Содержание
Модификации и маркировка транзистора S8050
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус | Маркировка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 | — |
| GS8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 45 | TO-92 | — |
| GSTSS8050 | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85 | TO-92 | — |
| MPS8050 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 | — |
| S8050A/B/C/D/G | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8/0,5 | 150 | 100/150 | 9 | 85…300 | TO-92 | — |
| S8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,5 | 150 | 150 | — | 85 | TO-92 | — |
| SPS8050 | 0,625 | 15 | 12 | 6,5 | 1,5 | 150 | 260 | 5 | 200 | TO-92 | — |
| SS8050/C/D/G | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85…400 | TO-92 | — |
| SS8050T | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85 | TO-92 | — |
| STS8050 | 0,625 | 30 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 120 | 19 | 85 | TO-92 | — |
| Транзисторы исполнения SMD и их маркировка | |||||||||||
| MMSS8050W-H/J/L | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 15 | 120…400 | SOT-323 | Y1 |
| S8050W | 0,25 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | SOT-323 | Y1 |
| SS8050W | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 120 | SOT-323 | Y1 |
| GSTSS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 100 | SOT-23 | 1HA |
| MMSS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120…350 | SOT-23 | Y1 |
| MPS8050S | 0,35 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | — | 85 | SOT-23 | — |
| MPS8050SC | 0,35 | 40 | 25 | 5 | 1,2 | 150 | 150 | — | 85…300 | SOT-23 | — |
| MS8050-H/L | 0,2 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | — | 80…300 | SOT-23 | Y11 |
| S8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | — |
| S8050M-/B/C/D | 0,45 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85…300 | SOT-23 | HY3B/C/D |
| SS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | KEY |
| KST8050D | 0,25 | 50 | 50 | 6 | 1,2 | 150 | 100 | — | 100…320 | SOT-23 | Y1C, Y1D |
| KST8050M | 0,3 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | — | 40…400 | SOT-23 | Y11 |
| KST8050X | 0,3 | 40 | 20 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 20 | 40…350 | SOT-23 | Y1+ |
| KST9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200…400 | SOT-23 | J3 |
| KST9013C | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 40…200 | SOT-23 | J3Y |
| S8050LT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | J3Y |
| MMS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 50…350 | SOT-23 | J3Y |
| DMBT8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 100 | — | 120 | SOT-23 | J3Y |
| KST8050S | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 50…400 | SOT-23 | J3Y |
| KTD1304S | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 50 | 10 | 20…800 | SOT-23 | J3Y |
| KTD1304 | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 60 | — | 20…1000 | SOT-23 | J3Y или MAX |
Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.
Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».
Основные технические характеристики
Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:
- Тип проводимости транзистора NPN;
- Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
- Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
- Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
- Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
- Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
- Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft)100 МГц (MHz)
- Максимально допустимое обратное напряжении на коллекторном переходе (Collector-Base Voltage) U КБ макс .(VCBО ) не более 40 В (V);
- Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) от 85 до 300 hFE;
- Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО(ICBO) у транзистора S8050 не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
- Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40 В (V) и отключенном эммитере (IЭ (IE)=0);
- Максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 65 до +150 градусов (C).
Аналоги и описание
Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.
Полезная информация:
- Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
- Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
- Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
- Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.
Применение
Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:
- Реле;
- Светодиоды;
- Лампочками и т.д.
Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.
Маркировка SMD компонентов G-1 G-2
Расположение и назначение выводов A B C D E FАналоги корпусовТипоразмеры SMD корпусов
| код | Тип | Примечание | Рисунок/ корпус |
| G | BAR63-02W | СВЧ транзистор 3.3ГГц | E1 / SCD80 |
| G | BAR63-03W | СВЧ транзистор 3.3ГГц | E1 / SOD323 |
| G | KV1181E | варикап (2-16пф) | E1 / URD |
| G | MRF947A | n-p-n СВЧ транзистор 8ГГц | A14 / SOT323 |
| G0 | HSMP-3890 | pin-диод аналог HP3890 | A3 / SOT23 |
| G0 | HSMP-389B | pin-диод аналог HP3890 | A3 / SOT323 |
| G08 | DTD133HKA | n-p-n транз. R1=3.3k R2=10k | A14 / SC59 |
| G1 | BFS20 | аналог BF199 | A14 / SOT23 |
| G1p | BFS20 | аналог BF199 | A14 / SOT23 |
| G1t | HSMP-3891 | pin-диод аналог HP3890 | A11 / SOT23 |
| G1 | MMBT5551 | n-p-n транз.аналог 2N5551 | A14 / SOT23 |
| tG1 | PMBT5551 | n-p-n транз.аналог 2N5551 | A14 / SOT23 |
| tG1 | PMST5551 | n-p-n транз.аналог 2N5551 | A14 / SOT323 |
| G1E | BC847A | аналог BC547A | A14 / SOT23 |
| G1F | BC847B | аналог BC547B | A14 / SOT23 |
| G1G | BC847C | аналог BC547C | A14 / SOT23 |
| G1J | BC848A | аналог BC548A | A14 / SOT23 |
| G1K | BC848B | аналог BC548B | A14 / SC70 |
| G1K | BC848B | аналог BC548B | A14 / SOT23 |
| G1L | BC848C | аналог BC548C | A14 / SOT23 |
| G2 | HSMP-3892 | 2pin-диода аналог HP3890 | A4 / SOT23 |
| G3 | HSMP-3893 | 2pin-диода аналог HP3890 | A1 / SOT23 |
| pG3 | PMST5551 | аналог 2N5551 | A14 / SOT323 |
| G3 | BAR63 | pin-диод 3ГГц | A3 / SOT23 |
| G3C | DTB122JK | p-n-p транз.R1=220 R2=470 | A14 / SC59 |
| G3E | BC857A | аналог BC557A | A14 / SOT23 |
| G3F | BC857B | аналог BC557B | A14 / SOT23 |
| G3J | BC858A | аналог BC558A | A14 / SOT23 |
| G3K | BC858B | аналог BC558B | A14 / SOT23 |
| G3K | BC858B | аналог BC558B | A14 / SC70 |
| G3L | BC858C | аналог BC558C | A14 / SOT23 |
| G4 | BFS20R | аналог BF199 | A14 / SOT23 |
| G4 | HSMP-3894 | два;аналог HP3890 | A2 / SOT23 |
| G4 | BAR63-04 | 2pin-диода 3ГГц | A4 / SOT23 |
| G4C | DTD122JK | n-p-n транз.R1=220 R2=470 | A14 / SC59 |
| G4s | BAR63-04W | 2pin-диода 3ГГц | A4 / SOT323 |
| G5 | HSMP-3895 | 2pin-диода аналог HP3890 | B3 / SOT143 |
| код | Тип | Примечание | Рисунок/ корпус |
| G5 | BAR63-05 | 2pin-диода 3ГГц | A2 / SOT23 |
| G5s | BAR63-05W | 2pin-диода 3ГГц | A2 / SOT323 |
| G5B | BC807-25 | аналог BC327-25 | A14 / SOT23 |
| G6 | BAR63-06 | 2pin-диода 3ГГц | A1 / SOT23 |
| G6s | BAR63-06W | 2pin-диода 3ГГц | A1 / SOT323 |
| G6A | BC817-16 | аналог BC337-16 | A14 / |
| G6B | BC817-25 | аналог BC337-25 | A14 / SOT23 |
| G7 | BF579 | p-n-p СВЧ транз. 1.75ГГц | A14 / |
| G11 | DTB113ZKA | p-n-p транз.R1=1k R2=10k | A14 / SC59 |
| G21 | DTD113ZKA | n-p-n транз.R1=1k R2=10k | A14 / SC59 |
| G98 | DTB133HKA | p-n-p транз.R1=3.3k R2=10k | A14 / SC59 |
| GA | HSMP-4890 | 2pin-диода 3ГГц | A2 / SOT23 |
| GA | BAW78A | переключающий диод 50В | B12/SOT89 |
| GAB | BCW60B | аналог BCY58 | A14 / SOT23 |
| GAC | BCW60C | аналог BCY58 | A14 / SOT23 |
| GAD | BCW60D | аналог BCY58 | A14 / SOT23 |
| GAH | BCX70H | аналоги BCY59 BC107B | A14 / SOT23 |
| GAJ | BCX70J | аналоги BCY59 BC107 | A14 / SOT23 |
| GAK | BCX70K | аналоги BCY59 BC107 | A14 / SOT23 |
| GB | BAW78B | переключающий диод 100В | B12/SOT89 |
| GBB | BCW61B | аналог BCY78 | A14 / SOT23 |
| GBC | BCW61C | аналог BCY78 | A14 / SOT23 |
| GBG | BCX71G | аналог BCY79 | A14 / SOT23 |
| GBH | BCX71H | аналог BCY79 | A14 / SOT23 |
| GBJ | BCX71J | аналог BCY79 | A14 / SOT23 |
| GC | BAW78C | перекл. диод 200В | B12/SOT89 |
| GC1 | BCW29 | аналог BC178A | A14 / SOT23 |
| GC2 | BCW30 | аналог BC178B | A14 / SOT23 |
| GD | BAW78D | перекл. диод 400В | B12/SOT89 |
| GD1 | BCW31 | аналог BC108C | A14 / SOT23 |
| GD2 | BCW32 | аналог BC108B | A14 / SOT23 |
| GD3 | BCW33 | аналог BC108A | A14 / SOT23 |
| GE | BFR35AP | аналог BFR34A | A14 / SOT23 |
| GE | BAW79A | 2переключающий диода 50В | C19 /SOT89 |
| GEC | BCW65C | n-p-n транз.32V 800mA | A14 / SOT23 |
| GF | BFR92P | аналог BFR90 | A14 / SOT23 |
| GF | BAW79B | 2перекл. диода 100В | C19 /SOT89 |
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.
