Транзистор 2n3906

PZT3906 Datasheet (PDF)

0.1. pzt3906 3.pdf Size:53K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087PZT3906PNP switching transistor1999 Apr 14Product specificationSupersedes data of 1997 May 27Philips Semiconductors Product specificationPNP switching transistor PZT3906FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2, 4 collectorAPPLICATIONS3 emitter

0.2. pzt3906.pdf Size:46K _st

PZT3906SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORPRELIMINARY DATAType MarkingPZT3906 3906 SILICON EPITAXIAL PLANAR PNPTRANSISTOR SOT-223 PLASTIC PACKAGE FOR2SURFACE MOUNTING CIRCUITS TAPE AND REEL PACKING3 THE NPN COMPLEMENTARY TYPE IS2PZT39041APPLICATIONS SOT-223 WELL SUITABLE FOR SMD MOTHERBOARD ASSEMBLY SMALL LOAD SWITCH TRANSISTOR WITHHIGH GAIN AND LOW SATURAT

 0.3. 2n3906 mmbt3906 pzt3906.pdf Size:106K _fairchild_semi

2N3906 MMBT3906 PZT3906CCEECC TO-92BBBESOT-223SOT-23Mark: 2APNP General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose amplifier and switchingapplications at collector currents of 10 A to 100 mA.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage -40 VVCBO Collector-Base Vol

0.4. pzt3906t1.pdf Size:176K _onsemi

PZT3906T1Preferred Device General Purpose TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Package is Availablehttp://onsemi.comMAXIMUM RATINGSCOLLECTOR2, 4Rating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -40 Vdc1Collector-Base Voltage VCBO -40 VdcBASEEmitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc3Collector Current — Continuous IC -200 mAdcEMITTERTHERMAL CHARACTERISTICS

 0.5. pzt3906.pdf Size:809K _secos

PZT3906PNP Transistor Elektronische BauelementeEpitaxial Planar TransistorRoHS Compliant ProductSOT-223Description The PZT3906 is designed for general purpose switching and amplifier applications. MillimeterMillimeterREF. REF. Min. Max. Min. Max. 3 9 0 6A 6.70 7.30 B 13 TYP. Date CodeC 2.90 3.10 J 2.30 REF. D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 B C E 0 10 2 6.30 6.70

0.6. pzt3906.pdf Size:791K _kexin

SMD Type TransistorsPNP TransistorsPZT3906 (KZT3906)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features 4 Low Voltage and Low Current General Purpose Amplifier and Switch Application Complementary to PZT39041 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Sym

Таблица предельно допустимых значений

Производитель не гарантирует безопасную работу транзистора, если значения параметров превысят, указанные в таблице. В этом случае не гарантируется работа транзистора в номинальных режимах, согласно технической документации. Существует большая вероятность необратимого выхода элемента из строя.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение Параметр SSW2N60B SSI2N60B Ед.изм.
VDSS Напряжение сток-исток 600 V
ID Постоянный ток стока
TC=25°C 2 A
TC =100°C 1.3 A
IDM Импульсный ток стока 6 A
VGSS Напряжение затвор-исток ±30 V
EAS Максимальная энергия одиночного импульса 120 mJ
IAR Лавинный ток 2 A
EAR Максимальная энергия повторяющихся импульсов 5.4 mJ
dv/dt Скорость восстановления диода 5.5 V/ns
PD Мощность рассеяния
TA = 25°C 3.13 W
TC = 25°C 54 W
TJ, Tstg Диапазон безопасных температур хранения и работы -55…+150 °C
TL Максимальная температура припоя при пайке на расстоянии 4мм от корпуса в течение 5 секунд 300 °C

Datasheet Download — General Semiconductor

Номер произв 2N3906
Описание SMALL SIGNAL TRANSISTORS PNP
Производители General Semiconductor
логотип 　

1Page

No Preview Available !

NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
2N3906
SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP)
TO-92
0.181 (4.6)
0.142 (3.6)

max. Æ 0.022 (0.55)

0.098 (2.5)
EC
B
Dimensions in inches and (millimeters)
FEATURES

¨ PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for

switching and amplifier applications.

¨ As complementary type, the NPN transistor

2N3904 is recommended.

¨ On special request, this transistor is also

manufactured in the pin configuration
TO-18.

¨ This transistor is also available in the SOT-23 case with

the type designation MMBT3906.
MECHANICAL DATA

Case: TO-92 Plastic Package

Weight: approx. 0.18g

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25¡C ambient temperature unless otherwise specified
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current

Power Dissipation at TA = 25¡C

at TC = 25¡C

Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL

ÐVCBO

ÐVCEO

ÐVEBO

ÐIC

Ptot

RqJA

Tj

TS

VALUE
40
40
5.0
200
625
1.5

250(1)

150
Ð 65 to +150
NOTES:
(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature.
UNIT
Volts
Volts
Volts
mA
mW
Watts
¡C/W
¡C
¡C
1/5/99

No Preview Available !

2N3906
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25¡C ambient temperature unless otherwise specified
Collector-Base Breakdown Voltage

at ÐIC = 10 mA, IE = 0

Collector-Emitter Breakdown Voltage

at ÐIC = 1 mA, IB = 0

Emitter-Base Breakdown Voltage

at ÐIE = 10 mA, IC = 0

Collector Saturation Voltage

at ÐIC = 10 mA, ÐIB = 1 mA

at ÐIC = 50 mA, ÐIB = 5 mA

Base Saturation Voltage

at ÐIC = 10 mA, ÐIB = 1 mA

at ÐIC = 50 mA, ÐIB = 5 mA

Collector-Emitter Cutoff Current

at ÐVEB = 3 V, ÐVCE = 30 V

Emitter-Base Cutoff Current

at ÐVEB = 3 V, ÐVCE = 30 V

DC Current Gain

at ÐVCE = 1 V, ÐIC = 0.1 mA

at ÐVCE = 1 V, ÐIC = 1 mA

at ÐVCE = 1 V, ÐIC = 10 mA

at ÐVCE = 1 V, ÐIC = 50 mA

at ÐVCE = 1 V, ÐIC = 100 mA

Input Impedance

at ÐVCE = 10 V, ÐIC = 1 mA, f = 1 kHz

Voltage Feedback Ratio

at ÐVCE = 10 V, ÐIC = 1 mA, f = 1 kHz

Gain-Bandwidth Product

at ÐVCE = 20 V, ÐIC = 10 mA, f = 100 MHz

Collector-Base Capacitance

at ÐVCB = 5 V, f = 100 kHz

Emitter-Base Capacitance

at ÐVEB = 0.5 V, f = 100 kHz

SYMBOL

ÐV(BR)CBO

ÐV(BR)CEO

ÐV(BR)EBO

MIN.
40
40
5

ÐVCEsat

ÐVCEsat

ÐVBEsat

ÐVBEsat

ÐICEV

Ð
Ð
Ð
Ð
Ð

ÐIEBV

hFE

hFE

hFE

hFE

hFE

hie

hre

fT

CCBO

CEBO

Ð
60
80
100
60
30
1

0.5 á 10Ð4

250
Ð
Ð
MAX.
Ð
Ð
Ð
0.25
0.4
0.85
0.95
50
50
Ð
Ð
300
Ð
Ð
10

8 á 10Ð4

Ð
4.5
10
UNIT
Volts
Volts
Volts
Volts
Volts
Volts
Volts
nA
nA
Ð
Ð
Ð
Ð
Ð

kW

Ð
MHz
pF
pF

No Preview Available !

2N3906
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25¡C ambient temperature unless otherwise specified
Small Signal Current Gain

at ÐVCE = 10 V, ÐIC = 1 mA, f = 1 kHz

SYMBOL

hfe

MIN.
100
Output Admittance

at ÐVCE = 1 V, ÐIC = 1 mA, f = 1 kHz

hoe 1

Noise Figure

at ÐVCE = 5 V, ÐIC = 100 mA, RG = 1 kW,

f = 10 É 15000 Hz
NF Ð
Delay Time (see Fig. 1)

at ÐIB1 = 1 mA, ÐIC = 10 mA

td Ð

Rise Time (see Fig. 1)

at ÐIB1 = 1 mA, ÐIC = 10 mA

tr Ð

Storage Time (see Fig. 2)

at IB1 = ÐIB2 = 1 mA, ÐIC = 10 mA

ts Ð

Fall Time (see Fig. 2)

at IB1 = ÐIB2 = 1 mA, ÐIC = 10 mA

tf Ð

MAX.
400
40
4
35
35
225
75
UNIT
Ð

mS

dB
ns
ns
ns
ns

Fig. 1: Test circuit for delay and rise time

* total shunt capacitance of test jig and connectors

Fig. 2: Test circuit for storage and fall time

* total shunt capacitance of test jig and connectors
Всего страниц 3 Pages
Скачать PDF

Биполярный транзистор SMBT3906 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: SMBT3906

Маркировка: 2A_S2A_s2A_s2A_SO

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

SMBT3906
Datasheet (PDF)

0.1. smbt3906.pdf Size:178K _siemens

PNP Silicon Switching Transistor SMBT 3906 High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage Complementary type: SMBT 3904 (NPN)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3SMBT 3906 s2A Q68000-A4417 B E C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE0 40 VCollector-base voltage VCB0

0.2. smbt3906 s2a sot363.pdf Size:31K _siemens

SMBT 3906SPNP Silicon Switching Transistor Array4 High DC current gain: 0.1mA to 100mA5 Low collector-emitter saturation voltage6 Two ( galvanic) internal isolated Transistors with high matching in one package Complementary type: SMBT 3904S (NPN)32VPS056041Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageSMBT 3906S s2A Q62702-A1202 1/4=E1/E2 2/5=B1/B

 0.3. smbt3906 mmbt3906.pdf Size:107K _infineon

SMBT3906/ MMBT3906PNP Silicon Switching Transistor3 High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage Complementary type: 2 SMBT3904/ MMBT3904 (NPN)1VPS05161Type Marking Pin Configuration PackageSMBT3906/ MMBT3906 s2A SOT231 = B 2 = E 3 = CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit40 VCollector-emitter voltage VCEO40Coll

0.4. smbt3906u.pdf Size:76K _infineon

SMBT3906UPNP Silicon Switching Transistor Array4 High DC current gain: 0.1mA to 100mA56 Low collector-emitter saturation voltage Two ( galvanic) internal isolated Transistors with good matching in one package32 Complementary type: SMBT3904U (NPN)1C1 B2 E2 VPW091976 5 4TR2TR11 2 3E1 B1 C2EHA07175Type Marking Pin Configuration PackageSMBT3906U s2A 1=E1 2=

 0.5. smbt3906-s-u mmbt3906.pdf Size:884K _infineon

SMBT3906…MMBT3906PNP Silicon Switching Transistors High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage For SMBT3906S and SMBT3906U: Two (galvanic) internal isolated transistor with good matching in one package Complementary types: SMBT3904…MMBT3904 (NPN) SMBT3906S/ U: for orientation in reel see package information below P

0.6. mbt3906dw1t1g smbt3906dw1t1g.pdf Size:130K _onsemi

MBT3906DW1T1G,SMBT3906DW1T1GDual General PurposeTransistorThe MBT3906DW1T1G device is a spin-off of our popularSOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for generalhttp://onsemi.compurpose amplifier applications and is housed in the SOT-363six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices inone package, this device is ideal for low-power surface mount

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Электрические характеристики

Данные в таблицах действительны при температуре корпуса 25°C.

Предельные значения

Обозначение Параметр Условия измерений Мин. Тип. Макс. Ед. изм
BVDSS Напряжение пробоя сток-исток VGS = 0 V, ID = 250 µA 600 — — V
∆BVDSS/∆TJ Коэффициент напряжение пробоя/температура ID = 250 µA при 25°C — 0,65 — V/°C
IDSS Ток стока при нулевом напряжении затвора VDS = 600 V, VGS = 0 V — — 10 µA
VDS = 480 V, TC = 125°C — — 100 µA
IGSSF Прямой ток утечки затвор-корпус VGS = 30 V, VDS = 0 V — — 100 nA
IGSSR Обратный ток утечки затвор-корпус VGS = -30 V, VDS = 0 V — — -100 nA

Рабочие параметры

Обозначение Параметр Условия измерений Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
VGS(th) Пороговое напряжение открытия транзистора VDS = VGS, ID = 250 µA 2 — 4 V
RDS(on) Сопротивление сток-исток в открытом состоянии VGS = 10 V, ID = 1.0 A — 3.8 5 Ω
gFS Крутизна передаточной характеристики VDS = 40 V, ID = 1.0 A — 2.05 — S

Динамические параметры

Обозна-чение Параметр Условия измерений Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Ciss Входная емкость VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz — 380 490 pF
Coss Выходная емкость — 35 46 pF
Crss Проходная емкость — 7.6 9.9 pF

References[edit]

  1. ^ abcd‘2N3904 Datasheet (TO-92)'(PDF). ON Semiconductor. August 2012. Archived(PDF) from the original on August 8, 2019.
  2. ^‘2N3904 Datasheet (TO-92)'(PDF). Micro Commercial Components (MCC). January 2013. Archived(PDF) from the original on August 8, 2019.
  3. ^‘2N3904 Datasheet (TO-92)'(PDF). Jiangsu Changjiang Electronics Technology (JCET). October 2017. Archived(PDF) from the original on August 8, 2019.
  4. ^Silver, H. Ward (2008). Circuitbuilding do-it-yourself for Dummies. For Dummies. p. 111. ISBN0-470-17342-4.
  5. ^Predko, Michael (2004). 123 robotics experiments for the evil genius. TAB Robotics Series. McGraw-Hill Professional. p. 98. ISBN0-07-141358-8.
  6. ^JEDEC
  7. ^ ab‘2N3906 Datasheet (TO-92)'(PDF). ON Semiconductor. February 2010. Archived(PDF) from the original on August 8, 2019.

Модификации транзистора 2N3904

Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (fT, Сobo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.

Модель Тип корпуса PC Другие параметры Производитель
2N3904 TO-92 0,625 Tj = от -55°C до +150°C Motorola
2N3904 S SOT-23 0,35 Tj = от -55°C до +150°C KEC (Korea Electronics)
2N3904 E ESM 0,1
2N3904 U USM
2N3904 V VSM
2N3904 S SOT-23 0,225 FS (First Silicon)
2N3904 U SOT-323 0,15
2N3904 N TO-92N 0,4 AUK Semiconductor
MMBT 3904 SOT-23 0,35 Fairchild Semiconductor
PZT 3904 SOT-223 1
2N3904 – T18 TO-18 0,31 Tj = от -63°C до +200°C SEME LAB

Цоколевка

Распиновку транзистор 2N3906 имеет следующую. Чаще всего выпускаются в пластмассовом ТО-92 и весит не более 0,18 г. Этот корпус имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть прямо на скошенную часть с той стороны, где нанесена маркировка, то самый левый вывод -это эмиттер, средний – база, правый – коллектор.

Компании Fairchild Semiconductor, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Daya Electric Group, General Semiconductor, Silicon Standard, Daya Electric Group, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS также выпускают данное изделие в SOT-23. У Fairchild Semiconductor встречаются в SOT-223. Эти пластиковые корпуса, с тремя короткими выводами, предназначены для поверхностного монтажа (SMD).

Биполярный транзистор KST3906 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KST3906

Маркировка: 2A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

KST3906
Datasheet (PDF)

0.1. kst3906.pdf Size:107K _fairchild_semi

September 2010KST3906PNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures General Purpose Transistor3Marking22ASOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCEO Collector-Emitter Voltage -40 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -200 mAPC Collec

0.2. kst3906.pdf Size:47K _samsung

KST3906 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -200 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 1. Base 2. Emitter 3. CollectorELECTRI

 8.1. kst3904.pdf Size:55K _fairchild_semi

KST39043General Purpose Transistor2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current 200 mAPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Storage Temp

8.2. kst3903.pdf Size:47K _samsung

KST3903/3904 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -60 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage VEBO -6 V Collector Current IC -200 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 1. Base 2. Emitter 3. CollectorEL

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Замена импортных транзисторов отечественными

Аналоги и возможные замены
Тип Аналог Возможная замена Примечания
MJEF34   КТ816 Любой мощный рпр-транзистор с максимальным током коллектора большим 3 А
TIP42   КТ816  
2SK58   КПС315А, Б  
2N5911   Обычные ПТ  
U441   КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12; КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е  
U444   КП303Д, Е; КП307Г, Д;КП312; КП323,КП329; КП341;КП364Д, Е  
MPF102   КП303Д, Е В этой схеме можно применить любой высокочастотный полевой транзистор с каналом ri-типа и изоляцией рп-переходом. При наладке схемы может понадобиться подобрать резисторы в цепях затворов и/или истоков. Предпочтение следует отдавать транзисторам с наибольшим и начальными токами стока, малым пороговым напряжением и уровнем шума на ВЧ
MPS3866   КТ368 В этой схеме можно применить любой высокочастотный биполярный прп-транзистор. Предпочтение следует отдавать транзисторам с малым уровнем шума на ВЧ
25139 КП327А,В КП346А-9; КП382А  
1N754   КС162  
1N757A   КС182  
2N3563   КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е  
2N3565   КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е  
2N3569   КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е  
BFR90 КТ3198А КТ371А, КТ3190А  
MPS3866 КТ939А    
MRF557   КТ948; КТ996Б-2;КТ9141; КТ9143;КТ919; КТ938  
MRF837   КТ634; КТ640; КТ657Б-2  
MV2101   KB102; KB107А,В  
2N4401 КТ6103 КТ504  
2N4403 КТ6102, КТ6116 КТ505  
ВС547В КТ3102    
ВС549С КТ3102    
ВС557В KТ3107    
BD139 КТ815    
BD140 КТ814    
2N5771 КТ363АМ    
ВС548 КТ3102    
ВС557 КТ3107    
TIP111 КТ716    
TIP116 КТ852    
TIP33B КТ865    
TIP34B КТ864    
2SC2092   КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120  
MRF475   КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120  
40673   КП350, КП306,КП327, КП347,КП382  
2N4124 КТ3102Д    
J309   КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12, КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е  
MPS2907 КТ313    
2N3414   КТ645  
2N4403 КТ6102, КТ6116 КТ505  
3055Т КТ8150А    
ВС517   КТ972  
IRF9Z30   КП944  
TIP125 КТ853, КТ8115    
BS250P   КП944  
2N3391A   КТ3102 Любые маломощные с большим h2fe
BC184L   КТ3102 Любые маломощные с большим h2fe
ВС547В   КТ3102  
BUZ11   КП150  
IRFL9110   КП944  
2N4401 КТ6103, КТ6117  КТ504  
2N4403 КТ6102, КТ6116 КТ505  
ВС109С   КТ342  
ВС237   КТ3102  
ВС547   КТЗ102, КТ645А  
 2N4401 КТ6103, КТ6117 КТ504  
2N4403 КТ6102, КТ6116 КТ505  
MPS А18   КТ342Б, Д  
2N3704   КТ685  
2N4393   КП302ГМ  
2N5401   КТ6116А  
ВС487   КТ342Б, Д; КТ630Е  
IRFZ44 КП723А    
MPS2907 КТ313 КТ3107  
MPSА14   КТ685  
MPSA64   КТ973  
2N2222 КТ3117Б КТ315  
2N3904 КТ6137А КТ815  
2N3906 КТ6136А    
ECG-187 ГТ906А    
FPT-100     фототранзистор
HRF-511 КП904    
TIL 414     фототранзистор

Нужно заменить диод или стабилитрон? — аналоги и замены диодов и полупроводников.

Особенности

  • Впечатляющие выходные характеристики – 2,0A, 600V.
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора 5,0 Ω.
  • Малый заряд затвора, как правило 12,5 nC.
  • Небольшая емкость затвор-сток, как правило 7,6 pF.
  • Высокая скорость переключения.
  • Тестирование 100% продукции в лавинных режимах.

Транзисторы 2N60B характеризуются улучшенными усилительными характеристиками. При их производстве используется технология DMOS, запатентованная американской компанией Fairchild. В результате полевые транзисторы имеют минимальное сопротивление в рабочем состоянии, высокоскоростные переключающие характеристики и выдерживают импульсы большой мощности в лавинном и переключающем режимах.

Комплекс параметров сделал силовые полевые транзисторы идеальными для использования в мощных инверторных источниках питания.

Графические данные

Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по току hFE от величины тока коллектора IC при различных температурах (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер VBE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.4 Зависимость напряжения включения база-эмиттер VBE(ON) тока коллектора (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.5 Зависимость тока выключения ICBO транзистора от температуры окружающей среды Ta (VCB – напряжение коллектор-база).

Рис.6 Зависимость рассеиваемой транзистором мощности (PC) от температуры окружающей среды Ta.

Рис.7 Зависимость коэффициента усиления тока hfe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.8 Зависимость полной выходной проводимости hoe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.9 Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.10 Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению hre от тока коллектора IC.

Рис.11 Зависимости емкостей переходов эмиттер-база (Cob) и коллектор-база (Cib) от величин напряжений обратного смещения переходов эмиттер-база (VEB) и коллектор-база (VCB).

Рис.12 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от частоты передаваемого сигнала f (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, RS – выходное сопротивление источника сигнала).

Рис.13 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от величины внутреннего сопротивления источника сигнала (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, f – частота входного сигнала, поступающего от внешнего источника).

Рис.14 Зависимости отрезков времени переключения (t) от величины тока коллектора (IC) (IB1, IB2 – значения тока базы при переключениях; td – время задержки переключения; tr – время нарастания выходного сигнала; tf – время спадания выходного сигнала; ts – время рассасывания объемного заряда (или — время сохранения tstg)).

Рис.15 Зависимости времени включения (ton) и выключения (toff) от величины коллекторного тока IC (VBE(OFF) – напряжение база-эмиттер при выключении; IB1, IB2 – значения тока базы при включении и выключении).

Рис.16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (td) и времени нарастания (tr). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.

Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (tstg) заряда коллекторного перехода и времени спадания (tf). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%. CS – суммарная емкость монтажа и коннекторов.

HY3906P MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HY3906P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 190
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 135
nC

Время нарастания (tr): 18
ns

Выходная емкость (Cd): 1014
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004
Ohm

Тип корпуса:

HY3906P
Datasheet (PDF)

0.1. hy3906p-b.pdf Size:3645K _hymexa

HY3906P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices AvailableDG(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching applicationG N-Channel MOSFET Power Management for Inverter Systems.S

0.2. hy3906p hy3906b.pdf Size:534K _hymexa

HY3906P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 3.2 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche testedSD Reliable and Rugged GSD Lead Free and Green Devices AvailableG(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Mar

 8.1. hy3906w hy3906a.pdf Size:717K _hymexa

HY3906W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 2.6 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDDGG(RoHS Compliant)TO-247A-3LTO-3P-3LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Mar

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

Похожие записи:

Default ThumbnailИнтеграция pvs-studio в uvision keil Инструмент для натяжения бандажной ленты. правила и ошибки при работе с лентой и выборе скреп Условное обозначение светодиода на схеме Вольтметр и тахометр для автомобиля на основе arduino uno Крутящий момент двигателя Топ-7 лучших терморегуляторов: какой выбрать, для теплого пола, с датчиком, отзывы, цена