КТ602, 2Т602(кремниевый транзистор, n-p-n)
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ,
КТ602АМ, КТ602БМ
Транзисторы кремниевые планарные
структуры n-p-n.
Предназначены для генерирования и
усиления сигналов.
Транзисторы 2Т602А, 2Т602Б выпускаются
в металлостеклянном корпусе с
гибкими выводами,
2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ — в
пластмассовом корпусе с жесткими
выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, не
более 5 г,
2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ — не
более 1 г.
| Прибор | Предельные параметры |
Параметры при T = 25°C |
RТ п-к, °C/Вт | |||||||||||||||||||
| при T = 25°C | ||||||||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭR max, (UКЭ0 гр), В |
Uпит max, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКБ, В | IЭ, А | UКЭ нас, В | IКБ0, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
| КТ602 А | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 120 | 85 | 20…80 | 10 | 0,01 | 3 | 0,07 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| КТ602 Б | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 120 | 85 | 50…220 | 10 | 0,01 | 3 | 0,07 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| КТ602 В | 0,075 | 0,5 | 70 | 80 | 5 | 2,8 | 25 | 120 | 85 | 15…80 | 10 | 0,01 | 3 | 0,07 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| КТ602 Г | 0,075 | 0,5 | 70 | 80 | 5 | 2,8 | 25 | 120 | 85 | 50 | 10 | 0,01 | 3 | 0,07 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| КТ602 АМ | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 120 | 85 | 20…80 | 10 | 0,01 | 3 | 0,07 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| КТ602 БМ | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 120 | 85 | 50…220 | 10 | 0,01 | 3 | 0,07 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| 2Т602 А | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 150 | 125 | 20…80 | 10 | 0,01 | 3 | 0,01 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| 2Т602 Б | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 150 | 125 | 50…200 | 10 | 0,01 | 3 | 0,01 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| 2Т602 АМ | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 150 | 125 | 20…80 | 10 | 0,01 | 3 | 0,01 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| 2Т602 БМ | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 150 | 125 | 50…200 | 10 | 0,01 | 3 | 0,01 | 150 | 4 | 25 | 45 |
Справочный листок по транзисторам 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ:
Электрические
параметры:
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при UКБ = 10 В, IЭ = 10 мА: |
||
| 2Т602А, 2Т602АМ, КТ602АМ | 20…80 | |
| 2Т602Б, 2Т602БМ | 50…200 | |
| КТ602БМ, не менее | 50 | |
| при Т = -60 С | 2Т602А, 2Т602АМ | 5…80 |
| при Т = -45 С | КТ602АМ | |
| при Т = -60 С | 2Т602Б, 2Т602БМ | 12…200 |
| при Т = +125 С | 2Т602А, 2Т602АМ | 50…500 |
| при Т = +85 С | КТ602АМ | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при UКЭ = 10 В, IК = 25 мА, не менее: |
||
| 150 МГц | ||
| Граничное напряжение при IЭ = 50 мА, не менее: |
||
| 70 В | ||
| Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, при IК = 50 мА, IБ = 5 мА, не более: |
||
| 3 В | ||
| Напряжение насыщения база — эмиттер, при IК = 50 мА, IБ = 5 мА, не более: |
||
| 3 В | ||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при UКБ = 10 В, IК = 10 мА, f = 2 МГц, не более: |
||
| 300 пс | ||
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ0 = 50 В, не более: |
||
| 4 пФ | ||
| Ёмкость эмиттерного перехода при UКБ0 = 0 В, не более: |
||
| 25 пФ | ||
| Обратный ток коллектора при UКБ0 = 120 В, не более: |
||
| 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ | 10 мкА | |
| КТ602АМ, КТ602БМ | 70 мкА | |
| Обратный ток коллектор — эмиттер при UКЭ = 100 В, RБЭ = 10 кОм, не более: |
||
| 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ | 10 мкА | |
| КТ602АМ, КТ602БМ | 100 мкА | |
| Обратный ток эмиттера при UЭБ0 = 5 В, не более: |
||
| 50 мкА |
Предельные
эксплуатационные данные:
| Постоянное напряжение коллектор — база: |
||
| при Тп. = +100 С | 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ |
120 В |
| при Тп. = +150 С | 60 В | |
| при Тп. = +70 С | КТ602АМ, КТ602БМ: | 120 В |
| при Тп. = +120 С | 60 В | |
| Импульсное напряжение коллектор — база: |
||
| при Тп. = +100 С | 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ |
160 В |
| при Тп. = +150 С | 80 В | |
| при Тп. = +70 С | КТ602АМ, КТ602БМ | 160 В |
| Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при RБЭ = 1 кОм: |
||
| при Тп. = +100 С | 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ: |
100 В |
| при Тп. = +150 С | 50 В | |
| при Тп. = +70 С | КТ602АМ, КТ602БМ | 100 В |
| при Тп. = +120 С | 50 В | |
| Постоянное напряжение эмиттер — база: |
||
| 5 В | ||
| Постоянный ток коллектора: |
||
| 75 мА | ||
| Импульсный ток коллектора при tимп. <= 1 мкс |
||
| 500 мА | ||
| Постоянный ток эмиттера: |
||
| 80 мА | ||
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода: |
||
| при Т <= +25 С | 0,85 Вт | |
| при Т = +125 С | 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ | 0,16 Вт |
| при Т = +85 С | КТ602АМ, КТ602БМ | 0,2 Вт |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: |
||
| при Т <= +25 С | 2,8 Вт | |
| при Т = +125 С | 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ | 0,56 Вт |
| при Т = +85 С | КТ602АМ, КТ602БМ | 0,65 Вт |
| Тепловое сопротивление: |
||
| переход — корпус: | 45 С/Вт | |
| переход — окружающая среда: | 150 С/Вт | |
| Температура p-n перехода: |
||
| 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ | +150 C | |
| КТ602АМ, КТ602БМ | +120 C | |
| Температура окружающей среды: |
||
| -60…+125 С | ||
| Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм для 2Т602А, 2Т602Б. Для 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ допус кается одноразовый изгиб при тех же условиях. Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре не выше +260 С, в течение не более 10 с для 2Т602А, 2Т602Б, не более 3 с для 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ. |
Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru
Похожие записи:
Актуальность применения влагозащищенной розетки закрытого или открытого типа и варианты ее месторасположения в комнате
Степень защиты электрооборудования
Разработка boost преобразователя на dsp: принцип работы, расчеты, макетирование
⚡️ лучшие устройства защиты от импульсных перенапряжений на 2021 год
Что такое нихром? свойства и применения нихрома. описание нихрома
Формулы расчета полной мощности цепи переменного тока