Содержание
Основные параметры
Транзисторы серии КТ837 подразделяют на 19 типов (от А до Х). У всей линейки одинаковая заявленной рассеиваемая мощность 30 Вт (при использовании теплоотвода) и ток коллектора 7,5 А (у белорусского до 10 А). По остальным параметрам они отличаются между собой, в основном величиной максимального напряжению между выводами и коэффициентом усиления по току (разброс по h21Э от 10 до 150).
Ниже представлены все возможные типы транзистора КТ837 и их основные технические характеристики. Значения указаны для температуры окружающей среды не более +25 oС.
Как видно из представленной таблицы параметров, данные устройства не могут похвастаться способностью работать при высоких температурах, характерных для большинства современных аналогов. Так, максимальный нагрев корпуса (ТК) у них не должен превышать +100 oС, а перехода (ТП) +125oС. Граничная частота коэффициента передачи тока (F гр.) иногда больше 1 МГц, в новых партиях может достигать 5 МГц.
Коэффициент h21Э
К сожалению, разброс значений коэффициента усиления по току h21Э (он же HFE в зарубежной литературе) у серии КТ837 очень высокий — это один из главных её минусов. При этом, данный параметр может плавать в разных партиях как в большую, так и в меньшую сторону. Например, у некоторых транзисторов h21Э по даташит составляет 150, а при замерах в реальной жизни — в два, а то и в три раза хуже заявленного и не превышать 50.
Чтобы избежать сюрпризов в работе уже купленного транзистора, необходимо предварительно проверять соответствие значения h21Э с данными из даташит. Это можно сделать обычным мультиметром. Также заранее необходимо определится с его ролью в проекте. Устройства с буквами «В», «E», «Н» в конце маркировки, лучше подходят для усиления — они имеют h21Э от 50 до 150 и большой запас по возможному напряжению между выводами коллектор-эммттер
Для коммутационных схем лучше обратить внимание на устройства с меньшим h21Э и напряжением насыщения
Наиболее универсальными в линейке являются транзисторы КТ837Ф. Как видно из таблицы параметров, они обладают довольно низким напряжением насыщения (UКЭ.нас. до 0,5 В), небольшим для этого током базы (IКБO до 0,15 мА) и высоким h21Э (от 50 до 150). Они хорошо подходят как для усиливающих, так и для переключений схем.
Меры безопасности
Для стабильной работы любого полупроводникового устройства необходимо правильно рассчитать его обвязку и добиться соблюдения режимов эксплуатации. Производители обычно рекомендуют отнимать от заявленных в даташит значений параметров 20-30%. Чтобы транзистор меньше грелся дополнительно предусматривают установку его на радиатор.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для рассматриваемого устройства является серия с NPN-структурой КТ805. Её долгие годы производили «без пары» и поэтому не указывали данной информации в технических справочниках. Позже для него начали производить комплементарник — КТ837 PNP-структуры. Очень часто эта парочка встречалась в выходных каскадах УНЧ. В советские годы их применяли в активной акустике вроде «Радиотехник S70», блоках УНЧ-50-8 усилителей «Радиотехника У7101 СТЕРЕО», «Радиотехника У101 СТЕРЕО».
Аналоги
Для транзистора КТ837 довольно сложно найти аналог. В большинстве случаев, при поиске ему альтернативы можно найти рекомендации по замене на уже снятые с производства транзисторы. Поэтому многие радиолюбители предпочитают не заморачиваться и меняют на оригинальный. В российских магазинах радиотоваров найти его не сложно. Тем не менее, для некоторых транзисторов этой серии можно рассмотреть следующие варианты замены:
- КТ837А, КТ837Г – BD244A, TIP42C;
- КТ837Б — BD302, KT818Б;
- КТ837В — КТ835Б, 2SB834;
- КТ837Д — 2N6111;
- КТ837C — 2N6108, 2N6109, BD225;
- КТ837Е — BD277;
- КТ837К — TIP127, КТ8115А;
- КТ837Н — 2N6107, BD223;
- КТ837Ф — 2N6106, BD224;
- КТ837Х — NTE197.