Производство российское и белорусское
| Модель | PC Ta = 25°C | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| КТ6111 А/Б/В/Г | 1 | 40 | 25 | 6 | 0,1 | 150 | 100 | 1,7 | 45…630 | TO-92 |
| КТ6114 А/Б/В | 0,45 | 50 | 45 | 5 | 0,1 | 150 | 150 | 3,5 | 60…1000 | TO-92 |
| КТ968 В | 4 | 300 | 200 | 5 | 0,1 | 150 | 90 | 2,8 | 35…220 | TO-39 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| 3DG8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| BC517S | 0,625 | 40 | 30 | 10 | 1 | 150 | 200 | — | 33000 | TO-92 |
| BTN8050A3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | 6 | 160 | TO-92 |
| BTN8050BA3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | — | 160 | TO-92 |
| CX908B/C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1 | 150 | 100 | — | 120…260 | TO-92 |
| KTC3203 | 0,625 | — | 30 | — | 0,8 | 150 | 190 | — | 100 | TO-92 |
| KTC3211 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 |
| KTS8050 | 0,625 | — | 25 | — | 0,8 | 175 | — | — | 100 | TO-92 |
| M8050-C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | — | 150 | 150 | — | 120…160 | TO-92 |
| S8050 | 0,3 | 409 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| 8050HQLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | — | — | 150 | SOT-23 |
| 8050QLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | — | — | 150 | SOT-23 |
| 8050SLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| CHT9013GP | 0,3 | 45 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| F8050HPLG | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| KTC9013SC | 0,35 | 40 | 30 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| MMBT8050D | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| MMS9013-H/L | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| NSS40201L | 0,54 | 40 | 25 | — | 4 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| NSS40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | — | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| NSV40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| PBSS4140T | 0,3 | 40 | 40 | 5 | 1 | 150 | 150 | — | 300 | SOT-23 |
| S9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| ZXTN2040F | 0,35 | — | 40 | — | 1 | — | 150 | — | 300 | SOT-23 |
| ZXTN25040DFL | 0,35 | — | 40 | — | 1,5 | — | 190 | — | 300 | SOT-23 |
| ZXTN649F | 0,5 | — | 25 | — | 3 | — | — | — | 200 | SOT-23 |
Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Комментарии:
Семен 21.11.2020 23:21
Спасибо за статью. Мне пришел Fish-8840TFT. Уже опробовал. Отличный прибор!
Жуков Александр Николае 14.01.2021 09:27
Приветствую, подскажите что за контроллер, маркировка At7MA, находится на плате SSD Samsung 250Gb 860 EVO
Admin 14.01.2021 15:27
Александр Николаевич, у меня нет такой информации.
bal 19.01.2021 12:12
Здравствуйте. Не подскажете,что за контроллер с маркировкой ML4DA?
Admin 19.01.2021 12:17
bal, какой корпус, где стоит, есть ли рядом дроссель?
bal 19.01.2021 13:48
Я Вам уже писал,что заказал на Али sy8113adc, прислали не то. Сейчас получил от другого продавца с маркировкой ML4DA. Корпус sot23—6, а должно быть WCxxx. Собрал схему по даташиту, вроде все работает как надо. Писал Вам до проверки, поэтому иэвините, может зря побеспокоил.
Admin 19.01.2021 13:51
bal, такой маркировки я пока не знаю.
klea 07.02.2021 02:30
Здравствуйте, подскажите что за ШИМ в корпусе SOT—23—6 маркировка PHBI или PHB1. Схема нетипичная, ключевой транзистор биполярный MJE1300L. Оптопары в обвязке нет. Такое впечатление, что смог разобрать по плате — транзистор там вообще нафиг не нужен — он коммутирует просто силовую часть ШИМки, база у него управляется не от ШИМки а от гасящего делителя запитанного от постоянки +300V. Получается, в самой ШИМке встроен ключ…На трансформаторе, дополнительная обмотка с отводом для упр
Admin 07.02.2021 10:24
klea, пока ничего похожего не нашел. Маркировка похожа на Texas Instruments, но у них такого не пробивается по базе. Если что найду — напишу здесь.
klea 07.02.2021 19:21
Дополнительная информация. Блок питания iRZ SCE1200500PE На 12v 500ma. Схемы на него нет, я по крайней мере не нашёл. Такой схемотехники что там — просто не встречал никогда, может какое—то НОУ—ХАУ или тупо извращение от китайцев:) Спасибо!
Евений 28.03.2021 21:56
Добрый вечер подскажите пожалуйста микросхемка маркировка 4C восемь ножек. Стоит на плате зарядки аккумулятора. По дорожкам не очень разберёшь мелко и под элементами. По таблицам не нашёл. Или выпадает далеко не то.
Admin 28.03.2021 22:19
Евений, к сожалению, моя база пока только по трех, пяти и шести выводным компонентам. Просто пока не могу помочь.
Федор Михайлович 24.05.2021 15:41
В радиостанции Midland alan100 plus сгорел линейный стабилизатор смд на нем написано 16m1 подскажите как она называется.
Admin 25.05.2021 07:53
Федор Михайлович, к сожалению, у меня есть данные только по LDO-регуляторам в корпусах SOT23-5…
Анатолий 27.05.2021 22:26
Добрый день. В активных аккустических колонках в блоке питания сгорела микросхема 63W16 SOP—6. Может ли это быть OB2263MP, или я ошибаюсь. Подскажите пожалуйста.
Admin 27.05.2021 22:31
Анатолий, если бы корпус был SOT23-6, я бы сказал, что да. А по SOP-6 у меня просто нет данных. OB2263MP не выпускается в корпусе SOP-6, только в SOT23-6, SOP-8, DIP-8.
Владимир 30.07.2021 21:34
Будьте любезны ответить, что это за SMD элемент: корпус SOT23—3 кодировка не совсем может точная: AS5H8 или A55H8
Admin 31.07.2021 09:48
Владимир, возможно, Si2305ADS полевой транзистор с P-каналом, возможно, что-то другое — в зависимости от того, где стоит и что делает. Если рядом есть дроссель, возможно, повышающий DC/DC-конвертер LC3500 на фиксированное напряжение 2.5 вольта.
Добавить комментарий:
Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.
У транзисторов,разработанных до 1964
года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно,
транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала
модернизацию.
Второй элемент обозначения — одно, двух или
трехзначное число, которое определяет порядковый
номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала,
значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и
СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии.
Например: МП42 — транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки — 42
П401 — транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки — 1.
Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года.
Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных
полупроводниковых приборов, в частности — полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т, означает биполярный
транзистор, буква П — транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные
и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения —
определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор,
маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения,
первые два символа обозначающие материал
и подкласс транзистора остались преждними.
Изменения коснулись обозначения функциональных
возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов.
Для обозначения порядкового номера разработки
используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака).
Для дополнительной классификации используют
буквы русского алфавита, от А до Я.
Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента — обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения,
маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В общем, — без хорошего каталога не разберешься.
Маркировка транзисторов в соответствии с европейской системой классификации.
В соответствии с европейской системой классификации обозначение транзистора состоит из двух букв и трех
цифр (приборы общего применения) или трех букв и двух цифр(приборы специального применения).
Первая буква характеризует материал, из которого сделан транзистор:
А-германий; В- кремний. Вторая буква обозначает область применения прибора:
С-маломощный низкочастотный прибор; D-мощный низкочастотный прибор;F- маломощный высокочастотный прибор;
L-мощный высокочастотный прибор.
Третья буква(если она есть) не несет особой смысловой нагрузки.
Например: транзистор AF115 — общего назначения, германиевый,маломощный, высокочастотный.
Транзистор BD135 — общего назначения, большой мощности, низкочастотный.
Похожие записи:
Как разобрать кулер для воды: алгоритм, техника безопасности
Люстра кольца
Что можно использовать в качестве естественного заземлителя?
Дефекты и неисправности матриц ноутбуков
Почему на техприсоединение к сетям мкд нужно согласие осс
Организация правильного освещения в теплице: схемы размещения светильников и практические советы как установить оптимальное освещение для теплиц (95 фото)