Содержание
Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 с буквами A, B, C.
Т ранзисторы BC546 — BC550 — кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно — цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 500 мВт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — У транзисторов BC546 65в. У транзисторов BC547, BC550 45в. У транзисторов BC548, BC549 30в.
Максимальное напряжение коллектор — база — У транзисторов BC546 80в. У транзисторов BC547, BC550 50в. У транзисторов BC548, BC549 30в.
Максимальное напряжение эмиттер — база — У транзисторов BC546, BC547 6в. У транзисторов BC548, BC549, BC550 5в.
Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC546A, BC547A, BC548A, BC549A, BC550A — от 110 до 220. У транзисторов BC546B, BC547B, BC548B, BC549B, BC550B — от 200 до 450. У транзисторов BC546C, BC547C, BC548C, BC549C, BC550C — от 420 до 800.
Максимальный постоянный ток коллектора — 100 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА — не выше 0,6в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА — 0,9в.
Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 в западном мире столь же популярны, как были популярны в Советском Союзе в свое время — КТ315. Сравнивать напрямую эти транзисторы было бы совершенно некорректно, более поздняя западная разработка конечно, намного совершенней.
BC547, BC548 иногда(в малосигнальных каскадах УЗЧ) можно заменить КТ3102А, Б, Г( и почти всегда — наоборот). BC549 меняется на КТ3102Д, Е. Нужно учитывать что КТ3102 имеют более низкую мощность рассеиваемую коллектором и уступают по предельной частоте передачи тока.
BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример — популярная схема переговорного устройства(уоки — токи) на 27мГц.
Схема состоит из двух компонентов — LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием — передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.
В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 — VT5) и два комплементарных BC557(VT3 — VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 — его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.
Конденсаторы C1 — C11 слюдяные, C12 — C13 — оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 — 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 — 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка — пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 — 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Биполярный транзистор BC558C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC558C
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
Корпус транзистора:
BC558C
Datasheet (PDF)
0.1. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec
BC556xBK … BC559xBKBC556xBK … BC559xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistorsPNP PNPSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-070.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial
9.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC
9.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC
9.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi
BC556/557/558/559/560Switching and Amplifier High Voltage: BC556, VCEO= -65V Low Noise: BC559, BC560 Complement to BC546 … BC 550TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC556 -80 V: BC557/560 -50 V: BC558/559 -30 V
9.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi
BC556B, BC557A, B, C,BC558BAmplifier TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS 2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO Vdc3BC556 -65EMITTERBC557 -45BC558 -30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC556 -80BC557 -50BC558 -30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO -5.0 Vdc CASE
9.5. sbc558.pdf Size:94K _auk
SBC558SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescriptions General purpose application Switching applicationFeatures High voltage : VCEO=-30V Complementary pair with SBC548Ordering InformationType NO. Marking Package Code SBC558 SBC558 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.50.12.250.10.40.022.060.11.27 Typ.2.54 Typ.
9.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC556, A, B, PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC557, A, B, CBC558, A, B, CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with EB «T»CAmplifier TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC556 BC557 BC558 UNITSCollector Emi
9.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec
SEMICONDUCTOR BC556/7/8TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION .B CFEATURESFor Complementary With NPN Type BC546/547/548.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKG B 4.80 MAXC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_H J 14.00 + 0.50BC556 -80K 0.55 M
9.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:573K _lge
BC556/557/558(PNP)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER Features High Voltage Complement to BC546/BC547/BC548 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Collector-Base Voltage BC556 -80 VCBO BC557 -50 V BC558 -30-65 -45 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 Dimensions in inches and (millimeter
9.9. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron
BC556, A/BBC557, A/B/CBC558, A/B/CPNP General Purpose TransistorCOLLECTOR3P b Lead(Pb)-Free2BASE1231EMITTERTO-92Maximum Ratings ( T =25 C unless otherwise noted)ARating Symbol BC556 BC557 BC558 UnitV -65 -45Collector-Emitter Voltage ECO -30V-30VCollector-Base Voltage CBO -80 -50 VVEBOEmitter-Base Voltage -5 -5 -5 Vl 100Collector Curre
Другие транзисторы… BC557BP
, BC557C
, BC557VI
, BC558
, BC558A
, BC558AP
, BC558B
, BC558BP
, A1015
, BC558CP
, BC558VI
, BC559
, BC559A
, BC559AP
, BC559B
, BC559BP
, BC559C
.
Биполярный транзистор BC558A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC558A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125
Корпус транзистора:
BC558A
Datasheet (PDF)
0.1. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec
BC556xBK … BC559xBKBC556xBK … BC559xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistorsPNP PNPSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-070.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial
9.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC
9.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC
9.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi
BC556/557/558/559/560Switching and Amplifier High Voltage: BC556, VCEO= -65V Low Noise: BC559, BC560 Complement to BC546 … BC 550TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC556 -80 V: BC557/560 -50 V: BC558/559 -30 V
9.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi
BC556B, BC557A, B, C,BC558BAmplifier TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS 2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO Vdc3BC556 -65EMITTERBC557 -45BC558 -30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC556 -80BC557 -50BC558 -30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO -5.0 Vdc CASE
9.5. sbc558.pdf Size:94K _auk
SBC558SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescriptions General purpose application Switching applicationFeatures High voltage : VCEO=-30V Complementary pair with SBC548Ordering InformationType NO. Marking Package Code SBC558 SBC558 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.50.12.250.10.40.022.060.11.27 Typ.2.54 Typ.
9.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC556, A, B, PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC557, A, B, CBC558, A, B, CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with EB «T»CAmplifier TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC556 BC557 BC558 UNITSCollector Emi
9.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec
SEMICONDUCTOR BC556/7/8TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION .B CFEATURESFor Complementary With NPN Type BC546/547/548.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKG B 4.80 MAXC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_H J 14.00 + 0.50BC556 -80K 0.55 M
9.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:573K _lge
BC556/557/558(PNP)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER Features High Voltage Complement to BC546/BC547/BC548 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Collector-Base Voltage BC556 -80 VCBO BC557 -50 V BC558 -30-65 -45 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 Dimensions in inches and (millimeter
9.9. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron
BC556, A/BBC557, A/B/CBC558, A/B/CPNP General Purpose TransistorCOLLECTOR3P b Lead(Pb)-Free2BASE1231EMITTERTO-92Maximum Ratings ( T =25 C unless otherwise noted)ARating Symbol BC556 BC557 BC558 UnitV -65 -45Collector-Emitter Voltage ECO -30V-30VCollector-Base Voltage CBO -80 -50 VVEBOEmitter-Base Voltage -5 -5 -5 Vl 100Collector Curre
Другие транзисторы… BC557
, BC557A
, BC557AP
, BC557B
, BC557BP
, BC557C
, BC557VI
, BC558
, BC109
, BC558AP
, BC558B
, BC558BP
, BC558C
, BC558CP
, BC558VI
, BC559
, BC559A
.
Биполярный транзистор BC558B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC558B
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 240
Корпус транзистора:
BC558B
Datasheet (PDF)
0.1. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi
BC556B, BC557A, B, C,BC558BAmplifier TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS 2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO Vdc3BC556 -65EMITTERBC557 -45BC558 -30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC556 -80BC557 -50BC558 -30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO -5.0 Vdc CASE
0.2. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec
BC556xBK … BC559xBKBC556xBK … BC559xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistorsPNP PNPSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-070.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial
9.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC
9.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC
9.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi
BC556/557/558/559/560Switching and Amplifier High Voltage: BC556, VCEO= -65V Low Noise: BC559, BC560 Complement to BC546 … BC 550TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC556 -80 V: BC557/560 -50 V: BC558/559 -30 V
9.4. sbc558.pdf Size:94K _auk
SBC558SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescriptions General purpose application Switching applicationFeatures High voltage : VCEO=-30V Complementary pair with SBC548Ordering InformationType NO. Marking Package Code SBC558 SBC558 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.50.12.250.10.40.022.060.11.27 Typ.2.54 Typ.
9.5. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC556, A, B, PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC557, A, B, CBC558, A, B, CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with EB «T»CAmplifier TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC556 BC557 BC558 UNITSCollector Emi
9.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec
SEMICONDUCTOR BC556/7/8TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION .B CFEATURESFor Complementary With NPN Type BC546/547/548.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKG B 4.80 MAXC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_H J 14.00 + 0.50BC556 -80K 0.55 M
9.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:573K _lge
BC556/557/558(PNP)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER Features High Voltage Complement to BC546/BC547/BC548 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Collector-Base Voltage BC556 -80 VCBO BC557 -50 V BC558 -30-65 -45 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 Dimensions in inches and (millimeter
9.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron
BC556, A/BBC557, A/B/CBC558, A/B/CPNP General Purpose TransistorCOLLECTOR3P b Lead(Pb)-Free2BASE1231EMITTERTO-92Maximum Ratings ( T =25 C unless otherwise noted)ARating Symbol BC556 BC557 BC558 UnitV -65 -45Collector-Emitter Voltage ECO -30V-30VCollector-Base Voltage CBO -80 -50 VVEBOEmitter-Base Voltage -5 -5 -5 Vl 100Collector Curre
Другие транзисторы… BC557AP
, BC557B
, BC557BP
, BC557C
, BC557VI
, BC558
, BC558A
, BC558AP
, S9013
, BC558BP
, BC558C
, BC558CP
, BC558VI
, BC559
, BC559A
, BC559AP
, BC559B
.
BC558A Datasheet (PDF)
0.1. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec
BC556xBK … BC559xBKBC556xBK … BC559xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistorsPNP PNPSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-070.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial
9.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC
9.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC
9.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi
BC556/557/558/559/560Switching and Amplifier High Voltage: BC556, VCEO= -65V Low Noise: BC559, BC560 Complement to BC546 … BC 550TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC556 -80 V: BC557/560 -50 V: BC558/559 -30 V
9.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi
BC556B, BC557A, B, C,BC558BAmplifier TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS 2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO Vdc3BC556 -65EMITTERBC557 -45BC558 -30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC556 -80BC557 -50BC558 -30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO -5.0 Vdc CASE
9.5. sbc558.pdf Size:94K _auk
SBC558SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescriptions General purpose application Switching applicationFeatures High voltage : VCEO=-30V Complementary pair with SBC548Ordering InformationType NO. Marking Package Code SBC558 SBC558 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.50.12.250.10.40.022.060.11.27 Typ.2.54 Typ.
9.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC556, A, B, PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC557, A, B, CBC558, A, B, CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with EB «T»CAmplifier TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC556 BC557 BC558 UNITSCollector Emi
9.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec
SEMICONDUCTOR BC556/7/8TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION .B CFEATURESFor Complementary With NPN Type BC546/547/548.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKG B 4.80 MAXC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_H J 14.00 + 0.50BC556 -80K 0.55 M
9.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:573K _lge
BC556/557/558(PNP)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER Features High Voltage Complement to BC546/BC547/BC548 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Collector-Base Voltage BC556 -80 VCBO BC557 -50 V BC558 -30-65 -45 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 Dimensions in inches and (millimeter
9.9. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron
BC556, A/BBC557, A/B/CBC558, A/B/CPNP General Purpose TransistorCOLLECTOR3P b Lead(Pb)-Free2BASE1231EMITTERTO-92Maximum Ratings ( T =25 C unless otherwise noted)ARating Symbol BC556 BC557 BC558 UnitV -65 -45Collector-Emitter Voltage ECO -30V-30VCollector-Base Voltage CBO -80 -50 VVEBOEmitter-Base Voltage -5 -5 -5 Vl 100Collector Curre
BC558 Datasheet (PDF)
0.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC
0.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC
0.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi
BC556/557/558/559/560Switching and Amplifier High Voltage: BC556, VCEO= -65V Low Noise: BC559, BC560 Complement to BC546 … BC 550TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC556 -80 V: BC557/560 -50 V: BC558/559 -30 V
0.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi
BC556B, BC557A, B, C,BC558BAmplifier TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS 2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO Vdc3BC556 -65EMITTERBC557 -45BC558 -30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC556 -80BC557 -50BC558 -30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO -5.0 Vdc CASE
0.5. sbc558.pdf Size:94K _auk
SBC558SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescriptions General purpose application Switching applicationFeatures High voltage : VCEO=-30V Complementary pair with SBC548Ordering InformationType NO. Marking Package Code SBC558 SBC558 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.50.12.250.10.40.022.060.11.27 Typ.2.54 Typ.
