения импульса, мкс
ts
2 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,4 Временные параметры транзистора при работе на индуктивную нагрузку с ограничениями напряжений Время сохранения импульса, мкс
ts
IC = 1 А, UCLAMP = 300 В, IB1 = 0,2 А, UBE(OFF) = 5 В, Tc = 100°C.
1,7 Коммутационный промежуток, мкс
tc
0,29 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,15. ٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%

٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a=25°C, если не указано иное.

Модификации и группы транзистора C3198

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_{FE ٭}	NF (типовое) dB	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL)	0,625	60	50	5	0,15	125	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
FTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198A	0,4	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	1	TO-92
KTC3198L ٭٭	0,625	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	0,5 (1) 0,2 (2)	TO-92

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Модификации и группы параметров транзистора BD139

Для условий T_A = 25°C.

Данные получены по материалам сайтов: alltranzistors.ru и chipdip.ru.

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	h_FE	Корпус
BD139	1,25	100	80	5	1,5	150	190	от 40 до 250	TO-126
BD139G/L-xx-TM3-x	1	TO-251
BD139-6	1,25	от 40 до 100	TO-126
BD139-10	от 63 до 160
BD139-16	от 100 до 250
BD139-25	от 160 до 400
HSBD139	80	от 40 до 250
STBD139	100

Модели BD139 G/L не содержат в конструкции соответственно галогенных или свинцовых соединений.

Модели, содержащие в обозначении цифровые дополнения: BD139-6/10/16/25, строго говоря, не являются модификациями транзистора. Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине статического коэффициента усиления в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона изменения этого h-параметра. В качестве примера: в информационном листке (даташит) компании-производителя “Fairchild Semiconductor” приводится классификация по величине коэффициента усиления:

Классификация	6	10	16
h_FE(3)	от 40 до 100	от 63 до 160	от 100 до 250

Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT972A

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Параметры транзистора КТ972
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение
Аналог	КТ972А	BD877, BD263 2, SK9255 3, BD321A *3
КТ972Б	BD875, BD477, BSP50 3, SMD3303 3, BD675A *2
Структура	—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,PK, τ max,P*K, и max	КТ972А	—	8*
КТ972Б	—	8*
КТ972В	—	8*
КТ972Г	—	8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, fh21б, fh21э, f**max	КТ972А	—	≥200
КТ972Б	—	≥200
КТ972В	—	≥200
КТ972Г	—	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., UКЭR проб., U*КЭО проб.	КТ972А	1к	60*
КТ972Б	1к	45*
КТ972В	1к	60*
КТ972Г	1к	60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ972А	—	5,00
КТ972Б	—	5,00
КТ972В	—	5,00
КТ972Г	—	5,00
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ972А	—	4*
КТ972Б	—	4*
КТ972В	—	2,00
КТ972Г	—	2,00
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, IКЭR, I*КЭO	КТ972А	60 В	≤1*
КТ972Б	45 В	≤1*
КТ972В	60 В	≤1*
КТ972Г	60 В	≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э, h*21Э	КТ972А	3 В; 1 А	≥750*
КТ972Б	3 В; 1 А	≥750*
КТ972В	3 В; 1 А	750…5000
КТ972Г	3 В; 1 А	750…5000
Емкость коллекторного перехода	cк, с*12э	КТ972А	—	≤3
КТ972Б	—	≤3
КТ972В	—	≤3
КТ972Г	—	≤1.9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас, rБЭ нас, К*у.р.	КТ972А	—	—
КТ972Б	—	—
КТ972В	—	—
КТ972Г	—	—
Коэффициент шума транзистора	Кш, rb, P*вых	КТ972А	—	—
КТ972Б	—	—
КТ972В	—	—
КТ972Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, tрас, tвыкл, t**пк(нс)	КТ972А	—	≤200*
КТ972Б	—	≤200*
КТ972В	—	≤200*
КТ972Г	—	≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Datasheet Download — NXP Semiconductors

Номер произв

BT169

Описание

Thyristor logic level

Производители

NXP Semiconductors

логотип

1Page

No Preview Available !

