Datasheet irf4905 pdf ( даташит )

IRF4905 Datasheet (PDF)

0.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

PD — 97034IRF4905SPbFIRF4905LPbFFeatures HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = -55V 150C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 20m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxG Some Parameters Are Differrent fromID = -42AIRF4905SS Lead-FreeDDDescriptionFeatures of this design are a 150C junction oper

0.2. irf4905pbf.pdf Size:181K _international_rectifier

PD — 94816IRF4905PbFHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD Dynamic dv/dt RatingVDSS = -55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.02G P-Channel Fully Avalanche RatedID = -74A Lead-Free SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextre

0.3. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

PD — 9.1478AIRF4905S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF4905S)VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF4905L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.02 Fast SwitchingG P-ChannelID = -74A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve

0.4. irf4905.pdf Size:108K _international_rectifier

PD — 9.1280CIRF4905HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = -55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.02 Fast SwitchingG P-ChannelID = -74A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-

0.5. auirf4905s auirf4905l.pdf Size:615K _infineon

AUIRF4905S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4905L HEXFET Power MOSFET Features VDSS -55V Advanced Planar Technology P-Channel MOSFET RDS(on) max. 20m Low On-Resistance ID (Silicon Limited) -70A 150C Operating Temperature Fast Switching ID (Package Limited) -42A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D D

0.6. auirf4905.pdf Size:347K _infineon

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4905 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Planar Technology VDSS -55V Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 0.02 175C Operating Temperature Fast Switching ID -74A Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * S D

0.7. irf4905spbf irf4905lpbf.pdf Size:361K _infineon

0.8. irf4905pbf.pdf Size:181K _infineon

0.9. irf4905.pdf Size:241K _inchange_semiconductor

isc P-Channel MOSFET Transistor IRF4905,IIRF4905FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.02Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONCombine with the fast switching speed and ruggedized devicedesign,provide the designer with an extremely efficient andreliab

IRF4905 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF4905

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 64
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 120
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02
Ohm

Тип корпуса:

IRF4905
Datasheet (PDF)

0.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

0.2. irf4905pbf.pdf Size:181K _international_rectifier

0.3. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

0.4. irf4905.pdf Size:108K _international_rectifier

0.5. auirf4905s auirf4905l.pdf Size:615K _infineon

0.6. auirf4905.pdf Size:347K _infineon

0.7. irf4905spbf irf4905lpbf.pdf Size:361K _infineon

0.8. irf4905pbf.pdf Size:181K _infineon

0.9. irf4905.pdf Size:241K _inchange_semiconductor

Другие MOSFET… IRF3710S
, IRF430
, IRF440
, IRF450
, IRF451
, IRF452
, IRF453
, IRF460
, 2N5485
, IRF4905L
, IRF4905S
, IRF510
, IRF510A
, IRF510S
, IRF511
, IRF512
, IRF513
.

Маркировка IRF3205

В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя – International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.

Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” – (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно – “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.

А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL – TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS – D2Pak (для поверхностного монтажа).

TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.

IRF4905L MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF4905L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 74
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 120
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02
Ohm

Тип корпуса:

IRF4905L
Datasheet (PDF)

0.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

0.2. auirf4905s auirf4905l.pdf Size:615K _infineon

0.3. irf4905spbf irf4905lpbf.pdf Size:361K _infineon

Другие MOSFET… IRF430
, IRF440
, IRF450
, IRF451
, IRF452
, IRF453
, IRF460
, IRF4905
, 2SK3878
, IRF4905S
, IRF510
, IRF510A
, IRF510S
, IRF511
, IRF512
, IRF513
, IRF520
.

Datasheet Download — International Rectifier

Номер произв

IRF4905SPBF

Описание

HEXFET Power MOSFET

Производители

International Rectifier

логотип

1Page

No Preview Available !