0.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC556, A, B, PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC557, A, B, CBC558, A, B, CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with EB «T»CAmplifier TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC556 BC557 BC558 UNITSCollector Emi
0.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec
SEMICONDUCTOR BC556/7/8TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION .B CFEATURESFor Complementary With NPN Type BC546/547/548.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKG B 4.80 MAXC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_H J 14.00 + 0.50BC556 -80K 0.55 M
0.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:573K _lge
BC556/557/558(PNP)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER Features High Voltage Complement to BC546/BC547/BC548 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Collector-Base Voltage BC556 -80 VCBO BC557 -50 V BC558 -30-65 -45 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 Dimensions in inches and (millimeter
0.9. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron
BC556, A/BBC557, A/B/CBC558, A/B/CPNP General Purpose TransistorCOLLECTOR3P b Lead(Pb)-Free2BASE1231EMITTERTO-92Maximum Ratings ( T =25 C unless otherwise noted)ARating Symbol BC556 BC557 BC558 UnitV -65 -45Collector-Emitter Voltage ECO -30V-30VCollector-Base Voltage CBO -80 -50 VVEBOEmitter-Base Voltage -5 -5 -5 Vl 100Collector Curre
0.10. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec
BC556xBK … BC559xBKBC556xBK … BC559xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistorsPNP PNPSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-070.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial
Биполярный транзистор BC558 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC558
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора:
BC558
Datasheet (PDF)
0.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC
0.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC
0.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi
BC556/557/558/559/560Switching and Amplifier High Voltage: BC556, VCEO= -65V Low Noise: BC559, BC560 Complement to BC546 … BC 550TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC556 -80 V: BC557/560 -50 V: BC558/559 -30 V
0.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi
BC556B, BC557A, B, C,BC558BAmplifier TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS 2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO Vdc3BC556 -65EMITTERBC557 -45BC558 -30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC556 -80BC557 -50BC558 -30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO -5.0 Vdc CASE
0.5. sbc558.pdf Size:94K _auk
SBC558SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescriptions General purpose application Switching applicationFeatures High voltage : VCEO=-30V Complementary pair with SBC548Ordering InformationType NO. Marking Package Code SBC558 SBC558 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.50.12.250.10.40.022.060.11.27 Typ.2.54 Typ.
0.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC556, A, B, PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC557, A, B, CBC558, A, B, CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with EB «T»CAmplifier TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC556 BC557 BC558 UNITSCollector Emi
0.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec
SEMICONDUCTOR BC556/7/8TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION .B CFEATURESFor Complementary With NPN Type BC546/547/548.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKG B 4.80 MAXC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_H J 14.00 + 0.50BC556 -80K 0.55 M
0.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:573K _lge
BC556/557/558(PNP)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER Features High Voltage Complement to BC546/BC547/BC548 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Collector-Base Voltage BC556 -80 VCBO BC557 -50 V BC558 -30-65 -45 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 Dimensions in inches and (millimeter
0.9. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron
BC556, A/BBC557, A/B/CBC558, A/B/CPNP General Purpose TransistorCOLLECTOR3P b Lead(Pb)-Free2BASE1231EMITTERTO-92Maximum Ratings ( T =25 C unless otherwise noted)ARating Symbol BC556 BC557 BC558 UnitV -65 -45Collector-Emitter Voltage ECO -30V-30VCollector-Base Voltage CBO -80 -50 VVEBOEmitter-Base Voltage -5 -5 -5 Vl 100Collector Curre
0.10. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec
BC556xBK … BC559xBKBC556xBK … BC559xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistorsPNP PNPSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-070.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial
Другие транзисторы… BC556VI
, BC557
, BC557A
, BC557AP
, BC557B
, BC557BP
, BC557C
, BC557VI
, 2N4401
, BC558A
, BC558AP
, BC558B
, BC558BP
, BC558C
, BC558CP
, BC558VI
, BC559
.