BT169 series
Thyristors logic level
Rev. 5 — 30 September 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Passivated, sensitive gate thyristors in a SOT54 plastic package.
1.2 Features and benefits

 Designed to be interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and

other low power gate trigger circuits.
1.3 Applications

 General purpose switching and phase control applications.

1.4 Quick reference data

 VDRM, VRRM  200 V (BT169B)

 VDRM, VRRM  400 V (BT169D)

 VDRM, VRRM  600 V (BT169G)

 IT(RMS)  0.8 A

 IT(AV)  0.5 A

 ITSM  8 A

2. Pinning information
Table 1.
Pin
1
2
3
Discrete pinning
Description
anode (a)
gate (g)
cathode (k)
Simplified outline
Symbol
AK
G
sym037
321
SOT54 (TO-92)

No Preview Available !

NXP Semiconductors
BT169 series
Thyristor logic level
3. Ordering information
Table 2. Ordering information
Type number
Package
Name
Description
BT169B
—
plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
BT169D
BT169G
4. Limiting values
Version
SOT54
Table 3. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions

VDRM, VRRM

repetitive peak off-state voltages
BT169B
BT169D
BT169G

IT(AV)

average on-state current
half sine wave;

Tlead  83 C;

see Figure 1

IT(RMS)

RMS on-state current
all conduction angles;

see Figure 4 and 5

ITSM non-repetitive peak on-state current half sine wave;

Tj = 25 C prior to

surge;

see Figure 2 and 3

t = 10 ms
t = 8.3 ms

I2t I2t for fusing

t = 10 ms

dIT/dt

IGM

VGM

VRGM

PGM

PG(AV)

Tstg

repetitive rate of rise of on-state
current after triggering
peak gate current
peak gate voltage
peak reverse gate voltage
peak gate power
average gate power
storage temperature
junction temperature

ITM = 2 A; IG = 10 mA;

dIG/dt = 100 mA/s

over any 20 ms period
Min

—

—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—

40

—
Max Unit
200 V
400 V
600 V
0.5 A
0.8 A
8
9
0.32
50
1
5
5
2
0.1
+150
125
A
A

A2s

A/s

A
V
V
W
W

C

Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the thyristor may switch to the on-state.

The rate of rise of current should not exceed 15 A/s.

BT169_SER
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 5 — 30 September 2011
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
2 of 13

No Preview Available !

NXP Semiconductors

BT169 series
Thyristor logic level
0.8

Ptot

(W)
0.6
1.9
2.2
a=
1.57

001aab446 77

Tlead(max)

(°C)

89
0.4
0.2

2.8
4
0.1 0.2 0.3
conduction form
angle factor
(degrees) a
30 4
60 2.8
90 2.2
120 1.9
180 1.57
0.4 0.5
α

IT(AV) (A)

101
113
125
0.6

a = form factor = IT(RMS)/IT(AV).

Fig 1. Total power dissipation as a function of average on-state current; maximum values.
10

ITSM

(A)
8
001aab499
6
4

IT ITSM

tp t

Tj(init) = 25 °C max

1 10 102 103

number of cycles
f = 50 Hz.
Fig 2. Non-repetitive peak on-state current as a function of the number of sinusoidal current cycles; maximum
values.
BT169_SER
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 5 — 30 September 2011
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
3 of 13

Всего страниц

13 Pages

Скачать PDF

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C/ I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE₍_OFF₎ = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE₍_sat₎ при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE₍_ON₎ при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO₍_SUS₎= 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE₍_OFF₎соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B₁ = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

/ bt1690 параметры

Модификации и группы

Электрические параметры

Модификации и группы транзистора C3198

Модификации и группы параметров транзистора BD139

Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Datasheet Download — NXP Semiconductors

Графические иллюстрации характеристик

Похожие записи: