Транзистор c3198 характеристики (параметры), отечественные аналоги, цоколевка

2N2482 Datasheet (PDF)

0.1. 2n2482.pdf Size:369K _rca

9.1. 2n2484.pdf Size:49K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D1252N2484NPN general purpose transistor1997 May 01Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor 2N2484FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V)1 emitter2 base

9.2. 2n2484 pn2484.pdf Size:73K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

9.3. 2n2484.pdf Size:221K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N2484TO-18This transistors is primarily intended for use in high performance, low level, low noise amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VCollector -Base Voltage VCBO 60 VEmitter -Base

9.4. 2n2484ubc.pdf Size:331K _microsemi

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/376 DEVICES LEVELS 2N2484 2N2484UB JAN 2N2484UA 2N2484UBC * JANTX JANTXV

9.5. 2n2484ua.pdf Size:331K _microsemi

Производители

Транзисторы D882 изготавливаются следующими зарубежными фирмами: SeCoS Halbleitertechnologie, Shenzhen Jingdao Electronic, SHIKE Electronics, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Daya Electric Group, Diode Semiconductor Korea, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, STMicroelectronics, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Shenzhen Electronics, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, Stanson Technology, WILLAS ELECTRONIC CORP, Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited, Nanjing International Group.

На Российском рынке чаще всего встречаются устройство произведённое компаниями Shenzhen Electronics, STMicroelectronics.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	h_FE	Временные параметры	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	—	10…80	t_on˂ 1 мкс t_stg˂ 2,5 мкс t_f ˂ 1 мкс	TO-220
КТ840А	60	900	400	5	6	150	8	10…60	t_on˂ 0,2 мкс t_stg˂ 3,5 мкс t_f ˂ 0,6 мкс	TO-3
КТ841А	50	600	400	5	10	150	10	10	t_on= 0,08 мкс t_stg= 0,8 мкс t_f = 0,5 мкс	TO-3
2Т842А	50	300	300	5	5	150	20	15	t_on= 0,12 мкс t_stg= 0,8 мкс t_f = 0,13 мкс	TO-3
КТ847А	125	650	—	8	15	150	˃ 15	˃ 8	t_stg= 3,0 мкс t_f = 1,5 мкс	TO-3
КТ858А	60	400	400	6	7	150	—	˃ 10	t_stg˂ 2,5 мкс t_f ˂ 0,75 мкс	TO-220
2Т862	50	600	400	5	10	150	20	12…50	t_on˂ 0,4 мкс t_stg˂ 1,0 мкс t_f ˂ 0,25 мкс	TO-3
КТ812А	50	400	400	7	8	150	˃ 3	—	t_f = 0,2…1,3 мкс	TO-3
КТ8126А1	80	700	400	9	8	150	˃ 4	8…40	t_on= 1,6 мкс t_stg= 3,0 мкс t_f = 0,7 мкс	TO-220
КТ8164А	75	700	400	9	4	150	˃ 4	10…60	t_on= 0,8 мкс t_stg= 0,9 мкс t_f = 4,0 мкс	TO-220

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	h_FE	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	10…80	TO-220
KSC2334	40	150	100	7	7	150	20…240	TO-220C
2SC2502	50	500	400	7	8	150	˃ 15	TO-220
TT2194	50	500	400	7	12	150	20	TO-220
WBP3308	45	900	500	7	7	150	20	TO-220
2SC3038	40	500	400	7	7	150	50	TO-220
2SC3039	50	500	400	7	7	150	30	TO-220
2SC3170	40	500	—	—	7	150	25	TO-220
2SC3626	40	—	400	—	8	—	55	TO-220
2SC4055	60	600	450	7	8	180	100	TO-220
2SC4106 M/N	50	500	400	7	7	175	60	TO-220
2SC4107 M/N	60	500	400	7	10	150	20/60	TO-220
2SC4274	40	500	400	—	10	150	40	TO-220
2SC4458 L	40	900	500	9	8	150	25	TO-220F
2SC4559	40	500	400	—	7	175	150	TO-220
2SD1162	40	500	—	10	10	150	400	TO-220
2SD1349	50	500	—	—	7	150	150	TO-220
2SD1533	45	500	—	—	7	150	800	TO-220
2SD1710A	50	900	500	9	8	150	25	TO-220
3DK3039	50	500	400	7	7	175	25	TO-220, TO-276AB
MJ10012T	65	600	400	—	15	200	200	TO-220

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C/ I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE₍_OFF₎ = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE₍_sat₎ при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE₍_ON₎ при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO₍_SUS₎= 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE₍_OFF₎соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B₁ = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE₍_sat₎ и эмиттер-база U_BE₍_sat₎от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы I_C/I_B = 5.

Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки I_C в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора T_C.

Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.

Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.

Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды T_a = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.

Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:

горизонтальный – предельный ток транзистора, определяющий устойчивость паяных соединений. При возрастании температуры корпуса вводится поправка согласно графику Рис. 4;
участок «Dissipation Limited» – предельный ток, ограничивающий общий нагрев п/п структуры;
участок «S/b Limited» — ограничение тока исходя из недопущения вторичного пробоя п/п структуры;
вертикальный участок – предельное напряжение коллектор-эмиттер, не приводящее к лавинному пробою п/п структуры.

Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (t_on₎. См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.

В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (t_stg + t_f), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.

Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.

Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии T_c ≤ 100°C.

Увеличение U_CEX_(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.

Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:

непревышение температурных ограничений по структуре в целом;
токи и напряжения на интервале включения (t_on) не превышают ограничений ОБР;
токи и напряжения на интервале выключения (t_stg + t_f) не превышают ограничений ОБР с обратным смещением.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Статические внешние характеристики транзистора (в схеме с ОЭ): зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при разных токах базы I_B управления.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от коллекторной нагрузки I_C. Зависимость снята при величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 2 В.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и напряжения насыщения база-эмиттер U_BE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 4. Изменение полосы пропускания транзистора f_T при изменении коллекторной нагрузки I_C. Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В и токе базы I_B = 8 мА.

Рис. 5. Зависимость выходной емкости (коллекторного перехода) C_C от напряжения коллектор-база U_CB. Характеристика снималась при частоте f = 1 МГц и токе эмиттера I_E = 0.

Рис. 6. Характеристика ограничения рассеиваемой транзистором мощности P_C при различных температурах корпуса транзистора T_C.

Рис. 6. Характеристика ограничения (в %) коллекторного тока I_C при изменении температуры корпуса T_C и при двух различных условиях:

нижняя характеристика (Dissipation limited) при ограничении мощности рассеивания;
верхняя характеристика (S/b limited) — ограничение предельного тока транзистора для предотвращения вторичного пробоя п/п структуры локально в местах повышенной плотности тока.

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора.

Предельный коллекторный ток в импульсном режиме I_C₍_max₎_Pulse и предельный постоянный ток I_C₍_max₎_DC ограничивают предельную токовую нагрузку транзистора, исключая прогорание структуры.

Предельное напряжение коллектор-эмиттер U_CE ограничивает нагрузку по напряжению, исключая электрический пробой структуры.

Предельная рассеиваемая мощность ограничивает тепловую нагрузку транзистора при параметрах, меньших предельного тока и напряжения. На графиках показаны ограничения по рассеиваемой мощности при импульсном режиме с длительностью импульсов 0,1 мс, 1 мс, 10 мс и в режиме постоянного тока (помечено DC).

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Транзистор 2SC2482 — высокочастотный (30 МГц > F_ГР —> типа N-P-N, биполярный, кремниевый, средней мощности (300 мВт > P_К,МАКС

Транзистор
U_КЭ0 /U_{КБ0 ПРОБ}В
I_{К, МАКС}мА
P_{К, МАКС}мВт
h_21Э
f_грМГц
Изготовитель

мин.
макс.
I_КмА
U_КЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)

2SC2482
300/300
100
900
30
20
10
50

Continental Device India Ltd
Contin Dev

Цоколёвка

Тип
Номера выводов

1
2
3

3 вывода
B
C
E

U_{КЭ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

I_К — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

h_21Э — схема с общим эмиттером — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

f_ГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.

Datasheet Download — Toshiba Semiconductor

Номер произв

C2482

Описание

2SC2482

Производители

Toshiba Semiconductor

логотип

1Page

No Preview Available !

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2482
High-Voltage Switching and Amplifier Applications
Color TV Horizontal Driver Applications
Color TV Chroma Output Applications
2SC2482
Unit: mm

• High breakdown voltage: VCEO = 300 V

• Small collector output capacitance: Cob = 3.0 pF (typ.)

• Recommended for chroma output and driver applications for

line-operated TV horizontal.

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg

Rating
300
300
7
100
50
900
150

−55 to 150

Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol

ICBO

IEBO

hFE (1)

hFE (2)

VCE (sat)

VBE (sat)

Cob

Test Condition

VCB = 240 V, IE = 0

VEB = 7 V, IC = 0

VCE = 10 V, IC = 4 mA

VCE = 10 V, IC = 20 mA

IC = 10 mA, IB = 1 mA

VCE = 10 V, IC = 20 mA

VCB = 20 V, IE = 0, f = 1 MHz

JEDEC
TO-92MOD
JEITA
―
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
Min Typ. Max Unit

― ― 1.0 µA

20 ― ―

30 ― 150

― ― 1.0 V

50 ― ― MHz

― 3.0 ― pF

Marking
C2482
Part No. (or abbreviation code)
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
1
2004-07-26

No Preview Available !

120

100
80
60
40
20

IC – VCE

6
4
Common emitter
Ta = 25°C
32
1
0.6
0.4
IB = 0.2 mA
4 8 12 16 20

Collector-emitter voltage VCE (V)

24
2SC2482
1000
500
300
100
50
30
10
5
0.3

hFE – IC

Common emitter
Ta = 25°C
VCE = 20 V
10
5
1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
1000
500
300
100
50
30
10
5
0.3

hFE – IC

Common emitter
VCE = 10 V
Ta = 100°C

25 −25

1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.3

VCE (sat) – IC

Common emitter
Ta = 25°C
IC/IB = 10
5
2
1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.3

VCE (sat) – IC

Common emitter
IC/IB = 5
Ta = 100°C

−25 25

1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
10
5
3
1
0.5
0.3
0.0
0.05
0.3

VBE (sat) – IC

Common emitter
IC/IB = 5
Ta = 25°C
1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
2 2004-07-26

No Preview Available !

100

Common emitter
VCE = 10 V
80

IC – VBE

60
Ta = 100°C 25

−25

40
20

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

Base-emitter voltage VBE (V)

Cob – VCB

100
IE = 0

50 f = 1 MHz

Ta = 25°C
30
10
5
3
1
0.5
0.3
1 3 10 30

Collector-base voltage VCB (V)

100
2SC2482
1000
500
300
100
50
30
10
5
0.3

fT – IC

Common emitter
Ta = 25°C
VCE = 20 V
5 10
1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
Safe Operating Area
300

IC max (pulsed)*

300 µs*

IC max (continuous)
100
1 ms

10 ms*

100 ms*

50 500 ms*

30
DC operation
Ta = 25°C
10

*: Single nonrepetitive pulse

5 Ta = 25°C

Curves must be derated linearly with
increase in temperature.
2
3 10 30
VCE max
100 300

Collector-emitter voltage VCE (V)

3 2004-07-26

Всего страниц

4 Pages

Скачать PDF

Электрические характеристики (при Ta = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения ٭
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CE = 30 В, I_E = 0	≤ 1,0
Ток выключения коллектор-эмиттер, мкА	I_CEO	U_CE = 30 В, I_B = 0	≤ 1,0
Ток базы выключения, мкА	I_EBO	U_BE = 3 В, I_C =0	≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)	I_C = 2 А, I_B = 200 мА	≤ 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)	I_C = 2 А, I_B = 200 мА	≤ 2,0
Напряжение пробоя коллектор-база, В	U_(BR)CBO	I_C = 100 мкА, I_E = 0	˃ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	U_(BR)CEO	I_C = 1 мА, I_B = 0	˃ 30
Напряжение пробоя эмиттер-база, В	U_(BR)EBO	I_E = 100 мкА, I_C = 0	˃ 5
Статический коэффициент усиления по току	h_FE(1)	U_CE = 2 В, I_C = 0,02 А	≥ 30
h_FE(2)	U_CE = 2 В, I_C = 1,0 А	от 100 до 400
Частота среза, МГц	f_T	U_CE = 5 В, I_C = 0,1 мА	80
Выходная емкость, pF	C_C	U_CB = 10 В, I_E = 0, f = 1 МГц	45

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

Параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %

Биполярный транзистор 2SC2482 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC2482

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

2SC2482
Datasheet (PDF)

0.1. 2sc2482.pdf Size:211K _toshiba

0.2. 2sc2482-o.pdf Size:395K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC248220736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2482-OPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939 2SC2482-YFeatures High Voltage:Vceo=300V Small collector output capacitance:Cob=3.0pF(Typ)NPN Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingEpitaxial Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Lead Free

0.3. 2sc2482-y.pdf Size:395K _mcc

0.4. 2sc2482.pdf Size:258K _lge

2SC2482 TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE Features5.800 High voltage :Vceo=300V 6.200 Small collector output capacitance: Cob=3.0pF(Typ) 8.4008.8000.9001.1000.4000.600MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 13.80014.200Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 300 V1.500 TYPVCE

0.5. 2sc2482 to-92l.pdf Size:249K _lge

2SC2482 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 2 3 14.700Features5.100 High voltage :Vceo=300V 7.800 Small collector output capacitance: Cob=3.0pF(Typ) 8.2000.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.3500.55013.800Symbol Parameter Value Units14.200VCBO Collector-Base Voltage 300 VVCEO Collector-Emitter

0.6. 2sc2482.pdf Size:175K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Pow Transistor 2SC2482DESCRIPTIONHigh breakdown voltageLow output capacitance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV chroma output applicationsColor TV horiz. driver applicationsHigh voltage switching and amplifier applicationsABSOLUTE MA

Другие транзисторы… 2SC2473
, 2SC2474
, 2SC2475
, 2SC2476
, 2SC2477
, 2SC248
, 2SC2480
, 2SC2481
, 2N5088
, 2SC2483
, 2SC2484
, 2SC2485
, 2SC2486
, 2SC2487
, 2SC2488
, 2SC2489
, 2SC249
.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, применяемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях и другой аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Временные параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс.	Корпус
2SC5027	50	1100	800	7	3	150	15	60	8…40	0,5 / 3 /0,3	TO-220
КТ840А	60	900	400	5	6	150	8	—	10…60	0,2 / 3,5 / 0,6	TO-3
2Т856А/Г	125	1000	950/850	5	10/12	—	—	—	10…60	— / — / 0,5	TO-3
КТ859А	40	800	800	10	3	150	˃ 25	—	˃ 10	0,5 / 3,5 / 0,35	TO-220AB
КТ872А	100	1500	700	6	8	150	—	—	6	— / 6,7 / 0,8	TO-218
КТ878А	100	—	900	5	25	150	10	500	12…50	— / 3 / —	TO-3
2Т886	175	—	1400	7	10	150	—	—	—	— / — / 0,7	TO-3
КТ8107А	100	1500	700	6	10	125	˃ 7	—	2,3	— / 3,5 / 0,5	TO-220
КТ8108А/В	70	800/900	—	5	3	150	15	75	10…50	— / 3 / 0,3	TO-220
КТ8114А/Б/В	125	1500	700	6	8	150	—	—	—	— / — / 0,5	TO-218
КТ8118А	50	900	800	5	3	150	15	—	10…40	— / 2 / 0,7	TO-220
КТ8121А	75	700	400	5	4	150	˃ 4	—	8…60	— / 3 / 0,4	TO-220
КТ8126А1/Б1	80	700	400	9	8	150	˃ 4	—	8…60	— / 1,7 / —	TO-220
КТ8137А	40	700	700	9	1,5	150	˃ 4	—	8…40	1 / 4 / 0,7	КТ-27
КТ8164А/Б	75	700	400	9	4	150	˃ 4	110	8…60	0,8 / 4 / 0,9	TO-220
КТ8170А1	40	700	400	9	1,5	150	˃ 4	35	8…40	1,1 / 4 / 0,7	TO-126

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Врем. параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс.	Корпус
2SC5027	50	1100	800	7	3	150	15	60	8…40	0,5 / 3 /0,3	TO-220
2SD1290	50	1500	—	5	3	130	—	—	3…8	— / 3 / 1	TO-3PN
2SD1291	65	1500	—	5	3	150	—	—	4…12	— / 4 / 1	TO-3PN
BUJ302A	80	1050	400	24	4	150	—	—	25…100	— /3,5 / 0,5	TO-220AB
BUJ303A	100	1000	—	—	5	150	—	—	10…35	0,7 / 4 / 0,45	TO-220AB
BUJ403A	100	1200	550	—	6	150	—	—	15	0,5 / 3 /0,3	TO-220AB
BUL216	90	1600	800	9	4	150	—	—	10…40	— / 3 / 0,6	TO-220
BUL218D-B	70	700	400	—	4	150	—	—	10…32	— / 0,6 / 0,1	TO-220
BUL416	110	1600	800	9	6	150	—	—	10…32	— / 3 / 0,7	TO-220
BUL416T	800	9	6	150	—	—	10…32	— / 1,5 / 0,8	TO-220A
FJP2145	120	1100	800	7	5	125	15	11,4	8…40	—	TO-220
KSC5603D	100	1600	800	12	3	150	5	56	6…46	1 / 0,18 / 0,2	TO-220
2SC2979	40	900	800	7	3	150	—	—	7…15	1 / 3 / 1	TO-220
3DD5023/24	40	1500	800	5	6	150	˃ 2	—	5…30	— / — / 1,0	TO-220F
FJPF5021	40	800	500	7	5	150	15	80	8…50	0,5 / 3 /0,3	TO-220F
FJPF5321	40	800	500	7	5	150	14	65	8…40	0,5 / 3 /0,3	TO-220F
FJPF5200	50	250	250	5	17	150	30	200	35…160	—	TO-220F
MJE15028	50	120	120	5	8	150	30	—	20…40	—	TO-220C

Примечание: FJPF5200 — Маркировка J5200.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителя.

Транзистор c3198

2N2482 Datasheet (PDF)

Производители

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Графические иллюстрации характеристик

Графические иллюстрации характеристик

Графические иллюстрации характеристик

Другие разделы справочника:

Цоколёвка

Datasheet Download — Toshiba Semiconductor

Электрические характеристики (при Ta = 25°C)

Биполярный транзистор 2SC2482 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2SC2482 Datasheet (PDF)

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Похожие записи:

2SC2482
Datasheet (PDF)