Транзистор 2n5401

Распиновка

Стандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.

Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право: база, коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база.

Производители

Транзистор 2N5401 (datasheet можно скачать нажав на название) является достаточно популярным, и поэтому его производством занимаются многие зарубежные фирмы, перечислим основные из них:

  • Diotec Semiconductor;
  • Inchange Semiconductor Company Limited;
  • ON Semiconductor;
  • Samsung semiconductor;
  • Foshan Blue Rocket Electronics;
  • Fairchild Semiconductor;
  • UNISONIC TECHNOLOGIES;
  • Micro Electronics;
  • Micro Commercial Components.

В отечественных магазинах чаще всего встречается продукция выпущенная на заводах следующих компаний: Diotec Semiconductor, ON Semiconductor, Fairchild Semiconductor, Micro Commercial Components, UNISONIC TECHNOLOGIES.

Related Datasheets

Номер в каталоге Описание Производители
2N540 Trans GP BJT NPN 80V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve New Jersey Semiconductor
2N5400 Amplifier Transistor ON Semiconductor
2N5400 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Samsung semiconductor
2N5400 PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose/ high voltage amplifier applications Semtech Corporation
Номер в каталоге Описание Производители
6MBP200RA-060

Intelligent Power Module

 Fuji Electric
ADF41020

18 GHz Microwave PLL Synthesizer

 Analog Devices
AN-SY6280

Low Loss Power Distribution Switch

 Silergy
DataSheet26.com    |    2020    |   Контакты    |    Поиск  

2n5401 vs mpsa92

The table below is to compare the electrical specifications of each 2n5401 and mpsa92 transistor.

Characteristics   2n5401   Mpsa92
Collector to base voltage (VCB) -160V -300V
Collector to emitter voltage (VCE) -150V -300V
Emitter to base voltage (VEB) -5V -5V
Collector current (IC) -600mA -500mA
Power dissipation 625mW 625mW
Junction temperature (TJ) -55 to +150°C -55 to 150°C
Transition frequency (FT)  400MHZ 50MHZ
     Noise (N) 8dB –
   Gain (hFE) 60 to 240hFE 25 to 40hFE
    Package TO-92 TO-92

The voltage value of both transistors is different,

For, 2n5401 (VCB = -160V) and (VCE = -150V), but at mpsa92, it is (VCB = -300V) and (VCE= -300V).

The peak collector current and DC current gain value of each transistor is different,

  • For, 2n5401 peak (IC= -600mA) and for mpsa92 it is (IC= -500mA)
  • For, 2n5401 DC gain current value is (60 to 240hFE) and for mpsa92, it is (25 to 40hFE).

2n5401 graphical characteristics

DC current gain vs collector current

The figure shows the DC current gain vs collector current curve, we can see the current gain is dipping when the collector current increases to a maximum limit.

collector current vs base-emitter voltage

The figure shows the collector current vs base-emitter voltage curve, we can see an increase in collector current with the slightest change in base-emitter voltage.

Applications of 2n5401 transistor   

The 2n5401 is a PNP transistor type mostly used for high voltage applications, but the 2n5401 transistor is also the best option for amplifier circuits.

  • General-purpose switching and amplifier applications
  • Telephony applications
  • High voltage applications
  • Multi-stage amplifier circuits
  • Power supply applications

DMMT5401 Datasheet (PDF)

0.1. dmmt5401.pdf Size:111K _diodes

DMMT5401 MATCHED PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-26 Complementary NPN Type Available (DMMT5551) E1 E2 C2Dim Min Max Typ Ideal for Low Power Amplification and Switching A 0.35 0.50 0.38 Intrinsically Matched PNP Pair (Note 1) B CB 1.50 1.70 1.60 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)

0.2. dmmt5401.pdf Size:1336K _kexin

SMD Type TransistorsPNP TransistorsDMMT5401 (KMMT5401)( )SOT-23-6 Unit:mm+0.10.4 -0.1 Features5 46 Epitaxial Planar Die Construction Complementary NPN Type Available (DMMT5551) Ideal for Medium Power Amplification and Switching Intrinsically Matched PNP Pair (Note 1)2 31 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)+0.020.15 -0.02+0.0

 9.1. dmmt5551 dmmt5551s.pdf Size:114K _diodes

DMMT5551/DMMT5551S MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-26 Complementary PNP Type Available (DMMT5401) Dim Min Max Typ Ideal for Low Power Amplification and Switching A 0.35 0.50 0.38 Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) B CB 1.50 1.70 1.60 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)

9.2. dmmt5551.pdf Size:1286K _kexin

SMD Type TransistorsNPN TransistorsDMMT5551 (KMMT5551)( )SOT-23-6 Unit:mm0.4+0.1 Features -0.1 Epitaxial Planar Die Construction6 5 4 Complementary PNP Type Available (DMMT5401) Ideal for Low Power Amplification and Switching Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)2 31 Lead Free/RoHS Compliant

Datasheet Download — Unisonic Technologies

Номер произв 2N5401
Описание HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
Производители Unisonic Technologies
логотип 　

1Page

No Preview Available !

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2N5401
PNP SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
1
FEATURES
* Collector-emitter voltage:

VCEO = -150V

* High current gain
SOT-89
1
TO-92
*Pb-free plating product number:2N5401L
ORDERING INFORMATION
Order Number
Normal
Lead Free Plating
2N5401-x-AB3-R
2N5401L-x-AB3-R
2N5401-x-T92-B
2N5401L-x-T92-B
2N5401-x-T92-K
2N5401L-x-T92-K
Package
Pin Assignment
123
SOT-89
BCE
www.DataSheet4U.com
TO-92
EBC
TO-92
EBC
Packing
Tape Reel
Tape Box
Bulk
2N5401L-x-AB3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Plating
(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel
(2) AB3: SOT-89, T92: TO-92

(3) x: refer to Classification of hFE

(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R201-001,D

No Preview Available !

2N5401
PNP SILICON TRANSISTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°C , unless otherwise specified)

PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage

VCBO

-160
V
Collector-Emitter Voltage

VCEO

-150
V
Emitter-Base Voltage

VEBO

-5
V
Collector Current

IC -600 mA

Collector Dissipation
TO-92
625 mW
SOT-89

PC

500
mW
Junction Temperature

TJ +150

Storage Temperature

TSTG

-55 ~ +150
Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain(Note)
Collector-Emitter Saturation Voltage
SYMBOL

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

hFE1

hFE2

hFE3

VCE(SAT)

Base-Emitter Saturation Voltage

VBE(SAT)

Current Gain Bandwidth Product

fT

Output Capacitance
Cob
Noise Figure
NF

Note: Pulse test: PW<300µs, Duty Cycle<2%

TEST CONDITIONS

Ic = -100µA, IE = 0

Ic = -1mA, IB = 0

IE = -10µA, Ic = 0

VCB = -120V, IE = 0

VEB = -3V, Ic = 0

VCE = -5V, Ic = -1mA

VCE = -5V, Ic = -10mA

VCE = -5V, Ic = -50mA

Ic = -10mA, IB = -1mA

Ic = -50mA, IB = -5mA

Ic = -10mA, IB = -1mA

Ic = -50mA, IB = -5mA

VCE = -10V, Ic = -10mA

f = 100MHz

VCB = -10V, IE = 0, f = 1MHz

Ic = -0.25mA, VCE = -5V

Rs = 1kΩ, f = 10Hz ~ 15.7kHz

CLASSIFICATION OF hFE

RANK
RANGE
A
80-170
B
150-240
MIN TYP MAX UNIT
-160 V
-150 V
-6 V
-50 nA
-50 nA
80
80 400
80

-0.2 V

-0.5
-1

-1 V

100 400 MHz
6.0 pF
8 dB
C
200-400
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2 of 4
QW-R201-001,D

No Preview Available !

2N5401

TYPICAL CHARACTERISTICS
Capacitance vs. Collector-
Base Voltage
20
16
f= 1M H z

12 IE=0

8
4

-10

— 101

-102

Collector-Base Voltage (V)
Collector Current vs. Base-Emitter
Voltage

-103

-102

VCE =-5 V

-101

-10

0 -0.2 -0.4 -0 .6 -0 .8 -1.0
Base-Emitter V oltage (V)
Current Gain-B andwidth Product
vs. Collector Current

103

V CE=- 10V

102

101

10

-10-1 -10-101 -10 2 -10 3

Collector Current, Ic(mA)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
PNP SILICON TRANSISTOR
DC Current Gain vs.
Collector Current

103

V CE=-5V

102

10 1

10

-10 -1 -10 -101 -102 -103

Collector Current , Ic (mA)
Saturation Voltage vs.
Collector Current

-10 1

I C= 10* IB

-10

VBE(SAT)

-10 -1

VCE (SAT)

-10 -2

— 10-1 -10 -101

-102 -103

Collector Current , Ic (mA)
3 of 4
QW-R201-001,D
Всего страниц 4 Pages
Скачать PDF

Технические характеристики 2n5401

Самыми важными, для транзистора, считаются предельно допустимые характеристики. Именно их производители приводят первыми в своей технической документации. Измерение параметров, как максимальных, так и электрических, происходит при температуре +25°С. Вот они:

  • напряжение К – Б Uкб max (VCBO) = -160 В;
  • напряжение К – Э Uкэ max (VCЕO) = -150 В;
  • напряжение Э – Б Uэб max (VЕBO) = -5 В;
  • ток через коллектор Iк max (IC) = 600 мА;
  • максимальная рассеиваемая мощность без теплоотвода:
    • для корпуса ТО-92 Pк max (PD) = 0,625 Вт;
    • для корпуса SOT-89 Pк max (PD) = 0,5 Вт
    • для корпуса SOT-23 Pк max (PD) = 0,35 Вт.
  • максимальная рассеиваемая мощность с теплоотводом (корпус ТО-92) Pк max (PD) = 1,5 Вт;
  • температура рабочая и хранения Tstg = -50 … +150°С;
  • предельная температура кристалла Тj = 150°С.

Следующими по важности характеристиками являются электрические. От них также зависят функциональные возможности транзистора

При их измерении важную роль играют значения внешних параметров. В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N5401 (при Т = +25°C)
Параметры Обозн. Условия измерения min max Ед. изм
Напряжение пробоя К –Э Uкэ(проб.) IК=-1,0мA, IБ=0 -150 В
Напряжение пробоя К – Б Uкб(проб.) IК=-100мкA, IЭ=0 -160 В
Напряжение пробоя Э – Б Uэб(проб.) IЭ=-10мкA, IК=0 -5 В
Обратный ток коллектора Iкбо Uкб=-120В, IЭ=0 -50 нА
Uкб=-120В, IЭ=0, ТА=100°С -50 мкА
Обратный ток эмиттера Iэбо Uэб= — 3 В, IК=0 -50 нА
Статический к-т передачи тока h21э IК=-1 мA, Uкэ=-5В 50 240
IК=-10мA, Uкэ=-5В 60
IК=-50мA, Uкэ=-5В 50
Напряжение насыщения К — Э Uкэ(нас.) IК=-10мA, IБ=-1мA -0,2 В
IК=-50мA, IБ=-5мA -0,5
Напряжение насыщения Б — Э Uбэ(нас.) IК=-10мA, IБ=-1мA -1 В
IК=-50мA, IБ=-5мA -1
Граничная частота к-та передачи тока fгр Uкэ=-10B,IК=-10мA 100 300 МГц
Ёмкость коллекторного перехода Cк Uкб = -10В, IЭ = 0, f= 1мГц 6 пФ
К-т шума Кш IК=-250мкA, Uкэ=-5В,

RS =1.0 кОм,

f =10 Гц … 15.7 кГц

 8 дБ

2n5401 transistor brief description

2n5401 is a PNP BJT transistor capable to handle high voltages, most of the applications based on 2n5401 are general purpose switching and amplifier circuits.

The collector to base voltage is -160V, collector to emitter voltage is -150V, and emitter to base voltage is -5v, this is the reason why 2n5401 is called the high voltage transistor.

The maximum collector current of 2n5401 is -600mA, the current value shows that 2n5401 is a moderate level transistor, which is capable of general-purpose applications.

The current gain range of 2n5401 is 60 to 240hFE, the magnifying level of this transistor is good.

The power dissipation of 2n5401 is 625mW, the dissipation value shows it is a low power transistor, so we can use it at any general-purpose application.

The noise figure range of 2n5401 is 8dB, the maximum noise value shows that 2n5401 has better noise at amplifier circuit applications.

The transition frequency value at 2n5401 is 400MHz, the frequency value shows the capability of this transistor at switching and amplifier circuits.

The junction temperature value at 2n5401 is -55 to +150°C, so the transistor had a good range of heat capacity.

Equivalent for 2n5401 transistor

The transistors such as 2SA1319, 2SA1625, KTA1275, 2SC2909, and 2SA709 are the perfect equivalent for the 2n5401 PNP transistor type.

Each of the transistors on this list had identical pinout details but different electrical specifications, so at the replacement process you need to check voltage and current value before exchanging.

NPN complementary transistor for 2n5401

2n5551 is the NPN complementary component for the 2n5401 transistor, the 2n5551 transistor had similar electrical and physical characteristics to 2n5401.

