Datasheet on semiconductor 1n4003

Содержание

Замена

Несмотря на распространенность данной модели, может возникнуть ситуация, при которой нужного диода не окажется в домашнем запаснике. В таком случае следует прибегнуть к поиску альтернативы. С этим не будет проблем, поскольку есть компоненты, полностью совместимые или близкие по характеристикам.

Отечественные аналоги 1n4007

Идеальный вариант для замены – КД 258Д, его характеристики практически идентичны импортной модели, а по некоторым параметрам он даже превосходит ее.

Если разлагающийся конденсатор прорывается, это может, по моему опыту, также привести к разрушению диодов в виде короткого замыкания, что может привести к дальнейшему разрушению. Впоследствии четыре развязывающих конденсатора были установлены параллельно диодам. Конечно, неплохой зрелище, но все же в безопасности. При следующем удалении шасси провода конденсаторов укорачиваются и переустанавливаются.

Вся процедура проходила с открытого дна. Шасси не нужно было удалять. Радио вверх дном на верстаке. Измерение последовательного резистора: значение последовательного резистора зависит от устройства. Без предшественника положительный полюс выпрямителя имел напряжение 290 вольт. Вы должны поэкспериментировать с определением чего-то. Для безопасности каждый из резисторов может выдерживать максимальную потерю мощности 8 Вт. Кстати, анодное напряжение при включении питания возрастает до напряжения без нагрузки 342 вольт, потому что холодные трубки все еще не могут тянуть ток анода.

Не смотря на очевидные преимущества отечественного аналога, у него есть существенный недостаток – высокая стоимость (по сравнению с 1N4007). Оригинал стоит порядка $0.05, в то время, как наша деталь порядка $1. Согласитесь, разница существенная.

Это напряжение должно быть поглощено просеиванием и сглаживанием электролитических конденсаторов. Выборочный выпрямитель в металлической кружке. Также есть много интересной справочной информации для чтения. Часто требуется снижение скорости в определенных точках.

Расскажем пошаговый алгоритм тестирования

При спуске локомотивы должны быть снабжены меньшим напряжением, чем при движении в гору. Медленный останов перед медленным вождением сигнала. . При высоком сопротивлении нагрузки в источнике тягового тока скорость снижается. С сопротивлением в линии электропитания скорость может быть легко уменьшена. Падение напряжения на резисторе больше не доступно для локомотива, так что он замедляется. Однако следует отметить, что снижение напряжения зависит от потребляемой мощности локомотива.

В некоторых случаях можно использовать диоды Д226, КД208-209, КД243 и КД105, но предварительно потребуется проанализировать их характеристики на предмет совместимости с режимом работы в том или ином устройстве.

Зарубежные аналоги

Среди импортных деталей более широкий выбор для полноценной замены, в качестве примера можно привести следующие модели:

Маркировка диода in4007

В качестве резисторов должны использоваться резисторы с высокой нагрузкой. Типичные значения находятся в диапазоне от 5 до 10 Ом и грузоподъемности 10 Вт. С помощью поворотного переключателя можно уменьшить изменение напряжения. В положении 6 не происходит снижения. Проблему токовой зависимости снижения напряжения можно избежать с помощью диодов. На каждом диоде около 0, 7 вольт отбрасываются в прямом направлении. Таким образом, падение напряжения может быть установлено достаточно точно по количеству последовательно соединенных диодов.

  • HEPR0056RT, выпускается компанией Моторола;
  • среди продукции Томпсон есть два полных аналога: BYW27-1000 и BY156;
  • у Филипса это BYW43;
  • и три компонента (10D4, 1N2070, 1N3549) от компании Diotec Semiconductor.

Технические характеристики диода 1N4007

Материал: кремний Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 1000 Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 1200 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 30 Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 5 Максимальное прямое напряжение,В: 1.1 при Iпр.,А: 1 Емкость p-n перехода (Cp-n), пФ: 15 (значение приводится для постоянного напряжения 4,00 Вольта и частоты 1 МГц) Уровень типичного теплового сопротивления: 50°С/Вт. Быстродействие (стандартное время восстановления) более 500 нс; Скорость обратного восстановления – 2 мс. Рабочая температура,С: -65…150 Вес в пластиковом корпусе D0-41 в пределах 0,33-0,35 грамм, для D0-214 – не более 0,3 г Способ монтажа: в отверстие Корпус: DO-41 или D0-214

1000 1200 700 1,0 30 1,1 10 15 -65…+175

Условные обозначения электрических параметров выпрямительных диодов:

VRRM

— Максимальное пиковое импульсное обратное напряжение. •VRWM — Максимальное рабочее импульсное обратное напряжение. •VR — Максимальное постоянное обратное напряжение. •VRSM — Неповторяющееся пиковое импульсное обратное напряжение. •VRMS — Максимальное среднеквадратичное значение напряжения. •IO — Средний прямой выпрямленный ток. •IFSM — Максимальный ударный прямой ток. •VF — Максимальное падение напряжения на открытом диоде. •IR — Максимальный постоянный обратный ток при номинальном постоянном обратном напряжении. •CJ — Емкость перехода диода. •Tj — Температура перехода диода.

Технические характеристики in4007

Перечислим основные параметры для всей серии (информация взята с официального даташита производителя). Начнем с VRM (reverse voltage max) – допустимой величины обратного напряжения 1n400x (здесь и далее последняя цифра модели соответствует порядковому номеру в списке):

50 В;
100 В;
200 В;
500 В;
600 В;
800 В;
1000 В.

Допустимое RMS (среднеквадратическая величина):

35 В;
70 В;
140 В;
280 В;
420 В;
560 В;
700 В.

Пиковое значение Vdc:

50 В;
100 В;
200 В;
400 В;
600 В;
800 В;
1000 В.

Другие технические параметры:

  • Максимальное значение выпрямленного тока при работе в штатном режиме и температуре элемента 50 °С – 1 Ампер.
  • Допустимая величина тока при импульсе длительностью до 8 мсек – 30 Ампер.
  • Допустимый уровень падения напряжения на открытом переходе при силе тока 1 Ампер не более 1-го Вольта.
  • Пиковая величина обратного тока при штатном напряжении, при температуре элемента 30 °С – 5 мА, 90 °С – 50 мА.
  • Уровень емкости перехода – 15 пФ (значение приводится для постоянного напряжения 4,00 Вольта и частоты 1 МГц).
  • Уровень типичного теплового сопротивления – 50°С/Вт.
  • Максимальный уровень рабочей частоты – 1 МГц.
  • Границы диапазона рабочей температуры от -50 до 125 °С.
  • Быстродействие (стандартное время восстановления) более 500 нс;
  • Скорость обратного восстановления – 2 мс.
  • Допустимая температура хранения от -50 до 125 °С.
  • Вес элемента в корпусе в пластиковом корпусе D0-41 в пределах 0,33-0,35 грамм, для D0-214 – не более 0,3 г.

2N4003K Datasheet (PDF)

0.1. 2n4003k.pdf Size:1047K _wietron

2N4003K3 DRAINN-Channel Enhancement DRAIN CURRENTMode Power MOSFET10.5 AMPERES GATEP b Lead(Pb)-Free*DRAIN SOUCE VOLTAGE* Gate 30 VOLTAGE PretectionFeatures: DiodeSOURCE 2* Low Gate Voltage Threshold Vgs(th) to Facilitate Drive Circuit Design.* Low Gate Charge for Fast Switching.3* ESD Protected Gate.* Minimum Breakdown Voltage Rating of 30V.12

8.1. 2n4003nlt1.pdf Size:379K _willas

FM120-M WILLASTHRU2N4003NLT1Small Signal MOSFET 30V,0.56A, Single, SOT-23FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in ord

 9.1. 2n4000.pdf Size:11K _semelab

2N4000Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 80V dia.IC = 1A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

9.2. 2n4001.pdf Size:11K _semelab

2N4001Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 100V dia.IC = 1A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

 9.3. 2n4006 2n4007 2n4008 2n4009 2n4010 2n4011.pdf Size:114K _crystaloncs

www.DataSheet.co.krDatasheet pdf — http://www.DataSheet4U.net/

2N4003K MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N4003K

Маркировка: TR8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.69
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 47.9
ns

Выходная емкость (Cd): 19.7
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5
Ohm

Тип корпуса:

2N4003K
Datasheet (PDF)

0.1. 2n4003k.pdf Size:1047K _wietron

2N4003K3 DRAINN-Channel Enhancement DRAIN CURRENTMode Power MOSFET10.5 AMPERES GATEP b Lead(Pb)-Free*DRAIN SOUCE VOLTAGE* Gate 30 VOLTAGE PretectionFeatures: DiodeSOURCE 2* Low Gate Voltage Threshold Vgs(th) to Facilitate Drive Circuit Design.* Low Gate Charge for Fast Switching.3* ESD Protected Gate.* Minimum Breakdown Voltage Rating of 30V.12

8.1. 2n4003nlt1.pdf Size:379K _willas

FM120-M WILLASTHRU2N4003NLT1Small Signal MOSFET 30V,0.56A, Single, SOT-23FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in ord

 9.1. 2n4000.pdf Size:11K _semelab

2N4000Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 80V dia.IC = 1A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

9.2. 2n4001.pdf Size:11K _semelab

2N4001Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 100V dia.IC = 1A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

 9.3. 2n4006 2n4007 2n4008 2n4009 2n4010 2n4011.pdf Size:114K _crystaloncs

www.DataSheet.co.krDatasheet pdf — http://www.DataSheet4U.net/

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

Применение выпрямительных диодов серии 1N400X

Область применения диодов определяется их техническими параметрами. Не обладая высокими частотными характеристиками, приборы 1N400X применяются, большей частью, в выпрямительных устройствах. Но эта сфера чрезвычайно широка, практически в любом устройстве с питанием от сети есть этот узел. Небольшие размеры и дешевизна диодов позволяют включать их параллельно там, где не хватает максимального рабочего тока и последовательно там, где не хватает напряжения – в некоторых случаях это выгоднее, чем применять диоды с повышенными характеристиками.

Также выпрямительные диоды применяются для включения параллельно индуктивностям для «срезания» отрицательного импульса при коммутации. Например, если управлять электромагнитным реле с помощью транзисторного ключа, то при коммутации возникнет всплеск обратного напряжения, и транзистор может выйти из строя. Чтобы этого избежать, параллельно обмотке реле включается полупроводниковый диод катодом к плюсу. Диод не оказывает влияния на работу в обычном режиме, но «съедает» отрицательный выброс.

Также приборы этой серии можно применить для исключения подключения питания неверной полярности. Надо учитывать, что падение напряжения в открытом состоянии на диоде может достигать 1 В. Это может быть критичным при напряжениях питания 5 В и ниже. В этом случае надо применять германиевые приборы.

Внешний вид

1n4007, а также все элементы этой линейки, имеют литой корпус, изготовленный из негорючего пластика. Чтобы не задумываться, где какая сторона этого элемента, со стороны вывода катода на корпусе имеется цветная полоса.

Монтаж подобных диодов допускается как вертикальный, так и горизонтальный — это значения не имеет. Вообще данные элементы очень неприхотливы, что в сумме с их выносливостью и невысокой стоимостью, конечно, делает их поистине незаменимыми.

По внешнему виду они ничем не отличаются от других диодов, а потому необходимо обращать внимание, какая маркировка нанесена на корпус

Очень важно то, что подобные диоды очень сложно перегреть при пайке, так как он имеет длинные контактные ножки (порядка 2.5 см), которые, как известно, работают как радиатор. Сам же диод 1n4007 выдерживает прямой нагрев до 250 градусов в течение 10 секунд

Сам же диод 1n4007 выдерживает прямой нагрев до 250 градусов в течение 10 секунд

Очень важно то, что подобные диоды очень сложно перегреть при пайке, так как он имеет длинные контактные ножки (порядка 2.5 см), которые, как известно, работают как радиатор. Сам же диод 1n4007 выдерживает прямой нагрев до 250 градусов в течение 10 секунд

Подводя итог, можно с уверенностью сказать, что диоды этой линейки, равно как и их аналоги — это очень удобный выход при сборке схем различных устройств питания как на 220, так и на 380 вольт.

Практически в любых импортных электронных устройствах можно встретить диоды 1n400х. Учитывая популярность этой серии, имеет смысл детально ознакомиться с описанием ее топового элемента. Речь идет о диоде 1N4007.Давайте рассмотрим его основные технические характеристики, назначение, маркировку и возможность замены отечественными и зарубежными аналогами.

В даташите этого элемента указано, что он является выпрямительным маломощным кремниевым диодом, который производится в корпусе из негорючего пластика (тип D0-41). Конструкция, цоколевка и типовые размеры устройства приведены ниже.

Допустимые отклонения в размерах приведены в таблице:

Обозначения на рисунке Миллиметры Дюймы
min Max min max
A 4,10 5,20 0,161 0,205
В 2,00 2,70 0,079 0,106
С 0,71 0,86 0,028 0,034
D 25,40 1,000
E 1.27 0.05

Эти полупроводники также выпускаются в стандартном smd-корпусе (тип D0-214), что делает возможным их использование в миниатюрных электронных устройствах.

Типовые размеры в миллиметрах для элементов SMD исполнения приведены ниже.

Основное назначение устройства – преобразование переменного напряжение с рабочей частотой не более 70 Гц. Данный вид кремневых полупроводниковых элементов применяется в цепях и блоках питания различных электронных приборов малой и средней мощности.

Внешний вид

1n4007, а также все элементы этой линейки, имеют литой корпус, изготовленный из негорючего пластика. Чтобы не задумываться, где какая сторона этого элемента, со стороны вывода катода на корпусе имеется цветная полоса.

Монтаж подобных диодов допускается как вертикальный, так и горизонтальный — это значения не имеет. Вообще данные элементы очень неприхотливы, что в сумме с их выносливостью и невысокой стоимостью, конечно, делает их поистине незаменимыми.

По внешнему виду они ничем не отличаются от других диодов, а потому необходимо обращать внимание, какая маркировка нанесена на корпус

Очень важно то, что подобные диоды очень сложно перегреть при пайке, так как он имеет длинные контактные ножки (порядка 2.5 см), которые, как известно, работают как радиатор. Сам же диод 1n4007 выдерживает прямой нагрев до 250 градусов в течение 10 секунд. Сам же диод 1n4007 выдерживает прямой нагрев до 250 градусов в течение 10 секунд

Сам же диод 1n4007 выдерживает прямой нагрев до 250 градусов в течение 10 секунд

Очень важно то, что подобные диоды очень сложно перегреть при пайке, так как он имеет длинные контактные ножки (порядка 2.5 см), которые, как известно, работают как радиатор. Сам же диод 1n4007 выдерживает прямой нагрев до 250 градусов в течение 10 секунд. Подводя итог, можно с уверенностью сказать, что диоды этой линейки, равно как и их аналоги — это очень удобный выход при сборке схем различных устройств питания как на 220, так и на 380 вольт

Подводя итог, можно с уверенностью сказать, что диоды этой линейки, равно как и их аналоги — это очень удобный выход при сборке схем различных устройств питания как на 220, так и на 380 вольт.

Диод 1N4007 наверное самый популярный из всех диодов, так как он устанавливается в подавляющем большинстве зарядок телефонов, смартфонов и планшетов. Даже если вы держите в руках зарядное за доллар и внутри нет стабилизации и фильтров помех, без диода она не сможет обойтись.

И в одном адаптере таких диодов четыре и на них собран диодный мост , он служит для получения из переменного напряжения постоянного. Диод пропускает через себя ток только в одном направлении, отсекая одну из полярностей напряжения.

Кстати в особо дешевых зарядных устройствах используют однополупериодное выпрямление и экономят три из 4-х диодов. Но если мощность блока питания больше одного Ватта, то все таки лучше использовать диодный мост, так как однополярное выпрямление дает намного большие пульсации, такой режим намного более тяжелый для фильтрующих конденсаторов.

Цветным кольцом на корпусе 1N4007 обозначается вывод катода.

Так как 1N4007 производиться с выводами достаточной длинны, то диод может устанавливаться как вертикально, так и горизонтально.

Диод 1N4007 один из представителей целой серии диодов 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006, 1N4007. Эти типы диодов отличаются значением максимального допустимого обратного напряжения (значения для каждого типа приведены в таблице). 1N4007 рассчитан на самое большое напряжение.

1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007
максимально допустимое обратное напряжение, В 50 100 200 400 600 800 1000
максимальное напряжение переменного тока (действующее значение), В 35 70 140 280 420 560 700

Так как стоимость диодов из всей серии 1N4001-1N4007 очень низка, а разницы в стоимости между типами практически нет, то особого смысла использовать в разработках разные типы и плодить номенклатуру нет. Можно везде ставить 1N4007, даже если при ремонте нужно заменить диод из этой серии на меньшее напряжение.

Особенности применения

Модель 1N-4007 относится к выпрямительным приборам. Максимальное рабочее напряжение в 1кВ позволяет легко использовать ее в бытовой сети 220 вольт. Два этих фактора обуславливают ее применение. 4007 используется в составе входных диодных мостов для устройств мощностью ниже пары сотен ватт. Как правило, это дешёвые лампочки, зарядные устройства и прочая мелкая электроника.

Элементы из линейки 1N400Х зарекомендовали себя как надёжный спутник радиолюбителя. Не брезгуют ими и профессионалы. Объясняется это их ценой и распространённостью в современной технике, а также впечатляющими электрическими характеристиками.

https://youtube.com/watch?v=42jqDoT7CFo

Увеличение мощности параметрического стабилизатора

Максимальная выходная мощность простейшего параметрического стабилизатора напряжения зависит от значений Iст.max и Pmax стабилитрона. Мощность параметрического стабилизатора может быть увеличена, если в качестве регулирующего компонента использовать транзистор, который будет выступать в качестве усилителя постоянного тока.

Параллельный стабилизатор

Схема ПСН с параллельным включением транзистора

Схема представляет собой эмиттерный повторитель, параллельно транзистору VT включено сопротивление нагрузки RH. Балластный резистор R1 может быть включён как в коллекторную, так ив эмиттерную цепи транзистора. Напряжение на нагрузке равно

Схема работает следующим образом. При увеличении тока через резистор RH, а соответственно и напряжения (U1 = UCT) на выходе стабилизатора, происходит увеличение напряжения база-эмиттер (UEB) и коллекторного тока IK, так как транзистор работает в области усиления. Возрастание коллекторного тока приводит к увеличению падения напряжения на балластном резисторе R1, что компенсирует рост напряжения на выходе стабилизатора (U1 = UCT). Поскольку ток IСТ стабилитрона является одновременно базовым током транзистора, очевидно, что ток нагрузки в этой схеме может быть в h21e раз больше, чем в простейшей схеме параметрического стабилизатора. Резистор R2 увеличивает ток через стабилитрон, обеспечивая его устойчивую работу при максимальном значении коэффициента h21e, минимальном напряжении питания U0 и максимальном токе нагрузки IН.

Коэффициент стабилизации будет равен

где RVT – входное сопротивление эмиттерного повторителя

где Re и Rb – сопротивления эмиттера и базы транзистора.

Сопротивление Re существенно зависит от эмиттерного тока. С уменьшением тока эмиттера сопротивление Re быстро возрастает и это приводит к увеличению RVT, что ухудшает стабилизирующие свойства. Уменьшить значение Re можно за счёт применения мощных транзисторов или составных транзисторов.

Последовательный стабилизаттор

Параметрический стабилизатор напряжения

, схема которого представлена ниже, представляет собой эмиттерный повторитель на транзисторе VT с последовательно включённым сопротивлением нагрузки RH. Источником опорного напряжения в данной схеме является стабилитрон VD.