PD — 97034
IRF4905SPbF
IRF4905LPbF
Features

O Advanced Process Technology

O Ultra Low On-Resistance

O 150°C Operating Temperature

O Fast Switching

O Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

O Some Parameters Are Differrent from

IRF4905S

O Lead-Free

Description
Features of this design are a 150°C junction oper-
ating temperature, fast switching speed and im-
proved repetitive avalanche rating . These features
combine to make this design an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of other
applications.
G
D

HEXFETPower MOSFET

D VDSS = -55V

RDS(on) = 20mΩ

ID = -42A

S
D
S
GD

D2Pak

IRF4905SPbF
S
GD
TO-262
IRF4905LPbF
Absolute Maximum Ratings
G
Gate
Parameter

ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)

IDM Pulsed Drain Current

PD @TC = 25°C Power Dissipation

Linear Derating Factor

VGS Gate-to-Source Voltage

dEAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche Energy

EAS (Tested )

hSingle Pulse Avalanche Energy Tested Value

ÃIAR Avalanche Current

gEAR Repetitive Avalanche Energy

TJ Operating Junction and

TSTG

Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds

iMounting Torque, 6-32 or M3 screw

Thermal Resistance
Parameter

jRθJC

Junction-to-Case

ijRθJA Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)

www.irf.com
D
Drain
S
Source
Max.
-70
-44
-42
-280
170
1.3
± 20
140
790
See Fig.12a, 12b, 15, 16
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )

y y10 lbf in (1.1N m)

Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
°C
Typ.
–––
–––
Max.
0.75
40
Units
1
8/5/05

No Preview Available !

IRF4905S/L

Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)

V(BR)DSS

∆V(BR)DSS∆TJ

RDS(on)

VGS(th)

gfs

IDSS

IGSS

Qgs

Qgd

td(on)

td(off)

Parameter
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain («Miller») Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Source Inductance
Min. Typ. Max. Units
Conditions

-55 ––– ––– V VGS = 0V, ID = -250µA

––– -0.054 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = -1mA

e––– ––– 20 mΩ VGS = -10V, ID = -42A

-2.0 ––– -4.0 V VDS = VGS, ID = -250µA

19 ––– ––– S VDS = -25V, ID = -42A

––– ––– -25 µA VDS = -55V, VGS = 0V

––– ––– -200

VDS = -44V, VGS = 0V, TJ = 125°C

––– ––– 100 nA VGS = -20V

––– ––– -100

VGS = 20V

––– 120 180

ID = -42A

––– 32 ––– nC VDS = -44V

––– 53 –––

eVGS = -10V

––– 20 –––

VDD = -28V

––– 99 –––

ID = -42A

––– 51 ––– ns RG = 2.6 Ω

––– 64 –––

eVGS = -10V

––– 7.5 ––– nH Between lead,
and center of die contact

Ciss

Coss

Crss

Coss

Coss eff.

Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
––– 3500 –––
––– 1250 –––
––– 450 –––
––– 4620 –––
––– 940 –––
––– 1530 –––

VGS = 0V

VDS = -25V

pF ƒ = 1.0MHz

VGS = 0V, VDS = -1.0V, ƒ = 1.0MHz

VGS = 0V, VDS = -44V, ƒ = 1.0MHz

fVGS = 0V, VDS = 0V to -44V

Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions

Continuous Source Current
––– ––– -42
MOSFET symbol
(Body Diode)
A showing the

ISM Pulsed Source Current

Ã(Body Diode)

VSD Diode Forward Voltage

trr Reverse Recovery Time

Qrr Reverse Recovery Charge

ton Forward Turn-On Time

––– ––– -280
integral reverse
––– ––– -1.3
p-n junction diode.

eV TJ = 25°C, IS = -42A, VGS = 0V

––– 61 92
––– 150 220

ns TJ = 25°C, IF = -42A, VDD = -28V

enC di/dt = -100A/µs

Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
2 www.irf.com

No Preview Available !

1000

100
TOP
BOTTOM
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-4.5V
10
1
0.1
-4.5V

≤ 60µs PULSE WIDTH

Tj = 25°C
1 10 100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1000

Fig 1. Typical Output Characteristics

IRF4905S/L
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-4.5V
10
-4.5V
1
0.1

≤ 60µs PULSE WIDTH

Tj = 150°C
1 10 100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1000

Fig 2. Typical Output Characteristics

1000.0
100.0
10.0
TJ = 25°C
TJ = 150°C
1.0
0.1
3
VDS = -25V

≤ 60µs PULSE WIDTH

4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
-VGS, Gate-to-Source Voltage (V)

Fig 3. Typical Transfer Characteristics

www.irf.com
40
TJ = 25°C
30
TJ = 150°C
20
10

VDS = -10V
380µs PULSE WIDTH
20 40 60
-ID, Drain-to-Source Current (A)
80

Fig 4. Typical Forward Transconductance

Vs. Drain Current
3

Всего страниц

11 Pages

Скачать PDF

IRF4905L Datasheet (PDF)

0.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

0.2. auirf4905s auirf4905l.pdf Size:615K _infineon

0.3. irf4905spbf irf4905lpbf.pdf Size:361K _infineon

IRF4905PBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF4905PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 74
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 180
nC

Время нарастания (tr): 99
ns

Выходная емкость (Cd): 1400
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02
Ohm

Тип корпуса:

IRF4905PBF
Datasheet (PDF)

0.1. irf4905pbf.pdf Size:181K _international_rectifier

0.2. irf4905pbf.pdf Size:181K _infineon

7.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

7.2. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

7.3. irf4905.pdf Size:108K _international_rectifier

7.4. auirf4905s auirf4905l.pdf Size:615K _infineon

7.5. auirf4905.pdf Size:347K _infineon

7.6. irf4905spbf irf4905lpbf.pdf Size:361K _infineon

7.7. irf4905.pdf Size:241K _inchange_semiconductor

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

Основные параметры

Для определения возможности использования транзистора irf 3205 в своем проекте необходимо изучить его технические характеристики. Они указываются в техническом описании (даташит) от производителя. Основные параметры изготовители представляют в двух таблицах, с наименование: абсолютные максимальные рейтинги и электрические характеристики.

Абсолютные максимальные рейтинги

Абсолютные максимальные рейтинги определяют предельные значения напряжений, тока, рассеиваемой мощности и рабочей температуры, которые способен выдержать полупроводниковый прибор в различных условиях эксплуатации. Надо знать, что эти величины устройство способно выдержать, но это не значит, что возможна его эксплуатация при таких значениях. Использование устройства на максимальных параметрах однозначно приведет к выходу его из строя. У irf3205 следующие максимальные параметры:

Необходимо внимательней отнестись к этим значениям. Иногда производители хитрят и указывают не применимые на практике величины. Так, максимальный заявленный ток стока (I_D) у irf3205, указанный в первой строке таблицы, равен 110 A. Однако можно сказать, что это значение не более чем рекламный ход изготовителя, способствующий возможным продажам. Кристалл рассматриваемого прибора действительно может выдержать такой I_D, но не корпус ТО-220 в который он заключен, ограниченный током 75 А. Об этих ограничениях в применении производитель указывает только в конце таблицы.

Электрические характеристики

В таблица электрических характеристик все параметры проверены производителем с учетом условий измерений, указных в столбце с соответствующим названием. Они проверяются при температуре окружающей среды менее 25 градусов. У данного устройства они следующие при T_J = 25 °C:

Тепловые параметры

Рассмотрим тепловые параметры irf3205. Они представлены в виде тепловых сопротивлений корпус-кристалл (R_θJC=0.75°C /Вт)и кристалл-окружающая среда (R_θJA=62°C /Вт)_.Для большинства современных полевых МОП-транзисторов R_θJAопределяется в первую очередь размещением элементов на печатной плате, а не самим полевым МОП-транзистором. Поэтому R_θJAимеет меньшее значение для оценки тепловых характеристик, чем R_θJC.

Маркировка

Первые символы маркировки указывают на изготовителя — International Rectifier (IR). Однако, так как транзистор выпускается очень давно (примерно с 2000 г.), выпуск его копии наладили и другие компании. Обновленные, безсвинцовые версии, размещенные в другом корпусе, содержат в конце маркировки символ “Z”: irf3205z (TO-220AB), irf3205zs (D2Pak), irf3205zl (TO262). Встречающиеся иногда символы «PbF» в конце , так же указывают на наличие безсвинцовой технологии изготовления.

Замена и аналоги

Аналог irf3205 можно подобрать из: BUK7508-55 (Philips), BUZ111S (Infineon), HRF3205 (Fairchild), HUF75343P3 (Fairchild, Intersil), 2SK2985 (Toshiba), MTP75N05 (ON Semiconductor), 2SK2985 (Toshiba), STP80NE06 (STMicroelectronics), SUB75N06, IRFD120 (Vishay). Полным отечественным аналогом является КП783A.

IRF4905SPBF Datasheet (PDF)

0.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

0.2. irf4905spbf irf4905lpbf.pdf Size:361K _infineon

6.1. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

6.2. auirf4905s auirf4905l.pdf Size:615K _infineon

Характеристики IRF3205

Постоянный максимальный ток на коллектора при 10В и 25C – 110А
Постоянный максимальный ток на коллекторе при 10В и 100C – 80А
Максимальный ток при импульсном режиме – 390А
Максимальное напряжение на канале сток-исток – 55В
Напряжение для открытия – 2-4В
Максимальное напряжение на затворе – ±20В
Сопротивление канала сток-исток – 8 мОм
Емкость затвора – ±3200 пФ
Время открытия – ±14 нс
Время закрытия – ±50 нс
Максимальная мощность рассеивания – 200 Вт
Диапазон рабочих температур – -55-175C
Температура пайки (до 10 секунд) – 300C

Отдельное замечание по поводу максимального тока на коллекторе. Официально указанные 110 Ампер – это действительно максимальная сила тока для кристалла, но к нему он идет по тонкой проволочке от контакта истока. Она может выдержать максимум 75А. Это ограничение носит название “Максимальный ток корпуса”.

Если Вам необходимы полные характеристики и графики зависимости, то найти Вы их сможете в официальном datasheet.

Related Datasheets

Номер в каталоге	Описание	Производители
IRF4905	P-Channel MOSFET Transistor	Inchange Semiconductor
IRF4905	Power MOSFET(Vdss=-55V/ Rds(on)=0.02ohm/ Id=-74A)	International Rectifier
IRF4905L	Power MOSFET(Vdss=-55V/ Rds(on)=0.02ohm/ Id=-74A)	International Rectifier
IRF4905LPBF	HEXFET Power MOSFET	International Rectifier

Номер в каталоге	Описание	Производители
6MBP200RA-060	Intelligent Power Module	Fuji Electric
ADF41020	18 GHz Microwave PLL Synthesizer	Analog Devices
AN-SY6280	Low Loss Power Distribution Switch	Silergy

DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск

IRF4905PBF Datasheet (PDF)

0.1. irf4905pbf.pdf Size:181K _international_rectifier

0.2. irf4905pbf.pdf Size:181K _infineon

7.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

7.2. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

7.3. irf4905.pdf Size:108K _international_rectifier

7.4. auirf4905s auirf4905l.pdf Size:615K _infineon

7.5. auirf4905.pdf Size:347K _infineon

7.6. irf4905spbf irf4905lpbf.pdf Size:361K _infineon

7.7. irf4905.pdf Size:241K _inchange_semiconductor

IRF4905S Datasheet (PDF)

0.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

0.2. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

0.3. auirf4905s auirf4905l.pdf Size:615K _infineon

0.4. irf4905spbf irf4905lpbf.pdf Size:361K _infineon

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить – это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF

Даташит irf4905 pdf ( datasheet )

IRF4905 Datasheet (PDF)

IRF4905 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF4905 Datasheet (PDF)

Маркировка IRF3205

IRF4905L MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF4905L Datasheet (PDF)

Datasheet Download — International Rectifier

IRF4905L Datasheet (PDF)

IRF4905PBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF4905PBF Datasheet (PDF)

Основные параметры

Абсолютные максимальные рейтинги

Электрические характеристики

Тепловые параметры

Маркировка

Замена и аналоги

IRF4905SPBF Datasheet (PDF)

Характеристики IRF3205

Related Datasheets

IRF4905PBF Datasheet (PDF)

IRF4905S Datasheet (PDF)

Подключение IRF3205

Подключение к микроконтроллеру

Похожие записи:

IRF4905
Datasheet (PDF)

IRF4905L
Datasheet (PDF)

IRF4905PBF
Datasheet (PDF)