Даташит bf423 pdf ( datasheet )

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления hFE от коллекторной нагрузки IC при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 2 В.

Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения UCE от управляющего тока базы IB при различных нагрузках IC.

Характеристики сняты при температуре п/п структуры Tj = 25°C.

Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:

  • зависимость напряжения насыщения UCE(sat) коллектор-эмиттер от тока нагрузки IC;
  • зависимость напряжения насыщения UBE(sat) от тока нагрузки IC (Обе характеристики сняты при соотношении тока коллектора к току базы как 10:1);
  • зависимость управляющего напряжения UBE база-эмиттер от тока нагрузки IC при коллекторном напряжении UCE = 4 В.

Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки IC:

  • ƟUC – для коллекторного напряжения насыщения UCE(sat);
  • ƟUB – напряжения базы UBE.

Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току IC/IB не превышающем ¼ от значения hFE по постоянному току.

Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:

  • зависимости сняты при различных значениях температуры п/п структуры и значении коллекторного напряжения UCE = 30 В;
  • область разделена осью UBE = 0 на две половины – отрицательных напряжений базы (помечено на графике REVERSE) и область положительных напряжений базы (помечено на графике FORWARD). По этой оси отсчитываются значения тока выключения коллектора ICES.

Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:

  • шкала (помечена на графике TA) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры среды;
  • шкала (помечена на графике TC) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры контакта коллектора и охладителя.

Рис. 7. Характеристики включения транзистора.

Зависимость времени задержки td и времени нарастания tr импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C и отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10.

Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.

Зависимость времени рассасывания заряда ts в п/п структуре и времени спадания tf импульса от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C, отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10 и равенстве токов IB1 = IB2.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.

Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):

  • сплошная ограничивающая линия -повреждение в результате вторичного пробоя п/п структуры при превышении предельного напряжения UCEO коллектор-эмиттер (напряжения отмечены на горизонтальной оси для нескольких типов транзисторов);
  • штрихпунктирная ограничивающая линия –
  • UCE повреждение в результате расплавления внутренних контактных соединений в конструкции транзистора;
  • пунктирная ограничивающая линия – повреждение в результате перегрева п/п структуры выше предельной температуры Tj = 150 °C.

Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса TC = 25°C).

BF423W Datasheet (PDF)

9.1. bf421 bf423.pdf Size:119K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF421/DHigh Voltage TransistorsBF421PNP SiliconBF423COLLECTOR23BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSRating Symbo

9.2. bf421l bf423l.pdf Size:47K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421L; BF423LPNP high-voltage transistors1999 Apr 21Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 18Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421L; BF423LFEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V)1 base Available with a highe

 9.3. bf421 bf423.pdf Size:48K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2

9.4. bf421 bf423 1.pdf Size:62K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2

 9.5. bf421 bf423 2.pdf Size:51K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high voltage transistorsProduct specification 2004 Nov 10Supersedes data of 1996 Dec 09Philips Semiconductors Product specificationPNP high voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2 collector Class-B video output stages in

9.6. bf421 bf423.pdf Size:136K _siemens

PNP Silicon Transistors BF 421With High Reverse Voltage BF 423 High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Low capacitance Complementary types: BF 420, BF 422 (NPN)231Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)1 2 3BF 421 Q62702-F532 E C B TO-92BF 423 Q62702-F496Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitBF 421 BF 423Collector-e

9.7. bf421 bf423.pdf Size:105K _onsemi

BF421, BF423High Voltage TransistorsPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantMAXIMUM RATINGSRating Symbol BF421 BF423 UnitTO-92Collector-Emitter Voltage VCEO -300 -250 VdcCASE 29STYLE 14Collector-Base Voltage VCBO -300 -250 Vdc1122Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc33STRAIGHT LEAD BENT

9.8. bf421 bf423.pdf Size:144K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH VOLTAGE BF421VIDEO TRANSISTORS BF423TO-92Plastic PackageHigh Voltage Video AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL 423 421 UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 250 300 VVCBOCollector Base Voltage 250 300