Схема ПСН с последовательным включением транзистора

Выходное напряжение стабилизатора:

Схема работает следующим образом. При увеличении тока через резистор RH, а соответственно и напряжения (U1 = UST) на выходе стабилизатора происходит уменьшение отпирающего напряжения UEB транзистора и его базовый ток уменьшается. Это приводит к росту напряжения на переходе коллектор – эмиттер, в результате чего выходное напряжение практически не изменяется. Оптимальное значение тока опорного стабилитрона VD определяется сопротивлением резистора R2, включённого в цепь источника питания U0. При постоянном значении входного напряжения U0 базовый ток транзистора IB и ток стабилизации связаны между собой соотношением IB + IST = const.

Коэффициент стабилизации схемы

где Rk – сопротивление коллектора биполярного транзистора.

Обычно kST ≈ 15…20.

Коэффициент стабилизации параметрического стабилизатора

напряжения может быть существенно увеличен при введении в его схему отдельного вспомогательного источника с U’0 > U1 и применении составного транзистора.

Схема ПСН с составным транзистором и питанием стабилитрона от отдельного источника напряжения

Теория это хорошо, но без практического применения это просто слова.Здесь можно всё сделать своими руками.

Отечественные и зарубежные аналоги

Полного отечественного аналога диодов (корпус, серия, характеристики линейки) нет. Поэтому к замене надо подходить творчески исходя из наличия места для установки.

Оптимальный вариант – КД258 в стеклянном корпусе («капелька). Параметры во многом совпадают, а также не будет противоречия по установочным размерам

Надо обратить внимание и на самый популярный отечественный диод на ток 1 А — это КД212 (с обратным напряжением 200 В). Замена несколько затруднена несовпадением габаритов.  Размеры в плане позволяют поставить КД212 вместо 1N4001 — 1N4007, но высота российского диода 6 мм против 2,7 у зарубежного, поэтому надо смотреть по наличию свободного пространства по вертикали

Также затрудняет прямую замену то, что расстояние между выводами у КД212 всего 5 мм, а выводы 1N400X можно согнуть на расстоянии не менее 8 мм (длина корпуса плюс 2х1,27 мм). И это также затрудняет непосредственную замену.

Если точно известно, что фактический прямой рабочий ток намного меньше 1 А, то можно попытаться заменить зарубежный прибор на КД105 или КД106. Их наибольший прямой ток – 0,3 А (обратное напряжение, соответственно, 800 и 100 В). Эти диоды по форме напоминают 1N400X, хотя по размерам больше. КД105 к тому же имеет ещё и ленточные выводы, что создает дополнительные проблемы для установки в существующие отверстия. Но можно попробовать припаять прямо к дорожкам с обратной стороны платы.

Если рабочего тока КД105(106) не хватает, то есть вариант замены на КД208. Здесь также придется решать проблему увеличенного размера корпуса, а также ленточных выводов. Можно поискать и другие аналоги, подходящие по параметрам – ничего сверхвыдающегося и уникального в характеристиках серии 1N400X нет.

Из зарубежных диодов отлично подходит на замену HER101…HER108 – одноамперный диод в том же корпусе. Стоит подороже, потому что его характеристики повыше – обратное напряжение до 1000 В. Этот прибор имеет высокое быстродействие. Но при такой замене эти параметры не задействуются.

Также надо обратить внимание на импортные изделия:

  • HERP0056RT;
  • BYW27-1000;
  • BY156;
  • BYW43;
  • 1N2070.

Во многих случаях эти приборы могут заменить 1N400X, но в каждом конкретном случае надо смотреть параметры.

Необходимость поиска аналога – редкий случай. Диод 1N400X продается в любом магазине электронных компонентов, добыть его можно из любого неисправного аппарата-донора. В этом случае перед установкой надо проверить исправность полупроводникового прибора.

Watch this video on YouTube

Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142

Что такое диодный мост, принцип его работы и схема подключения

Описание характеристик, назначение выводов и примеры схем включения линейного стабилизатора напряжения LM317

Что такое полупроводниковый диод, виды диодов и график вольт-амперной характеристики

Принцип работы и основные характеристики стабилитрона

Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность