Основные виды и размеры SMD приборов
Корпуса компонентов для микроэлектроники, имеющие одинаковые номинальные значения, могут отличаться друг от друга габаритами. Их габариты определяются прежде всего по типовому размеру каждого. К примеру: резисторы обозначаются типовыми размеры от «0201» до «2512». Данные 4 цифры в маркировке SMD компонента обозначают кодировку, которая указывает длину и ширину прибора в дюймовом измерении. В размещенной таблице, типовые размеры указаны также и в мм.
Маркировка SMD компонентов — резисторы
Прямоугольные чип-резисторы и керамические конденсаторы | |||||
Типоразмер | L, мм (дюйм) | W, мм (дюйм) | H, мм (дюйм) | A, мм | Вт |
0201 | 0.6 (0.02) | 0.3 (0.01) | 0.23 (0.01) | 0.13 | 1/20 |
0402 | 1.0 (0.04) | 0.5 (0.01) | 0.35 (0.014) | 0.25 | 1/16 |
0603 | 1.6 (0.06) | 0.8 (0.03) | 0.45 (0.018) | 0.3 | 1/10 |
0805 | 2.0 (0.08) | 1.2 (0.05) | 0.4 (0.018) | 0.4 | 1/8 |
1206 | 3.2 (0.12) | 1.6 (0.06) | 0.5 (0.022) | 0.5 | 1/4 |
1210 | 5.0 (0.12) | 2.5 (0.10) | 0.55 (0.022) | 0.5 | 1/2 |
1218 | 5.0 (0.12) | 2.5 (0.18) | 0.55 (0.022) | 0.5 | 1 |
2010 | 5.0 (0.20) | 2.5 (0.10) | 0.55 (0.024) | 0.5 | 3/4 |
2512 | 6.35 (0.25) | 3.2 (0.12) | 0.55 (0.024) | 0.5 | 1 |
Цилиндрические чип-резисторы и диоды | |||||
Типоразмер | Ø, мм (дюйм) | L, мм (дюйм) | Вт | ||
0102 | 1.1 (0.01) | 2.2 (0.02) | 1/4 | ||
0204 | 1.4 (0.02) | 3.6 (0.04) | 1/2 | ||
0207 | 2.2 (0.02) | 5.8 (0.07) | 1 |
SMD конденсаторы
Конденсаторы выполненные из керамики по размеру одинаковы с резисторами, что касается танталовых конденсаторов, то они определяются по своей, собственной шкале типовых размеров:
Танталовые конденсаторы | |||||
Типоразмер | L, мм (дюйм) | W, мм (дюйм) | T, мм (дюйм) | B, мм | A, мм |
A | 3.2 (0.126) | 1.6 (0.063) | 1.6 (0.063) | 1.2 | 0.8 |
B | 3.5 (0.138) | 2.8 (0.110) | 1.9 (0.075) | 2.2 | 0.8 |
C | 6.0 (0.236) | 3.2 (0.126) | 2.5 (0.098) | 2.2 | 1.3 |
D | 7.3 (0.287) | 4.3 (0.170) | 2.8 (0.110) | 2.4 | 1.3 |
E | 7.3 (0.287) | 4.3 (0.170) | 4.0 (0.158) | 2.4 | 1.2 |
Катушки индуктивности и дроссели SMD
Индуктивные катушки могут быть выполнены в различных конфигурациях корпуса, но их значение индицируется также, исходя из типоразмеров. Такой принцип маркировки SMD и расшифровки кодовых обозначений, дает возможность значительно упростить монтаж элементов на плате в автоматическом режиме, а радиолюбителю свободнее ориентироваться.
dr>
Моточные компоненты, такие как катушки, трансформаторы и прочие, которые мы в большинстве случаев изготавливаем собственноручно, могут просто не уместится на плате. Поэтому такие изделия, также выпускаются в компактном исполнении, которые можно установить на плату.
Определить какая именно катушка требуется вашему проекту, лучше всего воспользоваться каталогом и там подобрать требующийся вариант по типовому размеру. Типовые размеры, определяют с использованием кодового обозначения маркированного 4 числами (0805). Где значение «08» определяет длину, а число «05» показывает ширину в дюймовом измерении. Фактические габариты такого SMD компонента составят 0.08х0.05 дюйма.
Диоды и стабилитроны в корпусе SMD
Что касается диодов, то они также выпускаются в корпусах как цилиндрической формы так и в виде многогранника. Типовые размеры у этих компонентов задаются идентично индуктивным катушкам, сопротивлениям и конденсаторам.
Диоды, стабилитроны, конденсаторы, резисторы | |||||
Тип корпуса | L* (мм) | D* (мм) | F* (мм) | S* (мм) | Примечание |
DO-213AA (SOD80) | 3.5 | 1.65 | 048 | 0.03 | JEDEC |
DO-213AB (MELF) | 5.0 | 2.52 | 0.48 | 0.03 | JEDEC |
DO-213AC | 3.45 | 1.4 | 0.42 | — | JEDEC |
ERD03LL | 1.6 | 1.0 | 0.2 | 0.05 | PANASONIC |
ER021L | 2.0 | 1.25 | 0.3 | 0.07 | PANASONIC |
ERSM | 5.9 | 2.2 | 0.6 | 0.15 | PANASONIC, ГОСТ Р1-11 |
MELF | 5.0 | 2.5 | 0.5 | 0.1 | CENTS |
SOD80 (miniMELF) | 3.5 | 1.6 | 0.3 | 0.075 | PHILIPS |
SOD80C | 3.6 | 1.52 | 0.3 | 0.075 | PHILIPS |
SOD87 | 3.5 | 2.05 | 0.3 | 0.075 | PHILIPS |
Транзисторы в корпусе SMD
СМД транзисторы выполнены в корпусах, которые соответствуют их максимальном мощности. Корпуса этих полупроводниковых элементов символично можно разделить на два вида: SOT и DPAK.
Маркировка SMD компонентов
Маркировка электронных приборов в современной технике уже требует профессиональных знаний, и так просто, с кондачка в ней тяжело разобраться, особенно начинающему радиолюбителю. В сравнении с деталями выпускаемыми при Советском Союзе, где маркировка номинального значения и тип прибора наносилась в текстовом варианте, сейчас это просто мета паяльщика. Не надо было держать под рукой кипы справочной литературы, чтобы определить назначение и параметры того или иного прибора.
Однако, технологические процессы в промышленности не стоят на месте и автоматизация производства определяет свои правила. Именно SMD детали в поверхостном монтаже играют главную роль, а роботу нет никакого дела до маркировки деталей заправленных в машину, что туда поместили, то он и припаяет. Маркировка нужна специалисту, который обслуживает этого робота.
Скачать программу для расшифровки обозначения SMD деталей
Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.
У транзисторов,разработанных до 1964
года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно,
транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала
модернизацию.
Второй элемент обозначения — одно, двух или
трехзначное число, которое определяет порядковый
номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала,
значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и
СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии.
Например: МП42 — транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки — 42
П401 — транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки — 1.
Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года.
Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных
полупроводниковых приборов, в частности — полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т, означает биполярный
транзистор, буква П — транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные
и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения —
определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор,
маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения,
первые два символа обозначающие материал
и подкласс транзистора остались преждними.
Изменения коснулись обозначения функциональных
возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов.
Для обозначения порядкового номера разработки
используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака).
Для дополнительной классификации используют
буквы русского алфавита, от А до Я.
Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента — обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения,
маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В общем, — без хорошего каталога не разберешься.
Корпуса чип-компонентов
Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:
выводы/размер | Очень-очень маленькие | Очень маленькие | Маленькие | Средние |
2 вывода | SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) | SOD323, SOD328 | SOD123F, SOD123W | SOD128 |
3 вывода | SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 | SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) | SOT23 | SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) |
4-5 выводов | WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 | SOT353 | SOT143B, SOT753 | SOT223, POWER-SO8 |
6-8 выводов | SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* | SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) | SOT457, SOT505 | SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96 |
> 8 выводов | WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) | WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* | SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) | SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510 |
Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.
Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.
Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы.
Типы корпусов SMD по названиям
Название | Расшифровка | кол-во выводов |
SOT | small outline transistor | 3 |
SOD | small outline diode | 2 |
SOIC | small outline integrated circuit | >4, в две линии по бокам |
TSOP | thin outline package (тонкий SOIC) | >4, в две линии по бокам |
SSOP | усаженый SOIC | >4, в две линии по бокам |
TSSOP | тонкий усаженный SOIC | >4, в две линии по бокам |
QSOP | SOIC четвертного размера | >4, в две линии по бокам |
VSOP | QSOP ещё меньшего размера | >4, в две линии по бокам |
PLCC | ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
CLCC | ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
QFP | квадратный плоский корпус | >4, в четыре линии по бокам |
LQFP | низкопрофильный QFP | >4, в четыре линии по бокам |
PQFP | пластиковый QFP | >4, в четыре линии по бокам |
CQFP | керамический QFP | >4, в четыре линии по бокам |
TQFP | тоньше QFP | >4, в четыре линии по бокам |
PQFN | силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор | >4, в четыре линии по бокам |
BGA | Ball grid array. Массив шариков вместо выводов | массив выводов |
LFBGA | низкопрофильный FBGA | массив выводов |
CGA | корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя | массив выводов |
CCGA | СGA в керамическом корпусе | массив выводов |
μBGA | микро BGA | массив выводов |
FCBGA | Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом | массив выводов |
LLP | безвыводной корпус |
Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.
Маркировка импортных smd
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Достоинства и недостатки светодиодов SMD
К плюсам LED в исполнении SMD относятся:
упрощение (следовательно, удешевление) производства печатных плат – отсутствует (или сводится к минимуму) этап сверления и металлизации отверстий;
упрощение (удешевление) технологии монтажа элементов на плату – отсутствует этап формовки и изгиба выводов, сама процедура пайки лучше поддается автоматизации и т.п.;
возможность обратную сторону платы делать из металла – упрощается проблема отвода тепла;
проще охлаждать сами элементы из-за плотного прилегания к плате большой поверхностью;
меньший размер электронных устройств из-за небольшого размера деталей и плотного размещения;
снижение побочных емкостей и индуктивностей, что важно при разработке высокочастотных устройств.
Есть и недостатки:
если устройство собирается вручную, потребуются более квалифицированные мастера;
высока инвестиционная составляющая стоимости готовой продукции – оборудование для монтажа сложное и стоит дорого;
при тепловом расширении или изгибе печатной платы возможен отрыв контактов элементов от мест пайки, а также возникновение микротрещин.
В целом плюсы перевешивают – в итоге готовые изделия имеют меньшие размеры, массу и себестоимость.
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
Код | Сопротивление |
101 | 100 Ом |
471 | 470 Ом |
102 | 1 кОм |
122 | 1.2 кОм |
103 | 10 кОм |
123 | 12 кОм |
104 | 100 кОм |
124 | 120 кОм |
474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Будет интересно Диод 1n4007: характеристики, маркировка и datasheets
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
2-1 2-2 2-3 2-4
Расположение и назначение выводов A B C D E FАналоги корпусовТипоразмеры SMD корпусов
код | Тип | Примечание | Рисунок/корпус |
25B | 1PMT5925B | стабилитрон 10В 37 mA | E1 /DO216AA |
26 | MMBD2103 | 2 MMBD1201 | A4 / SOT23 |
26 | DTC144EKA | n-p-n тр.R1,R2=47k | A14 / SC59 |
26 | DTC144EUA | n-p-n тр.R1,R2=47k | A14 / SC70 |
27 | MMBD2104 | 2 MMBD1201 | A2 / SOT23 |
27 | SML4750 | стабилитрон 27В 9.5 mA | E2/ |
27 | U1ZB27 | стабилитрон 27В 10 mA | E2/ |
27B | 1PMT5927B | стабилитрон 12В 31 mA | E1 /DO216AA |
270 | U1ZB270 | стабилитрон 270В 0.5 mA | E2/ |
270X | U1ZB270-X | стабилитрон 250 — 270В 0.5 mA | E2/ |
270Y | U1ZB270-Y | стабилитрон 260 — 280В 0.5 mA | E2/ |
270Z | U1ZB270-Z | стабилитрон 270 — 290В 0.5 mA | E2/ |
27A | P6SMB27AT3 | супрессор 27В 1 mA | E2/ |
27C | P6SMB27CAT3 | супрессор 27В 1 mA | E2/ |
27V | PZM27NB | стабилитрон 27В 300мВт | A3 / SOT346 |
27Y | BZV49-C27 | стабилитрон 27В 1Вт | C8 / SOT89 |
28 | BFP280T | n-p-n СВЧ транзистор | C1 / |
28 | MMBD2105 | 2 MMBD1201 | A1 / SOT23 |
-28 | PDTA114WU | p-n-p транзистор | A14 / SOT323 |
29 | MMBD1401 | кремниевый диод | A3 / SOT23 |
29 | DTC115EE | n-p-n тр.R1,R2=100k | A14 / EMT3 |
29 | DTC144EUA | n-p-n тр.R1,R2=100k | A14 / SC70 |
29 | DTC144EKA | n-p-n тр.R1,R2=100k | A14 / SC59 |
29B | 1PMT5929B | стабилитрон 15В 25 mA | E1 /DO216AA |
200 | SSTPAD200 | диод * | A10 / |
201 | PZM20NB1 | стабилитрон 20В 300мВт | A3 / SOT346 |
202 | PZM20NB2 | стабилитрон 20В 300мВт | A3 / SOT346 |
203 | PZM20NB3 | стабилитрон 20В 300мВт | A3 / SOT346 |
221 | PZM22NB1 | стабилитрон 22В 300мВт | A3 / SOT346 |
222 | PZM22NB2 | стабилитрон 22В 300мВт | A3 / SOT346 |
223 | PZM22NB3 | стабилитрон 22В 300мВт | A3 / SOT346 |
241 | PZM24NB | стабилитрон 24В 300мВт | A3 / SOT346 |
242 | PZM24NB | стабилитрон 24В 300мВт | A3 / SOT346 |
271 | PZM2.7NB1 | стабилитрон 2.7В 300мВт | A3 / SOT346 |
272 | PZM2.7NB2 | стабилитрон 2.7В 300мВт | A3 / SOT346 |
код | Тип | Примечание | Рисунок/корпус |
2A | MMBT3906L | аналог 2N3906 | A14 / SOT23 |
2A | MMBT3906W | аналог 2N3906 | A14 / SOT323 |
2A | FMMT3906 | аналог 2N3906 | A14 / SOT23 |
2A | SXT3906 | p-n-p транз. 40V 200mA | A7 / SOT89 |
t2A | PMBT3906 | аналог 2N3906 | A14 / SOT23 |
t2A | PMST3906 | аналог 2N3906 | A14 / SOT323 |
p2A | PMBT3906 | аналог 2N3906 | A14 / SOT23 |
p2A | PXT3906 | аналог 2N3906 | C8 / SOT89 |
2A4 | PZM2.4NB2A | 2 стабилитрона 2.4В | A1 / SOT346 |
2A7 | PZM2.7NB2A | 2 стабилитрона 2.7В | A1 / SOT346 |
2AR | 2SC5026R | n-p-n транз. 80V 1A | A7 / SOT89 |
2AS | 2SC5026S | n-p-n транз. 80V 1A | A7 / SOT89 |
2B | BC849B | аналог BC549B | A14 / SOT23 |
2Bs | BC849B | аналог BC549B | A14 / SOT23 |
2Bs | BC849BW | аналог BC549B | A14 / SOT323 |
2Bp | BC849B | аналог BC549B | A14 / SOT23 |
2Bs | BC849BW | аналог BC549B | A14 / SOT323 |
2B- | BC849BW | аналог BC549B | A14 / SOT323 |
2B | FMMT2907 | аналог 2N2907 | A14 / SOT23 |
2B | MMBT2907 | аналог MPS2907 | A14 / SOT23 |
p2B | PMBT2907 | аналог 2N2907 | A14 / SOT23 |
t2B | PMBT2907 | аналог 2N2907 | A14 / SOT23 |
2BR | BC849BR | аналог BC549B | A15 / SOT23R |
2BZ | FMMT2907 | аналог 2N2907 | A14 / SOT23 |
2C | BC849C | аналог BC549C | A14 / SOT23 |
2Cs | BC849C | аналог BC549C | A14 / SOT23 |
2Cs | BC849CW | аналог BC549C | A14 / SOT323 |
2Cp | BC849C | аналог BC549C | A14 / SOT23 |
2Ct | BC849C | аналог BC549C | A14 / SOT23 |
2Ct | BC849CW | аналог BC549C | A14 / SOT323 |
2C- | BC849CW | аналог BC549C | A14 / SOT323 |
2C | MMBTA70 | аналог MPSA70 | A14 / SOT23 |
2CR | BC849CR | аналог BC549C | A15 / SOT23R |
2CZ | FMMTA70 | аналог MPSA70 | A14 / SOT23 |
2D | MMBTA92 | p-n-p транз.аналог MPSA92 | A14 / SOT23 |
Зарубежная маркировка SMD
В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.
Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.
Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.
Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.
Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.
Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.
Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.
Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.
Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.
Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.
Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.
Самые длинные названия применяют:
- американская фирма Motorola,
- японская Seiko Instruments
- тайваньская Pan Jit.
Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. | Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. |
7E | MUN5215DW1T1 | K2 | MO | 2Q | |||||
11 | MUN5311DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7F | MUN5216DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
12 | MUN5312DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7G | MUN5230DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
12 | INA-12063 | U2 | HP | 2Q | 7H | MUN5231DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
13 | MUN5313DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7J | MUN5232DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
14 | MUN5314DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7K | MUN5233DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
15 | MUN5315DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7L | MUN5234DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
16 | MUN5316DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7M | MUN5235DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
1С | BC847S | N5 | SI | 2Q | 81 | MGA-81563 | U1 | HP | 2Q |
1P | BC847PN | P6 | SI | 2Q | 82 | INA-82563 | U1 | HP | 2Q |
31 | MUN5331DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 86 | INA-86563 | U1 | HP | 2Q |
32 | MUN5332DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 87 | INA-87563 | U1 | HP | 2Q |
33 | MUN5333DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 91 | IAM-91563 | U1 | HP | 2Q |
34 | MUN5334DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A2 | MBT3906DW1T1 | P5 | MO | 2Q |
35 | MUN5335DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A3 | MBT3906DW9T1 | P5 | MO | 2Q |
36 | ATF-36163 | A1 | HP | 2Q | A4 | BAV70S | E4 | SI | 2Q |
3C | BC857S | P5 | SI | 2Q | E6 | MDC5001T1 | U3 | MO | 2Q |
3X | MUN5330DW1T1 | L3 | MO | 2Q | H5 | MBD770DWT1 | F2 | MO | 2Q |
46 | MBT3946DW1T1 | P6 | MO | 2Q | II | AT-32063 | N2 | HP | 2Q |
51 | INA-51063 | U2 | HP | 2Q | M1 | CMY200 | U1 | SI | 2R |
52 | INA-52063 | U2 | HP | 2Q | M4 | MBD110DWT1 | F2 | MO | Q |
54 | INA-54063 | U2 | HP | 2Q | M6 | MBF4416DW1T1 | A3 | MO | 2Q |
6A | MUN5111DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MA | MBT3904DW1T1 | N5 | MO | 2Q |
6B | MUN5112DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MB | MBT3904DW9T1 | N5 | MO | 2Q |
6C | MUN5113DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MC | BFS17S | N5 | SI | 2Q |
6D | MBF5457DW1T1 | A3 | MO | 2Q | RE | BFS480 | N5 | SI | 2Q |
6D | MUN5114DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RF | BFS481 | N5 | SI | 2Q |
6E | MUN5115DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RG | BFS482 | N5 | SI | 2Q |
6F | MUN5116DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RH | BFS483 | N5 | SI | 2Q |
6G | MUN5130DW1T1 | L2 | MO | 2Q | T4 | MBD330DWT1 | F2 | MO | 2Q |
6H | MUN5131DW1T1 | L2 | MO | 2Q | W1 | BCR10PN | L3 | SI | 2Q |
6J | MUN5132DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WC | BCR133S | K2 | SI | 2Q |
6K | MUN5133DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WF | BCR08PN | L3 | SI | 2Q |
6L | MUN5134DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WK | BCR119S | K2 | SI | 2Q |
6M | MUN5135DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WM | BCR183S | K2 | SI | 2Q |
7A | MUN5211DW1T1 | K2 | MO | 2Q | WP | BCR22PN | L3 | SI | 2Q |
7B | MUN5212DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y2 | CLY2 | A1 | SI | 2R |
7C | MUN5213DW1T1 | K2 | MO | 2Q | 6s | CGY60 | U1 | SI | 2R |
7D | MUN5214DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y7s | CGY62 | U1 | SI | 2R |
Будет интересно Что такое фотодиод
Маркировка транзисторов в соответствии с европейской системой классификации.
В соответствии с европейской системой классификации обозначение транзистора состоит из двух букв и трех
цифр (приборы общего применения) или трех букв и двух цифр(приборы специального применения).
Первая буква характеризует материал, из которого сделан транзистор:
А-германий; В- кремний. Вторая буква обозначает область применения прибора:
С-маломощный низкочастотный прибор; D-мощный низкочастотный прибор;F- маломощный высокочастотный прибор;
L-мощный высокочастотный прибор.
Третья буква(если она есть) не несет особой смысловой нагрузки.
Например: транзистор AF115 — общего назначения, германиевый,маломощный, высокочастотный.
Транзистор BD135 — общего назначения, большой мощности, низкочастотный.