Аналоги

Аналог VCEO IC PC hFE fT
2N5401 150 0,6 0,31 60 100
Отечественное производство
КТ6116А 160 0,6 0,625 60 100
КТ502Е 80 0,15 0,35 40 5
Импорт
2N5400 120 0,6 0,31 40 100
ECG288 300 0,5 0,625 40 50
MPSA92 300 0,5 0,625 25 50
MPSA93 200 0,5 0,625 30 50
MPSL51 100 0,6 0,31 40 60
BF491 200 0,5 0,625 25 50
ECG288 300 0,5 0,625 40 50
2SB646 80 0,5 0,9 60 70
2SB646A 100 0,5 0,9 60 70
2SB647 150 0,5 0,3 30 40
2SB647A 80 1 0,9 60 70
2SA638 100 1 0,9 60 70
BC526A 50 0,2 0,625 100 200
BC404VI 60 0,15 0,35 50 150
2SA1015 50 0,15 0,4 70 80

Таблица отображает аналоги с наиболее близкими техническими характеристиками, взятыми из даташип производителя.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Характеристики транзистора 2N5401 говорят о том, что он биполярный, кремниевый, p-n-p структуры , произведенный по эпитаксиально-планарной технологии. Применяется в коммутирующих устройствах, усилителях. Его также используют в аппаратуре, для которой важен низкий уровень шума и повышенное напряжение.

Производители

Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N5401 транзистором 2N5400; транзистором BF491; транзистором ECG288; транзистором КТ502Е; транзистором MPSA92; транзистором MPSA93; транзистором MPSL51;

транзистором MPSL51; транзистором 2SB646; транзистором 2SB646A; транзистором 2SA637; транзистором 2SB647; транзистором 2SB647A; транзистором 2SA638; транзистором 2SA639; транзистором BC526A; транзистором BC404VI;

CZT5401 Datasheet (PDF)

0.1. czt5401e.pdf Size:534K _central

CZT5401Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5401E is a PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage.MARKING: FULL PART NUMBERFEATURES: High Collector Breakdown Voltage 250VSOT-223 CASESOT-223

0.2. czt5401.pdf Size:614K _secos

CZT5401PNP Transistor Elektronische BauelementeEpitaxial Planar TransistorRoHS Compliant ProductSOT-223Description The CZT5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages.REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. C 2.90 3.10 J 2.30 REF. 5 4 0 1D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 Date CodeE 0 10 2 6.30 6.70 I 0.60 0.80 3 3.3

 0.3. czt5401.pdf Size:313K _kexin

SMD Type TransistorsPNP TransistorsCZT5401 (KZT5401)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 High Voltage High Voltage Amplifier Application1 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO -160 Coll

Описание транзистора 2N5401

Транзистор 2N5401 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE288, SK3867A, PMBT5401, THC5401, TMPT5401, A5T5401*, A5T5400*.

Транзистор
UКЭ0 /UКБ0 ПРОБВ
IК, МАКСмА
PК, МАКСмВт
h21Э
fгрМГц
Изготовитель

мин.
макс.
IКмА
UКЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)

2N5401
150/160
600
350

100
American Microsemiconductor Inc
AmerMicroSC

Allegro Microsystems Inc
AlegroMicro

Central Semiconductor Corp
CentralSemi

Continental Device India Ltd
Contin Dev

Crimson Semiconductor Inc
CrimsonSimi

Digitron Electronic Corp
Digitron

Diodes Inc
Diodes Inc

Elm State Electronics lnc
Elm State

Fairchild Semiconductor Corp
FairchildSC

Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SA
Indust Mexi

KSL Microdevices Ing
KSL Micro

Korea Electronics Со Ltd
Korea Elecs

Loras Industries Inc
Loras Ind

Micro Electronics Ltd
Micro Еlecs

Motorola Semiconductor Products Inc
Motorola

NAS Etektronische Halbleiter Gmbh
NAS Elekt

National Semiconductor Corp
Natl Semi

New Jersey Semi-Conductor Products Inc
New Jersey

Phitips International BV/Philips Components
PhilipsComp

Samsung Electronics Inc
Samsung

Semelab Plc
Semelab

Semiconductor Technology Inc
SemiconTech

Solid State Systems
Sld St Syst

Solid State Inc
Solid Stinc

Swampscott Electronics Со Inc
Swampscott

Toshiba America Electronic Components Inc
ToshibaAmer

Transistor Со
Transistor

Taiwan Liton Electronic Со Ltd
TwLitonEIec

Space Power Electronics Inc
Space Power

Цоколёвка

Тип
Номера выводов

1
2
3

3 вывода
C
B
E

UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

Похожие записи:

Драйвер шагового двигателя и двигателя постоянного тока l298n и arduino Как починить провод от айфона: ремонт шнура от зарядки, iphone 5, 6 и другие модели Направление электрического тока в металлическом проводнике Флюс для пайки нержавейки оловом Топ-7 книг по arduino для начинающих Как пользоваться паяльником: учимся правильно паять