Datasheet bf423 pdf ( даташит )

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления h_FE от коллекторной нагрузки I_C при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 2 В.

Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения U_CE от управляющего тока базы I_B при различных нагрузках I_C.

Характеристики сняты при температуре п/п структуры T_j = 25°C.

Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:

зависимость напряжения насыщения U_CE(sat) коллектор-эмиттер от тока нагрузки I_C;
зависимость напряжения насыщения U_BE(sat)от тока нагрузки I_C (Обе характеристики сняты при соотношении тока коллектора к току базы как 10:1);
зависимость управляющего напряжения U_BE база-эмиттер от тока нагрузки I_C при коллекторном напряжении U_CE = 4 В.

Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки I_C:

Ɵ_UC – для коллекторного напряжения насыщения U_CE(sat);
Ɵ_UB – напряжения базы U_BE.

Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току I_C/I_B не превышающем ¼ от значения h_FE по постоянному току.

Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:

зависимости сняты при различных значениях температуры п/п структуры и значении коллекторного напряжения U_CE = 30 В;
область разделена осью U_BE = 0 на две половины – отрицательных напряжений базы (помечено на графике REVERSE) и область положительных напряжений базы (помечено на графике FORWARD). По этой оси отсчитываются значения тока выключения коллектора I_CES.

Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:

шкала (помечена на графике T_A) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры среды;
шкала (помечена на графике T_C) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры контакта коллектора и охладителя.

Рис. 7. Характеристики включения транзистора.

Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания t_r импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C и отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10.

Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.

Зависимость времени рассасывания заряда t_s в п/п структуре и времени спадания t_f импульса от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C, отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10 и равенстве токов I_B₁ = I_B₂.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.

Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):

сплошная ограничивающая линия -повреждение в результате вторичного пробоя п/п структуры при превышении предельного напряжения U_CEO коллектор-эмиттер (напряжения отмечены на горизонтальной оси для нескольких типов транзисторов);
штрихпунктирная ограничивающая линия –
U_CE повреждение в результате расплавления внутренних контактных соединений в конструкции транзистора;
пунктирная ограничивающая линия – повреждение в результате перегрева п/п структуры выше предельной температуры T_j = 150 °C.

Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса T_C = 25°C).

BF423W Datasheet (PDF)

9.1. bf421 bf423.pdf Size:119K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF421/DHigh Voltage TransistorsBF421PNP SiliconBF423COLLECTOR23BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSRating Symbo

9.2. bf421l bf423l.pdf Size:47K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421L; BF423LPNP high-voltage transistors1999 Apr 21Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 18Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421L; BF423LFEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V)1 base Available with a highe

9.3. bf421 bf423.pdf Size:48K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2

9.4. bf421 bf423 1.pdf Size:62K _philips

9.5. bf421 bf423 2.pdf Size:51K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high voltage transistorsProduct specification 2004 Nov 10Supersedes data of 1996 Dec 09Philips Semiconductors Product specificationPNP high voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2 collector Class-B video output stages in

9.6. bf421 bf423.pdf Size:136K _siemens

PNP Silicon Transistors BF 421With High Reverse Voltage BF 423 High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Low capacitance Complementary types: BF 420, BF 422 (NPN)231Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)1 2 3BF 421 Q62702-F532 E C B TO-92BF 423 Q62702-F496Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitBF 421 BF 423Collector-e

9.7. bf421 bf423.pdf Size:105K _onsemi

BF421, BF423High Voltage TransistorsPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantMAXIMUM RATINGSRating Symbol BF421 BF423 UnitTO-92Collector-Emitter Voltage VCEO -300 -250 VdcCASE 29STYLE 14Collector-Base Voltage VCBO -300 -250 Vdc1122Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc33STRAIGHT LEAD BENT

9.8. bf421 bf423.pdf Size:144K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH VOLTAGE BF421VIDEO TRANSISTORS BF423TO-92Plastic PackageHigh Voltage Video AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL 423 421 UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 250 300 VVCBOCollector Base Voltage 250 300

9.9. bf423.pdf Size:47K _kec

SEMICONDUCTOR BF423TECHNICAL DATA SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPEHIGH VOLTAGE SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION. COLOR TV CHROMA OUTPUT APPLICATIONS.B CFEATURES High Voltage : VCEO>-300VComplementary to BF422.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_

9.10. hbf423.pdf Size:44K _hsmc

Spec. No. : HE6403HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.18Revised Date : 2003.06.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBF423PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionVideo B-class Power stages in TV-receiversTO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature …………………………………………………………………………………

9.11. bf423a3.pdf Size:219K _cystek

Spec. No. : C235A3 Issued Date : 2004.02.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.01 Page No. : 1/5 PNP Epitaxial Planar Transistor BF423A3Description PNP high voltage transistors in a TO-92 plastic package. Complementary to BF422A3 Pb-free lead plating package Features Low feedback capacitance. Applications Class-B video output stages

BF423 Datasheet (PDF)

0.1. bf421 bf423.pdf Size:119K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF421/DHigh Voltage TransistorsBF421PNP SiliconBF423COLLECTOR23BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSRating Symbo

0.2. bf421l bf423l.pdf Size:47K _philips

0.3. bf421 bf423.pdf Size:48K _philips

0.4. bf421 bf423 1.pdf Size:62K _philips

0.5. bf421 bf423 2.pdf Size:51K _philips

0.6. bf421 bf423.pdf Size:136K _siemens

0.7. bf421 bf423.pdf Size:105K _onsemi

0.8. bf421 bf423.pdf Size:144K _cdil

0.9. bf423.pdf Size:47K _kec

0.10. hbf423.pdf Size:44K _hsmc

0.11. bf423a3.pdf Size:219K _cystek

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CB = 60 В, I_E = 0	≤ 0,1
Ток базы выключения, мкА	I_EBO	U_EB = 5 В, I_C =0	≤ 0,1
Статический коэффициент усиления по току ٭	h_FE(1)	U_CE = 6 В, I_C = 0,002 А	40…250
h_FE(2)	U_CE = 6 В, I_C = 0,15 А	≥ 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)	I_C = 100мА, I_B = 10 мА	0,1…0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)	I_C = 100мА, I_B = 10 мА	≤ 0,1
Частота среза, МГц	f_T	U_CE = 10 В, I_C = 1 мА	≥ 80
Выходная емкость, pF	Cob	U_CB = 10 В, I_E = 0, f = 1 МГц	≤ 3
Внутреннее сопротивление базового перехода, Ом	r_bb’	U_CB = 10 В, I_E = 1 мА, f = 30 МГц	50
Коэффициент шума (типовое значение), dB	2SC3198A	NF	U_CE = 6 В, I_C = 0,1 мА, f = 1 кГц, R_g = 10 кОм	1
2SC3198L	NF	0,2

٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Обозначение транзистора в группе	2SC3198 O	2SC3198 Y	2SC3198 GR	2SC3198 BL
Диапазон величины h_FE	70…140	120…240	200…400	350…700

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Диаграмма входного сигнала.

Схема измерения при резистивной нагрузке.

Параметры режима:

UCC = 125 В. RC = 125 Ом. RB = 47 Ом. D1 диод 1N5820 или подобный. SCOPE – осциллограф “Tektronics 475” или подобный

tr, tf ˂ 10 нс; скважность ≤ 1%

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.

Входной сигнал: прямоугольный импульс с амплитудой 5 В и протяженностью фронтов tr и tf не более 10 нс

Скважность импульсов 10%. Протяженность импульса подбирается из требуемой величины коллекторного тока IC

UCC подбирается из требуемой величины IC. RB подбирается из требуемой величины IB1. Диод MR826 выбирается на напряжение 1 кВ. Напряжение ограничения UCLAMP = 300 В.

Диаграммы выходных токов и напряжений.

На рисунке:

t_f CLAMPED – время спадания импульса тока при ограничении напряжения на уровне U_CLAMPED.
I_C₍_PK₎ максимальное достижимое значение тока, по которому подбираются значение U_CC и длительность входного импульса.

Расчетные формулы: t₁= L × I_C_(PK) / U_CC; t₂ = L × I_C_(PK) / U_CLAMP.

Подделка TIG056 #1

Особенности: Корпус со шлифовкой на лицевой стороне, не очень аккуратно выполнена. Маркировка тонким шрифтом, двумя строками вместо трех. Выштамповки вроде-бы есть, но не там и не в тех количествах. Кристалл меньше раза в два.

Причины выхода из строя оригинальных транзисторов и методы борьбы с этим явлением

Кратко пройдемся и по причинам выхода из строя транзисторов. Если копии/перемаркировка «вылетают» по вполне понятным причинам, то почему мастера сталкиваются с выходом из строя оригинальных транзисторов?

Причин, в принципе, может быть три.

1) Превышение максимально допустимого импульсного тока коллектора. В штатном режиме этого не произойдет, ток транзисторов выбран с большим запасом. Но случается, что импульсная лампа пробивается «обходным путем» — через подгоревшее стекло у электродов на рефлектор. Цепь, в таком случае, получается очень коротка: плюсовой вывод лампы-рефлектор-минусовой вывод лампы. В таком случае ток уже не ограничен лампой. Немного его ограничивает катушка индуктивности в цепи питания лампы да провода. Но на пробой транзистора хватает.

Факторы риска:

Изношенная лампа с почернением у плюсового электрода.
Замененная лампа с плохой изоляцией электрода.
Закороченный тиристор-шунт индуктивности (CR3AS, CR5AS)
Частое использование режима HSS на предельных мощностях. К примеру, TTL HSS днем на солнце, для подсветки теней.

Методы повышения надежности:

Замена лампы вспышки на более длинную. Мы рекомендуем устанавливать во все вспышки лампы бОльшей мощности на шаг. SB600->SB800, 430EX, 430EXII -> SB900, 580EXII->SB900. Это никак не сказывается на функциональности вспышки, но значительно (более чем вдвое) продлевает ресурс. Медленнее портится и сама лампа (запас по мощности), и не возникает пробоев через электроды, т.к. они вынесены за рефлектор.
Хорошая изоляция электродов. В оригинальных конструкциях используется силиконовая термоусадка с клеевым слоем, закрывающая стекло лампы до границы электродов. Хорошей заменой будет силиконовая трубка от капельницы с силиконовым герметиком.
Для 580EXII — установка дополнительного провода поджига на рефлектор лампы.

2) Проблемы с управлением затвора IGBT транзистора. Недостаточно резкое нарастание напряжения на затворе гарантированно выведет из строя транзистор. В этом случае он успевает оказаться в линейном режиме, с многократным превышением рассеиваемой мощности.

Сюда же можно отнести неверный выбор напряжения на затворе IGBT при замене транзистора. Транзисторы RJP4301, CT40KM питаются 30В, а RJP5001, IRG4BC40W — 18В. При перекрестной замене требуется найти и заменить стабилитрон в цепи драйвера затвора. Установка дополнительного стабилитрона в затвор мы не рекомендуем, он вносит дополнительную емкость и ограничивает ток затвора.

3) Превышение допустимого напряжения К-Э. Данное явление встречается редко при оборванном, искрящем проводе к негативному электроду лампы. Собственно и добавить тут нечего. Данному явлению особо подвержены старые (420EX) вспышки и, как ни странно, Nikon SB700.

Методы повышения надежности (в общем). Если во вспышке горит уже не первый транзистор, то возможно, данные рекомендации помогут выполнить качественный ремонт:

- Установка транзистора бОльшей мощности, чем родной. Хорошие результаты дает установка RJP5001 вместо RJP4301 с обязательной заменой стабилитрона в цепи питания затвора с 30В на 18В. Можно также вместо RJP5001 устанавливать IRG4PC50U в корпусе TO-247, отпиливая часть корпуса.
- Установка сдвоенного транзистора с развязкой затворов резисторами (22 Ом). Отличные результаты дает пара IRG4BC40W. Стабилитрон можно не менять, напряжение на затворе до 30В допустимо.

В данную статью попадает каждый забракованный транзистор, который нам присылают поставщики-любители подделок. А значит материала со временем станет больше, а работа мастеров чуточку проще.

При копировании статьи индексируемая ссылка на первоисточник обязательна: photo-parts.com.ua

Модификации и группы транзистора C3198

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_{FE ٭}	NF (типовое) dB	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL)	0,625	60	50	5	0,15	125	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
FTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198A	0,4	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	1	TO-92
KTC3198L ٭٭	0,625	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	0,5 (1) 0,2 (2)	TO-92

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Биполярный транзистор HBF423 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: HBF423

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50

Корпус транзистора:

HBF423
Datasheet (PDF)

0.1. hbf423.pdf Size:44K _hsmc

9.1. hbf422.pdf Size:45K _hsmc

Spec. No. : HE6404HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.18Revised Date : 2004.06.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBF422NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescription Video B-class Power stages in TV-receiversTO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………………………………………………………………………………..

Другие транзисторы… HA8550S
, HBC517
, HBC847
, HBC848
, HBC856
, HBD437T
, HBD438T
, HBF422
, 2N2907
, HD122
, HE8050
, HE8050S
, HE8550
, HE8550S
, HE9014
, HE9015
, HI10387
.