9.9. bf423.pdf Size:47K _kec

SEMICONDUCTOR BF423TECHNICAL DATA SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPEHIGH VOLTAGE SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION. COLOR TV CHROMA OUTPUT APPLICATIONS.B CFEATURES High Voltage : VCEO>-300VComplementary to BF422.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_

9.10. hbf423.pdf Size:44K _hsmc

Spec. No. : HE6403HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.18Revised Date : 2003.06.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBF423PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionVideo B-class Power stages in TV-receiversTO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature …………………………………………………………………………………

9.11. bf423a3.pdf Size:219K _cystek

Spec. No. : C235A3 Issued Date : 2004.02.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.01 Page No. : 1/5 PNP Epitaxial Planar Transistor BF423A3Description PNP high voltage transistors in a TO-92 plastic package. Complementary to BF422A3 Pb-free lead plating package Features Low feedback capacitance. Applications Class-B video output stages

BF423 Datasheet (PDF)

0.1. bf421 bf423.pdf Size:119K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF421/DHigh Voltage TransistorsBF421PNP SiliconBF423COLLECTOR23BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSRating Symbo

0.2. bf421l bf423l.pdf Size:47K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421L; BF423LPNP high-voltage transistors1999 Apr 21Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 18Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421L; BF423LFEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V)1 base Available with a highe

 0.3. bf421 bf423.pdf Size:48K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2

0.4. bf421 bf423 1.pdf Size:62K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2

 0.5. bf421 bf423 2.pdf Size:51K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high voltage transistorsProduct specification 2004 Nov 10Supersedes data of 1996 Dec 09Philips Semiconductors Product specificationPNP high voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2 collector Class-B video output stages in

0.6. bf421 bf423.pdf Size:136K _siemens

PNP Silicon Transistors BF 421With High Reverse Voltage BF 423 High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Low capacitance Complementary types: BF 420, BF 422 (NPN)231Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)1 2 3BF 421 Q62702-F532 E C B TO-92BF 423 Q62702-F496Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitBF 421 BF 423Collector-e

0.7. bf421 bf423.pdf Size:105K _onsemi

BF421, BF423High Voltage TransistorsPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantMAXIMUM RATINGSRating Symbol BF421 BF423 UnitTO-92Collector-Emitter Voltage VCEO -300 -250 VdcCASE 29STYLE 14Collector-Base Voltage VCBO -300 -250 Vdc1122Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc33STRAIGHT LEAD BENT

0.8. bf421 bf423.pdf Size:144K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH VOLTAGE BF421VIDEO TRANSISTORS BF423TO-92Plastic PackageHigh Voltage Video AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL 423 421 UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 250 300 VVCBOCollector Base Voltage 250 300

0.9. bf423.pdf Size:47K _kec

SEMICONDUCTOR BF423TECHNICAL DATA SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPEHIGH VOLTAGE SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION. COLOR TV CHROMA OUTPUT APPLICATIONS.B CFEATURES High Voltage : VCEO>-300VComplementary to BF422.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_

0.10. hbf423.pdf Size:44K _hsmc

Spec. No. : HE6403HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.18Revised Date : 2003.06.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBF423PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionVideo B-class Power stages in TV-receiversTO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature …………………………………………………………………………………

0.11. bf423a3.pdf Size:219K _cystek

Spec. No. : C235A3 Issued Date : 2004.02.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.01 Page No. : 1/5 PNP Epitaxial Planar Transistor BF423A3Description PNP high voltage transistors in a TO-92 plastic package. Complementary to BF422A3 Pb-free lead plating package Features Low feedback capacitance. Applications Class-B video output stages

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCB = 60 В, IE = 0 ≤ 0,1
Ток базы выключения, мкА IEBO UEB = 5 В, IC =0 ≤ 0,1
Статический коэффициент усиления по току ٭ hFE(1) UCE = 6 В, IC = 0,002 А 40…250
hFE(2) UCE = 6 В, IC = 0,15 А ≥ 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 100мА, IB = 10 мА 0,1…0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 100мА, IB = 10 мА ≤ 0,1
Частота среза, МГц fT UCE = 10 В, IC = 1 мА ≥ 80
Выходная емкость, pF Cob UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц ≤ 3
Внутреннее сопротивление базового перехода, Ом rbb’ UCB = 10 В, IE = 1 мА, f = 30 МГц 50
Коэффициент шума (типовое значение), dB 2SC3198A NF UCE = 6 В, IC = 0,1 мА, f = 1 кГц, Rg = 10 кОм 1
2SC3198L NF 0,2

٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Обозначение транзистора в группе 2SC3198 O 2SC3198 Y 2SC3198 GR 2SC3198 BL
Диапазон величины hFE 70…140 120…240 200…400 350…700

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Диаграмма входного сигнала.

Схема измерения при резистивной нагрузке.

Параметры режима:

UCC = 125 В. RC = 125 Ом. RB = 47 Ом. D1 диод 1N5820 или подобный. SCOPE – осциллограф “Tektronics 475” или подобный

tr, tf ˂ 10 нс; скважность ≤ 1%

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.

Входной сигнал: прямоугольный импульс с амплитудой 5 В и протяженностью фронтов tr и tf не более 10 нс

Скважность импульсов 10%. Протяженность импульса подбирается из требуемой величины коллекторного тока IC

UCC подбирается из требуемой величины IC. RB подбирается из требуемой величины IB1. Диод MR826 выбирается на напряжение 1 кВ. Напряжение ограничения UCLAMP = 300 В.

Диаграммы выходных токов и напряжений.

На рисунке:

  • tf CLAMPED – время спадания импульса тока при ограничении напряжения на уровне UCLAMPED.
  • IC(PK) максимальное достижимое значение тока, по которому подбираются значение UCC и длительность входного импульса.

Расчетные формулы: t1 = L × IC(PK) / UCC; t2 = L × IC(PK) / UCLAMP.

Подделка TIG056 #1

Особенности: Корпус со шлифовкой на лицевой стороне, не очень аккуратно выполнена. Маркировка тонким шрифтом, двумя строками вместо трех. Выштамповки вроде-бы есть, но не там и не в тех количествах. Кристалл меньше раза в два.

Причины выхода из строя оригинальных транзисторов и методы борьбы с этим явлением

Кратко пройдемся и по причинам выхода из строя транзисторов. Если копии/перемаркировка «вылетают» по вполне понятным причинам, то почему мастера сталкиваются с выходом из строя оригинальных транзисторов?

Причин, в принципе, может быть три.

1) Превышение максимально допустимого импульсного тока коллектора. В штатном режиме этого не произойдет, ток транзисторов выбран с большим запасом. Но случается, что импульсная лампа пробивается «обходным путем» — через подгоревшее стекло у электродов на рефлектор. Цепь, в таком случае, получается очень коротка: плюсовой вывод лампы-рефлектор-минусовой вывод лампы. В таком случае ток уже не ограничен лампой. Немного его ограничивает катушка индуктивности в цепи питания лампы да провода. Но на пробой транзистора хватает.

Факторы риска: 

  • Изношенная лампа с почернением у плюсового электрода.
  • Замененная лампа с плохой изоляцией электрода.
  • Закороченный тиристор-шунт индуктивности (CR3AS, CR5AS)
  • Частое использование режима HSS на предельных мощностях. К примеру, TTL HSS днем на солнце, для подсветки теней. 