Графические данные

Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току h_FE от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение UCE = 3 В

Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора U_CE(sat)от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы U_BE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 4. Зависимости входной C_ib и выходной C_ob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам U_CB и U_EB.

Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.

Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности P_C транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода T_C.

Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.

Области безопасной работы ограничиваются:

по напряжению — величиной напряжения коллектор-эмиттер, чреватой невосстановимым пробоем п/п структуры транзистора;
по величине тока – предельным значением тока в цепи коллектор-эмиттер, при котором происходит локальный перегрев и прожигание п/п структуры;
по величине рассеиваемой мощности – предельным значением, при котором в результате перегрева параметры транзистора безвозвратно изменяются в сторону их ухудшения.

Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

SOT-23

-20 В		P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
	P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
-30 В		P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23
	P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23

PQFN 2×2 мм, 3×3 мм

-20 В		P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2
-30 В
	P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33
	P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2

SO-8 и TSOP-6

-30 В	IRFTS9342TRPBF	P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6
	P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8

PQFN 5×6мм

-30 В

P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, NPN, составные, импульсные. Разработаны для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, переключающих устройствах и других схемах аппаратуры широкого применения.

Отечественное производство

Модель	P_C *	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_C, pF	h_FE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150		300	≥ 1000	TO-220
КТ716А/Б	60	100/80	100/80	5	8/10	150	6	150	от 500 до 750	TO-220, TO-66
КТ8116А/Б	65	100	5	4	—	1000	TO-220
КТ8116А/Б	25	100	3	4	—	1000	DPAK
КТ8141А	60	100	100	8	7	—	750	TO-220
КТ8147А/Б	100	700/500	—	8	10	5	—	5	—
КТ8158В	125	100	100	5	12	5	—	2500	TO-218

Зарубежное производство

Модель	P_C *	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	h_FE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150	≥ 1000	TO-220
NTE261	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
NTE263	65	100	100	5	10	150	1000	TO-220
RCA122	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
SE9302	70	100	100	5	10	150	1000	TO-220
TIP102	80	100	100	5	8	150	1000	TO-220
TIP132	70	100	100	5	8	150	1000	TO-220
WW263	65	100	100	5	10	150	1000	TO-220
2N6045G	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220AB
2SD498	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220
3DA122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
3DA142T	80	100	100	5	10	150	1000	TO-220
3DD122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
BDW93C	80	100	100	5	12	150	15000	TO-220
CFD811	65	110	100	5	8	150	1000	TO-220FP
HEPS9151	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
HP102	80	100	100	5	8	150	1000	TO-220
HP122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
HP142T/TS	80/70	100	100	5	10/8	150	1000	TO-220
MJE6045/T	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220 TO-220AB

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит производителя.

Планарные MOSFETS транзисторы

D-PAK (доступны в корпусах I-Pak)

30 В		30V, 46A, 19 mOhm, 33.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak
40 В		40V, 87A, 9.2 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak
55 В		55V, 71A, 13 mOhm, 62 nC Qg, D-Pak
75 В		75V, 42A, 26 mOhm, 74 nC Qg, D-Pak
100 В		100V, 32A, 44 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak

D2PAK (доступны в корпусах TO-262)

30 В		30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
40 В		40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
	40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
55 В		55V, 104A, 8 mOhm, 86.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
	55V, 135A, 4.7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak
75 В		75V, 105A, 7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak
100 В		100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, D2-Pak
	100V, 103A, 11.6 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

TO-220 и TO-247

30 В		30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
40 В		40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
	40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
55 В		55V, 133A, 5.3 mOhm, 170 nC Qg, TO-220AB
	55V, 160A, 5.3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC
75 В		75V, 177A, 4.5 mOhm, 410 nC Qg, TO-247AC
100 В		100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, TO-220AB
	100V, 51A, 250 mOhm, 66.7 nC Qg, TO-247AC

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C/ I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE₍_OFF₎ = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE₍_sat₎ при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE₍_ON₎ при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO₍_SUS₎= 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE₍_OFF₎соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B₁ = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Даташит bf423 pdf ( datasheet )

Графические данные

BF423W Datasheet (PDF)

BF423 Datasheet (PDF)

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Подделка TIG056 #1

Причины выхода из строя оригинальных транзисторов и методы борьбы с этим явлением

Модификации и группы транзистора C3198

Биполярный транзистор HBF423 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

HBF423 Datasheet (PDF)

Графические данные

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Планарные MOSFETS транзисторы

Графические иллюстрации характеристик

Похожие записи:

HBF423
Datasheet (PDF)