Методы повышения надежности:

  • Замена лампы вспышки на более длинную. Мы рекомендуем устанавливать во все вспышки лампы бОльшей мощности на шаг. SB600->SB800, 430EX, 430EXII -> SB900, 580EXII->SB900. Это никак не сказывается на функциональности вспышки, но значительно (более чем вдвое) продлевает ресурс. Медленнее портится и сама лампа (запас по мощности), и не возникает пробоев через электроды, т.к. они вынесены за рефлектор.
  • Хорошая изоляция электродов. В оригинальных конструкциях используется силиконовая термоусадка с клеевым слоем, закрывающая стекло лампы до границы электродов. Хорошей заменой будет силиконовая трубка от капельницы с силиконовым герметиком.
  • Для 580EXII — установка дополнительного провода поджига на рефлектор лампы.

2) Проблемы с управлением затвора IGBT транзистора. Недостаточно резкое нарастание напряжения на затворе гарантированно выведет из строя транзистор. В этом случае он успевает оказаться в линейном режиме, с многократным превышением рассеиваемой мощности.

Сюда же можно отнести неверный выбор напряжения на затворе IGBT при замене транзистора. Транзисторы RJP4301, CT40KM питаются 30В, а RJP5001, IRG4BC40W — 18В. При перекрестной замене требуется найти и заменить стабилитрон в цепи драйвера затвора. Установка дополнительного стабилитрона в затвор мы не рекомендуем, он вносит дополнительную емкость и ограничивает ток затвора.

3) Превышение допустимого напряжения К-Э. Данное явление встречается редко при оборванном, искрящем проводе к негативному электроду лампы. Собственно и добавить тут нечего. Данному явлению особо подвержены старые (420EX) вспышки и, как ни странно, Nikon SB700. 

Методы повышения надежности (в общем). Если во вспышке горит уже не первый транзистор, то возможно, данные рекомендации помогут выполнить качественный ремонт:

    • Установка транзистора бОльшей мощности, чем родной. Хорошие результаты дает установка RJP5001 вместо RJP4301 с обязательной заменой стабилитрона в цепи питания затвора с 30В на 18В. Можно также вместо RJP5001 устанавливать IRG4PC50U в корпусе TO-247, отпиливая часть корпуса.
    • Установка сдвоенного транзистора с развязкой затворов резисторами (22 Ом). Отличные результаты дает пара IRG4BC40W. Стабилитрон можно не менять, напряжение на затворе до 30В допустимо.

В данную статью попадает каждый забракованный транзистор, который нам присылают поставщики-любители подделок. А значит материала со временем станет больше, а работа мастеров чуточку проще.

При копировании статьи индексируемая ссылка на первоисточник обязательна: photo-parts.com.ua

Модификации и группы транзистора C3198

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE ٭ NF (типовое) dB Корпус
C3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL) 0,625 60 50 5 0,15 125 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
FTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198A 0,4 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 1 TO-92
KTC3198L ٭٭ 0,625 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 0,5 (1) 0,2 (2) TO-92

٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Биполярный транзистор HBF423 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: HBF423

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50

Корпус транзистора:

HBF423
Datasheet (PDF)

0.1. hbf423.pdf Size:44K _hsmc

Spec. No. : HE6403HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.18Revised Date : 2003.06.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBF423PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionVideo B-class Power stages in TV-receiversTO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature …………………………………………………………………………………

9.1. hbf422.pdf Size:45K _hsmc

Spec. No. : HE6404HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.18Revised Date : 2004.06.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBF422NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescription Video B-class Power stages in TV-receiversTO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………………………………………………………………………………..

Другие транзисторы… HA8550S
, HBC517
, HBC847
, HBC848
, HBC856
, HBD437T
, HBD438T
, HBF422
, 2N2907
, HD122
, HE8050
, HE8050S
, HE8550
, HE8550S
, HE9014
, HE9015
, HI10387
.

Графические данные

Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току hFE от коллекторной нагрузки IC.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение UCE = 3 В

Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100

Рис. 4. Зависимости входной Cib и выходной Cob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам UCB и UEB.

Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.

Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности PC транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода TC.

Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.

Области безопасной работы ограничиваются:

  • по напряжению — величиной напряжения коллектор-эмиттер, чреватой невосстановимым пробоем п/п структуры транзистора;
  • по величине тока – предельным значением тока в цепи коллектор-эмиттер, при котором происходит локальный перегрев и прожигание п/п структуры;
  • по величине рассеиваемой мощности – предельным значением, при котором в результате перегрева параметры транзистора безвозвратно изменяются в сторону их ухудшения.

Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

SOT-23

-20 В

P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23

P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23

-30 В

P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23

P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23

PQFN 2×2 мм, 3×3 мм

-20 В

P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2

-30 В

P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33

P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2

SO-8 и TSOP-6

-30 В

IRFTS9342TRPBF

P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6

P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8

PQFN 5×6мм

-30 В

P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, NPN, составные, импульсные. Разработаны для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, переключающих устройствах и других схемах аппаратуры широкого применения.

Отечественное производство

Модель PC * UCB UCE UEB IC TJ fT CC, pF hFE Корпус
TIP122 65 100 100 5 5 150 300 ≥ 1000 TO-220
КТ716А/Б 60 100/80 100/80 5 8/10 150 6 150 от 500 до 750 TO-220, TO-66
КТ8116А/Б 65 100 5 4 1000 TO-220
КТ8116А/Б 25 100 3 4 1000 DPAK
КТ8141А 60 100 100 8 7 750 TO-220
КТ8147А/Б 100 700/500 8 10 5 5
КТ8158В 125 100 100 5 12 5 2500 TO-218

Зарубежное производство

Модель PC * UCB UCE UEB IC TJ hFE Корпус
TIP122 65 100 100 5 5 150 ≥ 1000 TO-220
NTE261 65 100 100 5 8 150 1000 TO-220
NTE263 65 100 100 5 10 150 1000 TO-220
RCA122 65 100 100 5 8 150 1000 TO-220
SE9302 70 100 100 5 10 150 1000 TO-220
TIP102 80 100 100 5 8 150 1000 TO-220
TIP132 70 100 100 5 8 150 1000 TO-220
WW263 65 100 100 5 10 150 1000 TO-220
2N6045G 75 100 100 5 8 150 1000 TO-220AB
2SD498 75 100 100 5 8 150 1000 TO-220
3DA122 65 100 100 5 5 150 1000 TO-220
3DA142T 80 100 100 5 10 150 1000 TO-220
3DD122 65 100 100 5 5 150 1000 TO-220
BDW93C 80 100 100 5 12 150 15000 TO-220
CFD811 65 110 100 5 8 150 1000 TO-220FP
HEPS9151 65 100 100 5 8 150 1000 TO-220
HP102 80 100 100 5 8 150 1000 TO-220
HP122 65 100 100 5 5 150 1000 TO-220
HP142T/TS 80/70 100 100 5 10/8 150 1000 TO-220
MJE6045/T 75 100 100 5 8 150 1000 TO-220 TO-220AB

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит производителя.

Планарные MOSFETS транзисторы

D-PAK (доступны в корпусах I-Pak)

30 В

30V, 46A, 19 mOhm, 33.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak

40 В

40V, 87A, 9.2 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak

55 В

55V, 71A, 13 mOhm, 62 nC Qg, D-Pak

75 В

75V, 42A, 26 mOhm, 74 nC Qg, D-Pak

100 В

100V, 32A, 44 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak

D2PAK (доступны в корпусах TO-262)

30 В

30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

40 В

40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

55 В

55V, 104A, 8 mOhm, 86.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

55V, 135A, 4.7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak

75 В

75V, 105A, 7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak

100 В

100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, D2-Pak

100V, 103A, 11.6 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

TO-220 и TO-247

30 В

30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

40 В

40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB

55 В

55V, 133A, 5.3 mOhm, 170 nC Qg, TO-220AB

55V, 160A, 5.3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC

75 В

75V, 177A, 4.5 mOhm, 410 nC Qg, TO-247AC

100 В

100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, TO-220AB

100V, 51A, 250 mOhm, 66.7 nC Qg, TO-247AC

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.